JP6703979B2 - ニオブ酸系強誘電体薄膜素子の製造方法 - Google Patents
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Description
基板上に下部電極膜を形成する下部電極膜形成工程と、
前記下部電極膜上にニオブ酸系強誘電体薄膜を形成する強誘電体薄膜形成工程と、
前記ニオブ酸系強誘電体薄膜上にエッチングマスクを所望のパターンとなるように形成するエッチングマスクパターン形成工程と、
前記ニオブ酸系強誘電体薄膜に対してキレート剤とアルカリ水溶液と過酸化水素水(H2O2
aq.)とを含むエッチング液を用いたウェットエッチングを行うことによって、前記ニオブ酸系強誘電体薄膜に所望パターンの微細加工を行う強誘電体薄膜エッチング工程とを有し、
前記アルカリ水溶液はアンモニア水溶液(NH3 aq.)を含み、
前記エッチングマスクは貴金属膜を介して積層したアモルファスフッ素樹脂膜であることを特徴とするニオブ酸系強誘電体薄膜素子の製造方法を提供する。
(i)前記製造方法は、前記ニオブ酸系強誘電体薄膜上に上部電極を形成する上部電極形成工程と、前記上部電極が形成されたニオブ酸系強誘電体薄膜を具備する前記基板からチップ状のニオブ酸系強誘電体薄膜素子を切り出すダイシング工程とを更に有し、前記上部電極が前記貴金属膜である。
(ii)前記キレート剤は、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸(EDTMP)、ニトリロトリス(メチレンホスホン酸)(NTMP)、シクロヘキサンジアミン四酢酸(CyDTA)、1-ヒドロキシエタン-1,1-ジホスホン酸(エチドロン酸)(HEDP)、グリシン-N,N-ビス(メチレンホスホン酸)(GBMP)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)(DTPMP)、クエン酸、およびそれらの塩から選ばれる少なくとも一つである。
(iii)前記キレート剤として、EDTA、EDTMP、NTMP、CyDTA、HEDP、GBMP、DTPMP、またはそれらの塩を用いる場合、前記エッチング液中の該キレート剤のモル濃度は0.001 M(mol/L)以上0.5 M(mol/L)以下であり、前記キレート剤として、クエン酸またはクエン酸塩を用いる場合、前記エッチング液中の該キレート剤のモル濃度は0.03 M以上1 M以下である。
(iv)前記キレート剤の塩は、ナトリウム塩、カリウム塩、リチウム塩、およびアンモニウム塩から選ばれる少なくとも一つである。
(v)前記貴金属膜は、チタン(Ti)層を介した白金(Pt)膜、または、ニッケル(Ni)層、コバルト(Co)層、タングステン(W)層またはモリブデン(Mo)層のうちの一つを介した金(Au)膜である。
(vi)前記強誘電体薄膜エッチング工程は、前記エッチング液の温度が60℃以上100℃未満である。
(vii)前記ニオブ酸系強誘電体薄膜は、ニオブ酸カリウムナトリウム((K1-xNax)NbO3、KNN)またはニオブ酸リチウム(LiNbO3、LN)からなる。
(viii)前記下部電極膜は、Ti層を介したPt膜である。
(ix)前記ニオブ酸系強誘電体薄膜は、結晶系が擬立方晶または正方晶であり主表面が(0
0 1)面に優先配向するようにスパッタ法により形成される。
(x)前記基板は、その表面に熱酸化膜を有するシリコン(Si)基板である。
本工程では、基板11上に下部電極膜12を形成する(図1(a)参照)。下部電極膜12の材料は、特に限定されないが、白金(Pt)又はPtを主成分とする合金を用いることが好ましい。Ptは、後述する強誘電体薄膜エッチング工程で用いるエッチング液に対して不活性であるため、エッチングストッパとして機能することができる。下部電極膜12の厚さおよび形成方法に特段の限定は無く、例えば、100〜300 nm程度の厚さをスパッタ法で成膜することが好ましい。
本工程では、下部電極膜12上にニオブ酸系強誘電体薄膜13を形成する(図1(a)参照)。ニオブ酸系強誘電体の材料としては、KNN((K1-xNax)NbO3、0.4≦ x ≦0.7)を用いることが好ましい。また、形成するニオブ酸系強誘電体薄膜13は、KNN結晶の結晶系が擬立方晶または正方晶であり、薄膜の主表面が(0 0 1)面に優先配向されているものが、強誘電体特性上好ましい。
本工程では、ニオブ酸系強誘電体薄膜13の上に上部電極膜14を成膜する(図1(b)参照)。上部電極膜14の材料としては、例えば、Pt、パラジウム(Pd)、ロジウム(Rh)、イリジウム(Ir)、金(Au)等の貴金属を好適に用いることができる。上部電極膜14の厚さおよび形成方法に特段の限定は無く、例えば、100〜300 nm程度の厚さをスパッタ法で成膜することが好ましい。
本工程では、成膜した上部電極膜14上に、後述するウェットエッチングに対するエッチングマスクを形成する。まず、上部電極膜14上にエッチングマスク膜15となるアモルファスフッ素樹脂を成膜する(図1(b)参照)。次に、フォトリソグラフィプロセスにより、エッチングマスク膜15をパターニングするためのフォトレジストパターン16をエッチングマスク膜15上に形成する(図1(c)参照)。次に、フォトレジストパターン16に沿ってエッチングマスク膜15をエッチングし、所望のパターンを有するエッチングマスクパターン15’を形成する(図1(d)参照)。
本工程では、上部電極膜14に対して、エッチングマスクパターン15’およびフォトレジストパターン16によって規定されるパターンにエッチングを行い、上部電極14’を形成する(図1(d)参照)。上部電極膜14のエッチング方法に特段の限定は無く、ドライエッチング法を用いてもよいしウェットエッチング法を用いてもよい。
本工程では、ニオブ酸系強誘電体薄膜13に対してウェットエッチングを行い、エッチングマスクパターン15’によって規定されるパターンに微細加工を行う(図1(f)参照)。エッチング液としては、キレート剤とアルカリ水溶液と過酸化水素水とを含みフッ酸(HF aq.)を含まないエッチング液を用いることが好ましい。これにより、従来のフッ酸系エッチング液に対して必要とされてきた安全対策コストを低減することができる。
本工程では、所望のパターンを有するニオブ酸系強誘電体薄膜パターン13’および上部電極14’を具備する基板からチップ状のニオブ酸系強誘電体薄膜素子20を切り出す(図1(h)参照)。符号11’はチップ状基板を表し、符号12’は下部電極を表す。これにより、所望のパターンに微細加工されたニオブ酸系強誘電体薄膜を具備する強誘電体薄膜素子20を得ることができる。
[ニオブ酸カリウムナトリウム薄膜素子]
(実施例1のKNN薄膜積層基板の作製)
図1に示した製造工程に沿って、KNN薄膜積層基板を作製した。基板11としては、熱酸化膜付きSi基板((1 0 0)面方位の4インチウェハ、ウェハ厚さ0.525 mm、熱酸化膜厚さ200 nm)を用いた。
実施例1のKNN薄膜積層基板に対して上部電極膜14(それをパターニングした上部電極14’)の構成を変更した実施例2のKNN薄膜積層基板を作製した。なお、上部電極14’の形成に関わる工程以外は、実施例1と同様に行った。
実施例1のKNN薄膜積層基板に対して上部電極膜14(それをパターニングした上部電極14’)の構成を変更した実施例3のKNN薄膜積層基板を作製した。
実施例1のKNN薄膜積層基板に対して上部電極膜14を形成しなかった(ニオブ酸系強誘電体薄膜13の直上にエッチングマスク膜15を形成した)比較例1のKNN薄膜積層基板を作製した。上部電極膜14を形成しなかったこと以外は、実施例1と同様に行った。
ペロブスカイト構造を有するKNN結晶は、本来、c軸長がa軸長よりも長い(すなわちc/a
> 1である)正方晶系に属する。言い換えると、「c/a > 1」の場合、正方晶としてより安定な結晶構造が形成されている(すなわち、結晶性が高い)ことを示す。また、ペロブスカイト構造を有する強誘電体は、一般的に、初期歪みが少ない結晶のc軸方向に電界を印加したときに、より大きい分極値(圧電性や強誘電性におけるより高い利得)が得られる。
上記のエッチングマスクパターン15’を残した実施例1〜3および比較例1のKNN薄膜積層基板から小片(20 mm×20 mm)を切り出し、KNN薄膜に対して、種々のエッチング条件でウェットエッチングを行い、KNN薄膜パターンを形成した(図1(f)参照)。
エチレンジアミン四酢酸(EDTA、和光純薬工業株式会社製、純度99.5%)、
エチレンジアミン四酢酸・二ナトリウム塩二水和物(EDTA・2Na、株式会社同仁化学研究所製、純度99.5%以上)、
エチレンジアミン四酢酸・三ナトリウム塩三水和物(EDTA・3Na、株式会社同仁化学研究所製、純度98.0%以上)、
エチレンジアミン四酢酸・四ナトリウム塩四水和物(EDTA・4Na、株式会社同仁化学研究所製、純度98.0%以上)、
エチレンジアミン四酢酸・二カリウム塩二水和物(EDTA・2K、株式会社同仁化学研究所製、純度99.0%以上)、
エチレンジアミン四酢酸・三カリウム塩二水和物(EDTA・3K、株式会社同仁化学研究所製、純度99.0%以上)、
エチレンジアミン四酢酸・二リチウム塩水和物(EDTA・2Li、和光純薬工業株式会社製、CAS No. 14531-56-7)
エチレンジアミン四酢酸・二アンモニウム塩(EDTA・2NH4、株式会社同仁化学研究所製、純度99.0%以上)、
エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸(EDTMP、キレスト株式会社製、純度90%以上)、
エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸・五ナトリウム塩(EDTMP・5Na、イタルマッチジャパン株式会社製、デイクエスト(登録商標)2046)、
ニトリロトリス(メチレンホスホン酸)(NTMP、東京化成工業株式会社製、純度50%以上)、
ニトリロトリス(メチレンホスホン酸)・五ナトリウム塩(NTMP・5Na、イタルマッチジャパン株式会社製、デイクエスト(登録商標)2006)、
シクロヘキサンジアミン四酢酸・一水和物(CyDTA・H2O、キレスト株式会社製)、
1-ヒドロキシエタン-1,1-ジホスホン酸(エチドロン酸)(HEDP、キレスト株式会社製、純度60%以上)、
1-ヒドロキシエタン-1,1-ジホスホン酸(エチドロン酸)・三ナトリウム塩(HEDP・3Na、イタルマッチジャパン株式会社製、デイクエスト(登録商標)2015DN)、
1-ヒドロキシエタン-1,1-ジホスホン酸(エチドロン酸)・四ナトリウム塩(HEDP・4Na、イタルマッチジャパン株式会社製、デイクエスト(登録商標)2016)、
グリシン-N,N-ビス(メチレンホスホン酸)(GBMP、東京化成工業株式会社製、純度97%以上)、
ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)(DTPMP、イタルマッチジャパン株式会社製、デイクエスト(登録商標)2060S)、
ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)・七ナトリウム塩(DTPMP・7Na、イタルマッチジャパン株式会社製、デイクエスト(登録商標)2066)、
クエン酸(関東化学株式会社製、純度99%以上)、
クエン酸・一水和物(関東化学株式会社製、純度99.5%以上)、
クエン酸・二水素ナトリウム塩(関東化学株式会社製、純度99%以上)、
クエン酸・水素二ナトリウム塩水和物(関東化学株式会社製、純度98%以上)、
クエン酸・三ナトリウム塩二水和物(関東化学株式会社製、純度99%以上)、
クエン酸・二水素カリウム塩(関東化学株式会社製、純度98%以上)、
クエン酸・水素二カリウム塩(関東化学株式会社製、純度98%以上)、
クエン酸・三カリウム塩一水和物(関東化学株式会社製、純度99%以上)、
クエン酸・三リチウム塩四水和物(関東化学株式会社製、純度98%以上)、
クエン酸・二水素アンモニウム塩(関東化学株式会社製、純度95%以上)、
クエン酸・水素二アンモニウム塩(関東化学株式会社製、純度99%以上)、および
クエン酸・三アンモニウム塩(関東化学株式会社製、純度98%以上)を用いた。
エッチング速度とエッチング温度(エッチング液温度)との関係を調査した。エッチング液としては、0.1 Mのキレート剤と、3.5 Mのアンモニア水と、7.5 Mの過酸化水素水とを混合したエッチング液を用いた。エッチング液の初期pHは、9.6〜9.7であった。エッチング液温度は、60〜95℃とした。
M、エッチング液温度85℃(85±1℃程度))とエッチング速度との関係をまとめた表である。表1の結果から判るように、いずれのキレート剤を用いても、十分に高いエッチング速度が得られることが確認された。
エッチング液中のキレート剤濃度の影響について調査した。各種キレート剤濃度を0.0001〜1.2 Mの範囲で変化させて、KNN薄膜のエッチング性を評価した。アンモニア水濃度と過酸化水素水濃度とは、先のエッチング液と同じ(それぞれ3.5 M、7.5 M)にした。また、エッチング液温度は85〜95℃とし、エッチング時間は30〜60分間とした。なお、85〜95℃のエッチング液温度および30〜60分間のエッチング時間は、先のエッチング速度実験の結果から推定すると、1.9μm厚さのKNN薄膜が十分にエッチング除去されて下部電極膜12(ここではPt膜)が露出する時間長さである。
エッチング液の水素イオン指数(pH)の影響について調査した。pHの調整は、アンモニア濃度と塩酸濃度と水酸化ナトリウム濃度との制御によって行った。エッチング液のその他の成分は、0.1 MのEDTMPと7.5 Mの過酸化水素水とした。その結果、pH範囲8〜10でエッチング速度に対する影響が小さく、pHが7.5未満および12超になるとエッチング速度が明確に低下することが確認された。
エッチング液中の過酸化水素濃度の影響について調査した。エッチング液のその他の成分は、0.1 Mの EDTMPと3.5 Mのアンモニア水とした。その結果、4〜9 Mの過酸化水素濃度でエッチング速度に対する影響が小さく、過酸化水素濃度が4 M未満になるとエッチング速度が明確に低下することが確認された。
一部の試料を用いて、KNN薄膜積層基板に対してパッドパターン(200μm角、200μm間隔)の微細加工(下部電極膜12が露出するまでエッチング)を行い、光学顕微鏡および走査型電子顕微鏡(SEM)による微細組織観察を行った。
前述のエッチング速度の評価実験とは別に、KNN薄膜に所望のパターン形成を行った後、ドライエッチング装置(株式会社エリオニクス製、EIS-700)を用いてエッチングマスクパターン15’のみを除去した試料(上部電極14’を残した試料)を用意した。ドライエッチング条件は、アンテナパワー300 W、O2ガスフロー50 sccm、圧力2.7 Paとした。次に、ダイシングを行いチップ状のKNN薄膜素子(実施例1〜3のKNN薄膜素子)を作製した。
[ニオブ酸リチウム薄膜素子]
(LN基板の用意)
ここでは、実験の簡便化のため、ニオブ酸リチウム(LiNbO3、LN)の単結晶基板(10 mm×10 mm×0.5 mm)を用意した。先のKNN薄膜積層基板の場合と同様に、用意したLN単結晶基板の一方の表面上に上部電極膜14を介してエッチングマスク膜15とフォトレジストパターン16とを形成した。続いて、ドライエッチング装置(株式会社エリオニクス製、EIS-700)を用いて、エッチングマスクパターン15’の形成と上部電極14’の形成と行った。その後、アセトン洗浄によりフォトレジストパターン16を除去し、上部電極14’とエッチングマスクパターン15’とが片面に形成されたLN基板を作製した。
[エッチング液準備方法の検討]
強誘電体薄膜エッチング工程における作業効率の向上を目指して、エッチング液準備方法の検討を行った。エッチングする強誘電体薄膜としては、先の検討1と同じ実施例1のKNN薄膜積層基板を用いた。
エッチング液としては、0.4 Mのクエン酸と、3.5 Mのアンモニア水と、7.5 Mの過酸化水素水とからなるエッチング液を二種類の方法で調合した(それぞれ容積2 L)。ひとつは、当該三試薬を一遍に混合する三試薬混合方式によって調合した(エッチング液Aと称す)。もう一つは、過酸化水素水に対して、あらかじめ別途用意したクエン酸/アンモニア濃厚溶液(クエン酸1.43 M/アンモニア12.5 M)を添加混合する二液混合方式によって調合した(エッチング液Bと称す)。
Claims (11)
- ニオブ酸系強誘電体薄膜素子の製造方法であって、
基板上に下部電極膜を形成する下部電極膜形成工程と、
前記下部電極膜上にニオブ酸系強誘電体薄膜を形成する強誘電体薄膜形成工程と、
前記ニオブ酸系強誘電体薄膜上に貴金属膜からなる上部電極を形成する上部電極形成工程と、
前記上部電極上にエッチングマスクを所望のパターンとなるように形成するエッチングマスクパターン形成工程と、
前記ニオブ酸系強誘電体薄膜に対してキレート剤とアルカリ水溶液と過酸化水素水とを含むエッチング液を用いたウェットエッチングを行うことによって、前記ニオブ酸系強誘電体薄膜に所望パターンの微細加工を行う強誘電体薄膜エッチング工程とを有し、
前記アルカリ水溶液はアンモニア水溶液を含み、
前記エッチングマスクはアモルファスフッ素樹脂膜であることを特徴とするニオブ酸系強誘電体薄膜素子の製造方法。 - 請求項1に記載のニオブ酸系強誘電体薄膜素子の製造方法において、
前記エッチングマスクパターン形成工程と前記強誘電体薄膜エッチング工程との間に、前記上部電極を所望のパターンとなるように形成する上部電極膜エッチング工程を更に有し、
前記上部電極が形成されたニオブ酸系強誘電体薄膜を具備する前記基板からチップ状のニオブ酸系強誘電体薄膜素子を切り出すダイシング工程を更に有することを特徴とするニオブ酸系強誘電体薄膜素子の製造方法。 - 請求項1又は請求項2に記載のニオブ酸系強誘電体薄膜素子の製造方法において、
前記キレート剤は、エチレンジアミン四酢酸、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸、ニトリロトリス(メチレンホスホン酸)、シクロヘキサンジアミン四酢酸、1-ヒドロキシエタン-1,1-ジホスホン酸(エチドロン酸)、グリシン-N,N-ビス(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)、クエン酸、およびそれらの塩から選ばれる少なくとも一つであることを特徴とするニオブ酸系強誘電体薄膜素子の製造方法。 - 請求項3に記載のニオブ酸系強誘電体薄膜素子の製造方法において、
前記キレート剤として、エチレンジアミン四酢酸、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸、ニトリロトリス(メチレンホスホン酸)、シクロヘキサンジアミン四酢酸、1-ヒドロキシエタン-1,1-ジホスホン酸(エチドロン酸)、グリシン-N,N-ビス(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)、またはそれらの塩を用いる場合、前記エッチング液中の該キレート剤のモル濃度は0.001 M以上0.5 M以下であり、
前記キレート剤として、クエン酸またはクエン酸塩を用いる場合、前記エッチング液中の該キレート剤のモル濃度は0.03 M以上1 M以下であることを特徴とするニオブ酸系強誘電体薄膜素子の製造方法。 - 請求項3又は請求項4に記載のニオブ酸系強誘電体薄膜素子の製造方法において、
前記キレート剤の塩は、ナトリウム塩、カリウム塩、リチウム塩、およびアンモニウム塩から選ばれる少なくとも一つであることを特徴とするニオブ酸系強誘電体薄膜素子の製造方法。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載のニオブ酸系強誘電体薄膜素子の製造方法において、
前記貴金属膜は、チタン層を介した白金膜、または、ニッケル層およびタングステン層のうちの一つを介した金膜であることを特徴とするニオブ酸系強誘電体薄膜素子の製造方法。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載のニオブ酸系強誘電体薄膜素子の製造方法において、
前記強誘電体薄膜エッチング工程は、前記エッチング液の温度が60℃以上100℃未満であることを特徴とするニオブ酸系強誘電体薄膜素子の製造方法。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載のニオブ酸系強誘電体薄膜素子の製造方法において、
前記ニオブ酸系強誘電体薄膜は、ニオブ酸カリウムナトリウムまたはニオブ酸リチウムからなることを特徴とするニオブ酸系強誘電体薄膜素子の製造方法。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載のニオブ酸系強誘電体薄膜素子の製造方法において、
前記下部電極膜は、チタン層を介した白金膜であることを特徴とするニオブ酸系強誘電体薄膜素子の製造方法。 - 請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載のニオブ酸系強誘電体薄膜素子の製造方法において、
前記ニオブ酸系強誘電体薄膜は、結晶系が擬立方晶または正方晶であり主表面が(0 0 1)面に優先配向するようにスパッタ法により形成されることを特徴とするニオブ酸系強誘電体薄膜素子の製造方法。 - 請求項1乃至請求項10のいずれか一項に記載のニオブ酸系強誘電体薄膜素子の製造方法において、
前記基板は、その表面に熱酸化膜を有するシリコン基板であることを特徴とするニオブ酸系強誘電体薄膜素子の製造方法。
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