JP2005108721A - 電子放出電極とその製造方法 - Google Patents
電子放出電極とその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005108721A JP2005108721A JP2003342415A JP2003342415A JP2005108721A JP 2005108721 A JP2005108721 A JP 2005108721A JP 2003342415 A JP2003342415 A JP 2003342415A JP 2003342415 A JP2003342415 A JP 2003342415A JP 2005108721 A JP2005108721 A JP 2005108721A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon
- substrate
- electron emission
- petal
- aggregate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
【解決手段】 基体12上に粒径が5〜30μmのダイヤモンド粒子を固定して基板11を形成する。DCプラズマCVDにより、炭素を含有するガスと水素ガスとを用いて、基板11の温度を950〜1200℃として、炭素薄片が基板に対してランダムな方向に繋がりあう花弁状炭素薄片集合体14を形成する。各炭素薄片は、高さが1nm〜500nmのグラフェンシートにより構成され、外辺開口部における薄片同士の間隔が3μm以下であり、花弁状炭素薄片集合体14の大きさが5μm〜30μmで、隣接する炭素薄片集合体同士の間隔は薄片集合体の直径をDとした時に1D〜10Dである。
【選択図】 図1
Description
また、本発明は、製造が容易な電子放出電極とその製造方法を提供することを他の利点とする。
複数の突起物を備える基板と、
前記基板の前記突起物の表面に形成され、複数の炭素薄片で構成された花弁状炭素薄片集合体からなる電子放出膜と、を有する。
処理容器内に複数の突起物を備える基板を配置する工程と、
前記処理容器内に炭素含有化合物を含む処理ガスを供給し、さらに、直流電圧を印加して前記処理ガスをプラズマ化することにより、前記基板上に基板面に対して起立する複数の炭素薄片を形成する工程と、
を備えることを特徴とする。
また前記基板上で結晶成長することによって前記複数の突起物を形成する工程をさらに備えてもよく、このような突起物としてはダイヤモンドが特に好ましい。
まず、基体12をエタノールとアセトンで、それぞれ10分間超音波洗浄する。
続いて、粒径10μm〜30μmの窒化ケイ素等のセラミック粒子、ダイヤモンド、炭化珪素の少なくとも何れかを含む微粒子(砥粒)1gを有機溶剤(エタノール)25mlに加えた懸濁液を作成し、十分に攪拌する。
また、基板11を製造する工程や花弁状炭素薄片集合体14を製造する工程も適宜変更可能である。
φ40mmのニッケル基体を用意した。このニッケル基体に、エタノールとアセトンでそれぞれ10分間ずつ超音波洗浄を施した。
次に、洗浄済のニッケル基体を粒径20μmのダイヤモンド微粒子粉末1g/エタノール25mlの溶液中に浸漬させ、その表面にダイヤモンド微粒子を吸着させ、43kHzの超音波を10分間かけ、ダイヤモンド微粒子をニッケル基体に食い込ませて固着し、突起部を有する基板を形成した。このような基板表面のSEM像が前述の図7の像である。
比較例1は平滑な基体12に粒状物13を設けることなしに花弁状炭素薄片集合体14を成長させた電子放出電極であり、比較例2は基体12に粒状物13を設けた後、花弁状炭素薄片集合体14の代わりに非晶質炭素膜をコーティングしたものである。
12 基体
13 突起部(ダイヤモンド粒)
14 花弁状炭素薄片集合体
15 異常成長塊
16 平面状炭素薄片集合体
Claims (10)
- 複数の突起物を備える基板と、
前記基板の前記突起物の表面に形成され、複数の炭素薄片で構成された花弁状炭素薄片集合体からなる電子放出膜と、を有する電子放出電極。 - 炭素薄片はグラフェンシートから構成されることを特徴とする請求項1に記載の電子放出電極。
- 炭素薄片は、厚さが1nm〜500nmのグラフェンシートにより構成され、外辺開口部における薄片同士の間隔が3μm以下である花弁状炭素薄片集合体を有する請求項1に記載の電子放出電極。
- 炭素薄片集合体の大きさが5μm〜30μmで、隣接する炭素薄片集合体同士の間隔は薄片集合体の直径をDとした時に1D〜10Dである、請求項1又は2に記載の電子放出電極。
- 前記基板は、基体と、該基体上に配置された粒状物とから構成される、ことを特徴とする請求項4に記載の電子放出電極。
- 前記粒状物は、ダイヤモンドであることを特徴とする請求項5に記載の電子放出電極。
- 処理容器内に複数の突起物を備える基板を配置する工程と、
前記処理容器内に炭素含有化合物を含む処理ガスを供給し、さらに、直流電圧を印加して前記処理ガスをプラズマ化することにより、前記基板上に基板面に対して起立する複数の炭素薄片を形成する工程と、
を備えることを特徴とする電子放出電極の製造方法。 - 前記処理ガスは、炭素と水素とを含む原料ガスを含み、当該原料ガス中の炭素含有化合物の体積比率は1%〜30%の範囲内にあることを特徴とする請求項7に記載の電子放出電極の製造方法。
- 基板を950℃以上1200℃以下の温度に制御することを特徴とする請求項7又は8に記載の電子放出電極の製造方法。
- 前記基板上で結晶成長することによって前記複数の突起物を形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項7〜請求項9のいずれかに記載の電子放出電極の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003342415A JP4423496B2 (ja) | 2003-09-30 | 2003-09-30 | 電子放出電極 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003342415A JP4423496B2 (ja) | 2003-09-30 | 2003-09-30 | 電子放出電極 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005108721A true JP2005108721A (ja) | 2005-04-21 |
JP4423496B2 JP4423496B2 (ja) | 2010-03-03 |
Family
ID=34536692
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003342415A Expired - Fee Related JP4423496B2 (ja) | 2003-09-30 | 2003-09-30 | 電子放出電極 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4423496B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007184152A (ja) * | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Dialight Japan Co Ltd | 電子エミッタ |
JP2007299723A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-11-15 | Asahi Glass Co Ltd | 電界電子放出素子 |
JP2008053177A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | National Institute For Materials Science | ナノカーボンエミッタとその製造方法並びに面発光素子 |
US7790242B1 (en) | 2007-10-09 | 2010-09-07 | University Of Louisville Research Foundation, Inc. | Method for electrostatic deposition of graphene on a substrate |
JP2011219372A (ja) * | 2010-04-05 | 2011-11-04 | Shinshu Univ | グラフェン前駆体化合物及びその製造方法、並びにナノグラフェン構造体及びその製造方法 |
JP5429643B2 (ja) * | 2008-07-01 | 2014-02-26 | 日本電気株式会社 | グラフェン・グラファイト膜を用いる半導体装置及びその製造方法 |
JP2014181179A (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-29 | Honda Motor Co Ltd | 垂直方向に向きが揃ったカーボンナノチューブをダイアモンド基板上に成長させる方法 |
CN114334583A (zh) * | 2021-12-16 | 2022-04-12 | 金陵科技学院 | 一种花瓣状石墨烯场发射冷阴极的制备方法 |
KR20220103346A (ko) * | 2021-01-15 | 2022-07-22 | 씨비테크 주식회사 | 덩굴 모양 탄소 구조물이 형성된 에미터를 포함하는 엑스선 튜브 |
-
2003
- 2003-09-30 JP JP2003342415A patent/JP4423496B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007184152A (ja) * | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Dialight Japan Co Ltd | 電子エミッタ |
JP2007299723A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-11-15 | Asahi Glass Co Ltd | 電界電子放出素子 |
JP2008053177A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | National Institute For Materials Science | ナノカーボンエミッタとその製造方法並びに面発光素子 |
US7790242B1 (en) | 2007-10-09 | 2010-09-07 | University Of Louisville Research Foundation, Inc. | Method for electrostatic deposition of graphene on a substrate |
JP5429643B2 (ja) * | 2008-07-01 | 2014-02-26 | 日本電気株式会社 | グラフェン・グラファイト膜を用いる半導体装置及びその製造方法 |
JP2011219372A (ja) * | 2010-04-05 | 2011-11-04 | Shinshu Univ | グラフェン前駆体化合物及びその製造方法、並びにナノグラフェン構造体及びその製造方法 |
JP2014181179A (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-29 | Honda Motor Co Ltd | 垂直方向に向きが揃ったカーボンナノチューブをダイアモンド基板上に成長させる方法 |
KR20220103346A (ko) * | 2021-01-15 | 2022-07-22 | 씨비테크 주식회사 | 덩굴 모양 탄소 구조물이 형성된 에미터를 포함하는 엑스선 튜브 |
KR102581259B1 (ko) * | 2021-01-15 | 2023-09-22 | 씨비테크 주식회사 | 덩굴 모양 탄소 구조물이 형성된 에미터를 포함하는 엑스선 튜브 |
CN114334583A (zh) * | 2021-12-16 | 2022-04-12 | 金陵科技学院 | 一种花瓣状石墨烯场发射冷阴极的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4423496B2 (ja) | 2010-03-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20090200912A1 (en) | Methods for Growing Carbon Nanotubes on Single Crystal Substrates | |
JP3851167B2 (ja) | 効率的な電子電界放出のためのダイヤモンド/カーボンナノチューブ構造体 | |
JP3804594B2 (ja) | 触媒担持基板およびそれを用いたカーボンナノチューブの成長方法ならびにカーボンナノチューブを用いたトランジスタ | |
JP4436821B2 (ja) | 単層カーボンナノチューブ配列の成長装置及び単層カーボンナノチューブ配列の成長方法 | |
JP4988330B2 (ja) | 窒素ドーピングされた単層カーボンナノチューブの製造方法 | |
CN1189390C (zh) | 利用热化学汽相淀积法在大尺寸基片上大规模合成垂直排列的高纯碳纳米管的方法 | |
JP5763302B2 (ja) | グラフェンの製造方法 | |
JP2005075725A (ja) | カーボンナノチューブ構造体及びその製造方法とそれを応用した電界放出素子及び表示装置 | |
JP2006114494A (ja) | カーボンナノチューブエミッタ及びその製造方法とそれを応用した電界放出素子及びその製造方法 | |
KR20070001281A (ko) | 카본나노구조체의 제조방법 | |
JPH10203810A (ja) | カーボンナノチューブの製法 | |
WO2004027127A1 (ja) | 針状シリコン結晶およびその製造方法 | |
JP4423496B2 (ja) | 電子放出電極 | |
JP2005263564A (ja) | カーボンナノチューブの製造方法 | |
JP2011068501A (ja) | カーボンナノチューブ生成用再利用基材及びカーボンナノチューブ生成用基材並びにその製造方法 | |
TWI406808B (zh) | 奈米碳管結構之製備方法 | |
Yu et al. | Patterned carbon nanotube field emitter using the regular array of an anodic aluminium oxide template | |
JP3913583B2 (ja) | カーボンナノチューブの製造方法 | |
Cole et al. | Engineered carbon nanotube field emission devices | |
JP2011057544A (ja) | ダイヤモンド薄膜の生長装置 | |
JP2004051432A (ja) | カーボンナノチューブの製造用基板及びそれを用いたカーボンナノチューブの製造方法 | |
Yakubu et al. | Graphene synthesis by chemical vapour deposition (CVD): A review on growth mechanism and techniques | |
JP2011060944A (ja) | カーボンナノチューブを含む熱伝導体及びその製造方法、並びに該熱伝導体を含む熱処理装置 | |
JP2014185072A (ja) | カーボンナノチューブ生成用再利用基材の製造方法 | |
JP4829634B2 (ja) | 触媒の形成方法およびそれを用いた炭素膜の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060927 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20060927 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070620 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070912 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090514 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090526 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090724 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091104 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091124 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121218 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121218 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121218 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131218 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |