JP2014181179A - 垂直方向に向きが揃ったカーボンナノチューブをダイアモンド基板上に成長させる方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ダイアモンド基板上に炭素基材料からなる被覆を形成する処理を行い、カーボンナノチューブを製造可能な触媒を炭素被覆されたダイアモンド素地基板に接触させ、触媒を気相炭素源に触れさせ、カーボンナノチューブを製造するプロセスで、より具体的には670℃から1300℃の高温でフェロセンのような触媒金属前駆物質を用い、化学気相蒸着するカーボンナノチューブの製造方法。前記炭素基材料は、グラフェンおよびグラファイトからなるグループから選択する材料を少なくとも含み、前記触媒は、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、モリブデン、ルテニウムおよびロジウムからなるグループから選ばれる少なくとも一つの金属を含むカーボンナノチューブの製造方法。
【選択図】図1
Description
Claims (14)
- ダイアモンド素地基板を用意し、
前記ダイアモンド素地基板上に炭素基材料からなる被覆を形成させる処理を前記ダイアモンド素地基板に行い、
カーボンナノチューブを生成させることができる触媒を前記ダイアモンド基板に接触させ、
前記触媒に気相炭素源を触れさせ、 、
カーボンナノチューブを製造する、カーボンナノチューブの製造方法。 - 前記ダイアモンド素地基板は、ダイアモンド膜またはダイアモンド粒子を含む、請求項1に記載したカーボンナノチューブの製造方法。
- 前記した前記ダイアモンド素地基板に行う処理は、前記ダイアモンド素地基板の上に炭素基材料からなる被覆を生成させるのに適した温度に前記ダイアモンド素地基板を加熱することを含む、請求項1に記載したカーボンナノチューブの製造方法。
- 前記炭素基材料は、グラフェンおよびグラファイトからなるグループから選択する材料を少なくとも含む、請求項3に記載したカーボンナノチューブの製造方法。
- 前記触媒は、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、モリブデン、ルテニウムおよびロジウムからなるグループから選ばれる少なくとも一つの金属を含む、請求項1に記載したカーボンナノチューブの製造方法。
- 前記カーボンナノチューブは前記ダイアモンド基板から概ね垂直方向に向きが揃っている、請求項1に記載したカーボンナノチューブの製造方法。
- 前記温度は670℃から1300℃の範囲である、請求項3に記載したカーボンナノチューブの製造方法。
- 最表面を有するダイアモンド素地基板を用意し、
少なくとも前記最表面を炭素層で被覆するのに適した温度にまで前記ダイアモンド素地基板を所定の雰囲気で加熱し、
カーボンナノチューブを生成させることができる触媒と炭素源とを含む気相物質を用意し、
前記気相物質を前記炭素層に接触させ、
前記触媒からなる粒子を前記炭素層の上に堆積させ、
前記ダイアモンド素地基板の前記最表面の上に垂直方向に向きが揃っているカーボンナノチューブのアレーを製造する、垂直方向に向きが揃っているカーボンナノチューブの製造方法。 - 前記ダイアモンド素地基板は、ダイアモンド膜またはダイアモンド粒子を含む、請求項8に記載したカーボンナノチューブの製造方法。
- 前記雰囲気は、不活性ガス雰囲気および炭素含有雰囲気から選択する少なくとも一つの雰囲気を含む、請求項8に記載したカーボンナノチューブの製造方法。
- 前記炭素層は、グラフェンおよびグラファイトからなるグループから選択する少なくとも一つの材料を含む、請求項8に記載したカーボンナノチューブの製造方法。
- 前記触媒は、鉄、コバルト、マンガン、ニッケル、銅、モリブデンからなるグループから選ばれる少なくとも一つの金属を含む、請求項8に記載したカーボンナノチューブの製造方法。
- 前記カーボンナノチューブは前記ダイアモンド基板の前記最表面に対して概ね垂直方向に向きが揃っている、請求項8に記載したカーボンナノチューブの製造方法。
- 前記温度は670℃から1300℃の範囲である、請求項8に記載したカーボンナノチューブの製造方法。
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