JP2014178573A5 - - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 15
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 claims description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 2
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 claims 4
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims 4
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims 4
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 4
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims 4
- 229920000233 poly(alkylene oxides) Chemical group 0.000 claims 4
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 claims 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims 3
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims 2
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013053401A JP6157160B2 (ja) | 2013-03-15 | 2013-03-15 | 上層膜形成用組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法 |
| US14/773,047 US9482952B2 (en) | 2013-03-15 | 2014-03-14 | Composition for forming topcoat layer and resist pattern formation method employing the same |
| KR1020157029579A KR102001819B1 (ko) | 2013-03-15 | 2014-03-14 | 상층막 형성용 조성물 및 이를 사용한 레지스트 패턴 형성 방법 |
| CN201480012592.7A CN105190441B (zh) | 2013-03-15 | 2014-03-14 | 上层膜形成用组合物以及使用了其的抗蚀图案形成方法 |
| TW103109460A TWI610979B (zh) | 2013-03-15 | 2014-03-14 | 圖案形成方法 |
| PCT/JP2014/056858 WO2014142296A1 (ja) | 2013-03-15 | 2014-03-14 | 上層膜形成用組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013053401A JP6157160B2 (ja) | 2013-03-15 | 2013-03-15 | 上層膜形成用組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014178573A JP2014178573A (ja) | 2014-09-25 |
| JP2014178573A5 true JP2014178573A5 (enExample) | 2015-12-24 |
| JP6157160B2 JP6157160B2 (ja) | 2017-07-05 |
Family
ID=51536944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013053401A Expired - Fee Related JP6157160B2 (ja) | 2013-03-15 | 2013-03-15 | 上層膜形成用組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9482952B2 (enExample) |
| JP (1) | JP6157160B2 (enExample) |
| KR (1) | KR102001819B1 (enExample) |
| CN (1) | CN105190441B (enExample) |
| TW (1) | TWI610979B (enExample) |
| WO (1) | WO2014142296A1 (enExample) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015178387A1 (ja) * | 2014-05-21 | 2015-11-26 | アーゼット・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | 上層膜形成用組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法 |
| JP6573876B2 (ja) * | 2014-05-29 | 2019-09-11 | アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | 空隙形成用組成物、その組成物を用いて形成された空隙を具備した半導体装置、およびその組成物を用いた半導体装置の製造方法 |
| KR101713251B1 (ko) * | 2015-01-14 | 2017-03-07 | 최상준 | 반사방지용 하드마스크 조성물 |
| CN107250914A (zh) * | 2015-02-26 | 2017-10-13 | 富士胶片株式会社 | 上层膜形成用组合物以及使用了该上层膜形成用组合物的图案形成方法及电子器件的制造方法 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5994430A (en) * | 1997-04-30 | 1999-11-30 | Clariant Finance Bvi) Limited | Antireflective coating compositions for photoresist compositions and use thereof |
| GB9827798D0 (en) * | 1998-12-17 | 1999-02-10 | Agency Ind Science Techn | Electron beam resist |
| SG115693A1 (en) | 2003-05-21 | 2005-10-28 | Asml Netherlands Bv | Method for coating a substrate for euv lithography and substrate with photoresist layer |
| GB0420704D0 (en) * | 2004-09-17 | 2004-10-20 | Univ Birmingham | Novel resist material and method for forming a patterned resist layer on a substrate |
| US7759046B2 (en) * | 2006-12-20 | 2010-07-20 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Antireflective coating compositions |
| JP5222624B2 (ja) * | 2008-05-12 | 2013-06-26 | 富士フイルム株式会社 | 黒色感光性樹脂組成物、及びカラーフィルタ並びにその製造方法 |
| JP2010073340A (ja) * | 2008-09-16 | 2010-04-02 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機電界発光素子、有機ｅｌ表示装置、有機ｅｌ照明および有機薄膜パターニング用基板 |
| JP2010098301A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-30 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機薄膜パターニング用基板、有機電界発光素子、並びにこれを用いた有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ照明 |
| JP2010108927A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-05-13 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機電界発光素子、該有機電界発光素子の製造方法、有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ照明 |
| JP5514448B2 (ja) * | 2009-01-29 | 2014-06-04 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線または感放射線性樹脂組成物、および該組成物を用いたパターン形成方法 |
| JP5653690B2 (ja) | 2010-09-01 | 2015-01-14 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | ペリクル用枠体及びペリクル |
| US20120021555A1 (en) | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photovoltaic cell texturization |
| US11675269B2 (en) | 2010-10-21 | 2023-06-13 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition for forming resist overlayer film for EUV lithography |
| JP5579129B2 (ja) * | 2011-06-06 | 2014-08-27 | 富士フイルム株式会社 | 透明保護フィルム、光学補償フィルム、偏光板、及び液晶表示装置 |
| JP5650088B2 (ja) | 2011-10-11 | 2015-01-07 | 信越化学工業株式会社 | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 |
| JP5516557B2 (ja) * | 2011-12-06 | 2014-06-11 | 信越化学工業株式会社 | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 |
-
2013
- 2013-03-15 JP JP2013053401A patent/JP6157160B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-03-14 TW TW103109460A patent/TWI610979B/zh active
- 2014-03-14 CN CN201480012592.7A patent/CN105190441B/zh active Active
- 2014-03-14 KR KR1020157029579A patent/KR102001819B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2014-03-14 WO PCT/JP2014/056858 patent/WO2014142296A1/ja not_active Ceased
- 2014-03-14 US US14/773,047 patent/US9482952B2/en active Active
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