JP2014194013A - 熱硬化性樹脂組成物、半導体装置及び電気・電子部品 - Google Patents
熱硬化性樹脂組成物、半導体装置及び電気・電子部品 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014194013A JP2014194013A JP2014037825A JP2014037825A JP2014194013A JP 2014194013 A JP2014194013 A JP 2014194013A JP 2014037825 A JP2014037825 A JP 2014037825A JP 2014037825 A JP2014037825 A JP 2014037825A JP 2014194013 A JP2014194013 A JP 2014194013A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- component
- resin composition
- meth
- thermosetting resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 0 C[N+]([O-])OCC(CO[N+](C)[O-])O[N+](*)[O-] Chemical compound C[N+]([O-])OCC(CO[N+](C)[O-])O[N+](*)[O-] 0.000 description 2
- OHBQPCCCRFSCAX-UHFFFAOYSA-N COc(cc1)ccc1OC Chemical compound COc(cc1)ccc1OC OHBQPCCCRFSCAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZTGSQJRGFWRVMY-UHFFFAOYSA-N C[NH+]([O-])OCCO[NH+](C)[O-] Chemical compound C[NH+]([O-])OCCO[NH+](C)[O-] ZTGSQJRGFWRVMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKWLBTMJSAMKHQ-UHFFFAOYSA-N C[N](C)(c(cc1)ccc1OC)c(cc1)ccc1OC Chemical compound C[N](C)(c(cc1)ccc1OC)c(cc1)ccc1OC OKWLBTMJSAMKHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
【解決手段】(A)プレート型銀微粒子、(B)銀粉、及び(C)熱硬化性樹脂を含み、前記(A)成分の銀微粒子と前記(B)成分の銀粉の合計量を100質量部としたとき、前記(C)成分が1〜20質量部配合される熱硬化性樹脂組成物、および該樹脂組成物をダイアタッチペースト又は放熱部材接着用材料として使用して作製した半導体装置及び電気・電子部品。
【選択図】なし
Description
本発明で使用する(A)プレート型銀微粒子は、球状のナノ粒子とは異なり、一つの金属結晶面を大きく成長させて得られる、厚みの均一なプレート状の薄片状粒子であり、樹脂組成物に配合可能な公知のプレート型銀微粒子が挙げられる。一般に、大きさがミクロンオーダーで厚みが数ナノメートル程度であり、三角形板状、六角形板状、切頂三角形板状などの形状を有している。また、その上面が[111]面で広く覆われていることが好ましい。
上記した共重合体は、それぞれカルボキシル基が水酸基を有する(メタ)アクリレートあるいはグリシジル基を有する(メタ)アクリレートと反応することで得ることが、水酸基が極性基を有さない(メタ)アクリル酸およびその誘導体と反応することで得ることが、グリシジル基が極性基を有さない(メタ)アクリル酸およびその誘導体と反応することで得ることが、可能である。
そして、ポリ(メタ)アクリレートで(メタ)アクリル基を有する化合物は、ポリ(メタ)アクリレートポリオールと(メタ)アクリル酸又はその誘導体との反応により得ることが可能である。
ヒドロキシル基を有する(メタ)アクリレートは、ポリオール化合物と(メタ)アクリル酸誘導体とを反応することで得ることが可能である。この反応は、公知反応を使用することができ、ポリオール化合物に対し、通常0.5〜5倍モルのアクリル酸エステル又はアクリル酸を使用する。
また、ヒドロキシル基を有する(メタ)アクリルアミドは、ヒドロキシル基を有するアミン化合物と(メタ)アクリル酸及びその誘導体とを反応することで得ることが可能である。(メタ)アクリル酸エステルとアミン化合物とを反応させて(メタ)アクリルアミド類を製造する方法は、(メタ)アクリル酸エステルの二重結合が極めて反応性に富む為に、アミン、シクロペンタジエン、アルコール等を予め二重結合に保護基として付加させ、アミド化終了後加熱して保護基を脱離させ目的物を製造するのが一般的である。
このようにヒドロキシル基を含有することにより、還元効果による焼結性が促進されると共に、接着性が向上する。
ここで、脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分枝鎖状及び環状のいずれの形態でもよく、炭素数が6以上であることが好ましく、炭素数が12以上であることがより好ましく、炭素数が24以上であることが特に好ましい。また、この脂肪族炭化水素基はマレイミド基に直接結合していることが好ましい。
このようなマレイミド樹脂の具体例としては、BMI−1500(デジグナーモレキュールズ社製、商品名;分子量 1500)、BMI−1700(デジグナーモレキュールズ社製、商品名;分子量 1700)、等が挙げられる。
本発明で使用する(F)樹脂粒子の平均粒子径は0.5から50μmが好ましく、さらに好ましくは0.8〜20μmであり、より好ましくは0.8〜10μmであり、特に好ましくは0.8〜5μmである。
市販されている具体的なシリコーンパウダーとしては、例えば、信越化学工業(株)製のシリコーン複合パウダー(KMP−600、KMP−601、KMP−602、KMP−605、X−52−7030など)、シリコーンゴムパウダー(KMP−597、KMP−598、KMP−594、X−52−875など)、シリコーンレジンパウダー(KMP−590、KMP−701、X−52−854、X−52−1621など)が挙げられ、これらを単独もしくは、2種類以上組み合わせて使用してもよい。
圧縮弾性率および圧縮回復率が上記の範囲にあると、樹脂組成物の加熱硬化や焼結時において、ボイドの発生を抑制できるのに加え、樹脂と銀粒子やチップ等との密着性が改善され、実装時や高温保持時において、チップの歪や変形の発生を抑制できる樹脂組成物が得られる。
微小圧縮試験器(例えば、島津ダイナミック超微小硬度計DUH−W201[島津製作所製])を用いて、ダイヤモンド製の直径50μmの円柱の平滑端面で、球状樹脂粒子を圧縮速度2.6mN/秒、及び最大試験荷重10gの条件下で圧縮し、30%圧縮変形における荷重値(N)と30%圧縮変形における変位(mm)を測定し、上記数式(1)により算出する。
圧縮回復率(%)=[(L1−L2)/L1]×100 …(2)
圧縮回復率は、20℃の雰囲気下、圧縮変形状態からの形状回復率のことであり、その算出は特公平7−95165号公報に記載の方法に準拠して、微小圧縮試験器(例えば、島津ダイナミック超微小硬度計DUH−W201[島津製作所製])を用いて、ダイヤモンド製の直径50μmの円柱の平滑端面で、球状樹脂粒子を圧縮速度2.6mN/秒、及び最大試験荷重10gの条件下で圧縮し、荷重と変形量のヒステリシス曲線から求めた、総変形量(L1)及び塑性変形量(L2)の比を%で表した値である。
本発明の半導体装置は、上記した熱硬化性樹脂組成物を用いて、半導体素子を素子支持部材となる基板上に接着してなるものである。すなわち、ここで熱硬化性樹脂組成物はダイアタッチペーストとして使用される。
表1及び表2の配合に従って各成分を混合し、ロールで混練し、樹脂ペーストを得た。得られた樹脂ペーストを以下の方法で評価した。その結果を表1及び表2に併せて示す。なお、実施例及び比較例で用いた材料は、下記の通りの市販品を使用した。
(A´):球状銀微粒子(三ツ星ベルト(株)製、商品名:MDot;平均粒径:50nm)
(B):銀粉(福田金属箔粉工業(株)製、商品名:AgC−212D;平均粒子径:5μm)
(C1):ヒドロキシルエチルアクリルアミド((株)興人製、HEAA)
(C2):イミド拡張型ビスマレイミド(デジグナーモレキュールズ社製、商品名:BMI−1500;数平均分子量 1500)
(C3):ジアリルビスフェノールAジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂(日本化薬株式会社製、商品名:RE−810NM;エポキシ当量 223、加水分解性塩素 150ppm(1N KOH−エタノール、ジオキサン溶媒、還流30分)
重合開始剤:ジクミルパーオキサイド(日本油脂(株)製、商品名:パークミルD;急速加熱試験における分解温度:126℃)
(D):リンゴ酸(東京化成工業(株)製)
(E):ジエチレングリコール(東京化成工業(株)製)
(F1):球状樹脂粒子1(信越化学工業(株)製、商品名:KMP−600;平均粒子径:1μm、圧縮弾性率(30%K値):5300N/mm2、圧縮回復率:100%)
(F2):球状樹脂粒子2(綜研化学(株)製、商品名:MX−1500;平均粒子径:15μm、圧縮弾性率(30%K値):1500N/mm2、圧縮回復率:25%、CV値2%)
(F3):球状樹脂粒子3(積水化学(株)製、商品名:ミクロパールAUEZ−035A;平均粒子径:35μm、Au層:20nm、中間Ni層:30nm、圧縮弾性率(30%K値):1000N/mm2、圧縮回復率:10%、CV値5%)
(F4):球状樹脂粒子4(積水化学(株)製、商品名:ミクロパールAUE−035A;平均粒子径:35μm、Au層:20nm、中間Ni層:30nm、圧縮弾性率(30%K値):4100N/mm2、圧縮回復率:55%、CV値5%)
[粘度]
E型粘度計(3°コーン)を用いて、25℃、5rpmでの値を測定した。
[ポットライフ]
25℃の恒温槽内に樹脂ペーストを放置した時の粘度が初期粘度の1.5倍以上増粘するまでの日数を測定した。
4mm×4mmの接合面に金蒸着層を設けた裏面金チップを、半導体用樹脂ペーストを用いて、無垢の銅フレーム及びPPF(Ni−Pd/Auめっきした銅フレーム)にマウントし、200℃、60分で硬化した。硬化及び吸湿処理(85℃、相対湿度85%、72時間)後、マウント強度測定装置を用い、260℃での熱時ダイシェア強度を測定した。
4mm×4mmの接合面に金蒸着層を設けた裏面金チップを、半導体用樹脂ペーストを用いて、表面にNi−Pd/AuめっきしたMo基板にマウントし、200℃、60分で硬化した。高温熱処理として加熱処理(250℃の加熱処理を、100時間及び1000時間)並びに冷熱サイクル処理(−40℃から250℃まで昇温し、また−40℃に冷却する操作を1サイクルとし、これを100サイクル及び1000サイクル)後のそれぞれについて、マウント強度測定装置を用い、260℃での熱時ダイシェア強度を測定した。
JIS R 1611−1997に従い、レーザーフラッシュ法により硬化物の熱伝導率を測定した。
[電気抵抗]
導電ペーストを、ガラス基板(厚み1mm)にスクリーン印刷法により厚み200μmに塗布し、200℃、60分で硬化した。得られた配線を製品名「MCP−T600」(三菱化学(株)製)を用い4端子法にて電気抵抗を測定した。
6mm×6mmの接合面に金蒸着層を設けた裏面金シリコンチップを得られた樹脂ペーストを用いて銅フレーム及びPPFにマウントし、ホットプレート上で、200℃、60秒間の加熱硬化(HP硬化)又はオーブンを使用し、200℃、60分の加熱硬化(OV硬化)を行った。これを京セラケミカル(株)製エポキシ封止材(商品名:KE−G3000D)を用い、下記の条件で成形したパッケージを85℃、相対湿度85%、168時間吸湿処理した後、IRリフロー処理(260℃、10秒)及び冷熱サイクル処理(−55℃から150℃まで昇温し、また−55℃に冷却する操作を1サイクルとし、これを1000サイクル)を行い、各処理後それぞれのパッケージの内部クラックの発生数を超音波顕微鏡で観察した。5個のサンプルについてクラックの発生したサンプル数を示す。
チップ:シリコンチップ及び裏面金メッキチップ
リードフレーム:PPF及び銅
封止材の成形:175℃、2分間
ポストモールドキュアー:175℃、8時間
導電性ペーストを、スタンピング法により凹型のリフレクター構造を側面に有する発光装置用酸化アルミニウム基板へ塗布し、600μm角の銀蒸着層を設けた発光素子をマウントし、200℃、60分の加熱硬化を行った。次いで、発光素子の電極と基板の電極とを金ワイヤーで配線し、シリコーン樹脂(信越化学工業(株)製)で封止した。この状態で通電試験(試験条件25℃、50mA)を、500時間経過後、1000時間経過後、及び2000時間経過後の反射率の初期値に対する低下を下記式にて算出した。
(初期値に対する反射率の低下)=(t時間後の反射率)÷(初期反射率)
マイクロフォーカスX線検査装置(SMX−1000、島津製作所社製)を用いて観察し、ボイド率が5%未満を「○」、5%以上8%未満を「△」、8%以上を「×」と評価した。尚、上記ボイド率は、X線透過装置によりはんだ接合部を接合面に対し垂直方向から観察し、ボイド面積と接合部面積を求め、下式により算出した。
ボイド率(%)=ボイド面積÷(ボイド面積+接合部面積)×100
8mm×8mmの接合面に金蒸着層を設けた裏面金チップを、半導体用樹脂ペーストを用いて、表面にNi−Pd/AuめっきしたMo基板にマウントし、200℃、60分で硬化して作製した半導体パッケージのパッケージ反りを室温にて測定した。測定装置はシャドウモアレ測定装置(ThermoireAXP:Akrometrix製)を用いて、電子情報技術産業協会規格のJEITA ED−7306に準じて測定した。具体的には、測定領域の基板面の全データの最小二乗法によって算出した仮想平面を基準面とし、その基準面から垂直方向の最大値をAとし、最小値をBとした時の、|A|+|B|の値(Coplanarity)をパッケージ反り値とし、次のように評価した。
○:5μm未満、△:5μm以上10μm未満、×:10μm以上
Claims (11)
- (A)プレート型銀微粒子と、(B)前記(A)成分以外の平均粒子径が0.5〜30μmである銀粉と、(C)熱硬化性樹脂と、を含み、
前記(A)成分の銀微粒子と前記(B)成分の銀粉の合計量を100質量部としたとき、前記(C)成分が1〜20質量部配合されていることを特徴とする熱硬化性樹脂組成物。 - 前記(A)プレート型銀微粒子の中心粒子径が0.3〜15μm、厚さが10〜200nmである請求項1記載の熱硬化性樹脂組成物。
- 前記(A)プレート型銀微粒子が、100℃〜250℃で自己焼結するものである請求項1又は2記載の熱硬化性樹脂組成物。
- 前記(C)熱硬化性樹脂が、シアネート樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂又はマレイミド樹脂である請求項1乃至3のいずれか1項記載の熱硬化性樹脂組成物。
- 前記(A)成分と前記(B)成分の質量比が、10:90〜90:10である請求項1乃至4のいずれか1項記載の熱硬化性樹脂組成物。
- さらに、(D)フラックスを含有し、前記(A)成分の銀微粒子と前記(B)成分の銀粉の合計量を100質量部としたとき、前記(D)成分が0.01〜5質量部配合される請求項1乃至6のいずれか1項記載の熱硬化性樹脂組成物。
- さらに、(E)溶剤を含有し、前記(A)成分の銀微粒子と前記(B)成分の銀粉の合計量を100質量部としたとき、前記(E)溶剤が7〜20質量部配合される請求項1乃至7のいずれか1項記載の熱硬化性樹脂組成物。
- 請求項1乃至8のいずれか1項記載の樹脂組成物をダイアタッチ材料とし、半導体素子を基板上に接着したことを特徴とする半導体装置。
- 前記半導体素子が、発光素子であることを特徴とする請求項9記載の半導体装置。
- 請求項1乃至8のいずれか1項記載の樹脂組成物を放熱部材接着用材料とし、放熱部材を発熱部品に接着したことを特徴とする電気・電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014037825A JP6333576B2 (ja) | 2013-03-01 | 2014-02-28 | 熱硬化性樹脂組成物、半導体装置及び電気・電子部品 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013040685 | 2013-03-01 | ||
JP2013040685 | 2013-03-01 | ||
JP2014037825A JP6333576B2 (ja) | 2013-03-01 | 2014-02-28 | 熱硬化性樹脂組成物、半導体装置及び電気・電子部品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014194013A true JP2014194013A (ja) | 2014-10-09 |
JP6333576B2 JP6333576B2 (ja) | 2018-05-30 |
Family
ID=51839464
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014037825A Active JP6333576B2 (ja) | 2013-03-01 | 2014-02-28 | 熱硬化性樹脂組成物、半導体装置及び電気・電子部品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6333576B2 (ja) |
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016065146A (ja) * | 2014-09-25 | 2016-04-28 | 京セラケミカル株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物、半導体装置及び電気・電子部品 |
JP2016092011A (ja) * | 2014-11-04 | 2016-05-23 | 積水化学工業株式会社 | 導電性粒子、導電材料及び接続構造体 |
JP2016222795A (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-28 | ナミックス株式会社 | 樹脂組成物、及び、樹脂組成物を含む導電性接着剤 |
JP2017002181A (ja) * | 2015-06-10 | 2017-01-05 | 京セラ株式会社 | 半導体接着用樹脂組成物、半導体接着用シート及びそれを用いた半導体装置 |
EP3135722A1 (en) * | 2015-08-24 | 2017-03-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heat-curable resin composition |
JP2017071707A (ja) * | 2015-10-08 | 2017-04-13 | 信越化学工業株式会社 | 液状熱伝導性樹脂組成物及び電子部品 |
JP2017088745A (ja) * | 2015-11-11 | 2017-05-25 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物、プリプレグ、金属箔張積層板、樹脂シート及びプリント配線板 |
JPWO2016158829A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2018-01-25 | ナミックス株式会社 | 樹脂組成物、導電性樹脂組成物、接着剤、導電性接着剤、電極形成用ペースト、半導体装置 |
JP2018070668A (ja) * | 2016-10-24 | 2018-05-10 | 信越化学工業株式会社 | 液状エポキシ樹脂組成物 |
KR20190026049A (ko) | 2016-08-19 | 2019-03-12 | 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 | 다이 어태치 페이스트 및 반도체 장치 |
WO2019065221A1 (ja) * | 2017-09-27 | 2019-04-04 | 京セラ株式会社 | ペースト組成物、半導体装置及び電気・電子部品 |
US10259976B2 (en) | 2015-01-29 | 2019-04-16 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Paste-like adhesive composition, semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for bonding heatsink |
JP6566178B1 (ja) * | 2018-03-01 | 2019-08-28 | 住友ベークライト株式会社 | ペースト状接着剤組成物及び半導体装置 |
WO2019167819A1 (ja) * | 2018-03-01 | 2019-09-06 | 住友ベークライト株式会社 | ペースト状接着剤組成物及び半導体装置 |
JP2019173023A (ja) * | 2019-06-03 | 2019-10-10 | 京セラ株式会社 | 半導体接着用シート及びそれを用いた半導体装置 |
WO2019208615A1 (ja) * | 2018-04-26 | 2019-10-31 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物、積層体、樹脂組成物層付き半導体ウェハ、樹脂組成物層付き半導体搭載用基板、及び半導体装置 |
JP2020035721A (ja) * | 2018-08-31 | 2020-03-05 | 京セラ株式会社 | ペースト組成物、半導体装置及び電気・電子部品 |
EP3677658A1 (en) | 2015-07-08 | 2020-07-08 | Sumitomo Bakelite Co.,Ltd. | Thermally conductive composition, semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for bonding heatsink |
US10767085B2 (en) | 2016-11-10 | 2020-09-08 | Kyocera Corporation | Semiconductor-bonding resin composition, semiconductor-bonding sheet, and semiconductor device using semiconductor-bonding sheet |
JP2020197665A (ja) * | 2019-06-04 | 2020-12-10 | 信越ポリマー株式会社 | 現像ローラ、現像装置及び画像形成装置 |
JP2021012323A (ja) * | 2019-07-09 | 2021-02-04 | 信越ポリマー株式会社 | 現像ローラ、現像装置及び画像形成装置 |
WO2021044915A1 (ja) * | 2019-09-05 | 2021-03-11 | 住友ベークライト株式会社 | 熱伝導性組成物および半導体装置 |
JP2021047283A (ja) * | 2019-09-18 | 2021-03-25 | コニカミノルタ株式会社 | 画像形成装置 |
KR20230009942A (ko) | 2020-05-18 | 2023-01-17 | 다나카 기킨조쿠 고교 가부시키가이샤 | 도전성 조성물, 도전성 소결부, 및 도전성 소결부를 구비하고 있는 부재 |
US11802177B2 (en) | 2017-01-27 | 2023-10-31 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Curable resin composition, adhesive, imide oligomer, imide oligomer composition, and curing agent |
KR20240058186A (ko) | 2021-09-24 | 2024-05-03 | 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 | 도전성 페이스트, 경화물, 신터링 촉진제 및 신터링 촉진 방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005531667A (ja) * | 2002-06-28 | 2005-10-20 | ロード コーポレーション | 界面接着剤 |
JP2006059765A (ja) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Tatsuta System Electronics Kk | 導電性ペースト |
JP2006147378A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 導電ペースト |
JP2012092201A (ja) * | 2010-10-26 | 2012-05-17 | Kyocera Chemical Corp | 導電性樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
WO2012133767A1 (ja) * | 2011-03-31 | 2012-10-04 | ナミックス株式会社 | 熱伝導性組成物及び熱伝導体 |
-
2014
- 2014-02-28 JP JP2014037825A patent/JP6333576B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005531667A (ja) * | 2002-06-28 | 2005-10-20 | ロード コーポレーション | 界面接着剤 |
JP2006059765A (ja) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Tatsuta System Electronics Kk | 導電性ペースト |
JP2006147378A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 導電ペースト |
JP2012092201A (ja) * | 2010-10-26 | 2012-05-17 | Kyocera Chemical Corp | 導電性樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
WO2012133767A1 (ja) * | 2011-03-31 | 2012-10-04 | ナミックス株式会社 | 熱伝導性組成物及び熱伝導体 |
Cited By (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016065146A (ja) * | 2014-09-25 | 2016-04-28 | 京セラケミカル株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物、半導体装置及び電気・電子部品 |
JP2016092011A (ja) * | 2014-11-04 | 2016-05-23 | 積水化学工業株式会社 | 導電性粒子、導電材料及び接続構造体 |
US10259976B2 (en) | 2015-01-29 | 2019-04-16 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Paste-like adhesive composition, semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for bonding heatsink |
JPWO2016158829A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2018-01-25 | ナミックス株式会社 | 樹脂組成物、導電性樹脂組成物、接着剤、導電性接着剤、電極形成用ペースト、半導体装置 |
JP2016222795A (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-28 | ナミックス株式会社 | 樹脂組成物、及び、樹脂組成物を含む導電性接着剤 |
JP2017002181A (ja) * | 2015-06-10 | 2017-01-05 | 京セラ株式会社 | 半導体接着用樹脂組成物、半導体接着用シート及びそれを用いた半導体装置 |
EP3677658A1 (en) | 2015-07-08 | 2020-07-08 | Sumitomo Bakelite Co.,Ltd. | Thermally conductive composition, semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for bonding heatsink |
CN106479125A (zh) * | 2015-08-24 | 2017-03-08 | 信越化学工业株式会社 | 热固性树脂组合物 |
JP2017043767A (ja) * | 2015-08-24 | 2017-03-02 | 信越化学工業株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物 |
EP3135722A1 (en) * | 2015-08-24 | 2017-03-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heat-curable resin composition |
JP2017071707A (ja) * | 2015-10-08 | 2017-04-13 | 信越化学工業株式会社 | 液状熱伝導性樹脂組成物及び電子部品 |
JP2017088745A (ja) * | 2015-11-11 | 2017-05-25 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物、プリプレグ、金属箔張積層板、樹脂シート及びプリント配線板 |
KR20190026049A (ko) | 2016-08-19 | 2019-03-12 | 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 | 다이 어태치 페이스트 및 반도체 장치 |
JP2018070668A (ja) * | 2016-10-24 | 2018-05-10 | 信越化学工業株式会社 | 液状エポキシ樹脂組成物 |
US10767085B2 (en) | 2016-11-10 | 2020-09-08 | Kyocera Corporation | Semiconductor-bonding resin composition, semiconductor-bonding sheet, and semiconductor device using semiconductor-bonding sheet |
US11802177B2 (en) | 2017-01-27 | 2023-10-31 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Curable resin composition, adhesive, imide oligomer, imide oligomer composition, and curing agent |
JPWO2019065221A1 (ja) * | 2017-09-27 | 2020-12-03 | 京セラ株式会社 | ペースト組成物、半導体装置及び電気・電子部品 |
WO2019065221A1 (ja) * | 2017-09-27 | 2019-04-04 | 京セラ株式会社 | ペースト組成物、半導体装置及び電気・電子部品 |
TWI686450B (zh) * | 2017-09-27 | 2020-03-01 | 日商京瓷股份有限公司 | 糊料組合物、半導體裝置及電氣‧電子零件 |
JP7100651B2 (ja) | 2017-09-27 | 2022-07-13 | 京セラ株式会社 | ペースト組成物、半導体装置及び電気・電子部品 |
CN111033640A (zh) * | 2017-09-27 | 2020-04-17 | 京瓷株式会社 | 膏组合物、半导体装置以及电气电子部件 |
JP6566178B1 (ja) * | 2018-03-01 | 2019-08-28 | 住友ベークライト株式会社 | ペースト状接着剤組成物及び半導体装置 |
TWI794422B (zh) * | 2018-03-01 | 2023-03-01 | 日商住友電木股份有限公司 | 糊狀接著劑組成物、及半導體裝置 |
CN113930167A (zh) * | 2018-03-01 | 2022-01-14 | 住友电木株式会社 | 糊状粘接剂组合物和半导体装置 |
WO2019167819A1 (ja) * | 2018-03-01 | 2019-09-06 | 住友ベークライト株式会社 | ペースト状接着剤組成物及び半導体装置 |
WO2019208615A1 (ja) * | 2018-04-26 | 2019-10-31 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物、積層体、樹脂組成物層付き半導体ウェハ、樹脂組成物層付き半導体搭載用基板、及び半導体装置 |
US11924979B2 (en) | 2018-04-26 | 2024-03-05 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Resin composition, laminate, semiconductor wafer with resin composition layer, substrate for mounting semiconductor with resin composition layer and semiconductor device |
JPWO2019208615A1 (ja) * | 2018-04-26 | 2021-05-27 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物、積層体、樹脂組成物層付き半導体ウェハ、樹脂組成物層付き半導体搭載用基板、及び半導体装置 |
JP7256967B2 (ja) | 2018-04-26 | 2023-04-13 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物、積層体、樹脂組成物層付き半導体ウェハ、樹脂組成物層付き半導体搭載用基板、及び半導体装置 |
JP2020035721A (ja) * | 2018-08-31 | 2020-03-05 | 京セラ株式会社 | ペースト組成物、半導体装置及び電気・電子部品 |
JP2019173023A (ja) * | 2019-06-03 | 2019-10-10 | 京セラ株式会社 | 半導体接着用シート及びそれを用いた半導体装置 |
JP2020197665A (ja) * | 2019-06-04 | 2020-12-10 | 信越ポリマー株式会社 | 現像ローラ、現像装置及び画像形成装置 |
JP2021012323A (ja) * | 2019-07-09 | 2021-02-04 | 信越ポリマー株式会社 | 現像ローラ、現像装置及び画像形成装置 |
JP7313936B2 (ja) | 2019-07-09 | 2023-07-25 | 信越ポリマー株式会社 | 現像ローラ、現像装置及び画像形成装置 |
JP2022027775A (ja) * | 2019-09-05 | 2022-02-14 | 住友ベークライト株式会社 | 熱伝導性組成物および半導体装置 |
KR20220058923A (ko) * | 2019-09-05 | 2022-05-10 | 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 | 열전도성 조성물 및 반도체 장치 |
CN114341288A (zh) * | 2019-09-05 | 2022-04-12 | 住友电木株式会社 | 导热性组合物和半导体装置 |
JP7264211B2 (ja) | 2019-09-05 | 2023-04-25 | 住友ベークライト株式会社 | 熱伝導性組成物および半導体装置 |
JPWO2021044915A1 (ja) * | 2019-09-05 | 2021-11-04 | 住友ベークライト株式会社 | 熱伝導性組成物および半導体装置 |
CN114341288B (zh) * | 2019-09-05 | 2023-07-28 | 住友电木株式会社 | 导热性组合物和半导体装置 |
KR102576953B1 (ko) | 2019-09-05 | 2023-09-11 | 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 | 열전도성 조성물 및 반도체 장치 |
WO2021044915A1 (ja) * | 2019-09-05 | 2021-03-11 | 住友ベークライト株式会社 | 熱伝導性組成物および半導体装置 |
JP7322624B2 (ja) | 2019-09-18 | 2023-08-08 | コニカミノルタ株式会社 | 画像形成装置 |
JP2021047283A (ja) * | 2019-09-18 | 2021-03-25 | コニカミノルタ株式会社 | 画像形成装置 |
KR20230009942A (ko) | 2020-05-18 | 2023-01-17 | 다나카 기킨조쿠 고교 가부시키가이샤 | 도전성 조성물, 도전성 소결부, 및 도전성 소결부를 구비하고 있는 부재 |
DE112021002818T5 (de) | 2020-05-18 | 2023-04-06 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Elektrisch leitfähige zusammensetzung, elektrisch leitfähiger sinterteil und bauteil mit elektrisch leitfähigem sinterteil |
KR20240058186A (ko) | 2021-09-24 | 2024-05-03 | 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 | 도전성 페이스트, 경화물, 신터링 촉진제 및 신터링 촉진 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6333576B2 (ja) | 2018-05-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6333576B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、半導体装置及び電気・電子部品 | |
JP6360157B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、半導体装置及び電気・電子部品 | |
JP6310799B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、半導体装置、電気・電子部品及びプレート型銀微粒子の製造方法 | |
JP2016065146A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、半導体装置及び電気・電子部品 | |
JP5428134B2 (ja) | 液状樹脂組成物および該液状樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
KR101903819B1 (ko) | 수지 조성물, 그것을 사용한 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP7100651B2 (ja) | ペースト組成物、半導体装置及び電気・電子部品 | |
JP2020035721A (ja) | ペースト組成物、半導体装置及び電気・電子部品 | |
JP5061939B2 (ja) | 熱伝導性樹脂組成物、接着剤層、及びそれらを用いて作製した半導体装置。 | |
JP2009108162A (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
JP6700653B2 (ja) | 半導体接着用樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2009209246A (ja) | 樹脂組成物、接着剤層、及びそれらを用いて作製した半導体装置 | |
JP5880450B2 (ja) | 樹脂組成物および半導体装置 | |
JP6420121B2 (ja) | 半導体接着用樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP6111535B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP7320068B2 (ja) | 銀粒子の製造方法、熱硬化性樹脂組成物、半導体装置及び電気・電子部品 | |
JP2012164724A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5625430B2 (ja) | 半導体用接着剤および半導体装置 | |
JP6282886B2 (ja) | 半導体接着ペースト及び半導体装置 | |
JP2015130452A (ja) | オプトデバイス用導電性樹脂組成物及びオプトデバイス | |
JP2013135204A (ja) | 半導体装置 | |
JP2017119880A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物および半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20160414 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161017 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170823 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170905 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171106 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20171106 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180109 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180222 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180403 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180425 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6333576 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |