JP2017119880A - 熱硬化性樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
本発明の熱硬化性樹脂組成物は、半導体素子と基材とを接着する熱硬化性樹脂組成物であって、熱伝導性粒子を含み、前記熱伝導性粒子のフロー式粒子像分析装置による体積基準粒度分布における d50をD1とし、 前記熱伝導性粒子のフロー式粒子像分析装置による個数基準粒度分布における d50をD2とし、 前記D1から前記D2を差し引いた値をDとしたとき、
D<6μm
を満たすことを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
このような樹脂組成物は、金属粒子の含有量を高くすることで高熱伝導性を得られる傾向にあるが、同種の樹脂、同種の金属粒子を同一の組成比で用いた樹脂組成物であっても、用いる金属粒子の粒径や形状により、樹脂組成物の熱伝導性が大きく変化し、半導体装置に用いた際に効率よく熱を放散できず、信頼性に問題が発生する場合があった。
[1]半導体素子と基材とを接着する熱硬化性樹脂組成物であって、
熱伝導性粒子を含み、前記熱伝導性粒子のフロー式粒子像分析装置による体積基準粒度分布におけるd50をD1とし、
前記熱伝導性粒子のフロー式粒子像分析装置による個数基準粒度分布におけるd50をD2とし、
前記D1から前記D2を差し引いた値をDとしたとき
D<6μm
を満たす熱硬化性樹脂組成物が提供される。
[2]前記[1]に記載の樹脂組成物において、前記D1が
D1<8μm
を満たす熱硬化性樹脂組成物。
[3]前記[1]または[2]に記載の熱硬化性樹脂組成物において、
前記熱伝導性粒子が、銀、銅、金、アルミニウム、ニッケル、アルミナ、シリカの中から少なくとも一種類以上を含む熱硬化性樹脂組成物。
[4]前記[1]ないし[3]のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物をダイアタッチ材料または放熱部材接着用材料として用いて製作されることを特徴とする半導体装置。
本実施形態における熱硬化性樹脂組成物は、熱伝導性粒子を含有している。そして熱伝導性粒子は、フロー式粒子像解析装置による体積基準粒度分布におけるd50をD1、個数基準粒度分布におけるd50をD2としたとき、その差Dが6μm未満である。ここで体積基準粒度分布におけるd50とは、累積体積分布曲線において累積体積割合が50%となる粒子径を示す。また、個数基準粒度分布におけるd50とは、累積粒子分布曲線において累積粒子数の割合が50%となる粒子径を示す。D2は粒子数を基準にしているので、粒径の大きな粒子も小さな粒子も同じ1つと数えられるが、D1は体積を基準にしているので、粒径の大きな粒子は小さな粒子と比べて粒径の3乗分D1も大きくなる。つまり、Dが小さいほど粒度分布がシャープな粒子であることを示し、Dが大きいほど粒度分布が粒径の大きい側にブロードな粒子であることを意味する。
分散しやすく、DA層の銀含分布にムラが少なくなり熱伝導性が向上するため好ましい。
また、D1が8μm未満であれば、分散性が良好であり、保存中または作業中における熱伝導性粒子の沈降が起こりにくい。よって熱伝導性粒子の沈降による粘度の経時的変化が起こりにくくなり、製品特性にバラつきが生じにくく、粗粒子によるニードル詰まりを起こしにくくなる。以上により、本実施形態における樹脂組成物は粘度変化が小さく作業性に優れており、小さいチップのダイボンドに対しても安定して少量のペーストを塗布できるといった効果が発現される。D1はさらに、5μm未満であることが好ましく、特に、3.5μm未満であることが好ましい。D1を前記範囲とすることにより、大きい粒子がDA層中心部に残ることがなく、チップ界面部およびLF界面部の熱伝導性粒子含有率が上昇し、熱伝導性を向上させることができる。
なお、熱伝導性粒子の粒子径は、特に限定されないが、例えばフロー式粒子像分析装置シスメックス株式会社製FPIA−3000を用いた粒度分布測定装置などを用いて測定することができる。フロー式粒子像分析装置FPIA−3000は、熱伝導性粒子を純水に均一に分散させた試料を装置内に流し込み、試料を外から加わるシース液によって扁平な試料流に変化させて、その試料に含まれる粒子をカメラで撮影した画像をもとに粒子径を測定する装置である。
(A)熱硬化性樹脂としては、加熱により3次元的網目構造を形成する一般的な熱硬化性樹脂である。この(A)熱硬化性樹脂は、特に限定されないが、例えば、シアネート樹脂、エポキシ樹脂、ラジカル重合性の炭素−炭素二重結合を1分子内に2つ以上有する樹脂、マレイミド樹脂などが挙げられる。
シアナトビフェニル、ビス(4−シアナトフェニル)メタン、ビス(3,5−ジメチル−4−シアナトフェニル)メタン、2,2−ビス(4−シアナトフェニル)プロパン、2,2−ビス(3,5−ジブロモ−4−シアナトフェニル)プロパン、ビス(4−シアナトフェニル)エーテル、ビス(4−シアナトフェニル)チオエーテル、ビス(4−シアナトフェニル)スルホン、トリス(4−シアナトフェニル)ホスファイト、トリス(4−シアナトフェニル)ホスフェート、およびノボラック樹脂とハロゲン化シアンとの反応により得られるシアネート類などが挙げられ、これらの多官能シアネート樹脂のシアネート基を三量化することによって形成されるトリアジン環を有するプレポリマーも使用できる。このプレポリマーは、上記の多官能シアネート樹脂モノマーを、例えば、鉱酸、ルイス酸などの酸、ナトリウムアルコラート、第三級アミン類などの塩基、炭酸ナトリウムなどの塩類を触媒として重合させることにより得られる。
また、シアネート樹脂は、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、アクリル樹脂、マレイミド樹脂などの他の樹脂と併用することも可能である。
リシジル基が反応することで3次元的網目構造を形成し、硬化する樹脂である。グリシジル基は1分子に2つ以上含まれていることが好ましい。グリシジル基を1分子に2つ以上含む化合物を用いることにより、硬化反応が十分に進行し、好適な硬化物物性が得られるためである。グリシジル基を1分子に2つ以上含む化合物としては、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビフェノールなどのビスフェノール化合物またはこれらの誘導体、水素添加ビスフェノールA、水素添加ビスフェノールF、水素添加ビフェノール、シクロヘキサンジオール、シクロヘキサンジメタノール、シクロヘキサンジエタノールなどの脂環構造を有するジオールまたはこれらの誘導体、ブタンジオール、ヘキサンジオール、オクタンジオール、ノナンジオール、デカンジオールなどの脂肪族ジオールまたはこれらの誘導体などをエポキシ化した2官能のもの、トリヒドロキシフェニルメタン骨格、アミノフェノール骨格を有する3官能のもの、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂などをエポキシ化した多官能のものなどが挙げられるがこれらに限定されるわけではない。また樹脂組成物として室温で液状であることが作業性において好ましいので、単独でまたは混合物として室温で液状のものが好ましい。通常行われるように反応性の希釈剤を使用することも可能である。反応性希釈剤としては、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテルなどの1官能の芳香族グリシジルエーテル類、脂肪族グリシジルエーテル類などが挙げられる。
エポキシ樹脂の硬化剤としては、例えば、脂肪族アミン、芳香族アミン、ジシアンジアミド、ジヒドラジド化合物、酸無水物、フェノール樹脂などが挙げられる。
イミダゾール、2−C11H23−イミダゾール、2−メチルイミダゾールと2,4−ジアミノ−6−ビニルトリアジンとの付加物などのイミダゾール化合物が好適に用いられる。なかでも特に好ましいのは融点が180℃以上のイミダゾール化合物である。また、エポキシ樹脂は、シアネート樹脂、アクリル樹脂、マレイミド樹脂との併用も好ましい。
ル酸およびこれらの誘導体が挙げられる。
ンタンハイドロパーオキサイド、1,1,3,3−テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド、t−ヘキシルハイドロパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、2,5−ジメチル−2,5−ビス(t−ブチルパーオキシ)ヘキサン、α、α'−ビス(t−ブチルパ
ーオキシ)ジイソプロピルベンゼン、t−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−t−ブチルパーオキサイド、2,5−ジメチル−2,5−ビス(t−ブチルパーオキシ)ヘキシン−3、イソブチリルパーオキサイド、3,5,5−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、桂皮酸パーオキサイド、m−トルオイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ビス(4−t−ブチルシクロヘキシル)パーオキシジカーボネート、ジ−3−メトキシブチルパーオキシジカーボネート、ジ−2−エチルヘキシルパーオキシジカーボネート、ジ−sec−ブチルパーオキシジカーボネート、ジ(3−メチル−3−メトキシブチル)パーオキシジカーボネート、ジ(4−t−ブチルシクロヘキシル)パーオキシジカーボネート、α、α'−ビス(ネオデカノイルパーオキシ)ジイソプロピルベンゼ
ン、クミルパーオキシネオデカノエート、1,1,3,3,−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、1−シクロヘキシル−1−メチルエチルパーオキシネオデカノエート、t−ヘキシルパーオキシネオデカノエート、t−ブチルパーオキシネオデカノエート、t−ヘキシルパーオキシピバレート、t−ブチルパーオキシピバレート、2,5−ジメチル−2,5−ビス(2−エチルヘキサノイルパーオキシ)ヘキサン、1,1,3,3−テトラメチルブチルパーオキシ−2−エチルへキサノエート、1−シクロヘキシル−1−メチルエチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、t−ヘキシルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、t−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、t−ブチルパーオキシイソブチレート、t−ブチルパーオキシマレイックアシッド、t−ブチルパーオキシラウレート、t−ブチルパーオキシ−3,5,5−トリメチルヘキサノエート、t−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、t−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキシルモノカーボネート、2,5−ジメチル−2,5−ビス(ベンゾイルパーオキシ)ヘキサン、t−ブチルパーオキシアセテート、t−ヘキシルパーオキシベンゾエート、t−ブチルパーオキシ−m−トルオイルベンゾエート、t−ブチルパーオキシベンゾエート、ビス(t−ブチルパーオキシ)イソフタレート、t−ブチルパーオキシアリルモノカーボネート、3,3',4,4'−テトラ(t−ブチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノンなどが挙げられるが、これらは単独または硬化性を制御するため2種類以上を混合して用いることもできる。また、上記のラジカル重合性のアクリル樹脂は、シアネート樹脂、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂との併用も好ましい。
ポキシ樹脂、アクリル樹脂との併用も好ましい。
半導体装置10は、基材2と、半導体素子3と、基材2および半導体素子3の間に介在し、両者を接着する接着層1と、を備える。接着層1は、前述した熱硬化性樹脂組成物を半導体素子3と基材2とで圧着することにより形成される。本発明の熱硬化性樹脂組成物は、接着層1に好適に用いることができる。
本実施形態において、ダイパット2は、特に限定されないが、リードフレーム、他の半導体素子、ヒートシンク、BGA基板、回路基板を含む実装基板、半導体ウエハ等の各種基材を用いることができる。
また、半導体素子3は、パッド7及びボンディングワイヤ6を介して、リード4に電気的に接続している。また、半導体素子3は、その周囲が封止材層5により封止されている。
実施例1〜14および比較例1〜5において、それぞれ得られた熱硬化性樹脂組成物について以下の評価試験を行った。評価結果を表1に示す。
熱硬化性樹脂組成物に平均粒径20μmのスペーサー(積水化学工業(株)製、ミクロパールSP−220)を微量混合し、2枚のシリコンチップ(8.4×8.4mm、厚み0.35mm)に熱硬化性樹脂組成物を圧着して三層構造の試験片を作製した。(硬化条件は175℃4時間。ただし175℃までは30℃から30分間かけて昇温した。)得られ
た三層構造の試験片(チップ−硬化物−チップ)をレーザーフラッシュ法(t1/2法)にて熱拡散率を測定した。熱拡散率の単位はcm2/secである。
実施例の各樹脂組成物30gを充填したシリンジ(10cc)を0℃に調整した恒温槽内でシリンジの先が下になるように30日間保管した。保管後の外観を目視で確認し変化がなければ○、銀粉と樹脂成分の分離が少し確認されれば△、顕著に観察されれば×とした。
1μmであり、各要素のポイントは熱拡散率が0.45cm2/sec以上であれば○(excellent)、0.4cm2/sec以上であれば△(good)、0.4cm2/sec未満であれば×(bad)とした。D1−D2が6μm未満かつD1が8μm未満である実施例は熱拡散率が0.4cm2/sec以上となり、比較例に比べ、熱伝導性に優れることが確認された。
2 基材
3 半導体素子
4 リード
5 封止材層
6 ボンディングワイヤ
7 パッド
10 半導体装置
[1]半導体素子と基材とを接着する液状の熱硬化性樹脂組成物であって、
熱硬化性樹脂と、
熱伝導性粒子を含み、
前記熱伝導性粒子が、銀、銅、金、アルミニウム、ニッケル、アルミナ、シリカの中から少なくとも一種類以上であり、
前記熱伝導性粒子のフロー式粒子像分析装置による体積基準粒度分布における d50をD1とし、
前記熱伝導性粒子のフロー式粒子像分析装置による個数基準粒度分布における d50をD2とし、
前記D1から前記D2を差し引いた値をDとしたとき
D<2μm
を満たし、
前記D1が
D1<3.5μm
を満たし、
前記熱硬化性樹脂組成物がエポキシ樹脂と硬化促進剤とを含むことを特徴とする熱硬化性樹脂組成物。(但し、前記硬化促進剤が融点180℃以上のイミダゾール化合物のみからなる場合を除く。)
[2][1]に記載の熱硬化性樹脂組成物において、
前記エポキシ樹脂は、グリシジル基を1分子に2つ以上有する化合物を含む、熱硬化性樹脂組成物。
[3] [1]または[2]に記載の熱硬化性樹脂組成物において、
前記硬化促進剤は、イミダゾール類、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムの塩類、ジアザビシクロウンデセン及びジアザビシクロウンデセン塩類からなる群から選択される一種または二種以上を含む、熱硬化性樹脂組成物。
[4] [1]乃至[3]のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物をダイアタッチ材料
または放熱部材接着用材料として用いて製作されることを特徴とする半導体装置。
Claims (4)
- 半導体素子と基材とを接着する熱硬化性樹脂組成物であって、
熱伝導性粒子を含み、
前記熱伝導性粒子のフロー式粒子像分析装置による体積基準粒度分布における d50をD1とし、
前記熱伝導性粒子のフロー式粒子像分析装置による個数基準粒度分布における d50をD2とし、
前記D1から前記D2を差し引いた値をDとしたとき
D<6μm
を満たす熱硬化性樹脂組成物。 - 請求項1に記載の熱硬化性樹脂組成物において、
前記D1が
D1<8μm
を満たす熱硬化性樹脂組成物。 - 請求項1乃至2に記載の熱硬化性樹脂組成物において、
前記熱伝導性粒子が、銀、銅、金、アルミニウム、ニッケル、アルミナ、シリカの中から少なくとも一種類以上を含む熱硬化性樹脂組成物。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物をダイアタッチ材料または放熱部材接着用材料として用いて製作されることを特徴とする半導体装置。
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