JP7320068B2 - 銀粒子の製造方法、熱硬化性樹脂組成物、半導体装置及び電気・電子部品 - Google Patents

銀粒子の製造方法、熱硬化性樹脂組成物、半導体装置及び電気・電子部品 Download PDF

Info

Publication number
JP7320068B2
JP7320068B2 JP2021542935A JP2021542935A JP7320068B2 JP 7320068 B2 JP7320068 B2 JP 7320068B2 JP 2021542935 A JP2021542935 A JP 2021542935A JP 2021542935 A JP2021542935 A JP 2021542935A JP 7320068 B2 JP7320068 B2 JP 7320068B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thermosetting resin
silver
particles
resin composition
silver particles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021542935A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2021039794A1 (ja
JPWO2021039794A5 (ja
Inventor
勇哉 似内
正和 藤原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Publication of JPWO2021039794A1 publication Critical patent/JPWO2021039794A1/ja
Publication of JPWO2021039794A5 publication Critical patent/JPWO2021039794A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7320068B2 publication Critical patent/JP7320068B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/16Metallic particles coated with a non-metal
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02Elements
    • C08K3/08Metals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295Organic, e.g. plastic containing a filler
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/05Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
    • B22F1/052Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles characterised by a mixture of particles of different sizes or by the particle size distribution
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/05Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
    • B22F1/054Nanosized particles
    • B22F1/0549Hollow particles, including tubes and shells
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/16Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
    • B22F9/18Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
    • B22F9/24Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from liquid metal compounds, e.g. solutions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/22Expanded, porous or hollow particles
    • C08K7/24Expanded, porous or hollow particles inorganic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00Use of pretreated ingredients
    • C08K9/04Ingredients treated with organic substances
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02Non-macromolecular additives
    • C09J11/04Non-macromolecular additives inorganic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J9/00Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
    • C09J9/02Electrically-conducting adhesives
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52Mounting semiconductor bodies in containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2301/00Metallic composition of the powder or its coating
    • B22F2301/25Noble metals, i.e. Ag Au, Ir, Os, Pd, Pt, Rh, Ru
    • B22F2301/255Silver or gold
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2304/00Physical aspects of the powder
    • B22F2304/05Submicron size particles
    • B22F2304/054Particle size between 1 and 100 nm
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2304/00Physical aspects of the powder
    • B22F2304/10Micron size particles, i.e. above 1 micrometer up to 500 micrometer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02Elements
    • C08K3/08Metals
    • C08K2003/0806Silver
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00Specific properties of additives
    • C08K2201/002Physical properties
    • C08K2201/005Additives being defined by their particle size in general
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199Material of the matrix
    • H01L2224/2929Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29339Silver [Ag] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29499Shape or distribution of the fillers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3737Organic materials with or without a thermoconductive filler
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/0635Acrylic polymer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/0665Epoxy resin
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12014All metal or with adjacent metals having metal particles
    • Y10T428/12028Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, etc.]
    • Y10T428/12049Nonmetal component

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Description

本開示は、銀粒子の製造方法、熱硬化性樹脂組成物、半導体装置及び電気・電子部品に関する。
近年、半導体素子の高効率化が進められており、それに伴い半導体素子の発熱量増加及び駆動温度が上昇している。また、高温下での信頼性及び放熱性が接合材に求められている。接合材の候補としては、従来から使用されているはんだ及び銀ペーストが挙げられる。しかし、これらは信頼性及び放熱性が不十分のため対応不可であり、高温動作に適合した接合方法の提供が切望されている。例えば、特許文献1には、低温焼成によって優れた導電性が発現する銀ナノ粒子を用いた銀シンタリング(焼結)ペーストが提案されている。
特開2013-142173号公報
すなわち、本願開示は、以下に関する。
[1](A)平均粒子径10~100nmの一次粒子が凝集した平均粒子径0.5~5.0μmの二次粒子からなる銀粒子と、(B)熱硬化性樹脂とを含む熱硬化性樹脂組成物。
[2]上記[1]に記載の熱硬化性樹脂組成物を含むダイアタッチ材料を介して半導体素子と基板とが接着されてなる半導体装置。
[3]上記[1]に記載の熱硬化性樹脂組成物を含む放熱部材接着用材料を介して放熱部材と発熱部材とが接着されてなる電気・電子部品。
[4]銀化合物を含む水溶液にアンモニア水を添加し、銀アンミン錯体溶液を得る工程と、前記工程で得られた銀アンミン錯体溶液中の銀アンミン錯体を還元性化合物によって還元し、銀粒子含有スラリーを得る工程と、を有する、平均粒子径10~100nmの一次粒子が凝集した平均粒子径0.5~5.0μmの二次粒子からなる銀粒子の製造方法。
以下、本開示について、一実施形態を参照しながら詳細に説明する。
<熱硬化性樹脂組成物>
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、(A)平均粒子径10~100nmの一次粒子が凝集した平均粒子径0.5~5.0μmの二次粒子からなる銀粒子と、(B)熱硬化性樹脂とを含む。
〔(A)銀粒子〕
(A)成分の銀粒子は、平均粒子径10~100nmの一次粒子が凝集した平均粒子径0.5~5.0μmの二次粒子からなる。
上記一次粒子の平均粒子径が10nm未満であると比表面積が増大し、熱硬化性樹脂組成物の作業性が低下するおそれがあり、100nmを超えると焼結性が低下するおそれがある。このような観点から、上記一次粒子の平均粒子径は、10~50nmであってもよく、20~50nmであってもよい。
上記一次粒子の平均粒子径は、以下のようにして測定することができ、具体的には実施例に記載の方法により測定することができる。
60℃で120分間の硬化条件で、エポキシ樹脂に銀粒子を埋め込む。これに、集束イオンビーム(FIB)装置で、加工電圧4.0kV、傾斜角度80°、加工時間1.5分間の条件で平面ミリングを行う。得られた球状の銀粒子の断面を、電界放出形走査電子顕微鏡(FE-SEM)で、加速電圧1.0kV、倍率10,000~200,000倍の条件で観察することにより200個の銀粒子の円相当直径を測定する。測定した200個の銀粒子の円相当直径を、画像解析ソフトを用いて画像処理し、個数平均することにより求める。
また、上記二次粒子の平均粒子径が0.5μm未満であると保存安定性が低下するおそれがあり、5.0μmを超えると焼結性が低下するおそれがある。このような観点から、上記二次粒子の平均粒子径は、0.5~3.0μmであってもよく、1.0~3.0μmであってもよい。
上記二次粒子の平均粒子径は、レーザー回折式粒度分布測定装置を用いて測定した粒度分布において積算体積が50%となる粒径(50%粒径D50)のことであり、具体的には実施例に記載の方法により測定することができる。
(A)成分の銀粒子は、ナノサイズの一次粒子が凝集した二次粒子であることにより、該一次粒子の表面が有する高活性を維持し、低温で二次粒子同士の焼結性(自己焼結性)を有する。また、銀粒子同士の焼結と、銀粒子及び接合部材の焼結とが並行して進む。そのため、(A)成分の銀粒子を用いることにより、熱伝導性に優れるとともに低熱抵抗であり、接着特性に優れた熱硬化性樹脂組成物を得ることができる。
(A)成分の銀粒子の形状は特に限定されず、例えば、球状、フレーク状等が挙げられる。(A)成分の銀粒子の形状は球状であってもよい。
また、(A)成分の銀粒子は、中空粒子であってもよく、中実粒子であってもよいが、低温焼結性の観点から、中空粒子であってもよい。ここで、中空粒子とは、粒子内部に空隙が存在する粒子を意味する。(A)成分の銀粒子が中空粒子の場合、銀粒子の中央部に空隙が存在してもよい。また、中実粒子とは、粒子内部に実質的に空間の存在しない粒子を意味する。
(A)成分の銀粒子のタップ密度は、4.0~7.0g/cmであってもよく、4.5~7.0g/cmであってもよく、4.5~6.5g/cmであってもよい。上記銀粒子のタップ密度が、4.0g/cm以上であると熱硬化性樹脂組成物中に銀粒子を高充填することができ、7.0g/cm以下であると熱硬化性樹脂組成物中で銀粒子の沈降を低減することができる。
上記銀粒子のタップ密度は、ASTM標準試験方法B 527に基づき、タップ密度測定器を用いて測定することができ、具体的には実施例に記載の方法により測定することができる。
(A)成分の銀粒子のBET法により求めた比表面積は、0.5~1.5m/gであってもよく、0.5~1.2m/gであってもよく、0.6~1.2m/gであってもよい。上記銀粒子の比表面積が0.5m/g以上であると銀粒子同士の接触を増やすことができ、1.5m/g以下であると熱硬化性樹脂組成物を低粘度化することができる。
上記銀粒子の比表面積は、比表面積測定装置を用いて、窒素吸着によるBET 1点法により測定することができ、具体的には実施例に記載の方法により測定することができる。
(A)成分の銀粒子は、更に、焼成温度領域である150℃~300℃の間に正の熱膨張係数を有してもよい。(A)銀粒子の熱膨張係数は、0.2~10.0ppm/℃であってもよく、1.5~8.0ppm/℃であってもよい。
本開示において銀粒子の熱膨張係数は、ミニ油圧プレス(Specac社製)を用いて、Ag粉銀粒子に対して荷重200kgfを1分間加えて直径5mm、厚さ1mmの円柱型のペレット型試料を作製し、得られた当該試料を熱機械的分析(TMA)装置(セイコーインスツルーメント(株)製、商品名:TMA SS150)を使用して、常温(25℃)から昇温速度20℃/分で350℃まで昇温する条件にて熱膨張を測定した。そして、25℃のペレット長さを基準とした場合の熱膨張係数が、焼成温度領域である150℃~300℃の間の熱膨張係数として求めた。
また、正の線膨張係数を有する銀粒子の焼結開始温度は、収縮が開始するタイミング、つまり、熱膨張係数が最大になった時点の温度である。通常、その温度範囲は150~300℃の間である。
銀シンタリングペーストを構成する銀ナノ粒子は焼結による収縮が大きく、信頼性試験前後での熱抵抗の変化率が大きい。そのため収縮が小さく、信頼性試験前後での熱抵抗の変化率が小さい、銀シンタリングペーストが求められている。
(A)成分の銀粒子が、熱膨張係数を示すときの温度が上記範囲にあると、熱硬化性樹脂組成物は焼結時に銀粒子が膨張することにより銀粒子同士の接触の機会が増えるため、焼結性が良好となり高い熱伝導性が得られる。同時に、焼結時の体積収縮を相殺するように作用するため、熱抵抗の変化率が小さくなる。
熱硬化性組成物中における(A)成分の銀粒子の含有量は20~95質量%であってもよく、40~90質量%であってもよい。
熱硬化性組成物は、(A)成分の銀粒子以外の銀粒子を含んでもよい。熱硬化性組成物が(A)成分の銀粒子以外の銀粒子を含む場合、熱硬化性組成物中における(A)成分の銀粒子以外の銀粒子の含有量は、35質量%以下であってもよく、25質量%以下であってもよく、10質量%以下であってもよく、5質量%以下であってもよい。
((A)銀粒子の製造方法)
(A)成分の銀粒子の製造方法は、銀化合物を含む水溶液にアンモニア水を添加し、銀アンミン錯体溶液を得る工程と、前記工程で得られた銀アンミン錯体溶液中の銀アンミン錯体を還元性化合物によって還元し、銀粒子含有スラリーを得る工程と、を有する。
(銀アンミン錯体溶液を得る工程)
本工程では、銀化合物を含む水溶液にアンモニア水を添加し、銀アンミン錯体溶液を得る。
銀化合物としては、硝酸銀、塩化銀、酢酸銀、シュウ酸銀、酸化銀等が挙げられる。銀化合物は、水への溶解度の観点から、硝酸銀、酢酸銀であってもよい。
アンモニアの添加量は、銀化合物を含む水溶液中の銀1mol当たり2~50molであってもよく、5~50molであってもよく、10~50molであってもよい。アンモニアの添加量が上記範囲内であると、一次粒子の平均粒子径を上述の範囲内とすることができる。
(銀粒子含有スラリーを得る工程)
本工程では、前記工程で得られた銀アンミン錯体溶液中の銀アンミン錯体を還元性化合物によって還元し、銀粒子含有スラリーを得る。
銀アンミン錯体を還元性化合物によって還元することにより、銀アンミン錯体中の銀粒子の一次粒子が凝集し、中央に空隙を有する二次粒子(中空粒子)が形成される。
銀アンミン錯体中の銀量と、還元性化合物の含有量とを適宜調整することにより、上記一次粒子の凝集を制御することができ、得られる二次粒子の平均粒子径を上述の範囲内とすることができる。
還元性化合物は、銀アンミン錯体を還元し銀を析出させる還元力を有するものであれば、特に限定されない。還元性化合物としては、例えば、ヒドラジン誘導体が挙げられる。ヒドラジン誘導体としては、例えば、ヒドラジン一水和物、メチルヒドラジン、エチルヒドラジン、n-プロピルヒドラジン、i-プロピルヒドラジン、n-ブチルヒドラジン、i-ブチルヒドラジン、sec-ブチルヒドラジン、t-ブチルヒドラジン、n-ペンチルヒドラジン、i-ペンチルヒドラジン、neo-ペンチルヒドラジン、t-ペンチルヒドラジン、n-ヘキシルヒドラジン、i-ヘキシルヒドラジン、n-ヘプチルヒドラジン、n-オクチルヒドラジン、n-ノニルヒドラジン、n-デシルヒドラジン、n-ウンデシルヒドラジン、n-ドデシルヒドラジン、シクロヘキシルヒドラジン、フェニルヒドラジン、4-メチルフェニルヒドラジン、ベンジルヒドラジン、2-フェニルエチルヒドラジン、2-ヒドラジノエタノール、アセトヒドラジン等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
還元性化合物の含有量は、銀アンミン錯体中の銀1mol当たり0.25~20.0molであってもよく、0.25~10.0molであってもよく、0.25~5.0molであってもよい。還元性化合物の含有量が上記範囲内であると、得られる二次粒子の平均粒子径を上述の範囲内とすることができる。
さらに、銀アンミン錯体を還元する際の銀アンミン錯体溶液の温度は30℃未満であってもよく、0~20℃であってもよい。銀アンミン錯体溶液の温度がこの範囲にあれば、上記一次粒子の凝集を制御することができるとともに、得られる二次粒子の平均粒子径を上述の範囲内とすることができる。
(銀粒子に保護基を導入する工程)
(A)成分の銀粒子の製造方法は、前記銀粒子含有スラリーを得る工程の後に、さらに、前記工程で得られた銀粒子含有スラリーに、有機保護化合物を添加し、該銀粒子に保護基を導入する工程を有してもよい。
有機保護化合物としては、例えば、カルボン酸、アミン、アミド等が挙げられる。有機保護化合物は、分散性を高める観点から、カルボン酸であってもよい。
カルボン酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ヘキサン酸、カプリル酸、オクチル酸、ノナン酸、カプリン酸、オレイン酸、ステアリン酸、イソステアリン酸等のモノカルボン酸;シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ジグリコール酸等のジカルボン酸;安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、サリチル酸、没食子酸等の芳香族カルボン酸;グリコール酸、乳酸、タルトロン酸、リンゴ酸、グリセリン酸、ヒドロキシ酪酸、酒石酸、クエン酸、イソクエン酸等のヒドロキシ酸等が挙げられる。
有機保護化合物の配合量は、銀粒子1molに対し、1~20mmolであってもよく、1~10mmolであってもよく、1~5mmolであってもよい。有機保護化合物の配合量が1mmol以上であると銀粒子が樹脂中に分散することができ、20mmol以下であると銀粒子が焼結性を損なわず、樹脂中に分散することができる。
〔(B)熱硬化性樹脂〕
(B)熱硬化性樹脂は、一般に接着剤用途として使用される熱硬化性樹脂であれば特に限定されずに使用できる。上記熱硬化性樹脂は、液状樹脂であってもよく、室温(25℃)で液状である樹脂であってもよい。上記熱硬化性樹脂としては、シアネート樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂及びマレイミド樹脂から選ばれる少なくとも1種であってもよい。これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
シアネート樹脂は、分子内に-NCO基を有する化合物であり、加熱により-NCO基が反応することで3次元的網目構造を形成し、硬化する樹脂である。具体的に例示すると、1,3-ジシアナトベンゼン、1,4-ジシアナトベンゼン、1,3,5-トリシアナトベンゼン、1,3-ジシアナトナフタレン、1,4-ジシアナトナフタレン、1,6-ジシアナトナフタレン、1,8-ジシアナトナフタレン、2,6-ジシアナトナフタレン、2,7-ジシアナトナフタレン、1,3,6-トリシアナトナフタレン、4,4’-ジシアナトビフェニル、ビス(4-シアナトフェニル)メタン、ビス(3,5-ジメチル-4-シアナトフェニル)メタン、2,2-ビス(4-シアナトフェニル)プロパン、2,2-ビス(3,5-ジブロモ-4-シアナトフェニル)プロパン、ビス(4-シアナトフェニル)エーテル、ビス(4-シアナトフェニル)チオエーテル、ビス(4-シアナトフェニル)スルホン、トリス(4-シアナトフェニル)ホスファイト、トリス(4-シアナトフェニル)ホスフェート、及びノボラック樹脂とハロゲン化シアンとの反応により得られるシアネート類などが挙げられる。また、これらの多官能シアネート樹脂のシアネート基を三量化することによって形成されるトリアジン環を有するプレポリマーも使用できる。該プレポリマーは、上記の多官能シアネート樹脂モノマーを、例えば、鉱酸、ルイス酸などの酸、ナトリウムアルコラート、第三級アミン類などの塩基、炭酸ナトリウムなどの塩類を触媒として重合させることにより得られる。
シアネート樹脂の硬化促進剤としては、一般に公知のものが使用できる。例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸コバルト、ナフテン酸亜鉛、アセチルアセトン鉄などの有機金属錯体;塩化アルミニウム、塩化錫、塩化亜鉛などの金属塩;トリエチルアミン、ジメチルベンジルアミンなどのアミン類が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの硬化促進剤は1種又は2種以上混合して用いることができる。
エポキシ樹脂は、グリシジル基を分子内に1つ以上有する化合物であり、加熱によりグリシジル基が反応することで3次元的網目構造を形成し、硬化する樹脂である。上記エポキシ樹脂は、1分子中にグリシジル基を2つ以上含む化合物であってもよい。これはグリシジル基が1つの化合物のみでは反応させても十分な硬化物特性を示すことができないからである。グリシジル基を1分子中に2つ以上含む化合物は、2つ以上の水酸基を有する化合物をエポキシ化して得ることができる。このような化合物としては、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビフェノールなどのビスフェノール化合物又はこれらの誘導体、水素添加ビスフェノールA、水素添加ビスフェノールF、水素添加ビフェノール、シクロヘキサンジオール、シクロヘキサンジメタノール、シクロヘキサンジエタノールなどの脂環構造を有するジオール又はこれらの誘導体、ブタンジオール、ヘキサンジオール、オクタンジオール、ノナンジオール、デカンジオールなどの脂肪族ジオール又はこれらの誘導体などをエポキシ化した2官能のもの;トリヒドロキシフェニルメタン骨格、アミノフェノール骨格を有する化合物などをエポキシ化した3官能のもの;フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂などをエポキシ化した多官能のものなどが挙げられるが、これらに限定されるわけではない。また、上記エポキシ樹脂は、熱硬化性樹脂組成物を室温(25℃)でペースト状とするため、単独で又は混合物として室温(25℃)で液状のものであってもよい。通常行われるように反応性希釈剤を使用することも可能である。反応性希釈剤としては、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテルなどの1官能の芳香族グリシジルエーテル類、脂肪族グリシジルエーテル類などが挙げられる。
エポキシ樹脂の硬化剤としては、例えば、脂肪族アミン、芳香族アミン、ジシアンジアミド、ジヒドラジド化合物、酸無水物、フェノール樹脂などが挙げられる。ジヒドラジド化合物としては、アジピン酸ジヒドラジド、ドデカン酸ジヒドラジド、イソフタル酸ジヒドラジド、p-オキシ安息香酸ジヒドラジドなどのカルボン酸ジヒドラジドなどが挙げられる。酸無水物としては、フタル酸無水物、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、エンドメチレンテトラヒドロフタル酸無水物、ドデセニルコハク酸無水物、無水マレイン酸とポリブタジエンの反応物、無水マレイン酸とスチレンの共重合体などが挙げられる。
さらに、硬化を促進するために硬化促進剤を配合でき、エポキシ樹脂の硬化促進剤としては、イミダゾール類、トリフェニルホスフィン又はテトラフェニルホスフィン及びそれらの塩類、ジアザビシクロウンデセンなどのアミン系化合物及びその塩類などが挙げられる。硬化促進剤は、2-メチルイミダゾール、2-エチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-C1123-イミダゾール、2-メチルイミダゾールと2,4-ジアミノ-6-ビニルトリアジンとの付加物などのイミダゾール化合物であってもよい。融点が180℃以上のイミダゾール化合物であってもよい。
アクリル樹脂としては、例えば、2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、3-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、3-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、4-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、1,2-シクロヘキサンジオールモノ(メタ)アクリレート、1,3-シクロヘキサンジオールモノ(メタ)アクリレート、1,4-シクロヘキサンジオールモノ(メタ)アクリレート、1,2-シクロヘキサンジメタノールモノ(メタ)アクリレート、1,3-シクロヘキサンジメタノールモノ(メタ)アクリレート、1,4-シクロヘキサンジメタノールモノ(メタ)アクリレート、1,2-シクロヘキサンジエタノールモノ(メタ)アクリレート、1,3-シクロヘキサンジエタノールモノ(メタ)アクリレート、1,4-シクロヘキサンジエタノールモノ(メタ)アクリレート、グリセリンモノ(メタ)アクリレート、グリセリンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンモノ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールモノ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールモノ(メタ)アクリレートなどの水酸基を有する(メタ)アクリレート及びこれら水酸基を有する(メタ)アクリレートとジカルボン酸又はその誘導体とを反応させて得られるカルボキシ基を有する(メタ)アクリレートなどが挙げられる。ここで使用可能なジカルボン酸としては、例えばシュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸、テトラヒドロフタル酸、ヘキサヒドロフタル酸及びこれらの誘導体等が挙げられる。
また、アクリル樹脂としては、分子量が100~10,000のポリエーテル、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリ(メタ)アクリレートで(メタ)アクリル基を有する化合物;ヒドロキシ基を有する(メタ)アクリレート;ヒドロキシ基を有する(メタ)アクリルアミド等が挙げられる。
マレイミド樹脂は、1分子内にマレイミド基を1つ以上含む化合物であり、加熱によりマレイミド基が反応することで3次元的網目構造を形成し、硬化する樹脂である。マレイミド樹脂としては、例えば、N,N’-(4,4’-ジフェニルメタン)ビスマレイミド、ビス(3-エチル-5-メチル-4-マレイミドフェニル)メタン、2,2-ビス[4-(4-マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパンなどのビスマレイミド樹脂が挙げられる。マレイミド樹脂は、ダイマー酸ジアミンと無水マレイン酸の反応により得られる化合物;マレイミド酢酸、マレイミドカプロン酸といったマレイミド化アミノ酸とポリオールの反応により得られる化合物であってもよい。上記マレイミド化アミノ酸は、無水マレイン酸とアミノ酢酸又はアミノカプロン酸とを反応させることで得られる。上記ポリオールとしては、ポリエーテルポリオール、ポリエステルポリオール、ポリカーボネートポリオール、ポリ(メタ)アクリレートポリオールであってもよく、芳香族環を含まないものであってもよい。
(B)熱硬化性樹脂の含有量は、(A)銀粒子100質量部に対し、1~20質量部であってもよく、5~18質量部であってもよい。(B)熱硬化性樹脂が1質量部以上であると熱硬化性樹脂による接着性を得ることができ、(B)熱硬化性樹脂が20質量部以下であると銀成分の割合が低下するのを制御し、高熱伝導性を十分に確保することができ、熱放散性を向上させることができる。また、有機成分が多くなる過ぎず、光及び熱による劣化を抑え、その結果、発光装置の寿命を高めることができる。
熱硬化性組成物中における(A)銀粒子と(B)熱硬化性樹脂との合計の含有量は30~99質量%であってもよく、50~98質量%であってもよい。
〔(C)希釈剤〕
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、作業性の観点から、さらに(C)希釈剤を含有してもよい。(C)希釈剤としては、例えば、ブチルカルビトール、酢酸セロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ブチルセロソルブアセテート、ブチルカルビトールアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジアセトンアルコール、N-メチル-2-ピロリドン(NMP)、ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド(DMAc)、γ-ブチロラクトン、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン、3,5-ジメチル-1-アダマンタンアミン(DMA)等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物が、(C)希釈剤を含有する場合、その含有量は、(A)銀粒子100質量部に対し、3~20質量部であってもよく、4~15質量部であってもよく、4~10質量部であってもよい。(C)希釈剤の含有量が、3質量部以上であると希釈による低粘度化することができ、20質量部以下であると本実施形態の熱硬化性樹脂組成物を硬化させる際のボイドの発生を制御することができる。
〔その他の成分〕
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、以上の各成分の他、この種の組成物に一般に配合される、ゴム、シリコーン等の低応力化剤;カップリング剤;消泡剤;界面活性剤;顔料、染料等の着色剤;各種重合禁止剤;酸化防止剤;溶剤;その他の各種添加剤を、必要に応じて含有することができる。これらの各添加剤はいずれも1種を使用してもよく、2種以上を混合して使用してもよい。
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、上述した(A)銀粒子、(B)熱硬化性樹脂、必要に応じて含有される(C)希釈剤及び各種添加剤を十分に混合した後、さらにディスパース、ニーダー、3本ロールミル等により混練処理を行い、次いで、脱泡することにより、調製することができる。
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物の硬化物の熱伝導率は、35W/mK以上であってもよく、40W/mK以上であってもよい。
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物の硬化物の熱抵抗は、0.5K/W以下であってもよく、0.3K/W以下であってもよい。
上記熱伝導率及び熱抵抗は、それぞれ実施例に記載の方法により測定することができる。
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物の粘度は、70~200Pa・sであってもよく、100~200Pa・sであってもよい。
上記粘度は、E型粘度計(3°コーン)を使用し、25℃で測定した値とする。具体的には実施例に記載の方法により測定することができる。
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、低粘度で分散性及び接着特性が良好であり、熱伝導性に優れ、低熱抵抗で、体積収縮が小さく低応力性に優れた硬化物を得ることができることから、素子接着用ダイアタッチ材料、放熱部材接着用材料等として用いることができる。
<半導体装置及び電気・電子部品>
本実施形態の半導体装置は、上述の熱硬化性樹脂組成物を含むダイアタッチ材料を介して半導体素子と基板とが接着されてなる。また、本実施形態の電気・電子部品は、上述の熱硬化性樹脂組成物を含む放熱部材接着用材料を介して放熱部材と発熱部材とが接着されてなる。したがって、本実施形態の半導体装置及び電気・電子部品は、信頼性に優れる。
半導体素子は、公知の半導体素子であればよく、例えば、トランジスタ、ダイオード等が挙げられる。さらに、上記半導体素子としては、LED等の発光素子が挙げられる。また、発光素子の種類は特に制限されるものではなく、例えば、MOBVC法等によって基板上にInN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等の窒化物半導体を発光層として形成させたものも挙げられる。
また、素子支持部材としては、銅、銅メッキ銅、PPF(プリプレーティングリードフレーム)、ガラスエポキシ、セラミックス等の材料で形成された支持部材が挙げられる。
本実施形態のダイアタッチ材料を用いることで、半導体素子は金属メッキ処理されていない基材にも接合できる。このようにして得られた半導体装置は、実装後の温度サイクルに対する接続信頼性が従来に比べ飛躍的に向上したものとなる。また、電気抵抗値が十分小さく経時変化が少ないため、長時間の駆動でも出力の経時的減少が少なく長寿命であるという利点がある。
発熱部材としては、上記半導体素子又は該半導体素子を有する部材でもよいし、それ以外の発熱部材でもよい。半導体素子以外の発熱部材としては、光ピックアップ、パワートランジスタ等が挙げられる。また、放熱部材としては、ヒートシンク、ヒートスプレッダー等が挙げられる。
このように、発熱部材に上記放熱部材接着用材料を用いて放熱部材を接着することで、発熱部材で発生した熱を放熱部材から効率良く外部へ放出することが可能となり、発熱部材の温度上昇を抑えることができる。なお、発熱部材と放熱部材とは、放熱部材接着用材料を介して直接接着してもよいし、他の熱伝導率の高い部材を間に挟んで間接的に接着してもよい。
次に実施例により、本開示を具体的に説明するが、本開示は、これらの例によってなんら限定されるものではない。
(銀粒子の製造)
[合成例1]
40gの硝酸銀を10Lのイオン交換水に溶解させ、硝酸銀水溶液を調製し、これに濃度26質量%のアンモニア水203mLを添加して撹拌することにより銀アンミン錯体水溶液を得た。この水溶液を液温10℃とし、撹拌しながら20質量%のヒドラジン一水和物水溶液28mLを60秒間かけて滴下し、銀粒子を析出させ、銀粒子含有スラリーを得た。このスラリー中に、銀量に対して1質量%のオレイン酸を加え10分間撹拌した。このスラリーを濾過し、濾物を、水洗、メタノール洗浄を行い、60℃、24時間真空雰囲気で乾燥して、一次粒子の平均粒子径:20nm、二次粒子の平均粒子径:1.1μm、最大熱膨張係数:+5.5ppm/℃、タップ密度:5.4g/cm、比表面積:1.2m/gの銀粒子を得た。
なお、得られた銀粒子の断面を電界放出形走査電子顕微鏡(FE-SEM)(JEOL社製のJSM-6700F)で観察したところ、該銀粒子は、中央に空隙を有する中空粒子であることを確認した。
[合成例2]
40gの硝酸銀を10Lのイオン交換水に溶解させ、硝酸銀水溶液を調製し、これに濃度26質量%のアンモニア水203mLを添加して撹拌することにより銀アンミン錯体水溶液を得た。この水溶液を液温10℃とし、撹拌しながら20質量%のヒドラジン一水和物水溶液18mLを60秒間かけて滴下し、銀粒子を析出させ、銀粒子含有スラリーを得た。このスラリー中に、銀量に対して1質量%のオレイン酸を加え10分間撹拌した。このスラリーを濾過し、濾物を水洗、メタノール洗浄を行い、60℃、24時間真空雰囲気で乾燥して、一次粒子の平均粒子径:20nm、二次粒子の平均粒子径:1.5μm、最大熱膨張係数:+7.0ppm/℃、タップ密度:5.2g/cm、比表面積:1.1m/gの銀粒子を得た。
[合成例3]
40gの硝酸銀を10Lのイオン交換水に溶解させ、硝酸銀水溶液を調製し、これに濃度26質量%のアンモニア水203mLを添加して撹拌することにより銀アンミン錯体水溶液を得た。この水溶液を液温10℃とし、撹拌しながら20質量%のヒドラジン一水和物水溶液12mLを60秒間かけて滴下し、銀粒子を析出させ、銀粒子含有スラリーを得た。このスラリー中に、銀量に対して1質量%のオレイン酸を加え10分間撹拌した。このスラリーを濾過し、濾物を、水洗、メタノール洗浄を行い、60℃、24時間真空雰囲気で乾燥して、一次粒子の平均粒子径:20nm、二次粒子の平均粒子径:2.6μm、最大熱膨張係数:+7.4ppm/℃、タップ密度:5.0g/cm、比表面積:1.0m/gの銀粒子を得た。
合成例1~3で得られた銀粒子について下記の方法で評価した。
[一次粒子の平均粒子径]
一次粒子の平均粒子径の測定には、上記各合成例で得られた銀アンミン錯体水溶液1020mLに20質量%のヒドラジン一水和物水溶液2.8mLを60秒間かけて滴下して、固液分離し、得られた固形物を純水で洗浄し、60℃、24時間真空雰囲気で乾燥して得られた銀粒子を用いた。
上記一次粒子の平均粒子径は、以下のようにして測定した。
60℃で120分間の硬化条件で、エポヒートCLR(ビューラー社製)に銀粒子を埋め込んだ。これに、集束イオンビーム(FIB)装置(JEOL社製のJEM-9310FIB)で、加工電圧4.0kV、傾斜角度80°、加工時間1.5分間の条件で平面ミリングを行った。得られた球状の銀粒子の断面を、電界放出形走査電子顕微鏡(FE-SEM)(JEOL社製のJSM-6700F)で、加速電圧1.0kV、倍率10,000~200,000倍の条件で観察することにより200個の銀粒子の円相当直径を測定した。測定した200個の銀粒子の円相当直径を、画像解析ソフトImageJ(アメリカ国立衛生研究所製)を用いて画像処理し、個数平均することにより求めた。
[二次粒子の平均粒子径]
二次粒子の平均粒子径は、レーザー回折式粒度分布測定装置((株)島津製作所製、商品名:SALAD-7500nano)を用いて測定した粒度分布において積算体積が50%となる粒径(50%粒径D50)から求めた。
[熱膨張係数]
ミニ油圧プレス(Specac社製)を用いて、銀粒子に対して荷重200kgfを1分間加えて作製された直径5mm、厚さ1mmの円柱型のペレット型試料を得た。当該試料を熱機械的分析(TMA)装置(セイコーインスツルーメント(株)製、商品名:TMA SS150)を使用し、常温(25℃)から昇温速度20℃/分で350℃まで昇温する条件にて熱膨張を測定し、25℃のペレット長さ基準とした場合の熱膨張係数を求め、焼成温度領域である150℃~300℃の間において最大となる熱膨張係数を最大熱膨張係数とした。
[タップ密度]
タップ密度(TD)は、ASTM標準試験方法B 527に基づき、タップ密度測定器(Tap-Pak Volumeter、Thermo Scientific社製)にて、振動させた容器内の銀粒子の単位体積当たりの質量(単位:g/cm)として測定した。
[比表面積]
比表面積は、60℃で10分間脱気した後、比表面積測定装置(モノソーブ、カンタクローム(Quanta Chrome)社製)を用いて、窒素吸着によるBET 1点法により測定した。
[実施例1~8、比較例1~5]
表1の配合に従って各成分を混合し、3本ロールミルで混練し、熱硬化性樹脂組成物を得た。得られた熱硬化性樹脂組成物を後述の方法で評価した。その結果を表1に示す。なお、表1中、空欄は配合なしを表す。
実施例及び比較例で用いた表1に記載の各材料は、下記のとおりである。
〔(A)銀粒子〕
・(A1):合成例1で得られた銀粒子(一次粒子の平均粒子径:20nm、二次粒子の平均粒子径:1.1μm、最大熱膨張係数:+5.5ppm/℃、タップ密度:5.4g/cm、比表面積:1.2m/g)
・(A2):合成例2で得られた銀粒子(一次粒子の平均粒子径:20nm、二次粒子の平均粒子径:1.5μm、最大熱膨張係数:+7.0ppm/℃、タップ密度:5.2g/cm、比表面積:1.1m/g)
・(A3):合成例3で得られた銀粒子(一次粒子の平均粒子径:20nm、二次粒子の平均粒子径:2.6μm、最大熱膨張係数:+7.4ppm/℃、タップ密度:5.0g/cm、比表面積:1.0m/g)
〔(A)成分以外の銀粒子〕
・TC-505C((株)徳力本店製、商品名、平均粒子径:1.93μm、最大熱膨張係数:-0.1ppm/℃、タップ密度:6.25g/cm、比表面積:0.65m/g)
・Ag-HWQ 1.5μm(福田金属箔粉工業(株)製、商品名、平均粒子径:1.8μm、最大熱膨張係数:-0.6ppm/℃、タップ密度:3.23g/cm、比表面積:0.5m/g)
・AgC-221PA(福田金属箔粉工業(株)製、商品名、平均粒子径:7.5μm、最大熱膨張係数:-0.1ppm/℃、タップ密度:5.7g/cm、比表面積:0.3m/g)
・DOWA Ag nano powder-1(DOWAエレクトロニクス(株)製、商品名、平均粒子径:20nm、最大熱膨張係数:-0.1ppm/℃)
・DOWA Ag nano powder-2(DOWAエレクトロニクス(株)製、商品名、平均粒子径:60nm、最大熱膨張係数:-0.1ppm/℃)
〔(B)熱硬化性樹脂〕
・エポキシ樹脂:(三菱化学(株)製、商品名、YL983U)
・アクリル樹脂(KJケミカルズ(株)製、商品名、HEAA(登録商標))
・ビスフェノールF(本州化学工業(株)製、商品名、ビスフェノールF)
〔(C)希釈剤〕
・ブチルカルビトール(東京化成工業(株)製)
〔その他の成分〕
・イミダゾール(四国化成工業(株)製、商品名、キュアゾール 2P4MHZ-PW)
・ジクミルパーオキサイド(日本油脂(株)製、商品名、パークミル(登録商標)D)
<評価方法>
[熱伝導率]
測定器:LFA-502(京都電子工業(株)製)
測定方法:レーザーフラッシュ法
JIS R 1611-1997に従い、上記測定器を用いて、レーザーフラッシュ法により熱硬化性樹脂組成物の硬化物の熱伝導率を測定した。
[体積抵抗率]
熱硬化性樹脂組成物を、ガラス基板(厚み1mm)にスクリーン印刷法により厚みが30μmとなるように塗布し、190℃、60分間で硬化させた。得られた配線を製品名「MCP-T600」(三菱化学(株)製)を用い4端子法にて体積抵抗率を測定した。
[粘度]
E型粘度計(東機産業(株)製、製品名:VISCOMETER-TV22、適用コーンプレート型ロータ:3°×R17.65)を用いて、温度25℃、回転数0.5rpmでの値を測定した。
[チクソ指数]
E型粘度計(東機産業(株)製、製品名:VISCOMETER-TV22、適用コーンプレート型ロータ:3°×R17.65)を用い、温度25℃において、回転数0.5rpm及び2.5rpmにおける粘度をそれぞれ測定し、粘度比(0.5rpmで測定した粘度/2.5rpmで測定した粘度)で表した。
[ポットライフ]
25℃の恒温槽内に熱硬化性樹脂組成物を放置した時の粘度が初期粘度の1.5倍以上増粘するまでの日数を測定した。
[熱抵抗]
5mm×5mmの接合面に金蒸着層を設けた熱抵抗用TEGチップを、熱硬化性樹脂組成物を用いて、表面にAgめっきされた銅基板にマウントし、190℃、60分間で硬化させて半導体パッケージを作製した。メンター・グラフィックス・ジャパン(株)製の熱抵抗測定装置「T3Ster」を用いて、前記半導体パッケージの接合部の熱抵抗を室温(25℃)にて測定した。
[反り]
8mm×8mmの接合面に金蒸着層を設けた裏面金シリコンチップを、熱硬化性樹脂組成物を用いて、表面にAgめっきされた銅基板にマウントし、190℃、60分間で硬化させて半導体パッケージを作製した。半導体パッケージのパッケージ反りは、測定装置として、シャドウモアレ測定装置(ThermoireAXP:Akrometrix製)を用いて、電子情報技術産業協会規格のJEITA ED-7306に準じて室温(25℃)にて測定した。具体的には、測定領域の基板面の全データの最小二乗法によって算出した仮想平面を基準面とし、その基準面から垂直方向の最大値をAとし、最小値をBとした時の、|A|+|B|の値(Coplanarity)をパッケージ反り値とした。
[冷熱サイクル試験]
8mm×8mmの接合面に金蒸着層を設けた裏面金シリコンチップを、熱硬化性樹脂組成物を用いて、表面にAgめっきされた銅フレームにマウントし、190℃、60分間の加熱硬化(OV硬化)を行った。これに冷熱サイクル処理(-55℃から150℃まで昇温し、次いで、-55℃に冷却する操作を1サイクルとし、これを2000サイクル)を行い、処理後チップの剥離有無を超音波顕微鏡(FineSAT II、(株)日立パワーソリューションズ製)で観察し、下記の基準によって評価した。
(判定基準)
A:剥離なし
C:剥離あり
Figure 0007320068000001
(A)銀粒子(凝集粒子)を含む熱硬化性樹脂組成物を用いた実施例1~8は、いずれも低粘度で分散性に優れる。該樹脂組成物の硬化物は、熱伝導率が高く、反りが少ない。また、上記熱硬化性樹脂組成物を用いて得られた半導体パッケージは、いずれもチップまたは基材との接合部の熱抵抗が小さく、冷熱サイクル試験後にチップの剥離も見られず、優れた接着性を有する。したがって、本実施形態の熱硬化性樹脂組成物を用いることにより信頼性に優れた半導体装置及び電気・電子部品を得ることができる。
凝集体ではない銀粒子を含む熱硬化性樹脂組成物を用いた比較例1は、該樹脂組成物の硬化物の反りは小さく、熱伝導率は良好である。ところが、比較例1は銀粒子同士の焼結に対して、銀粒子とチップまたは基材との焼結が進行しづらいため、チップまたは基材との接合部の熱抵抗が大きい。また、銀粒子の比表面積が小さく、接合界面では樹脂接着により冷熱サイクル試験における接着性は良好である。
凝集体ではない銀粒子を含む熱硬化性樹脂組成物を用いた比較例2及び3は、いずれも該樹脂組成物の硬化物の反りは小さい。ところが、比較例2及び3は焼結性が悪く、熱伝導率が低く、体積抵抗及び熱抵抗が高い。
銀ナノ粒子を含む熱硬化性樹脂組成物を用いた比較例4及び5は、上記実施例の凝集粒子に比較して、該樹脂組成物中に含まれる保護分子の量が多く、焼結後の保護分子の揮発により、該樹脂組成物の硬化物の体積収縮が大きくなるため反りが大きい。また、上記樹脂組成物中の保護分子の比率が多いため銀の絶対量が少なく、焼結性が良好にも拘らず熱伝導率が上記凝集粒子に比較して低い。また、ナノ粒子のため比表面積が大きく、上記樹脂組成物の粘度が高くなり、作業性(ディスペンス性)に劣る。

Claims (8)

  1. (A)平均粒子径10~100nmの一次粒子が凝集した平均粒子径0.5~5.0μmの二次粒子からなる銀粒子と、(B)熱硬化性樹脂とを含み、前記(A)銀粒子は、粒子内部に空隙が存在する中空二次粒子である熱硬化性樹脂組成物。
  2. 前記(A)銀粒子は、タップ密度が4.0~7.0g/cm3であり、かつBET法により求めた比表面積が0.5~1.5m2/gである請求項1に記載の熱硬化性樹脂組成物。
  3. 前記(A)銀粒子は、150℃~300℃の間の熱膨張係数が正である請求項1または2に記載の熱硬化性樹脂組成物。
  4. 前記(B)熱硬化性樹脂の含有量が、前記(A)銀粒子100質量部に対して1~20質量部である請求項1~3のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
  5. 前記(B)熱硬化性樹脂が、シアネート樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂及びマレイミド樹脂から選ばれる少なくとも1種である請求項1~4のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
  6. さらに、(C)希釈剤を含有し、前記(A)銀粒子100質量部に対する前記(C)希釈剤の含有量が3~20質量部である請求項1~5のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
  7. 請求項1~6のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物を含むダイアタッチ材料を介して半導体素子と基板とが接着されてなる半導体装置。
  8. 請求項1~6のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物を含む放熱部材接着用材料を介して放熱部材と発熱部材とが接着されてなる電気・電子部品。
JP2021542935A 2019-08-26 2020-08-25 銀粒子の製造方法、熱硬化性樹脂組成物、半導体装置及び電気・電子部品 Active JP7320068B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019153952 2019-08-26
JP2019153952 2019-08-26
PCT/JP2020/032043 WO2021039794A1 (ja) 2019-08-26 2020-08-25 銀粒子の製造方法、熱硬化性樹脂組成物、半導体装置及び電気・電子部品

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JPWO2021039794A1 JPWO2021039794A1 (ja) 2021-03-04
JPWO2021039794A5 JPWO2021039794A5 (ja) 2022-05-31
JP7320068B2 true JP7320068B2 (ja) 2023-08-02

Family

ID=74684167

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021542935A Active JP7320068B2 (ja) 2019-08-26 2020-08-25 銀粒子の製造方法、熱硬化性樹脂組成物、半導体装置及び電気・電子部品

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20220288680A1 (ja)
EP (1) EP4023721A4 (ja)
JP (1) JP7320068B2 (ja)
KR (1) KR20220038387A (ja)
CN (1) CN114269849A (ja)
WO (1) WO2021039794A1 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011238596A (ja) 2010-04-14 2011-11-24 Dowa Holdings Co Ltd 熱硬化型導電性ペーストおよび配線基板
JP2012230866A (ja) 2011-04-27 2012-11-22 Dainippon Printing Co Ltd 導電性ペースト
JP2012253088A (ja) 2011-05-31 2012-12-20 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体装置
JP2014080558A (ja) 2012-09-27 2014-05-08 Mitsuboshi Belting Ltd 導電性組成物

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009068045A (ja) * 2007-09-11 2009-04-02 Sekisui Chem Co Ltd 金属多孔質構造体の製造方法
JP5297344B2 (ja) * 2009-11-04 2013-09-25 京都エレックス株式会社 加熱硬化型導電性ペースト組成物
JP2011202265A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Dowa Electronics Materials Co Ltd 低温焼結性金属ナノ粒子組成物および該組成物を用いて形成された電子物品
WO2012169628A1 (ja) * 2011-06-08 2012-12-13 住友金属鉱山株式会社 銀粉及びその製造方法
JP6001861B2 (ja) 2012-01-11 2016-10-05 株式会社ダイセル 銀ナノ粒子の製造方法及び銀ナノ粒子、並びに銀塗料組成物
CN104246910B (zh) * 2012-10-30 2016-06-08 化研科技株式会社 导电性糊料和芯片焊接方法
JP6121804B2 (ja) * 2013-06-04 2017-04-26 Dowaエレクトロニクス株式会社 接合材およびその接合材を用いて電子部品を接合する方法
JP2015014050A (ja) * 2014-08-08 2015-01-22 Dowaエレクトロニクス株式会社 低温焼結性銀ナノ粒子組成物および該組成物を用いて形成された電子物品
WO2019117234A1 (ja) * 2017-12-15 2019-06-20 Dowaエレクトロニクス株式会社 球状銀粉
JP6859305B2 (ja) * 2018-09-28 2021-04-14 Dowaエレクトロニクス株式会社 銀粉およびその製造方法ならびに導電性ペースト

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011238596A (ja) 2010-04-14 2011-11-24 Dowa Holdings Co Ltd 熱硬化型導電性ペーストおよび配線基板
JP2012230866A (ja) 2011-04-27 2012-11-22 Dainippon Printing Co Ltd 導電性ペースト
JP2012253088A (ja) 2011-05-31 2012-12-20 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体装置
JP2014080558A (ja) 2012-09-27 2014-05-08 Mitsuboshi Belting Ltd 導電性組成物

Also Published As

Publication number Publication date
CN114269849A (zh) 2022-04-01
EP4023721A1 (en) 2022-07-06
KR20220038387A (ko) 2022-03-28
US20220288680A1 (en) 2022-09-15
WO2021039794A1 (ja) 2021-03-04
JPWO2021039794A1 (ja) 2021-03-04
EP4023721A4 (en) 2023-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6360157B2 (ja) 熱硬化性樹脂組成物、半導体装置及び電気・電子部品
JP6333576B2 (ja) 熱硬化性樹脂組成物、半導体装置及び電気・電子部品
JP7518839B2 (ja) 銀粒子、銀粒子の製造方法、ペースト組成物及び半導体装置並びに電気・電子部品
JP2016065146A (ja) 熱硬化性樹脂組成物、半導体装置及び電気・電子部品
TWI686450B (zh) 糊料組合物、半導體裝置及電氣‧電子零件
JP2023024739A (ja) 熱硬化性樹脂組成物、その硬化物、積層板、金属ベース基板およびパワーモジュール
TW202014260A (zh) 銅粒子之製造方法、接合用膏及半導體裝置以及電氣‧電子零件
JP7479872B2 (ja) 熱伝導性接着用シート、及び半導体装置
JP7320068B2 (ja) 銀粒子の製造方法、熱硬化性樹脂組成物、半導体装置及び電気・電子部品
KR102705720B1 (ko) 은 입자, 은 입자의 제조 방법, 페이스트 조성물, 반도체 장치 및 전기·전자부품
JP7129043B2 (ja) 接合用銅粒子の製造方法、接合用ペーストおよび半導体装置並びに電気・電子部品
CN113165069B (zh) 铜粒子、铜粒子的制造方法、铜膏和半导体装置以及电气/电子部件
WO2020105497A1 (ja) 接合用銅粒子の製造方法、接合用ペースト及び半導体装置並びに電気・電子部品
CN112430443B (zh) 导热性粘合用片、导热性粘合用片制造方法和半导体装置
TWI663608B (zh) Conductive resin composition and semiconductor device
JP7410742B2 (ja) 銅粒子の製造方法、銅ペースト及び半導体装置
JP2021134362A (ja) 被覆銅粒子、銅ペースト及び半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A524 Written submission of copy of amendment under article 19 pct

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A527

Effective date: 20220216

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220216

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230228

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230419

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230627

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230721

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7320068

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150