JP2014179453A - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】導体パターンを積層する際に各導体層の高さばらつきを抑え、最上層の導体パターンの上面の平坦性を確保する。
【解決手段】電子部品は、第１の導体パターンＰ１を含む第１の導体層と、第１の導体層を覆う第１の絶縁層と、第１の絶縁層を貫通して第１の導体パターンＰ１の上面と側面を露出させる第１の開口ｈ１と、第１の絶縁層上に設けられ、第１の開口ｈ１を通じて第１の導体パターンＰ１に接続された第２の導体パターンＰ２を含む第２の導体層とを備える。第１の開口ｈ１の内側の平面領域である第１の開口領域は、第１の導体パターンＰ１が形成された第１の領域と、第１の導体パターンＰ１が形成されていない第２の領域とを有し、第２の導体パターンＰ２は、第１の開口ｈ１の第１の領域と第２の領域の両方に埋め込まれている。
【選択図】図４

Description

本発明は、電子部品及びその製造方法に関し、特に、コモンモードフィルタ等のコイル部品の構造に関するものである。

電子部品の一つであるコモンモードフィルタは、差動伝送ラインのノイズ対策部品として広く用いられている。近年の製造技術の進歩により、コモンモードフィルタは非常に小型な表面実装型チップ部品としても提供され（例えば特許文献１参照）、コイルパターンも非常に小型、狭間隔にすることが可能となってきている。しかし、コイルパターンの厚さが薄すぎると直流抵抗が増加することから、平面コイルパターンをできるだけ厚く形成して直流抵抗の増加を防止することが望まれている。

特開２０１１−１４７４７号公報

コモンモードフィルタにおいて、平面コイルパターンと同一平面上にはコンタクトホール導体や内部端子電極等の他の導体パターンも形成される。コイルパターンをめっきにより厚く形成しようとする場合、めっき条件はコイルパターンに合わせて最適化される。しかし、このようなめっき条件下でコイルパターンと他の導体パターンとを同時に形成すると、比較的面積が大きい他の導体パターンのめっき成長が過度に進み、同じ導体層内での導体パターンの高さばらつきが大きくなるという問題がある。

特に、図１２（ａ）に示すように、コイルパターン３１よりも少し広い幅（大きな面積）を有する導体パターン３２の場合、導体パターン３２の上面の中央部が隆起した凸パターンとなる傾向がみられる。また、図１２（ｂ）に示すようにコイルパターン３１に比べて非常に広い幅（大きな面積）を有する導体パターン３３の場合、導体パターン３３の上面の外周部付近が隆起し、中央部は逆に沈降した凹パターンとなる傾向がみられる。

このような導体パターンの厚さのばらつきは、図１２（ａ）、（ｂ）に示すように、コイルパターン３１の厚さが厚くなるほど顕著になり、層を重ねることでさらに強調されてしまう。高さばらつきがある導体層をそのまま積層して多層構造を実現しようとすると、高さばらつきの累積によって最上層の導体パターンの上面の平坦性が著しく悪化し、最上層の導体パターンＰ２が絶縁層の上面から露出し、絶縁不良を起こすおそれがある。

さらに、導体パターンを覆う絶縁層を露光して開口を形成する際にその下地面となる導体パターンの上面に隆起や沈降がある場合、当該上面で光の乱反射を招き、露光装置がフォーカスずれを起こし、パターン加工精度が悪くなるという問題がある。以上の理由から、導体層内のすべての導体パターンは、コイルパターンとほぼ同じ高さとなり、しかもその上面が平坦であることが好ましく、その対策が望まれている。

したがって、本発明の目的は、導体パターンを積層する際に各導体層の導体パターンの上面の高さばらつきを抑えることが可能な電子部品及びその製造方法を提供することにある。

上記課題を解決するため、本発明による電子部品は、第１の導体パターンを含む第１の導体層と、前記第１の導体層を覆う第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層を貫通して前記第１の導体パターンの上面と側面を露出させる第１の開口と、前記第１の絶縁層上に設けられ、前記第１の開口を通じて前記第１の導体パターンの前記上面と前記側面の両方に接続された第２の導体パターンを含む第２の導体層とを備え、前記第１の開口の内側の平面領域である第１の開口領域は、前記第１の導体パターンが形成された第１の領域と、前記第１の導体パターンが形成されていない第２の領域とを有し、前記第２の導体パターンは、前記第１の開口の前記第１の領域と前記第２の領域の両方に埋め込まれていることを特徴とする。

本発明によれば、第１の開口領域が最終的な凹凸形状とは逆の凹凸パターンを有するように第１の導体パターンを形成し、その上に第２の導体パターンを形成するので、下層の凹凸形状と上層の凹凸形状とで相殺させることができ、各導体層の導体パターンの高さばらつきを抑えることができ、第２の導体パターンの上面をできるだけ平坦にすることができる。また、上層の導体パターンを下層の導体パターンの側面と接続することができるので、両者の接合強度を向上させることもできる。

本発明において、前記第１の領域は、前記開口領域のうち少なくともその中央部を除いた領域であり、前記第２の領域は、前記開口領域のうち前記第１の領域を除いた領域であることが好ましい。この場合において、前記第１の導体パターンは、閉ループパターン又はＵ字パターンであり、前記第２の領域は、前記閉ループパターン又は前記Ｕ字パターンの内側の領域を含むことが好ましい。導体形成面積が少し広い場合には、最上層の導体パターンの上面の中央部が隆起しやすい。しかし、第１の導体パターンの形状を上記のようにした場合には、下層の凹形状と上層の凸形状とを相殺させることができ、各導体層の導体パターンの高さばらつきを抑えることができ、上層の導体パターンの上面をできるだけ平坦にすることができる。

本発明において、前記第２の領域は、前記開口領域から少なくともその中央部を除いた領域であり、前記第１の領域は、前記開口領域から前記第２の領域を除いた領域であることが好ましい。この場合において、前記第１の導体パターンは、島パターンであり、前記第２の領域は、前記島パターンの周囲の領域を含むことが好ましい。導体形成面積が非常に広い場合には、上層の導体パターンの上面の外周部付近が隆起し、中央部が沈下しやすい。しかし、第１の導体パターンの形状を上記のようにした場合には、下層の凸形状と上層の凹形状とを相殺させることができ、各導体層の導体パターンの高さばらつきを抑えることができ、上層の導体パターンの上面をできるだけ平坦にすることができる。

前記第１の導体層は、平面コイルパターンをさらに含むことが好ましい。この場合において、前記平面コイルパターンはスパイラル導体であり、前記第１の導体パターンは、前記スパイラル導体の内周端又は外周端に接続されていることが特に好ましい。直流抵抗を低減するためスパイラル導体等の平面コイルパターンの厚さを厚くしようとすると、これと同一平面上に形成される第１の導体パターンの凹凸形状はより強調され、その上層に位置する第２の導体パターンの凹凸形状はさらに顕著になる。しかし、第１の導体パターンの形状を上記のようにした場合には、下層の凹形状と上層の凸形状とを相殺させることができ、上層の導体パターンの上面をできるだけ平坦にすることができる。

本発明による電子部品は、前記第２の導体層を覆う第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層を貫通して前記第２の導体パターンの上面と側面を露出させる第２の開口と、前記第２の絶縁層上に設けられ、前記第２の開口を通じて前記第２の導体パターンの上面と側面の両方に接続された第３の導体パターンをさらに備え、前記第２の開口の内側の平面領域である第２の開口領域は、前記第１の領域と平面視にて重なる部分を有し、前記第２の導体パターンが形成された第３の領域と、前記第２の導体パターンが形成されていない第４の領域とを有し、前記第３の領域は、前記第１の領域と異なる大きさを有し、前記第３の導体パターンは、前記第２の開口の前記第３の領域と前記第４の領域の両方に埋め込まれていることが好ましい。３層構造の場合、最上層の導体パターンの凹凸形状がさらに顕著となるが、本発明によれば、下層の凹凸形状と上層の凹凸形状とで相殺させることができ、第３の導体パターンの上面をできるだけ平坦にすることができる。また、上層の導体パターンを下層の導体パターンの側面と接続することができるので、両者の接合強度を向上させることもできる。

本発明において、前記第１の導体層は、第１のスパイラル導体をさらに含み、前記第２の導体層は、前記第１のスパイラル導体と磁気結合する第２のスパイラル導体をさらに含むことが好ましい。この構成によれば、２つのスパイラル導体の積層構造を有するコモンモードフィルタにおいて、導体パターンの高さばらつきを低減と接続信頼性の向上を実現することができる。

また、本発明による電子部品の製造方法は、第１の導体パターンを含む第１の導体層を形成する工程と、前記第１の導体層を覆う第１の絶縁層を形成する工程と、前記第１の導体パターンの上面と側面が露出するように前記第１の絶縁層に第１の開口を形成する工程と、前記第１の絶縁層上に第２の導体パターンを含む第２の導体層を形成すると共に、前記第１の開口を通じて前記第２の導体パターンを前記第１の導体パターンに接続する工程とを備え、前記第１の開口の内側の平面領域である第１の開口領域は、前記第１の導体パターンが形成された第１の領域と、前記第１の導体パターンが形成されていない第２の領域とを有し、前記第２の導体パターンは、前記第１の開口の前記第１の領域と前記第２の領域の両方に埋め込まれることを特徴とする。

本発明によれば、第１の開口領域が最終的な凹凸形状とは逆の凹凸パターンを有するように第１の導体パターンを形成し、その上に第２の導体パターンを形成するので、下層の凹凸形状と上層の凹凸形状とで相殺させることができ、第２の導体パターンの上面をできるだけ平坦にすることができる。また、上層の導体パターンを下層の導体パターンの側面と接続することができるので、両者の接合強度を向上させることもできる。

本発明において、前記第１の導体層を形成する工程は、前記第１の導体パターンと共に平面コイルパターンを形成する工程を含むことが好ましい。直流抵抗を低減するためスパイラル導体等の平面コイルパターンの厚さを厚くしようとすると、これと同一平面上に形成される第１の導体パターンの凹凸形状はより強調され、その上層に位置する第２の導体パターンの凹凸形状はさらに顕著になる。しかし、第１の導体パターンの形状を上記のようにした場合には、下層の凹形状と上層の凸形状とを相殺させることができ、各導体層の導体パターンの高さばらつきを抑えることができ、上層の導体パターンの上面をできるだけ平坦にすることができる。

本発明によれば、導体パターンを積層する際に最上層の導体パターンの上面が隆起に陥没が発生することがなくできるだけ平坦にすることが可能な電子部品及びその製造方法を提供することができる。

図１は、本発明の第１の実施の形態による電子部品であるコイル部品１の構造を示す略斜視図である。 図２は、コイル部品１の層構造を詳細に示す略分解斜視図である。 図３は、コイル部品１の各層を分解して示す平面図である。 図４（ａ）〜（ｃ）は、最上層の隆起を防止するための導体パターンの２層の積層構造を示す略断面図である。 図５は、最上層の隆起を防止するための導体パターンの４層の積層構造を示す略断面図である。 図６（ａ）〜（ｆ）は、図１に示した下層の導体パターンの平面レイアウトの変形例を示す略平面図である。 図７（ａ）〜（ｃ）は、最上層の陥没を防止するための導体パターンの２層の積層構造を示す略断面図である。 図８は、最上層の隆起を防止するための導体パターンの４層の積層構造を示す略断面図である。 図９は、各導体層の平面レイアウトの他の例を示す略平面図である。 図１０は、集合基板の平面レイアウトを示す略平面図である。 図１１は、コイル部品１の製造方法を示すフローチャートである。 図１２（ａ）及び（ｂ）は、従来の導体パターンの積層構造を示す略断面図である。

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。

図１は、本発明の第１の実施の形態による電子部品であるコイル部品１の構造を示す略斜視図である。

図１に示すように、本実施形態によるコイル部品１はコモンモードフィルタであって、基板１０と、基板１０の一方の主面（上面）に設けられたコモンモードフィルタ素子を含む薄膜コイル層１１と、薄膜コイル層１１の主面（上面）に設けられた第１〜第４のバンプ電極１２ａ〜１２ｄと、バンプ電極１２ａ〜１２ｄの形成位置を除いた薄膜コイル層１１の主面に設けられた磁性樹脂層１３とを備えている。

コイル部品１は略直方体状の表面実装型チップ部品であり、長手方向（Ｘ方向）と平行な２つの側面１０ａ，１０ｂと、長手方向と直交する他の２つの側面１０ｃ，１０ｄを有している。第１〜第４のバンプ電極１２ａ〜１２ｄはコイル部品１のコーナー部に設けられ、コイル部品１の外周面にも露出面を有するように形成されている。このうち、第１のバンプ電極１２ａは、側面１０ａと側面１０ｃの両方に露出面を有し、第２のバンプ電極１２ｂは、側面１０ｂと側面１０ｃの両方に露出面を有している。また、第３のバンプ電極１２ｃは、側面１０ａと側面１０ｄの両方に露出面を有し、第４のバンプ電極１２ｄは、側面１０ｂと側面１０ｄの両方に露出面を有している。なお、実装時には上下反転し、バンプ電極１２ａ〜１２ｄ側を下向きにして使用されるものである。

基板１０は、コイル部品１の機械的強度を確保すると共に、コモンモードフィルタの閉磁路としての役割を果たすものである。基板１０の材料としては例えば焼結フェライト等の磁性セラミック材料を用いることができる。特に限定されるものではないが、チップサイズが０６０５タイプ（０．６×０．５×０．５（ｍｍ））であるとき、基板１０の厚さは０．１〜０．３ｍｍ程度とすることができる。

薄膜コイル層１１は、基板１０と磁性樹脂層１３との間に設けられたコモンモードフィルタ素子を含む層である。詳細は後述するが、薄膜コイル層１１は絶縁層と導体パターンとを交互に積層して形成された多層構造を有している。このように、本実施形態によるコイル部品１はいわゆる薄膜タイプであって、磁性コアに導線を巻回した構造を有する巻線タイプとは区別されるものである。

磁性樹脂層１３は、コイル部品１の実装面（底面）を構成する層であり、基板１０と共に薄膜コイル層１１を保護すると共に、コイル部品１の閉磁路としての役割を果たすものである。ただし、磁性樹脂層１３の機械的強度は基板１０よりも小さいため、強度面では補助的な役割を果たす程度である。磁性樹脂層１３としては、主にフェライト粉を含有するエポキシ樹脂（複合フェライト）を用いることができる。特に限定されるものではないが、チップサイズが０６０５タイプであるとき、磁性樹脂層１３の厚さは０．０２〜０．１ｍｍ程度とすることができる。

図２は、コイル部品１の層構造を詳細に示す略分解斜視図である。また、図３は、各層を分解して示す平面図である。

図２に示すように、薄膜コイル層１１は、基板１０側から磁性樹脂層１３側に向かって順に積層された第１〜第４の絶縁層１５ａ〜１５ｄと、第１の絶縁層１５ａ上に形成された第１のスパイラル導体１６及び内部端子電極２４ａ〜２４ｄを含む第１の導体層と、第２の絶縁層１５ｂ上に形成された第２のスパイラル導体１７及び内部端子電極２４ａ〜２４ｄを含む第２の導体層と、第３の絶縁層１５ｃ上に形成された第１及び第２の引き出し導体２０，２１及び内部端子電極２４ａ〜２４ｄを含む第３の導体層とを備えている。第４の絶縁層１５ｄ上にはバンプ電極１２ａ〜１２ｄが設けられており、内部端子電極等の導体パターンは形成されていない。

第１〜第４の絶縁層１５ａ〜１５ｄは、異なる導体層に設けられた導体パターン間を絶縁すると共に、導体パターンが形成される平面の平坦性を確保する役割を果たす。特に、第１の絶縁層１５ａは、基板１０の表面の凹凸を吸収し、スパイラル導体パターンの加工精度を高める役割を果たす。絶縁層１５ａ〜１５ｄの材料としては、電気的及び磁気的な絶縁性に優れ、微細加工の容易な樹脂を用いることが好ましく、特に限定されるものではないが、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂を用いることができる。

第１のスパイラル導体１６の内周端１６ａは、第２及び第３の絶縁層１５ｂ，１５ｃを貫通する第１のコンタクトホール導体１８、第１の引き出し導体２０及び第１の内部端子電極２４ａを介して、第１のバンプ電極１２ａに接続されている。また、第１のスパイラル導体１６の外周端１６ｂは第２の内部端子電極２４ｂを介して第２のバンプ電極１２ｂに接続されている。

第２のスパイラル導体１７の内周端１７ａは、第３の絶縁層１５ｃを貫通する第２のコンタクトホール導体１９、第２の引き出し導体２１及び第４の内部端子電極２４ｄを介して、第４のバンプ電極１２ｄに接続されている。また、第２のスパイラル導体１７の外周端１７ｂは第３の内部端子電極２４ｃを介して第３のバンプ電極１２ｃに接続されている。

第１及び第２のスパイラル導体１６，１７は実質的に同一の平面形状を有しており、しかも平面視で同じ位置に設けられている。第１及び第２のスパイラル導体１６，１７は重なり合っていることから、両者の間には強い磁気結合が生じている。第１のスパイラル導体１６はその内周端１６ａから外周端１６ｂに向かって反時計回りであり、第２のスパイラル導体１７はその外周端１７ｂから内周端１７ａに向かって同じく反時計回りであるので、第１のバンプ電極１２ａから第２のバンプ電極１２ｂに向かって流れる電流により発生する磁束の向きと、第３のバンプ電極１２ｃから第２のバンプ電極１２ｄに向かって流れる電流により発生する磁束の向きが同じになり、全体の磁束は強まる。以上の構成により、薄膜コイル層１１内の導体パターンはコモンモードフィルタを構成している。

第１及び第２のスパイラル導体１６，１７の外形は共に円形スパイラルである。円形スパイラル導体は高周波信号成分の減衰が少ないため、高周波用インダクタンスとして好ましく用いることができる。なお、本実施形態によるスパイラル導体１６，１７は長円であるが、真円であってもよく、楕円であってもよい。また、略矩形であっても構わない。

第１及び第２のスパイラル導体１６，１７は、その直流抵抗を低減するためある程度の厚さを有することが好ましい。スパイラル導体の断面のアスペクト比（高さ／幅）は１以上であることが好ましい。

第１〜第４の絶縁層１５ａ〜１５ｄの中央領域であって第１及び第２のスパイラル導体１６，１７の内側には、第１〜第４の絶縁層１５ａ〜１５ｄを貫通する開口ｈｇが設けられており、開口ｈｇの内部には、磁路を形成するためのスルーホール磁性体１４が設けられている。スルーホール磁性体１４は磁性樹脂層１３と同一材料からなりこれと一体的に形成されていることが好ましい。

第１及び第２の引き出し導体２０，２１は、第３の絶縁層１５ｃの表面に形成されている。第１の引き出し導体２０の一端はコンタクトホール導体１８の上端に接続されており、他端は内部端子電極２４ａに接続されている。また、第２の引き出し導体２１の一端はコンタクトホール導体１９の上端に接続されており、他端は内部端子電極２４ｄに接続されている。

薄膜コイル層１１の表層を構成する第４の絶縁層１５ｄ上には第１〜第４のバンプ電極１２ａ〜１２ｄがそれぞれ設けられている。第１〜第４のバンプ電極１２ａ〜１２ｄは外部端子電極であって、内部端子電極２４ａ〜２４ｄにそれぞれ接続されている。なお、本明細書において「バンプ電極」とは、フリップチップボンダーを用いてＣｕ，Ａｕ等の金属ボールを熱圧着することにより形成されるものとは異なり、めっき処理により形成された厚膜めっき電極を意味する。バンプ電極の厚さは、磁性樹脂層１３の厚さと同等かそれ以上であり、０．０２〜０．１ｍｍ程度とすることができる。すなわち、バンプ電極１２ａ〜１２ｄの厚さは薄膜コイル層１１内の導体パターンよりも厚く、特に、薄膜コイル層１１内のスパイラル導体パターンの５倍以上の厚さを有している。

第１〜第４のバンプ電極１２ａ〜１２ｄの平面形状は実質的に同一である。この構成によれば、コイル部品１の底面のバンプ電極パターンが対称性を有しているので、実装の方向性に制約がなく見栄えの良い端子電極パターンを提供することができる。

第４の絶縁層１５ｄ上には第１〜第４のバンプ電極１２ａ〜１２ｄと共に磁性樹脂層１３が形成されている。磁性樹脂層１３はバンプ電極１２ａ〜１２ｄの周囲を埋めるように設けられている。磁性樹脂層１３と接するバンプ電極１２ａ〜１２ｄの側面は、エッジのない曲面形状であることが好ましい。磁性樹脂層１３は、バンプ電極１２ａ〜１２ｄを形成した後、複合フェライトのペーストを流し込むことにより形成されるが、このときバンプ電極１２ａ〜１２ｄの側面にエッジの効いたコーナー部があるとバンプ電極の周囲にペーストが完全に充填されず、気泡を含む状態となりやすい。しかし、バンプ電極１２ａ〜１２ｄの側面が曲面である場合には、流動性のある樹脂が隅々まで行き渡るので、気泡を含まない緻密な磁性樹脂層１３を形成することができる。しかも、磁性樹脂層１３とバンプ電極１２ａ〜１２ｄとの密着性が高まるので、バンプ電極１２ａ〜１２ｄに対する補強性を高めることができる。

第２の絶縁層１５ｂには更に、第１〜第４の内部端子電極２４ａ〜２４ｄに対応する開口ｈａ〜ｈｄ及び第１のコンタクトホール導体１８に対応する開口ｈｅが設けられている。開口ｈａ〜ｈｅは、上下の導体層間の電気的接続を確保するために設けられるものである。第２の絶縁層１５ｂ上に形成された内部端子電極２４ａ〜２４ｄの一部は、その直下に設けられた第２の絶縁層１５ｂの開口ｈａ〜ｈｄの内部に埋め込まれており（図４（ｂ）参照）、これにより第１の絶縁層１５ａ上の内部端子電極２４ａ〜２４ｄと電気的に接続される。なお、第１の絶縁層１５ａには内部端子電極に対応する開口ｈａ〜ｈｄは設けられていない。

第３の絶縁層１５ｃには、開口ｈａ〜ｈｅに加えて、第２のコンタクトホール導体１９に対応する開口ｈｆがさらに設けられている。第３の絶縁層１５ｃ上に形成された内部端子電極２４ａ〜２４ｄの一部は、その直下に設けられた第３の絶縁層１５ｃの開口ｈａ〜ｈｄの内部に埋め込まれており（図４（ｂ）参照）、これにより第２の絶縁層１５ｂ上の内部端子電極２４ａ〜２４ｄと電気的に接続される。

第４の絶縁層１５ｄには開口ｈａ〜ｈｄが設けられているが、第１及び第２のコンタクトホール導体１８，１９に対応する開口ｈｅ，ｈｆは設けられていない。バンプ電極１２ａ〜１２ｄの一部は、第４の絶縁層１５ｄの開口ｈａ〜ｈｄの内部に埋め込まれる。これにより、バンプ電極１２ａ〜１２ｄは第４の絶縁層１５ｄに形成された開口ｈａ〜ｈｄを介して第３の絶縁層１５ｃ上の内部端子電極２４ａ〜２４ｄの上面にそれぞれ接続される。

図３に示すように、第３の絶縁層１５ｃ上に形成されるコンタクトホール導体１８，１９並びに内部端子電極２４ａ〜２４ｄはその所望の形成領域の全面に形成されている。これに対し、第２の絶縁層１５ｂ上に形成されるコンタクトホール導体１８，１９並びに内部端子電極２４ａ〜２４ｄは、第３の絶縁層１５ｃ上に形成されたものに比べて、中央部の導体が排除されたドーナツ形状となっている。さらに下層である第１の絶縁層１５ａ上に形成されるコンタクトホール導体１８，１９並びに内部端子電極２４ａ〜２４ｄは、第２の絶縁層１５ｂ上に形成されたものに比べて、ループの導体幅が細く（中央の導体非形成領域の面積が大きく）なっている。

コンタクトホール導体１８，１９並びに内部端子電極２４ａ〜２４ｄは比較的広い面積を有する導体パターンであるため、その中央部においてめっきが成長しやすく、最下層から最上層までのすべての導体層において所望の形成領域の全面に形成すると、導体パターンの厚みの増加が強調されてしまい、最上層の導体パターンの上面に隆起が発生しやすい。特に、直流抵抗を低減するためスパイラル導体１６，１７の厚さを厚く（アスペクト比を高く）する場合、これと同時に形成されるコンタクトホール導体１８，１９や内部端子電極２４ａ〜２４ｄの厚さも厚くなり、その面内ばらつきも大きくなりやすい。つまり、最上層の導体パターンの上面の隆起が顕著となる。しかしながら、本実施形態のように下層の導体パターンの平面方向の中央部に空洞を設け、上層になるほど空洞の平面サイズを徐々に小さくすることで、最上層の上面の平坦性を高めることができる。

以下、最上層の隆起を防止するための導体パターンの積層構造について詳細に説明する。

図４（ａ）〜（ｃ）は、最上層の隆起を防止するための導体パターンの２層の積層構造を示す略断面図であり、（ａ）は下層（１層目）の導体パターンの平面形状、（ｂ）は上層（２層目）の導体パターンの平面形状、（ｃ）は（ａ）及び（ｂ）のＸ１−Ｘ１'線に沿った断面図である。なお、以下の例では導体パターンの形状を矩形とするが、図２及び図３に示したコンタクトホール導体１８，１９や内部端子電極２４ａ〜２４ｄのように、導体パターンの平面形状は矩形に限定されず、その機能や配置に合わせて任意に設定することができる。

図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、下層（第１の導体層ＬＣ１）の導体パターンＰ１（第１の導体パターン）は所定の導体形成領域Ｓ１内に形成されており、その平面形状はその中央に空洞部Ｃ１を有するドーナツ形状（閉ループ形状）である。導体パターンＰ１の周囲は絶縁層ＬＩ１で覆われており、絶縁層ＬＩ１を貫通する開口ｈ１（第１の開口）から露出している。

図４（ａ）において、破線で示す開口ｈ１の内側の平面領域（第１の開口領域）は、ハッチングで示す導体パターンＰ１が形成された領域（第１の領域）と、導体パターンＰ１が形成されていない領域（第２の領域）とを有している。第１の領域は、第１の開口領域のうちその中央部の空洞部Ｃ１を除いた領域であり、第２の領域は、開口領域のうち第１の領域を除いた領域、つまり空洞部Ｃ１である。

下層の導体パターンＰ１に重ねて設けられる上層（第２の導体層ＬＣ２）の導体パターンＰ２（第２の導体パターン）はその導体形成領域Ｓ２の全面に形成され、導体パターンＰ２は、平面視にて導体パターンＰ１の全面を覆っている。導体パターンＰ２の一部は導体パターンＰ１の中央の空洞部Ｃ１の内部にも埋め込まれる。すなわち、導体パターンＰ２は、開口ｈ１の第１の領域と第２の領域の両方に埋め込まれている。導体パターンＰ２の周囲には絶縁層ＬＩ２が充填されている。

図１２（ａ）に示したように、各導体層の導体パターンをその形成領域の全面に形成した場合にはめっき電流の集中によって隆起が発生しやすく、上層に行くほど隆起がより強調された形状となってしまう。しかし、図４に示すように、下層の導体パターンＰ１の中央に空洞部Ｃ１を設け、導体パターンＰ１の中央が陥没している場合には、下層の陥没と上層の隆起とが相殺されるので、上層の導体パターンＰ２の上面を概ね平坦にすることができる。

図４に示した積層構造の形成では、まず第１の導体形成領域Ｓ１に導体パターンＰ１を形成し、その上に絶縁層ＬＩ１を形成し、絶縁層ＬＩ１に開口ｈ１を形成して導体パターンＰ１を露出させる。このとき、開口ｈ１からは導体パターンＰ１の上面と側面とが露出する。次に、絶縁層ＬＩ１の上面のうち第１の導体形成領域Ｓ１と平面視にて重なる第２の導体形成領域Ｓ２に導体パターンＰ２を形成する。導体パターンＰ２は、平面視にて導体パターンＰ１の全面を覆うように形成し、これにより第１の導体パターンＰ１と第２の導体パターンＰ２とを接続する。

図５は、最上層の隆起を防止するための導体パターンの４層の積層構造を示す略断面図である。

図５に示すように、導体パターンの積層数がさらに多い場合、導体パターンの空洞部の面積が上層に向かうほど徐々に縮小するようにすればよい。すなわち、１〜３層目の導体パターンＰ１〜Ｐ３の平面形状はその中央に空洞部Ｃ１〜Ｃ３をそれぞれ有するドーナツ形状であり、２層目の導体パターンＰ２の空洞部Ｃ２の大きさは１層目のそれよりも小さく、３層目の導体パターンＰ３の空洞部Ｃ３の大きさは２層目のそれよりも小さい。最上層である４層目の導体パターンＰ４はその形成領域Ｓ４の全面に形成され、その一部は導体パターンＰ３の空洞部Ｃ３の内部にも埋め込まれる。このように導体パターンの積層数が増えた場合にも、最下層の意図的な陥没が上層に向かうにつれて徐々に平坦化するので、最上層の導体パターンの上面を概ね平坦にすることができる。

図６（ａ）〜（ｆ）は、図４に示した下層の導体パターンの平面レイアウトの変形例を示す略平面図である。

図６（ａ）及び（ｂ）に示す下層の導体パターンＰ１は、図４（ａ）と同様、矩形パターンの中央に空洞部Ｃ１を有する閉ループパターンである。このうち、図６（ａ）は、導体パターンＰ１の上層に形成される絶縁層ＬＩ２の開口ｈ１が導体パターンＰ１の外周の外側にはみ出すことなく内側に収まっている。また図６（ｂ）は、その上層の絶縁層に形成される開口ｈ１が導体パターンＰ１の外周よりも外側にはみ出すように形成されている。ここでは開口ｈ１がはみ出す方向は、導体パターンＰ１の長手方向と直交する方向（Ｙ方向）である。

図６（ｃ）及び（ｄ）に示す下層の導体パターンＰ１は、矩形パターンの長手方向と平行な一辺が切り欠かれてなる略Ｕ字パターンである。このＵ字パターンも、矩形パターンの中央に空洞部Ｃ１を有するパターンの一つと見ることができる。このうち、図６（ｃ）は、その上層の絶縁層に形成される開口ｈ１が導体パターンＰ１の外周の内側に収まるように形成されている。また図６（ｄ）は、その上層の絶縁層に形成される開口ｈ１が導体パターンＰ１の外周よりも外側にはみ出すように形成されている。ここでは開口ｈ１がはみ出す方向は、導体パターンＰ１の切り欠きがある方向である。

図６（ｅ）及び（ｆ）に示す下層の導体パターンＰ１は、矩形パターンの長手方向と直交する一辺が切り欠かれてなる略Ｕ字パターンである。このＵ字パターンも、矩形パターンの中央に空洞部Ｃ１を有するパターンの一つと見ることができる。このうち、図６（ｅ）は、その上層の絶縁層に形成される開口ｈ１が導体パターンＰ１の外周の内側に収まるように形成されている。また図６（ｆ）は、その上層の絶縁層に形成される開口ｈ１が導体パターンＰ１の外周よりも外側にはみ出すように形成されている。ここでは開口ｈ１がはみ出す方向は、導体パターンＰ１の切り欠きがある方向である。

図６（ａ）〜（ｆ）のいずれも、下層の導体パターンＰ１はその中央に空洞部Ｃ１を有する形状となっているので、これに重ねて設けられる上層の導体パターンをその形成領域の全面に形成したとしても、上層の導体パターンの上面の隆起が抑制されるので、最上層の導体パターンの上面を概ね平坦にすることができる。また、上層の導体パターンは下層の導体パターンの上面のみならず側面にも接しているので、両者の接合強度を向上させることができる。特に、図６（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）においては、開口ｈ１を広げて下層の導体パターンＰ１の内側の側面のみならず外側の側面をも露出させるので、両者の接合強度をさらに向上させることができる。

次に、最上層の陥没を防止するための導体パターンの積層構造について詳細に説明する。

図７（ａ）〜（ｃ）は、最上層の陥没を防止するための導体パターンの２層の積層構造を示す略断面図であり、（ａ）は下層（１層目）の導体パターンの平面形状、（ｂ）は上層（２層目）の導体パターンの平面形状、（ｃ）は（ａ）及び（ｂ）のＸ１−Ｘ１'線に沿った断面図である。なお、以下の例でも導体パターンの形状を矩形とするが、図２及び図３に示したコンタクトホール導体１８，１９や内部端子電極２４ａ〜２４ｄのように、導体パターンの平面形状は矩形に限定されず、その機能や配置に合わせて任意に設定することができる。

図７（ａ）〜（ｃ）に示すように、下層（第１の導体層ＬＣ１）の導体パターンＰ１（第１の導体パターン）は所定の導体形成領域Ｓ１内に形成されており、その平面形状は導体形成領域Ｓ１の略中央にのみ形成された島パターンである。なおこの島パターンは全周が絶縁領域で囲まれた孤島パターンではなく半島パターンである。島パターンは、その形成領域の外側に向かって一方向に引き出されている。形成領域の中央部にのみ導体パターンが形成されているので、周囲に空洞部Ｃ１を有するということができる。導体パターンＰ１の周囲は絶縁層ＬＩ１で覆われており、絶縁層ＬＩ１を貫通する開口ｈ１（第１の開口）から露出している。

図７（ａ）において、破線で示す開口ｈ１の内側の平面領域（第１の開口領域）は、ハッチングで示す導体パターンＰ１が形成された領域（第１の領域）と、導体パターンＰ１が形成されていない領域（第２の領域）とを有している。第２の領域は、第１の開口領域のうち少なくともその中央部を除いた領域、つまり空洞部Ｃ１であり、第１の領域は、開口領域のうち第２の領域を除いた領域である。

下層の導体パターンＰ１に重ねて設けられる上層（第２の導体層ＬＣ２）の導体パターンＰ２（第２の導体パターン）はその導体形成領域Ｓ２の全面に形成され、導体パターンＰ２は、平面視にて導体パターンＰ１の全面を覆っている。導体パターンＰ２の一部は導体パターンＰ１の周囲の空洞部Ｃ１の内部にも埋め込まれる。すなわち、導体パターンＰ２は、開口ｈ１の第１の領域と第２の領域の両方に埋め込まれている。導体パターンＰ２の周囲には絶縁層ＬＩ２が充填されている。

図１２（ｂ）に示したように、各導体層の導体パターンをその広い形成領域の全面に形成した場合には中央に陥没が発生しやすく、上層に行くほど陥没が強調された形状となってしまう。しかし、図７に示すように、下層の導体パターンＰ１の周囲に空洞部Ｃ１を設け、導体パターンＰ１の中央が相対的に隆起している場合には、下層の隆起と上層の陥没とが相殺されるので、上層の導体パターンＰ２の上面を概ね平坦にすることができる。

図８は、最上層の隆起を防止するための導体パターンの４層の積層構造を示す略断面図である。

図８に示すように、導体パターンの積層数がさらに多い場合、導体パターンの面積が上層に向かうほど徐々に拡大するようにすればよい。すなわち、１〜３層目の導体パターンＰ１〜Ｐ３の平面形状はその中央にのみ形成され、その周囲には空洞部Ｃ１〜Ｃ３をそれぞれ有する隆起形状であり、２層目の導体パターンＰ２の大きさは１層目のそれよりも大きく、３層目の導体パターンＰ３の大きさは２層目のそれよりもさらに大きい。最上層である４層目の導体パターンＰ４はその形成領域Ｓ４の全面に形成され、その一部は導体パターンＰ３の周囲の空洞部Ｃ３の内部にも埋め込まれる。このように導体パターンの積層数が増えた場合にも、最下層の意図的な隆起が上層に向かうにつれて徐々に平坦化されるので、最上層の導体パターンの上面を概ね平坦にすることができる。

導体パターンの高さの面内ばらつきはその平面サイズによって異なる。導体パターンの平面サイズ（特に最小幅）がスパイラル導体の線幅よりも少し広い程度である場合、導体パターンの最上層の上面は中央部が隆起しやすい。しかし、導体パターンの平面サイズが十分に大きい場合には、導体パターンの最上層の上面は中央部が陥没しやすい。面積が大きすぎると、めっき電流は端部に流れる傾向があるため、めっきが端部に集中して厚みが増加する。そのため、端部が隆起し、中央部が相対的に陥没した形状となってしまう。いずれの場合も、導体パターンを単に積層しただけではその最上層の上面が平坦になりにくいことから、本発明では下層の導体パターンを以下に示す適切な形状（隆起防止パターン又は陥没防止パターン）とすることで最上層の平坦性を確保する。

図４〜図６に示した隆起防止パターンと図７及び図８に示した陥没防止パターンのどちらを採用するかは、従来の方法で実際に試作したときの結果から判断すればよいが、例えば、スパイラル導体の線幅に対して、１．５〜４倍程度の幅を有する導体パターンについては"隆起防止パターン（閉ループパターン又はＵ字パターン）"を採用し、スパイラル導体の線幅に対して、４倍以上の幅を有する導体パターンについては"陥没防止パターン"採用するようにしてもよい。

コンタクトホール導体１８，１９は、スパイラル導体１６，１７の内側という非常に限られた範囲内に形成されるものであり、スルーホール磁性体１４を設ける場合にはその形成範囲はさらに限定される。そのため、コンタクトホール導体１８，１９の面積は比較的小さく、最上層に隆起が発生しやすい。したがって、コンタクトホール導体１８，１９には隆起防止パターンを採用することが好ましい。

これに対し、内部端子電極２４ａ〜２４ｄは、スパイラル導体１６，１７の外側に設けられ、コンタクトホール導体１８，１９よりも大きく形成することも可能である。また、集合基板上に多数の素子を形成する量産プロセスにおいて、隣接する素子間に共通の大きな内部端子電極を形成する場合には、内部端子電極の面積は非常に大きくなる。このように、内部端子電極の面積が比較的大きく、最上層に陥没が発生しやすい場合には内部端子電極２４ａ〜２４ｄには陥没防止パターンを採用することが好ましい。

ただし、スパイラル導体１６，１７のループサイズを大きくしたり、スルーホール磁性体１４を省略したりする場合には、比較的大きなコンタクトホール導体１８，１９を形成できるので、この場合には、コンタクトホール導体１８，１９に陥没防止パターンを採用したほうがよい。また、スパイラル導体１６，１７のループサイズを大きくして内部端子電極２４ａ〜２４ｄの形成領域が非常に限定されるような場合、内部端子電極２４ａ〜２４ｄの面積が小さくなるので、この場合には、内部端子電極２４ａ〜２４ｄに隆起防止パターンを採用したほうがよい。

図９は、各導体層の平面レイアウトの他の例を示す略平面図である。図示のように、スパイラル導体１６，１７の内側のスルーホール磁性体１４（図３参照）を省略してコンタクトホール導体１８，１９のサイズを大きくした場合には、コンタクトホール導体１８，１９に陥没防止パターンを採用したほうがよい。

図１０は、集合基板の平面レイアウトを示す略平面図である。図示のように、内部端子電極２４ａ〜２４ｂが隣接する４つの素子のコーナー部に位置する場合は、それらが一体化された集合端子電極ＢＢとして形成され、その面積が非常に大きくなる。この場合には、集合端子電極ＢＢに対して陥没防止パターンを採用することが好ましい。

図１１は、コイル部品１の製造方法を示すフローチャートである。

コイル部品１の製造ではまず磁性ウェハーを用意し、（ステップＳ１１）、磁性ウェハーの表面に多数のコモンモードフィルタ素子がレイアウトされた薄膜コイル層１１を形成する（ステップＳ１２）。

薄膜コイル層１１は絶縁層を形成した後、絶縁層の表面に導体パターンを形成する工程を繰り返すことにより形成することができる。以下、薄膜コイル層１１の形成工程について詳細に説明する。

薄膜コイル層１１の形成では、まず絶縁層１５ａを形成した後、絶縁層１５ａ上に第１のスパイラル導体１６及び内部端子電極２４ａ〜２４ｄを形成する。次に、絶縁層１５ａ上に絶縁層１５ｂを形成した後、絶縁層１５ｂ上に第２のスパイラル導体１７及び内部端子電極２４ａ〜２４ｄを形成する。次に、絶縁層１５ｂ上に絶縁層１５ｃを形成した後、絶縁層１５ｃ上に第１及び第２の引き出し導体２０，２１及び内部端子電極２４ａ〜２４ｄを形成する。さらに絶縁層１５ｃ上に絶縁層１５ｄを形成する（図２参照）。

ここで、各絶縁層１５ａ〜１５ｄは、下地面に感光性樹脂をスピンコート、または感光性樹脂フィルムを貼り付けし、これを露光及び現像することにより形成することができる。特に、第１の絶縁層１５ａには開口ｈｇが形成され、第２の絶縁層１５ｂには開口ｈａ〜ｈｅ、ｈｇが形成され、第３の絶縁層１５ｃには開口ｈａ〜ｈｇが形成され、第４の絶縁層１５ｄには開口ｈａ〜ｈｄ及び開口ｈｇが形成される。

導体パターンの材料にはＣｕを用いることが好ましい。導体パターンは蒸着法又はスパッタリング法により導体層を形成した後、その上にパターニングされたレジスト層を形成し、そこに電解めっきを施し、レジスト層及び不要な下地導体層を除去することにより形成することができる。

このとき、コンタクトホール導体１８，１９を形成するための開口（貫通孔）ｈｅ，ｈｆの内部がめっき材料で埋められ、これによりコンタクトホール導体１８，１９が形成される。また、内部端子電極２４ａ〜２４ｂを形成するための開口ｈａ〜ｈｄの内部もめっき材料で埋められ、これにより内部端子電極２４ａ〜２４ｄが形成される。

次に、薄膜コイル層１１の表層である絶縁層１５ｄ上にバンプ電極１２ａ〜１２ｄの集合体であるバンプ電極１２を形成する（ステップＳ１３）。バンプ電極１２の形成方法は、まず絶縁層１５ｄの全面に下地導体層をスパッタリング法により形成する。下地導体層の材料としてはＣｕ等を用いることができる。その後、ドライフィルムを貼り付け、露光及び現像することにより、バンプ電極１２ａ〜１２ｄ及び第１及び第２の引き出し導体２０，２１を形成すべき位置にあるドライフィルムを選択的に除去してドライフィルム層を形成し、下地導体層を露出させる。なお、バンプ電極の形成はドライフィルムを用いた方法に限定するものではない。

さらに電解めっきを行い、下地導体層の露出部分を成長させることにより、肉厚なバンプ電極１２ａ〜１２ｄの集合体を形成する。このとき、絶縁層１５ｄに形成された開口ｈａ〜ｈｄの内部がめっき材料で埋められ、これによりバンプ電極１２ａ〜１２ｄと内部端子電極２４ａ〜２４ｄとが電気的に接続される。

その後、ドライフィルム層を除去し、全面をエッチングして不要な下地導体層を除去することにより、略柱状のバンプ電極１２が完成する。この例では、略柱状のバンプ電極１２は、Ｘ方向及びＹ方向に隣接する４つのチップ部品に共通の電極として形成されるが、個々にバンプ電極が形成されても良い。バンプ電極１２は後述のダイシングによって４分割され、これにより各素子に対応する個別のバンプ電極１２ａ〜１２ｄが形成される。

次に、バンプ電極１２が形成された磁性ウェハー上に複合フェライトのペーストを充填し、硬化させて、磁性樹脂層１３を形成する（ステップＳ１４）。また、複合フェライトのペーストを開口ｈｇの内部にも充填することにより、スルーホール磁性体１４を同時に形成する。このとき、磁性樹脂層１３を確実に形成するため多量のペーストが充填され、これによりバンプ電極１２は磁性樹脂層１３内に埋没した状態となる。そのため、バンプ電極１２の上面が露出するまで磁性樹脂層１３を研磨して所定の厚さにすると共に表面を平滑化する（ステップＳ１５）。さらに、磁性ウェハーについても所定の厚さとなるように研磨する（ステップＳ１５）。

その後、磁性ウェハーのダイシングによって各コモンモードフィルタ素子を個片化（チップ化）する（ステップＳ１６）。このとき、図１０に示すように、Ｘ方向に延びる切断ラインＤ１及びＹ方向に延びる切断ラインＤ２はバンプ電極１２の中央を通過し、得られたバンプ電極１２ａ〜１２ｄの切断面は、チップ化した部品（チップ部品）の側面に露出することになる。バンプ電極１２ａ〜１２ｄの２つの側面は実装時において半田フィレットの形成面となるので、半田実装時の固着強度を高めることができる。

次に、チップ部品のバレル研磨を行ってエッジを除去した後（ステップＳ１７）、電気めっきを行い（ステップＳ１８）、これにより図１に示すバンプ電極１２ａ〜１２ｄが完成する。このように、チップ部品の外表面をバレル研磨することによりチップ欠け等の破損が生じにくいコイル部品を製造することができる。また、チップ部品の外周面に露出するバンプ電極１２ａ〜１２ｄの表面をめっき処理するため、バンプ電極１２ａ〜１２ｄの表面を平滑面とすることができる。

以上説明したように、本実施形態による電子部品およびその製造方法によれば、導体パターンを積層する際に各導体層の導体パターンの上面の高さばらつきを抑えることが可能な電子部品を簡易且つ低コストで製造することができる。また、バンプ電極１２ａ〜１２ｄの周囲に磁性樹脂層１３を形成しているので、バンプ電極１２ａ〜１２ｄを補強することができ、バンプ電極１２ａ〜１２ｄの剥離等を防止することができる。また、本実施形態によるコイル部品１の製造方法は、バンプ電極１２ａ〜１２ｄをめっきにより形成しているので、例えばスパッタリングで形成する場合よりも加工精度の高く安定した外部端子電極を提供することができる。さらに、工数の削減及び低コスト化を図ることができる。

本発明は、以上の実施の形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能であり、それらも本発明に包含されるものであることは言うまでもない。

例えば、上記実施形態においては、バンプ電極の周囲に磁性樹脂層を充填しているが、本発明においては、磁性樹脂層に限定されず、磁性のない単なる絶縁体層であってもよい。また、スルーホール磁性体１４を省略することも可能である。

また、上記実施形態においては、３層導体層構造の薄膜コイル層１１を例に挙げたが、本発明において導体層の積層数はいくつであってもよく、３層構造に限定されない。また、上記実施形態においては、コイル部品としてコモンモードフィルタを例に挙げたが、本発明はコモンモードフィルタに限定されるものではなく、例えばトランスや電源系コイルなど、他の種々のコイル部品に適用可能である。さらには、コイル部品に限らず、めっきにより薄膜パターンが形成される種々の電子部品に適用することが可能である。

１ コイル部品（電子部品）
１０ 基板
１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ 側面
１１ 薄膜コイル層
１２，１２ａ〜１２ｄ バンプ電極
１３ 磁性樹脂層
１４ スルーホール磁性体
１５ａ〜１５ｄ 絶縁層
１６，１７ スパイラル導体
１６ａ，１７ａ スパイラル導体の内周端
１６ｂ，１７ｂ スパイラル導体の外周端
１８，１９ コンタクトホール導体
２０，２１ 引き出し導体
２４ａ〜２４ｄ 内部端子電極
ＢＢ 集合端子電極
Ｃ１-Ｃ３ 空洞部
Ｄ１，Ｄ２ 切断ライン
ＬＣ１，ＬＣ２ 導体層
ＬＩ１，ＬＩ２ 絶縁層
Ｐ１〜Ｐ４ 導体パターン
Ｓ１〜Ｓ４ 導体形成領域
ｈ１ 開口
ｈａ〜ｈｇ 開口

Claims (11)

1. 第１の導体パターンを含む第１の導体層と、
   前記第１の導体層を覆う第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層を貫通して前記第１の導体パターンの上面と側面を露出させる第１の開口と、
   前記第１の絶縁層上に設けられ、前記第１の開口を通じて前記第１の導体パターンの上面と側面の両方に接続された第２の導体パターンを含む第２の導体層とを備え、
   前記第１の開口の内側の平面領域である第１の開口領域は、
   前記第１の導体パターンが形成された第１の領域と、
   前記第１の導体パターンが形成されていない第２の領域とを有し、
   前記第２の導体パターンは、前記第１の開口の前記第１の領域と前記第２の領域の両方に埋め込まれていることを特徴とする電子部品。
2. 前記第１の領域は、前記開口領域のうち少なくともその中央部を除いた領域であり、
   前記第２の領域は、前記開口領域のうち前記第１の領域を除いた領域である、請求項１に記載の電子部品。
3. 前記第１の導体パターンは、閉ループパターン又はＵ字パターンであり、
   前記第２の領域は、前記閉ループパターン又は前記Ｕ字パターンの内側の領域を含む、請求項２に記載の電子部品。
4. 前記第２の領域は、前記開口領域から少なくともその中央部を除いた領域であり、
   前記第１の領域は、前記開口領域から前記第２の領域を除いた領域である、請求項１に記載の電子部品。
5. 前記第１の導体パターンは、島パターンであり、
   前記第２の領域は、前記島パターンの周囲の領域を含む、請求項４に記載の電子部品。
6. 前記第１の導体層は、平面コイルパターンをさらに含む、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電子部品。
7. 前記平面コイルパターンはスパイラル導体であり、
   前記第１の導体パターンは、前記スパイラル導体の内周端又は外周端に接続されている、請求項６に記載の電子部品。
8. 前記第２の導体層を覆う第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層を貫通して前記第２の導体パターンの上面と側面を露出させる第２の開口と、
   前記第２の絶縁層上に設けられ、前記第２の開口を通じて前記第２の導体パターンの上面と側面の両方に接続された第３の導体パターンをさらに備え、
   前記第２の開口の内側の平面領域である第２の開口領域は、
   前記第１の領域と平面視にて重なる部分を有し、前記第２の導体パターンが形成された第３の領域と、
   前記第２の導体パターンが形成されていない第４の領域とを有し、
   前記第３の領域は、前記第１の領域と異なる大きさを有し、
   前記第３の導体パターンは、前記第２の開口の前記第３の領域と前記第４の領域の両方に埋め込まれていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
9. 前記第１の導体層は、第１のスパイラル導体をさらに含み、
   前記第２の導体層は、前記第１のスパイラル導体と磁気結合する第２のスパイラル導体をさらに含む、請求項８に記載の電子部品。
10. 第１の導体パターンを含む第１の導体層を形成する工程と、
    前記第１の導体層を覆う第１の絶縁層を形成する工程と、
    前記第１の導体パターンの上面と側面が露出するように前記第１の絶縁層に第１の開口を形成する工程と、
    前記第１の絶縁層上に第２の導体パターンを含む第２の導体層を形成すると共に、前記第１の開口を通じて前記第２の導体パターンを前記第１の導体パターンに接続する工程とを備え、
    前記第１の開口の内側の平面領域である第１の開口領域は、前記第１の導体パターンが形成された第１の領域と、前記第１の導体パターンが形成されていない第２の領域とを有し、
    前記第２の導体パターンは、前記第１の開口の前記第１の領域と前記第２の領域の両方に埋め込まれることを特徴とする電子部品の製造方法。
11. 前記第１の導体層を形成する工程は、前記第１の導体パターンと共に平面コイルパターンを形成する工程を含む、請求項１０に記載の電子部品の製造方法。

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