JP2014203839A - 圧電体膜のエッチング方法および圧電素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】圧電体膜のエッチング時のサイドエッチングを抑制し、パターン精度を向上させる。
【解決手段】下部電極12が形成された基板10上に圧電体膜14を形成する圧電体膜形成工程と、金属膜16を、20nm以上300nm以下の膜厚で形成する金属膜形成工程と、パターニングされたレジスト膜18を形成するレジスト膜形成工程と、金属膜16を第1のエッチング液でエッチングする金属膜エッチング工程と、圧電体膜14を第2のエッチング液でエッチングする圧電体膜エッチング工程と、を有し、第1のエッチング液は、圧電体膜14が第1のエッチング液に対しエッチング耐性を有し、第2のエッチング液は、金属膜16が第2のエッチング液に対しエッチング耐性を有する圧電体膜のエッチング方法、および、圧電素子の製造方法である。
【選択図】図2
【解決手段】下部電極12が形成された基板10上に圧電体膜14を形成する圧電体膜形成工程と、金属膜16を、20nm以上300nm以下の膜厚で形成する金属膜形成工程と、パターニングされたレジスト膜18を形成するレジスト膜形成工程と、金属膜16を第1のエッチング液でエッチングする金属膜エッチング工程と、圧電体膜14を第2のエッチング液でエッチングする圧電体膜エッチング工程と、を有し、第1のエッチング液は、圧電体膜14が第1のエッチング液に対しエッチング耐性を有し、第2のエッチング液は、金属膜16が第2のエッチング液に対しエッチング耐性を有する圧電体膜のエッチング方法、および、圧電素子の製造方法である。
【選択図】図2
Description
本発明は圧電体膜のエッチング方法および圧電素子の製造方法に係り、特に、ウェットエッチングによりエッチングを行う圧電体膜のエッチング方法および圧電素子の製造方法に関する。
電界印加強度の増減に伴って伸縮する圧電性を有する圧電体を使った圧電素子が、インクジェット式記録ヘッドに搭載されるアクチュエータ、センサ、記憶素子などとして使用されている。圧電体のパターンを形成する方法として、エッチング液を用いるウェットエッチングのプロセスが用いられている。
例えば、下記の特許文献1には、エピタキシャル成長したPZT膜の加工方法として塩酸および硝酸のいずれか一方と、フッ化アンモニウムおよびフッ化水素のいずれか一方のフッ素化合物を用いたエッチング方法が記載されている。特許文献2には、誘電体のパターニングにおいて、フッ化水素酸と硫酸または塩酸より構成されるエッチング液でエッチングした後、残渣部分を酸で構成される後処理液にて除去する2段階の方式でパターニングすることが記載されている。2段階でエッチングすることによりフォトレジストとの選択性を向上させることができる。
また、特許文献3には、フッ化水素(HF)、バッファードフッ酸(BHF)、希釈したフッ酸(DHF)、硫酸(H2SO4)、塩酸(HCl)または硝酸(HNO3)のいずれかを含むウェットエッチング液を用いてパターニングを行うことが記載されている。特許文献4には、圧電性を有する基板材料上の金属膜を精度よくエッチングするため、初期はドライエッチングで行い、最後の残渣部分をウェットエッチングで行う方法が記載されている。特許文献5には、圧電体膜のウェットエッチングにクロム膜をマスクに使用することが記載されている。
一般的に用いられているドライエッチングは高精度にエッチングできる方法であるが、装置が高いこと、時間がかかることからコストアップの要因となっており、ウェットエッチングにおいて、より高精度にパターニングを行う方法が求められている。
特許文献1に記載されているエッチング方法では、Si基板上に貴金属電極を形成して非エピタキシャルPZT膜や、Nbを添加した非エピタキシャルのPZT膜においてはエッチング時に残渣が残るという問題があった。また、レジストとPZTの密着性が悪く、PZT膜のサイドエッチングが進行し、PZT膜がテーパー形状となっていた。特許文献2においては、2段階でエッチングを行っているため、プロセスが煩雑となるという問題があった。また、このエッチング方法においても、レジストとPZTとの密着性の問題があり、サイドエッチングが進行しやすかった。さらに、エッチング時間が長くなるため、サイドエッチングの進行度合いが進んでいた。特許文献3においても、エッチング液の組成や圧電体の構造の組み合わせで最適化を行わないと、残渣が残るという問題があり、サイドエッチングの進行も見られた。
また、特許文献4においては、電極を高精度にパターニングする方法であり、圧電体部分のエッチングは想定されていなかった。特許文献5は、マスクに用いられる金属膜をリフトオフ法によりパターニングを行っているため、エッチング精度が悪い、剥離した材料が汚れの原因になるなどという問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、圧電体膜のウェットエッチング時のサイドエッチングを抑制し、パターン精度良く圧電体膜を形成することができる圧電体膜のエッチング方法および圧電素子の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は前記目的を達成するために、下部電極が形成された基板の下部電極上に圧電体膜を形成する圧電体膜形成工程と、圧電体膜上に金属膜を、20nm以上300nm以下の膜厚で形成する金属膜形成工程と、金属膜上にレジスト膜を形成し、レジスト膜をパターニングするレジスト膜形成工程と、レジスト膜をマスク材として、金属膜を第1のエッチング液でエッチングする金属膜エッチング工程と、金属膜エッチング工程後の金属膜をマスク材として、圧電体膜を第2のエッチング液でエッチングする圧電体膜エッチング工程と、を有し、第1のエッチング液は、圧電体膜が第1のエッチング液に対しエッチング耐性を有し、第2のエッチング液は、金属膜が第2のエッチング液に対しエッチング耐性を有する圧電体膜のエッチング方法を提供する。
本発明によれば、圧電体膜とレジスト膜との間に金属膜を設け、金属膜をマスク材として圧電体膜のエッチングを行っているので、従来のレジスト膜をマスク材としていた場合と比較し、圧電体膜とマスク材の熱膨張係数の差を小さくすることができる。したがって、圧電体膜をエッチングしている際に、マスク材である金属膜が剥離することを防止できるので、圧電体膜がサイドエッチングされることを防止することができ、パターン精度を向上させることができる。
また、レジスト膜と金属膜とは熱膨張係数の差が大きいが、金属膜の膜厚を20nm以上300nm以下と膜厚を薄くしているので、金属膜をエッチングする際に、金属膜にサイドエッチングが生じる前にエッチングを終了させることができる。したがって、金属膜をマスク材のレジスト膜に対して精度良くパターニングすることができるので、レジスト膜に対して精度良くパターニングすることができる。
また、金属膜をエッチングする際は、金属膜はエッチングされるが圧電体膜に耐性を有するエッチング液、圧電体膜をエッチングする際は、圧電体膜はエッチングされるが金属膜に耐性を有するエッチング液を使用することで、目的とする膜のみをエッチングすることができ、高精度で、レジスト膜のパターン通りのパターニングができる。
本発明の他の態様に係る圧電体膜のエッチング方法は、金属膜が、Fe、Cr、Ni、NiCr、SUS、Al、Cu、Auのいずれか1つを含む材料からなることが好ましい。
本発明の他の態様に係る圧電体膜のエッチング方法によれば、金属膜の材料として上記金属を含む材料とすることで、圧電体膜との密着性を向上させることができる。したがって、圧電体膜のエッチング時に金属膜が剥離することを防止することができるので、圧電体膜のサイドエッチングの進行を抑制することができる。
本発明の他の態様に係る圧電体膜のエッチング方法は、金属膜に、酸素、または、窒素を含むことが好ましい。
本発明の他の態様に係る圧電体膜のエッチング方法によれば、金属膜に、酸素または窒素を含むことで、圧電体膜との密着性を向上させることができ、エッチング時の剥離を防止することができる。したがって、サイドエッチングの進行を抑制することができる。
本発明の他の態様に係る圧電体膜のエッチング方法は、第1のエッチング液が塩化第二鉄、塩酸、硫酸、過硫酸アンモニウム、ヨウ素とヨウ化アルカリとの混合液、硫酸、硝酸セリウムアンモニウム、過酸化水素水とリン酸の混合液、硝酸、水酸化カリウムのいずれか1つを含むことが好ましい。
本発明の他の態様に係る圧電体膜のエッチング方法によれば、金属膜をエッチングし、圧電体膜に対してエッチング耐性を有する第1のエッチング液として、上記の溶液を含むエッチング液を使用することができる。
本発明の他の態様に係る圧電体膜のエッチング方法は、第2のエッチング液がフッ酸系のエッチング液であることが好ましい。
本発明の他の態様に係る圧電体膜のエッチング方法によれば、圧電体膜をエッチングし、金属膜に対してエッチング耐性を有する第2のエッチング液として、フッ酸系のエッチング液を使用することにより、金属膜はエッチングされず、圧電体膜のみエッチングすることができ、圧電体膜のサイドエッチングを抑制することができる。
本発明の他の態様に係る圧電体膜のエッチング方法は、圧電体膜が酸化物材料であることが好ましい。
本発明の他の態様に係る圧電体膜のエッチング方法によれば、圧電体膜の材料として酸化物材料を使用することにより圧電性能を向上させることができる。
本発明の他の態様に係る圧電体膜のエッチング方法は、圧電体膜がPbを含むペロブスカイト構造を有することが好ましい。
本発明の他の態様に係る圧電体膜のエッチング方法によれば、圧電体膜をPbを含むペロブスカイト構造を有する圧電体膜とすることにより、圧電特性を向上させることができる。
本発明の他の態様に係る圧電体膜のエッチング方法は、圧電体膜が下記一般式(P)で表されることが好ましい。
一般式AaBbO3・・・(P)
(式中、A:Aサイト元素であり、Pbを主成分とする少なくとも1種の元素、
B:Bサイトの元素であり、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Sc、Co、Cu、In、Sn、Ga、Zn、Cd、Fe、およびNiからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素、
O:酸素元素。
a=1.0かつb=1.0である場合が標準であるが、これらの数値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で1.0からずれてもよい。)
本発明の他の態様に係る圧電体膜のエッチング方法によれば、圧電体膜の組成を上記一般式(P)で表される材料を用いることにより、圧電性能を向上させることができる。
(式中、A:Aサイト元素であり、Pbを主成分とする少なくとも1種の元素、
B:Bサイトの元素であり、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Sc、Co、Cu、In、Sn、Ga、Zn、Cd、Fe、およびNiからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素、
O:酸素元素。
a=1.0かつb=1.0である場合が標準であるが、これらの数値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で1.0からずれてもよい。)
本発明の他の態様に係る圧電体膜のエッチング方法によれば、圧電体膜の組成を上記一般式(P)で表される材料を用いることにより、圧電性能を向上させることができる。
本発明は前記目的を達成するために、基板上に下部電極を形成する下部電極形成工程と、下部電極上に、上記記載の圧電体膜のエッチング方法により圧電体膜を成膜する圧電体膜成膜工程と、レジスト膜を除去するレジスト膜除去工程と、を有する圧電素子の製造方法を提供する。
本発明によれば、圧電体膜を精度良くパターニングすることができるので、圧電素子として好適に用いることができる。また、マスク材として使用した金属膜を除去せず残すことで、金属膜を上部電極として使用することで、上部電極の形成を省略することができ、製造工程を省略することができる。
本発明の他の態様に係る圧電素子の製造方法は、レジスト膜除去工程後に、金属膜を除去する金属膜除去工程と、金属膜が除去された圧電体膜上に上部電極を形成する上部電極形成工程と、を備えることが好ましい。
本発明の他の態様に係る圧電素子の製造方法によれば、金属膜を除去し、別に上部電極を形成することで、圧電素子を形成することもできる。
本発明の他の態様に係る圧電素子の製造方法は、金属膜は、2層以上の複数の膜で形成されており、金属膜エッチング工程は、第1のエッチング液が、金属膜の各膜に対して異なるエッチング液を使用し、第1のエッチング液のそれぞれのエッチング液は、金属膜の一方の膜をエッチングし、他方の膜に対しエッチング耐性を有することが好ましい。
本発明の他の態様に係る圧電素子の製造方法によれば、金属膜を上部電極として使用する場合に、マスク材としての金属膜のみでは導電性が不十分で、さらに、導電性が必要な場合は、導電性を有する金属膜を形成し、2層以上の金属膜とすることができる。これにより、マスク材として使用した金属膜を上部電極とすることができ、金属膜剥離工程、上部電極形成工程を省略することができる。
本発明の圧電体膜のエッチング方法および圧電素子の製造方法によれば、ウェットエッチング時のサイドエッチングを抑制し、レジストマスクのパターンに対し、精度良く、良好なパターンを形成することができる。
以下、添付図面に従って本発明に係る圧電体膜のエッチング方法および圧電素子の製造方法の好ましい実施の形態について説明する。
<圧電素子の製造方法>
[第1実施形態]
最初に圧電素子の製造方法について説明する。図1、図2は、圧電素子の製造工程を示した説明図である。
[第1実施形態]
最初に圧電素子の製造方法について説明する。図1、図2は、圧電素子の製造工程を示した説明図である。
(工程1):基板準備工程
まず、図1(a)に示すように、基板10を用意する。
まず、図1(a)に示すように、基板10を用意する。
基板10としては特に制限なく、シリコン、ガラス、ステンレス(SUS)、イットリウム安定化ジルコニア(YSZ)、SrTiO3、アルミナ、サファイヤ、及びシリコンカーバイド等の基板が挙げられる。基板10としては、シリコン基板上にSiO2膜とSi活性層とが順次積層されたSOI基板等の積層基板を用いてもよい。また、基板10と下部電極12との間に、格子整合性を良好にするためのバッファ層や、電極と基板との密着性を良好にするための密着層等を設けても構わない。
(工程2):下部電極形成工程
次に、基板10上に下部電極12を成膜する(図1(b))。下部電極12の成膜方法は制限なく、スパッタリング法、イオンプレーティング法、プラズマCVD法、パルスレーザデポジション法(PLD法)などのプラズマを用いる気相成長法や、イオンビームスパッタ法、蒸着法などを挙げることができる。
次に、基板10上に下部電極12を成膜する(図1(b))。下部電極12の成膜方法は制限なく、スパッタリング法、イオンプレーティング法、プラズマCVD法、パルスレーザデポジション法(PLD法)などのプラズマを用いる気相成長法や、イオンビームスパッタ法、蒸着法などを挙げることができる。
下部電極12の主成分としては特に制限は無いが、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)、白金(Pt)の白金系の金属または金属酸化物、およびこれらの組み合わせが挙げられる。下部電極12として、これらの材料を用いることで、圧電性能を向上させることができる。下部電極12の厚みは特に制限なく、50〜500nmであることが好ましい。
(工程3):圧電体膜形成工程
次いで、下部電極12上に圧電体膜14を成膜する(図1(c))。圧電体膜14の成膜方法は制限なく、スパッタリング法、イオンプレーティング法、プラズマCVD法、パルスレーザデポジション法(PLD法)などのプラズマを用いる気相成長法や、イオンビームスパッタ法などを挙げることができる。
次いで、下部電極12上に圧電体膜14を成膜する(図1(c))。圧電体膜14の成膜方法は制限なく、スパッタリング法、イオンプレーティング法、プラズマCVD法、パルスレーザデポジション法(PLD法)などのプラズマを用いる気相成長法や、イオンビームスパッタ法などを挙げることができる。
≪圧電体膜材料≫
圧電体膜14は、下記一般式(P)で表される1種又は複数種のペロブスカイト型酸化物からなるものであり、Bサイト元素BがTi及びZrを含むものであることが好ましく、また、Aサイト元素Aに、Bi、Sr、Ba、Ca、及びLaからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属元素を含むものであることが好ましい。
圧電体膜14は、下記一般式(P)で表される1種又は複数種のペロブスカイト型酸化物からなるものであり、Bサイト元素BがTi及びZrを含むものであることが好ましく、また、Aサイト元素Aに、Bi、Sr、Ba、Ca、及びLaからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属元素を含むものであることが好ましい。
一般式AaBbO3・・・(P)
(式中、A:Aサイト元素であり、Pbを主成分とする少なくとも1種の元素、
B:Bサイトの元素であり、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Sc、Co、Cu、In、Sn、Ga、Zn、Cd、Fe、およびNiからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素、
O:酸素元素。
a=1.0かつb=1.0である場合が標準であるが、これらの数値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で1.0からずれてもよい。)
上記一般式(P)で表されるペロブスカイト型酸化物としては、チタン酸鉛、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)、ジルコニウム酸鉛、チタン酸鉛ランタン、ジルコン酸チタン酸鉛ランタン、マグネシウムニオブ酸ジルコニウムチタン酸鉛、ニッケルニオブ酸ジルコニウムチタン酸鉛等が挙げられる。圧電体膜14は、これら上記一般式(P)で表されるペロブスカイト型酸化物の混晶系であってもよい。
(式中、A:Aサイト元素であり、Pbを主成分とする少なくとも1種の元素、
B:Bサイトの元素であり、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Sc、Co、Cu、In、Sn、Ga、Zn、Cd、Fe、およびNiからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素、
O:酸素元素。
a=1.0かつb=1.0である場合が標準であるが、これらの数値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で1.0からずれてもよい。)
上記一般式(P)で表されるペロブスカイト型酸化物としては、チタン酸鉛、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)、ジルコニウム酸鉛、チタン酸鉛ランタン、ジルコン酸チタン酸鉛ランタン、マグネシウムニオブ酸ジルコニウムチタン酸鉛、ニッケルニオブ酸ジルコニウムチタン酸鉛等が挙げられる。圧電体膜14は、これら上記一般式(P)で表されるペロブスカイト型酸化物の混晶系であってもよい。
特に、BサイトにNbを含有させることで圧電性能を向上させることができる。Nbの含有量としては、3at%以上30at%以下であることが好ましい。Nbの含有量が3at%より少ない場合は、Nb添加の効果が得られず、また、Nbを添加することで、パイロクロア層という圧電性がない異層が形成され易くなるが、30at%を超える場合は、パイロクロア層が多く発生し、圧電性能に影響を与えるため好ましくない。
このように、圧電体膜14の成分にNbを含有させることにより、パイロクロア層が形成され易くなるが、後述するエッチング液を用いてエッチングを行うことで、従来ではエッチングされにくかったパイロクロア層をエッチングすることができ、残渣が残らず良好にエッチングを行うことができる。
また、圧電体膜14は、高い圧電性能が得られることから、基板面に対して非平行方向に延びる多数の柱状結晶体からなる柱状構造膜であることが好ましい。基板面に対して非平行に延びる多数の柱状結晶からなる膜構造では、結晶方位の揃った配向膜が得られる。かかる膜構造は、スパッタリング法等の非熱平衡プロセスにより成膜した場合に得ることができる。柱状結晶の成長方向は基板面に対して非平行であればよく、略垂直方向でも斜め方向でも構わない。圧電体膜をなす多数の柱状結晶の平均柱径は特に制限なく、30nm以上1μm以下が好ましい。また、スパッタリング法等の気相成長法で成膜することにより、膜表面を平滑にすることができるので、エッチングを好適に行うことができる。また、表面平滑性を有するので、微細のパターニングを行うことができる。
圧電体膜14の結晶構造は特に制限なく、PZT系では、正方晶系、菱面体晶系、及びこれらの混晶系が挙げられる。例えば、MPB組成のPb(Zr0.52Ti0.48)O3であれば、成膜条件によって、正方晶単晶構造、正方晶と菱面体晶との混晶構造、あるいは菱面体単晶構造が得られる。
≪他の圧電体膜材料≫
圧電体膜14の材料としては、上記の一般式(P)で表される圧電体材料の他に、チタン酸バリウム系の圧電体材料を使用することもでき、非鉛圧電体として一般的に提案されている材料である、KNN((K0.5Na0.5)NbO3)系材料や、BNT((Bi0.5Na0.5)TiO3)系の材料を使用することもできる。
圧電体膜14の材料としては、上記の一般式(P)で表される圧電体材料の他に、チタン酸バリウム系の圧電体材料を使用することもでき、非鉛圧電体として一般的に提案されている材料である、KNN((K0.5Na0.5)NbO3)系材料や、BNT((Bi0.5Na0.5)TiO3)系の材料を使用することもできる。
圧電体膜14の膜厚は、所望の変位量が得られれば特に制限されないが、500nm以上であることが好ましく、2〜5μmがより好ましい。
(工程4):金属膜形成工程
形成された圧電体膜14上に金属膜16を全面に形成する(図1(d))。金属膜16の形成方法としては、特に限定されず、スパッタリング法、イオンプレーティング法、プラズマCVD法、パルスレーザデポジション法(PLD法)などのプラズマを用いる気相成長法や、イオンビームスパッタ法などを挙げることができる。
形成された圧電体膜14上に金属膜16を全面に形成する(図1(d))。金属膜16の形成方法としては、特に限定されず、スパッタリング法、イオンプレーティング法、プラズマCVD法、パルスレーザデポジション法(PLD法)などのプラズマを用いる気相成長法や、イオンビームスパッタ法などを挙げることができる。
金属膜16を形成する材料としては、圧電体膜14(例えば、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT))との密着性が良い材料であることが好ましい。また、次工程以降で、金属膜16、圧電体膜14をウェットエッチングによりパターニングするため、圧電体膜のエッチング液に対して耐性を有する必要がある。
具体的には、金属として、Au、Ni、NiCr、Fe、SUS、Alなどを使用することができる。また、圧電体膜14との密着性を向上させるために、上記材料からなる金属膜に酸素や窒素を含む金属膜16とすることもできる。
金属膜16の厚みは、300nm以下が好ましく、より好ましくは200nm以下である。金属膜16の膜厚が厚いと金属膜16をウェットエッチングする際、金属膜16自体にサイドエッチングが生じ、パターン形状が悪くなる。また、20nm未満であると、マスク材料として不十分であり、好ましくない。
(工程5):レジスト膜形成工程
金属膜16を形成した後、金属膜16に上にレジストを塗布し、パターニングを行う。レジストはスピンコート法などによって形成した後、ソフトベークを行い、露光、現像を行ってからポストベークを行う。なお、ポストベークの変わりに、紫外線照射による硬化処理(UVキュア)を行っても良い。こうして、金属膜16のパターニングを行う際のマスク材となるレジスト膜18をパターニングする(図1(e))。
金属膜16を形成した後、金属膜16に上にレジストを塗布し、パターニングを行う。レジストはスピンコート法などによって形成した後、ソフトベークを行い、露光、現像を行ってからポストベークを行う。なお、ポストベークの変わりに、紫外線照射による硬化処理(UVキュア)を行っても良い。こうして、金属膜16のパターニングを行う際のマスク材となるレジスト膜18をパターニングする(図1(e))。
(工程6):金属膜エッチング工程
レジスト膜18を形成した後、レジスト膜18をマスク材として金属膜16のウェットエッチングを行う(図2(f))。
レジスト膜18を形成した後、レジスト膜18をマスク材として金属膜16のウェットエッチングを行う(図2(f))。
金属膜16のウェットエッチングに使う第1のエッチング液は、圧電体膜14がエッチング液に対しエッチング耐性のある液を使用する。なお、「エッチング耐性がある」とは、実質的にエッチングがされておらず、エッチング後、目視で観察した時に、エッチングが進行することなく、変質も起こっていないことをいう。圧電体膜14と金属膜16との、金属膜16のエッチングに用いられるエッチング液の選択比は、圧電体膜:金属膜=0:100であることが好ましく、より好ましくは。1:100であり、さらに好ましくは、0.1:100である。第1のエッチング液は、このような選択比、エッチング液の組み合わせを有するものを選択する必要がある。
金属膜16のエッチングに用いられる第1のエッチング液としては、塩化第二鉄、塩酸、硫酸、過硫酸アンモニウム、ヨウ素とヨウ化アルカリの混合液、硝酸、硝酸セリウムアンモニウム、過酸化水素水とリン酸の混合液、水酸化カリウムなど主成分としたエッチング液を使用することができる。
ウェットエッチングの方法としては、特に限定されないが、スプレー法、含浸法(バスに浸す)などにより行うことができる。
(工程7):圧電体膜エッチング工程
次に金属膜16をマスク材として圧電体膜14のウェットエッチングを行う(図2(g))。
次に金属膜16をマスク材として圧電体膜14のウェットエッチングを行う(図2(g))。
圧電体膜14のエッチング液に用いられる第2のウェットエッチング液は、圧電体膜14がエッチングされ、金属膜16に対し、エッチング耐性のある液を使用する。なお、「エッチング耐性がある」とは、実質的にエッチングがされておらず、エッチング後、目視で観察した時に、エッチングが進行することなく、変質も起こっていないことをいう。金属膜16と圧電体膜14との、圧電体膜14のエッチングに用いられるエッチング液の選択比は、金属膜:圧電体膜=0:100であることが好ましく、より好ましくは。1:100であり、さらに好ましくは、0.1:100である。
〔圧電体膜のエッチング液(第2のエッチング液)〕
圧電体膜14のエッチングに用いられる第2のエッチング液としては、少なくともフッ酸系の薬液、および、硝酸を含有するエッチング液を用いることができる。また、レジスト材料に耐塩酸性があるものを使用すれば、塩酸を含有してもかまわい。例えば、以下の(1)〜(7)の成分のいずれかを含むエッチング液を用いることができる。
圧電体膜14のエッチングに用いられる第2のエッチング液としては、少なくともフッ酸系の薬液、および、硝酸を含有するエッチング液を用いることができる。また、レジスト材料に耐塩酸性があるものを使用すれば、塩酸を含有してもかまわい。例えば、以下の(1)〜(7)の成分のいずれかを含むエッチング液を用いることができる。
(1)フッ素系の薬液
フッ化アンモニウム(NH4F)、フッ化水素アンモニウム(NH4F・HF)などのバッファードフッ酸(BHF)、フッ酸(HF)、希フッ酸(DHF)のフッ酸系の薬液は、PZTなどの圧電体膜の材料そのものや、それぞれの金属酸化物を良好に溶かすことができる。フッ酸系の薬剤の合計の濃度は、エッチング液全重量の0.1%以上5%以下とすることが好ましい。濃度が低いとエッチング性能が悪くなり、濃度が高いとレジスト材料にダメージがあるため問題である。
フッ化アンモニウム(NH4F)、フッ化水素アンモニウム(NH4F・HF)などのバッファードフッ酸(BHF)、フッ酸(HF)、希フッ酸(DHF)のフッ酸系の薬液は、PZTなどの圧電体膜の材料そのものや、それぞれの金属酸化物を良好に溶かすことができる。フッ酸系の薬剤の合計の濃度は、エッチング液全重量の0.1%以上5%以下とすることが好ましい。濃度が低いとエッチング性能が悪くなり、濃度が高いとレジスト材料にダメージがあるため問題である。
(2)硝酸
硝酸は、金属を酸化させながらエッチングすることができるため、フッ素系の薬液と混合することで、エッチング効果を向上させることができる。特に、フッ素系のエッチング液で生成した金属フッ化物(例えばフッ化鉛)などを良好にエッチングすることができる。
硝酸は、金属を酸化させながらエッチングすることができるため、フッ素系の薬液と混合することで、エッチング効果を向上させることができる。特に、フッ素系のエッチング液で生成した金属フッ化物(例えばフッ化鉛)などを良好にエッチングすることができる。
また、硝酸は、フッ化鉛や塩化鉛をエッチングする効果を有する。したがって、フッ素系の薬液、および、下記に示す塩酸を含む薬液を用いてエッチングを行うと、フッ化鉛や塩化鉛が精製するが、硝酸によりエッチングを行うことができる。
硝酸の濃度は、エッチング液全重量の5%以上40%以下とすることが好ましい。硝酸の濃度が5%以下と濃度が低いと残渣が残るため好ましくなく、濃度が高いとレジストがダメージを受けてオーバーエッチングするため好ましくない。
(3)塩酸
塩酸は、金属を酸化させながらエッチングすることができるため、フッ素系の薬液と混合することで、エッチング効果を向上させることができる。特に、フッ素系のエッチング液で生成した金属フッ化物(例えばフッ化鉛)などを良好にエッチングすることができる。しかしながら、塩酸を含む薬液を用いてPZTのエッチングを行った場合、HClは、ClとPbが反応し、塩化鉛が生成してしまい、エッチングが進まなくなる。したがって、HClは少ない方が好ましい。
塩酸は、金属を酸化させながらエッチングすることができるため、フッ素系の薬液と混合することで、エッチング効果を向上させることができる。特に、フッ素系のエッチング液で生成した金属フッ化物(例えばフッ化鉛)などを良好にエッチングすることができる。しかしながら、塩酸を含む薬液を用いてPZTのエッチングを行った場合、HClは、ClとPbが反応し、塩化鉛が生成してしまい、エッチングが進まなくなる。したがって、HClは少ない方が好ましい。
HClの量は、エッチング液の全重量に対して10%未満であることが好ましく、より好ましくは5%以下である。HClの量が10%以上となると、塩化物(PZT膜の場合は塩化鉛)の生成が支配的となるため、エッチングが困難となる。10%未満とすることで、良好にエッチングできることが実験より確認できる。塩酸の量を減らすことで、低下するエッチング性能は、硝酸の量を増やすことで対応することができる。
・塩酸と硝酸の比
塩酸と硝酸の比(重量)は、塩酸/硝酸が1/4以下であることが好ましく、より好ましくは、3/28以下である。硝酸の量を塩酸の量より多くすることで、塩酸とPZTとの反応で生成した塩化鉛を硝酸で除去することができるので、残渣が残らずにエッチングを行うことができる。
塩酸と硝酸の比(重量)は、塩酸/硝酸が1/4以下であることが好ましく、より好ましくは、3/28以下である。硝酸の量を塩酸の量より多くすることで、塩酸とPZTとの反応で生成した塩化鉛を硝酸で除去することができるので、残渣が残らずにエッチングを行うことができる。
(4)酢酸
酢酸は、硝酸や塩酸と同様の効果を有する。また、エッチング速度を制御することができ、硝酸と組み合わせることで、残渣のエッチングを促進させることができる。酢酸の濃度は、エッチング液全重量の0%以上30%以下とすることが好ましい。多量に添加すると他の液の効果が薄められてしまうため、適宜添加することが好ましい。
酢酸は、硝酸や塩酸と同様の効果を有する。また、エッチング速度を制御することができ、硝酸と組み合わせることで、残渣のエッチングを促進させることができる。酢酸の濃度は、エッチング液全重量の0%以上30%以下とすることが好ましい。多量に添加すると他の液の効果が薄められてしまうため、適宜添加することが好ましい。
(5)硫酸
硫酸は、金属材料のエッチング、Tiの酸化物のエッチングに用いられ、PZT膜に対するエッチング性能としては良好にエッチングを行うことができる。しかしながら、硫酸の量が多すぎるとレジスト材料を溶かしてしまうため、添加量を調整する必要がある。
硫酸は、金属材料のエッチング、Tiの酸化物のエッチングに用いられ、PZT膜に対するエッチング性能としては良好にエッチングを行うことができる。しかしながら、硫酸の量が多すぎるとレジスト材料を溶かしてしまうため、添加量を調整する必要がある。
硫酸の濃度は、エッチング液全重量の0%以上20%以下とすることが好ましい。
(6)水
水は、上記薬液の濃度調節に用いることができる。
水は、上記薬液の濃度調節に用いることができる。
(7)その他の成分
第2のエッチング液には、本発明の目的を妨げない範囲で、その他の成分、例えば、界面活性剤、劣化防止材などを必要に応じて適宜配合することができる。
第2のエッチング液には、本発明の目的を妨げない範囲で、その他の成分、例えば、界面活性剤、劣化防止材などを必要に応じて適宜配合することができる。
〔その他のエッチング液〕
また、上記各成分の中から、塩化水素(塩酸)、フッ化アンモニウム、水の混合液をエッチング液として圧電体膜14のエッチングを行うこともできる。
また、上記各成分の中から、塩化水素(塩酸)、フッ化アンモニウム、水の混合液をエッチング液として圧電体膜14のエッチングを行うこともできる。
圧電体膜14のウェットエッチングの方法としては、特に限定されないが、スプレー法、含浸法(バスに浸す)などにより行うことができる。
(工程8):レジスト膜剥離工程
その後、レジスト膜18の剥離を行う。レジスト膜18の剥離は専用の剥離液を用いて行うことができる。
その後、レジスト膜18の剥離を行う。レジスト膜18の剥離は専用の剥離液を用いて行うことができる。
(工程9):金属膜剥離工程
次に、金属膜16の剥離を行う(図2(h))。金属膜16の剥離は、金属膜エッチング工程で用いられたエッチング液を用いて行うことができる。
次に、金属膜16の剥離を行う(図2(h))。金属膜16の剥離は、金属膜エッチング工程で用いられたエッチング液を用いて行うことができる。
(工程10):上部電極形成工程
金属膜16が剥離された圧電体膜14上に上部電極20を形成する(図2(i))ことで、圧電体素子1を形成する。上部電極20の成膜方法は制限なく、スパッタリング法、イオンプレーティング法、プラズマCVD法、パルスレーザデポジション法(PLD法)などのプラズマを用いる気相成長法や、イオンビームスパッタ法などを挙げることができる。
金属膜16が剥離された圧電体膜14上に上部電極20を形成する(図2(i))ことで、圧電体素子1を形成する。上部電極20の成膜方法は制限なく、スパッタリング法、イオンプレーティング法、プラズマCVD法、パルスレーザデポジション法(PLD法)などのプラズマを用いる気相成長法や、イオンビームスパッタ法などを挙げることができる。
上部電極20の主成分としては特に制限は無いが、下部電極12で例示した材料、および、Al、Ta、Cr、Cu、Au、NiCrなどの一般的に半導体プロセスで用いられている電極材料、およびこれらの組み合わせが挙げられる。上部電極20の厚みは特に制限なく、50〜500nmであることが好ましい。
<作用>
本実施形態においては、圧電体膜14とレジスト膜18の間に金属膜16を設け、金属膜16をマスク材として圧電体膜14のウェットエッチングを行う。図3は、従来の圧電体膜のエッチング工程を示した図である。従来は、基板210上に下部電極212、圧電体膜214を形成し(図3(a))、圧電体膜214上に、パターニングされたレジスト膜218を形成する(図3(b))。そして、このレジスト膜218をマスク材として圧電体膜のウェットエッチングを行い(図3(c))、レジスト膜218を剥離することで、圧電体膜214のエッチングを行っていた(図3(d))。
本実施形態においては、圧電体膜14とレジスト膜18の間に金属膜16を設け、金属膜16をマスク材として圧電体膜14のウェットエッチングを行う。図3は、従来の圧電体膜のエッチング工程を示した図である。従来は、基板210上に下部電極212、圧電体膜214を形成し(図3(a))、圧電体膜214上に、パターニングされたレジスト膜218を形成する(図3(b))。そして、このレジスト膜218をマスク材として圧電体膜のウェットエッチングを行い(図3(c))、レジスト膜218を剥離することで、圧電体膜214のエッチングを行っていた(図3(d))。
PZT膜のような酸化物材料の熱膨張係数は低く、10ppm以下/℃であり、レジスト膜のような有機材料は熱膨張係数が高く50〜百数十ppm/℃である。したがって、従来のエッチング方法のように、PZT膜の上にレジスト膜を形成した場合、少しの温度差により応力が発生するため、密着性が悪くなり、剥離が生じやすくなる。密着性が悪いと、エッチング中に、圧電体膜とレジスト膜との界面にエッチング液が浸透し、サイドエッチが大きくなり、圧電体膜がテーパー形状となっていた。
これに対し、本実施形態においては、圧電体膜14上に金属膜16を設けており、金属膜16を形成する金属材料の熱膨張係数は20ppm以下/℃であるため、圧電体膜14とマスク材である金属膜16との熱膨張係数の差を小さくすることができる。したがって、圧電体膜14とマスク材との剥離を防止することができるので、ウェットエッチング時にサイドエッチングを防止することができ、精度良くパターンを形成することができる。
また、金属膜16をウェットエッチングする際、金属膜16とマスク材であるレジスト膜18との界面で密着性の問題が生じる。しかしながら、本実施形態においては、金属膜16の膜厚を20nm以上300nm以下と膜厚を薄くしているので、エッチング時間を短くすることができるので、金属膜16のサイドエッチングの進行を抑制することができる。金属膜16の膜厚が厚いと、エッチング時間が長くなり、金属膜16とレジスト膜18との界面からレジスト膜18が剥がれることにより、金属膜16が大きくサイドエッチングされてしまい、パターン精度よく金属膜16をエッチングすることができない。したがって、圧電体膜14のパターン精度も低下する。
したがって、金属膜16はエッチング時間ができる限り短い方が好ましい。すなわち、金属膜16と圧電体膜14のエッチングする液が異なり、それぞれに耐性を有し、それぞれの膜を侵さないのであれば、金属膜16は薄ければ薄い方が、単時間でエッチングできるためレジスト界面の剥離も少なく、理想的なエッチングを行うことができる。
金属膜16の厚みは、10nm以下になると、十分に膜が成膜できず、アイランド状になり、圧電体膜14のエッチング時に悪影響を及ぼすため好ましくない。ロバストネスを考慮すると、20nm以上が好ましい。一方で膜厚が厚いとサイドエッチングが進行するため、300nm以下が好ましく、より好ましくは200nm以下である。
[第2実施形態]
第1実施形態においては、圧電体膜のエッチングを行ったのち、レジスト膜、金属膜を剥離した後、上部電極を形成することで、圧電素子の形成を行っているが、第2実施形態においては、レジスト膜を剥離し、金属膜を上部電極として使用することで、圧電素子としている点が第1実施形態と異なっている。
第1実施形態においては、圧電体膜のエッチングを行ったのち、レジスト膜、金属膜を剥離した後、上部電極を形成することで、圧電素子の形成を行っているが、第2実施形態においては、レジスト膜を剥離し、金属膜を上部電極として使用することで、圧電素子としている点が第1実施形態と異なっている。
第2実施形態は、第1実施形態の(工程1):基板準備工程〜(工程8):レジスト膜剥離工程と同様の方法により行うことができる。また、金属膜16が上部電極となるため、金属膜の材料としては、NiCr合金、Ni、Cr、Cu、Auを用いることが好ましい。
また、上部電極として2種類以上の金属膜からなる場合においても、それぞれの金属膜を個別に、成膜、エッチングを行うことで、圧電素子の製造をすることができる。図4は、上部電極が2層の場合の第2実施形態にかかる圧電素子の製造方法を説明する図である。
圧電体膜14の形成までは第1実施形態と同様の方法により形成を行う(図4(a))。圧電体膜14を形成後、第1の金属膜116aを成膜する(図4(b))。次に、第1の金属膜116a上に、第2の金属膜116bを成膜する(図4(c))。第1の金属膜116a、第2の金属膜116bの成膜方法は第1実施形態と同様の方法により行うことができる。第1の金属膜116aとしては、例えば、NiCr膜を膜厚20nmで成膜する。第2の金属膜116bとしては、例えば、Au膜を膜厚300nmで成膜することができる。
次に、第2の金属膜116b上にパターンが形成されたレジスト膜18を成膜する(図4(d))。レジスト膜18の成膜方法は第1実施形態と同様の方法により行うことができる。
次に、第2の金属膜116bのウェットエッチングを行う(図4(e))。第2の金属膜116bのエッチングに用いられるエッチング液としては、第2の金属膜116bをエッチングするが、第1の金属膜116a、および、圧電体膜14に対し、エッチング耐性を有するエッチング液を用いる。例えば、Au膜に対してはヨウ素系のエッチング液を用いてエッチングを行う。
第2の金属膜116bのエッチング後、第1の金属膜116aのウェットエッチングを行う(図4(f))。第1の金属膜116aのエッチングに用いられるエッチング液としては、第1の金属膜116aをエッチングするが、第2の金属膜116b、および、圧電体膜14に対し、エッチング耐性を有するエッチング液を用いる。例えば、NiCr膜に対しては硝酸セリウムアンモニウム系エッチング液を用いてエッチングを行う。このように、金属膜を2層、または3層以上の膜とした場合は、それぞれ膜に対して、最適なエッチング液を用いてエッチングを行う必要がある。
次に圧電体膜14のエッチングを行う(図4(g))。圧電体膜14のエッチング方法についても第1実施形態と同様の方法により行うことができる。最後に、レジスト膜18を専用の剥離液を用いて剥離する(図4(h))ことで、上部電極120を有する圧電体素子100を形成する。
図4に示す圧電素子の製造方法(圧電体膜のエッチング方法)においても圧電体膜14の上に第1の金属膜116a、第2の金属膜116bを設けているので、圧電体膜14のエッチング時のサイドエッチングを抑制することができる。また、第1の金属膜116a、第2の金属膜116bとも薄い膜とすることで、第1の金属膜116a、第2の金属膜116bとも、サイドエッチングを抑制することができるので、第1の金属膜116a、第2の金属膜116bともパターン精度良くウェットエッチングを行うことができ、したがって、圧電体膜14もパターン精度良くウェットエッチングを行うことができる。
また、圧電体膜14のエッチング時のマスク材として用いた第1の金属膜116a、第2の金属膜116bを上部電極として使用することができるので、マスク材の剥離、上部電極の形成の工程を省略することができる。
なお、上部電極120を2層にすることで、1層を圧電体膜14のマスク材として、他の1層を導電性を有する層として、それぞれ効果的に用いることができる。
以下に実施例を示して本発明をさらに詳細に説明する。
≪試験例1≫
<実施例1>
6インチSiウエハ上にTi(10nm)の密着層を形成し、Irを150nm形成して下部電極とした。その後、NbをドープしたPZT膜(2μm)を形成した。次に、PZT膜上にスパッタリング法によりNiCr膜を膜厚約200nmで全面に成膜した。NiCr膜上に、レジストとして、東京応化社製「TSMR8900」(製品名)を約1.5μmの膜厚で成膜し、約40μmのライン幅のパターニングを行った。
<実施例1>
6インチSiウエハ上にTi(10nm)の密着層を形成し、Irを150nm形成して下部電極とした。その後、NbをドープしたPZT膜(2μm)を形成した。次に、PZT膜上にスパッタリング法によりNiCr膜を膜厚約200nmで全面に成膜した。NiCr膜上に、レジストとして、東京応化社製「TSMR8900」(製品名)を約1.5μmの膜厚で成膜し、約40μmのライン幅のパターニングを行った。
金属膜であるNiCr膜を、硝酸セリウムアンモニウムを主成分とするエッチング液にてエッチングを行った。エッチングは25℃の液温にて、含浸法により行った。エッチング後のPZT膜は、全く変質しておらず、また、PZT膜のエッチングは確認されなかった。
その後、PZT膜をフッ化水素アンモニウム(NH4F・HF)0.29%、フッ化アンモニウム(NH4F)1.2%、硝酸(HNO3)28%、酢酸(CH3COOH)17%、水53%の混合液を用い、室温にてエッチング処理を行った。エッチング処理は、エッチング液を満たした浴槽に3分間浸した後、充分に流水で洗浄することで行った。エッチング後のNiCr膜は、上記エッチング液で侵されることはなかった。
その後、レジスト膜を剥離液 東京応化社製「ST−120」(製品名)にて剥離を行った。
次にNiCr膜を、上記の硝酸セリウムアンモニウムを主成分とするエッチング液にて残ったNiCr膜をエッチングした。エッチングは5℃の液温にて、含浸法により行った。これにより、PZT膜のパターン化をすることができた。
<結果>
形成された圧電体膜のライン幅と、レジストのライン幅をウエハ面内の中心、および面内の周囲4点(前、後、左、右)の計5点で測定した。結果を図5に示す。なお、測定ポイントは(1)中心、(2)前、(3)後、(4)左、(5)右、の位置である。また、サイドエッチングの量は、図6に示すように、パターン形成後のレジスト膜18の幅L1からエッチング後の圧電体膜14の最上部の幅L2を引いた値とした。実施例1においては、5点の平均が1.76μmであり、良好なパターンを形成することができた。
形成された圧電体膜のライン幅と、レジストのライン幅をウエハ面内の中心、および面内の周囲4点(前、後、左、右)の計5点で測定した。結果を図5に示す。なお、測定ポイントは(1)中心、(2)前、(3)後、(4)左、(5)右、の位置である。また、サイドエッチングの量は、図6に示すように、パターン形成後のレジスト膜18の幅L1からエッチング後の圧電体膜14の最上部の幅L2を引いた値とした。実施例1においては、5点の平均が1.76μmであり、良好なパターンを形成することができた。
<比較例1>
比較例1として、圧電体膜上に金属膜を形成せず、レジスト膜をマスク材として圧電体膜のウェットエッチングを行った。
比較例1として、圧電体膜上に金属膜を形成せず、レジスト膜をマスク材として圧電体膜のウェットエッチングを行った。
6インチSiウエハ上にTi(10nm)の密着層を形成し、Irを150nm形成して下部電極とした。その後、NbをドープしたPZT膜(2μm)を形成した。PZT膜上に、レジストとして、東京応化社製「TSMR8900」(製品名)を約1.5μmの膜厚で成膜し、約40μmのライン幅のパターニングを行った。
その後、PZT膜をフッ化水素アンモニウム(NH4F・HF)0.29%、フッ化アンモニウム(NH4F)1.2%、硝酸(HNO3)28%、酢酸(CH3COOH)17%、水53%の混合液を用い、室温にてエッチング処理を行った。エッチング処理は、エッチング液を満たした浴槽に3分間浸した後、充分に流水で洗浄することで行った。
その後、レジスト膜を剥離液 東京応化社製「ST−120」(製品名)にて剥離を行った。これにより、PZT膜のパターン化をすることができた。
<結果>
実施例1と同様に、形成された圧電体膜のライン幅と、レジストのライン幅をウエハ面内5点(中心、前、後、左、右)で測定した。結果を図7に示す。比較例1においては、サイドエッチングの量は、5点の平均が約15μmであり、サイドエッチングの量が大きかった。
実施例1と同様に、形成された圧電体膜のライン幅と、レジストのライン幅をウエハ面内5点(中心、前、後、左、右)で測定した。結果を図7に示す。比較例1においては、サイドエッチングの量は、5点の平均が約15μmであり、サイドエッチングの量が大きかった。
≪試験例2≫
<実施例2〜7>、<比較例2、3>
実施例2〜7、比較例2、3として、金属膜、金属膜をエッチングするエッチング液、および、圧電体膜を形成する材料を変更し、圧電体膜のエッチングを行った。なお、金属膜の厚みは200nmとした。結果を図8に示す。なお、図8中の評価は次の基準により判断した。また、図8中の「フッ酸系」のエッチング液とは、実施例1で圧電体膜のエッチングに使用した液である。
A・・・サイドエッチングはほとんど発生せず、2μm未満であった。
B・・・サイドエッチングが若干発生したが(2μm以上5μm未満)、問題ない程度である。
C・・・サイドエッチングが発生していた。(5μm以上)
実施例2は、圧電体膜の材料にBaTiO3を用いて、実施例1と同様の方法によりエッチングを行った。サイドエッチングが抑制された良好な圧電体膜を得ることができた。
<実施例2〜7>、<比較例2、3>
実施例2〜7、比較例2、3として、金属膜、金属膜をエッチングするエッチング液、および、圧電体膜を形成する材料を変更し、圧電体膜のエッチングを行った。なお、金属膜の厚みは200nmとした。結果を図8に示す。なお、図8中の評価は次の基準により判断した。また、図8中の「フッ酸系」のエッチング液とは、実施例1で圧電体膜のエッチングに使用した液である。
A・・・サイドエッチングはほとんど発生せず、2μm未満であった。
B・・・サイドエッチングが若干発生したが(2μm以上5μm未満)、問題ない程度である。
C・・・サイドエッチングが発生していた。(5μm以上)
実施例2は、圧電体膜の材料にBaTiO3を用いて、実施例1と同様の方法によりエッチングを行った。サイドエッチングが抑制された良好な圧電体膜を得ることができた。
実施例3〜7は、金属膜をおよび金属膜をエッチングするそれぞれのエッチング液を図8に示す液に変更し、実施例1と同様の方法によりエッチングを行った。実施例3〜7についてもサイドエッチングが抑制された良好な圧電体膜を得ることができた。
比較例2は、金属膜にTiO2を用い、TiO2膜のエッチング液に実施例1でPZT膜のエッチングに用いたフッ酸系のエッチング液を用いてエッチングを行った。金属膜をエッチングする際に、金属膜と同時にPZT膜もエッチングされるため、PZT膜のサイドエッチングが進行していた。
比較例3は、金属膜にNiCr膜を使用し、エッチング液に実施例1でPZT膜のエッチングに用いたフッ酸系のエッチング液を用いてエッチングを行った。フッ酸系のエッチング液では、NiCr膜がエッチングされず、圧電体膜をエッチングできなかった。
以上より、金属膜をエッチングするエッチング液を最適化することで、圧電体膜を良好にパターニングすることができる。
≪試験例3≫
<実施例8〜10>、<比較例4、5>
試験例3は、金属膜の厚みを変更し、圧電体膜のエッチングを行った。金属膜の厚みを図9に示す厚みとし、圧電体膜の厚みを3μmとした以外は、実施例1と同様の方法により圧電体膜のエッチングを行った。結果を図9に示す。なお、図9の評価は試験例2と同様の基準で評価を行った。
<実施例8〜10>、<比較例4、5>
試験例3は、金属膜の厚みを変更し、圧電体膜のエッチングを行った。金属膜の厚みを図9に示す厚みとし、圧電体膜の厚みを3μmとした以外は、実施例1と同様の方法により圧電体膜のエッチングを行った。結果を図9に示す。なお、図9の評価は試験例2と同様の基準で評価を行った。
図9に示すように、金属膜の厚みが10nmの比較例4においては、NiCr膜がマスク材としての機能を十分果たせず、圧電体膜のエッチング時にNiCr膜の下部の圧電体膜のエッチングも進行していた。また、金属膜の厚みが400nmの比較例5においては、金属膜が厚いため、金属膜のエッチングに時間がかかり、金属膜がオーバーエッチングされていた。そのため、圧電体膜のパターン精度も低下していた。
金属膜の膜厚を20nm、200nmとした実施例8、9においては、金属膜のサイドエッチングが進行せず、また、圧電体膜も良好にパターニングすることができた。金属膜の膜厚を300nmとした実施例10においては、金属膜のエッチング時に、金属膜の膜厚が厚いため時間がかかり少しサイドエッチングされていたが、形成された圧電体膜は問題無い程度であった。
以上より、金属膜の膜厚は、20nm以上300nm以下が好ましく、20nm以上200nm以下がより好ましい。
1、100…圧電素子、10、210…基板、12、212…下部電極、14、214…圧電体膜、16…金属膜、18、218…レジスト膜、20、220…上部電極、116a…第1の金属膜、116b…第2の金属膜
Claims (11)
- 下部電極が形成された基板の前記下部電極上に圧電体膜を形成する圧電体膜形成工程と、
前記圧電体膜上に金属膜を、20nm以上300nm以下の膜厚で形成する金属膜形成工程と、
前記金属膜上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜をパターニングするレジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜をマスク材として、前記金属膜を第1のエッチング液でエッチングする金属膜エッチング工程と、
前記金属膜エッチング工程後の前記金属膜をマスク材として、前記圧電体膜を第2のエッチング液でエッチングする圧電体膜エッチング工程と、を有し、
前記第1のエッチング液は、前記圧電体膜が前記第1のエッチング液に対しエッチング耐性を有し、
前記第2のエッチング液は、前記金属膜が前記第2のエッチング液に対しエッチング耐性を有する圧電体膜のエッチング方法。 - 前記金属膜が、Fe、Cr、Ni、NiCr、SUS、Al、Cu、Auのいずれか1つを含む材料からなる請求項1に記載の圧電体膜のエッチング方法。
- 前記金属膜に、酸素、または、窒素を含む請求項2に記載の圧電体膜のエッチング方法。
- 前記第1のエッチング液が塩化第二鉄、塩酸、硫酸、過硫酸アンモニウム、ヨウ素とヨウ化アルカリとの混合液、硫酸、硝酸セリウムアンモニウム、過酸化水素水とリン酸の混合液、硝酸、水酸化カリウムのいずれか1つを含む請求項1から3のいずれか1項に記載の圧電体膜のエッチング方法。
- 前記第2のエッチング液がフッ酸系のエッチング液である請求項1から4のいずれか1項に記載の圧電体膜のエッチング方法。
- 前記圧電体膜が酸化物材料である請求項1から5のいずれか1項に記載の圧電体膜のエッチング方法。
- 前記圧電体膜がPbを含むペロブスカイト構造を有する請求項6に記載の圧電体膜のエッチング方法。
- 前記圧電体膜が下記一般式(P)で表される請求項6又は7に記載の圧電体膜のエッチング方法。
一般式AaBbO3・・・(P)
(式中、A:Aサイト元素であり、Pbを主成分とする少なくとも1種の元素、
B:Bサイトの元素であり、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Sc、Co、Cu、In、Sn、Ga、Zn、Cd、Fe、およびNiからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素、
O:酸素元素。
a=1.0かつb=1.0である場合が標準であるが、これらの数値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で1.0からずれてもよい。) - 前記基板上に前記下部電極を形成する下部電極形成工程と、
前記下部電極上に、請求項1から8のいずれか1項に記載の圧電体膜のエッチング方法により圧電体膜を成膜する圧電体膜成膜工程と、
前記レジスト膜を除去するレジスト膜除去工程と、を有する圧電素子の製造方法。 - 前記レジスト膜除去工程後に、前記金属膜を除去する金属膜除去工程と、
前記金属膜が除去された前記圧電体膜上に上部電極を形成する上部電極形成工程と、を有する請求項9に記載の圧電素子の製造方法。 - 前記金属膜は、2層以上の複数の膜で形成されており、
前記金属膜エッチング工程は、前記第1のエッチング液が、前記金属膜の各膜に対して異なるエッチング液を使用し、
前記第1のエッチング液のそれぞれのエッチング液は、前記金属膜の一方の前記膜をエッチングし、他方の膜に対しエッチング耐性を有する請求項9に記載の圧電素子の製造方法。
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