JP2014178573A - 上層膜形成用組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】親水性基を有するトリフェニレン誘導体および溶剤を含んでなることを特徴とする上層膜形成用組成物、およびその組成物をレジスト表面に塗布し、露光現像することによってパターンを形成する方法。この組成物はさらにポリマーを含むこともできる。
【選択図】なし
Description
で表されるものが挙げられる。ここで、親水性基は、水酸基、カルボキシル基、スルホ基、アミノ基、アミド基、ニトロ基、シアノ基、およびポリアルキレンオキサイド基からなる群から選ぶことができる。なお、Rのいくつかが疎水性基、例えば炭化水素基などであっても本発明の効果を得ることができる場合があるが、疎水性基を含むとアルカリ水溶液に対する溶解性が低下するので、疎水性基を含まないことが好ましい。
Rは、Rは、水素または親水性基であり、すべてのRのうち、少なくとも3つ以上が親水性基であり、
R1は、水素またはメチル基であり、
R’は、水素、親水性基、または式(2B)で表される繰り返し単位であり、すべてのR’のうち、少なくとも3つ以上が親水性基であり、
Lは2価の連結基である)
が挙げられる。
(a)モノアルコール、例えばメチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、メチルイソブチルカルビノール等、
(b)ポリオール、例えばエチレングリコール、グリセロール等
(c)ポリオールのアルキルエーテル、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等、
(d)ポリオールのアルキルエーテルアセテート、例えばエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等、
(e)エーテル、例えばジエチルエーテル、ジブチルエーテル等、
(f)環状エーテル、例えばテトラヒドロフラン等、
(g)炭素数が12以下の炭化水素、例えばn−ヘキサン、n−オクタン、シクロヘキサン等、
(h)芳香族炭化水素、例えばベンゼン、トルエン等、
(i)ケトン、例えばアセトン、メチルエチルケトン等、
(j)エステル、例えば酢酸メチル、酢酸エチル、乳酸エチル等、および
(k)水
が挙げられる。なお、有機溶剤の中には、レジストパターンに対する溶解性が高いものもある。そのような溶剤を用いる必要がある場合には、水などのレジストパターンに対する溶解性の低い溶剤を組み合わせた混合溶剤として用いることが好ましい。
(a)陰イオン性界面活性剤、例えばアルキルジフェニルエーテルジスルホン酸、アルキルジフェニルエーテルスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸、ならびにアルキル硫酸、およびそれらのアンモニウム塩または有機アミン塩など、
(b)陽イオン性界面活性剤、例えばヘキサデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシドなど、
(c)非イオン性界面活性剤、例えばポリオキシエチレンアルキルエーテル(より具体的には、ポリオキシエチルラウリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテルなど)、ポリオキシエチレン脂肪酸ジエステル、ポリオキシエチレン脂肪酸モノエステル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー、アセチレングリコール誘導体など、
(d)両性界面活性剤、例えば2−アルキル−N−カルボキシメチル−N−ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベタイン、ラウリル酸アミドプロピルヒドロキシスルホンベタインなど、
が挙げられるがこれらに限定されるものではない。なお、これらのうち非イオン性界面活性剤が好ましい。一方で、アミン基やカルボキシル基を有する界面活性剤は、これらの基がトリフェニレン誘導体に結合した親水性基と反応することがあるので使用する場合には注意が必要である。また、その他の添加剤としては、増粘剤、染料などの着色剤、酸および塩基などを添加剤として用いることができる。これらの添加剤の添加量は、それぞれの添加剤の効果などを考慮して決定されるが、一般に組成物の総重量を基準として、0.01〜1重量%、好ましくは0.1〜0.5重量%である。
トリフェニレン誘導体として、前記した化合物(1−1)、(1−2)、(1−3)、および(2B−1)を準備した。化合物(1−1)は、市販品を使用した。化合物(1−2)、(1−3)については化合物(1−1)を原料として無水カルボン酸化合物を反応させることで合成した。具体的には、化合物(1−1)をジメチルホルムアミドに溶解させ、トリエチルアミンを添加して10分間撹拌し、その後、無水イソ酪酸、または無水安息香酸を3当量加え、110℃に加熱して2時間攪拌して反応させた。反応混合物を室温まで冷却し、減圧蒸留によって溶媒を約半量になるまで留去して濃縮した。濃縮された反応混合物に撹拌しながら0.1M塩酸水溶液を徐々に添加することにより、沈殿を生成させた。生成した沈殿物を濾別し、水で洗浄し、乾燥させることで目的のトリフェニレン誘導体を得た。
化合物(2B−1)については化合物(1−1)を原料としてテレフタル酸を反応させることで合成した。具体的には、化合物(1−1)、テレフタル酸をトルエンに溶解させ加熱還流し、さらに濃硫酸を触媒量添加し反応させた。反応混合物を室温に戻した後、酢酸エチルで抽出し、減圧蒸留によって溶媒を留去して、目的のトリフェニレン誘導体(重量平均分子量3,000)を得た。
P1: ポリヒドロキシスチレン(重量平均分子量12,000)
P2: ノボラック樹脂(重量平均分子量8,500)
P3: ポリビニルアルコール(重量平均分子量22,000)
P4: ポリアクリル酸(重量平均分子量11,000)
A: 組成物が透明であり、完全に溶解した
B: 組成物は少し濁りがあるものの透明であり、十分に溶解した
C: 組成物中に残渣が残り、溶解性が若干劣るものの、実用可能であった
D: 組成物中に残渣が多く残り、実用不可能であった
A: 塗布可能であり、膜厚の面内均一性も優れていた
B: 塗布可能であり、膜の面内均一性が若干劣ったが実用性は十分であった
C: 塗布可能であり、目視で表面形状が劣ることが確認できたが実用可能であった
D: 塗布ができなかった
PGME:プロピレングリコールモノメチルエーテル
IPA: イソプロパノール
上層膜形成用組成物を表2に示された通りのものに変更した以外は、実施例101と同様にレジスト膜を得た。各レジスト膜に対して極紫外線による露光を行いながら、露光の前後で露光チャンバーの圧力変化ΔPを測定した。
また各レジスト膜を、Spring−8のBL03を利用して、照度0.35mW/cm2で露光した。さらに 露光後のレジスト膜を2.38%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液で30秒間現像し、パターンを得るために必要な露光量Eth(膜抜け感度)を測定した。また、上層膜形成用組成物に含まれるトリフェニレン誘導体の種類を変えて、同様の測定を行った。得られた結果は表2に示す通りであった。
上層膜形成用組成物を、スピンコートにより厚さ30nmで成膜し、光透過性を評価した。具体的には分光エリプソメータ解析法により吸収係数を求め、波長193nmおよび248nmにおけるk値を算出した。得られた結果は表5に示す通りであった。すなわち、トリフェニレン誘導体を含まない比較例301〜303においては、248nmのk値が非常に小さく、深紫外光の吸収が少ないのに対して、実施例301〜310においては深紫外光の吸収が大きいことがわかった。
基板上に、レジスト組成物を膜厚40nmとなるようにスピンコートにより塗布した。レジスト組成物としては、SEVR−337(商品名、信越化学工業株式会社製)を用いた。レジスト組成物を塗布後、さらに各上層膜形成用組成物を膜厚30nmとなるようにスピンコートした。塗布後、95℃で60秒間加熱して上層膜により被覆されたレジスト膜を得た。
上層膜形成用組成物を、スピンコートにより厚さ30nmで成膜し、光透過性を評価した。具体的には分光エリプソメータ解析法により吸収係数を求め、波長193nmおよび248nmにおけるk値を算出した。得られた結果は表3に示す通りであった。すなわち、トリフェニレン誘導体を含まない比較例301〜303においては、248nmのk値が非常に小さく、深紫外光の吸収が少ないのに対して、実施例301〜310においては深紫外光の吸収が大きいことがわかった。
Claims (14)
- 親水性基を有するトリフェニレン誘導体および溶剤を含んでなることを特徴とする上層膜形成用組成物。
- 前記親水性基が、水酸基、カルボキシル基、スルホ基、アミノ基、アミド基、ニトロ基、シアノ基、およびポリアルキレンオキサイド基からなる群から選択される、請求項1に記載の上層膜形成用組成物。
- 前記トリフェニレン誘導体が、トリフェニレン骨格ひとつあたり、3つ以上の親水性基を有するものである、請求項1または2に記載の上層膜形成用組成物。
- 前記トリフェニレン誘導体が、トリフェニレン骨格を繰り返し単位に含むポリマーである、請求項1〜3のいずれか1項に記載の上層膜形成用組成物。
- 前記ポリマーが、下記一般式(2A)または(2B):
Rは、Rは、水素であるか、または、水酸基、カルボキシル基、スルホ基、アミノ基、アミド基、ニトロ基、シアノ基、およびポリアルキレンオキサイド基からなる群から選択される親水性基であり、すべてのRのうち、少なくとも3つ以上が親水性基であり、
R1は、水素またはメチル基であり、
R’は、水素であるか、または、水酸基、カルボキシル基、スルホ基、アミノ基、アミド基、ニトロ基、シアノ基、ポリアルキレンオキサイド基からなる群から選択される親水性基であるか、式(2B)で表される繰り返し単位であり、すべてのR’のうち、少なくとも3つ以上が親水性基であり、
Lは2価の連結基である)
のいずれかである、請求項5に記載の上層膜形成用組成物。 - 前記トリフェニレン誘導体の含有量が、上層膜形成用組成物の総重量を基準として、0.01〜10重量%である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の上層膜形成用組成物。
- バインダーをさらに含んでなる、請求項1〜7のいずれか1項に記載の上層膜形成用組成物。
- 前記バインダーが深紫外線吸収基を有する、請求項1〜8のいずれか1項に記載の上層膜形成用組成物。
- 前記バインダーの含有量が、上層膜形成用組成物の総重量を基準として、0.01〜10重量%である、請求項1〜9のいずれか1項に記載の上層膜形成用組成物。
- 基板上にレジスト組成物を塗布してレジスト膜を形成させ、前記レジスト膜上に、請求項1〜10のいずれか一項に記載の上層膜形成用組成物を塗布し、加熱により硬化させ、極紫外線を用いて露光し、アルカリ水溶液で現像することを含んでなることを特徴とする、パターン形成方法。
- 前記極紫外線の波長が5〜20nmである、請求項11に記載のパターン形成方法。
- 形成される上面反射防止膜の膜厚が1〜100nmである、請求項12に記載のパターン形成方法。
- 前記加熱の温度が、25〜150℃である、請求項11〜13のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015178387A1 (ja) * | 2014-05-21 | 2015-11-26 | アーゼット・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | 上層膜形成用組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法 |
KR20160087624A (ko) * | 2015-01-14 | 2016-07-22 | 최상준 | 반사방지용 하드마스크 조성물 |
JPWO2016136596A1 (ja) * | 2015-02-26 | 2017-07-06 | 富士フイルム株式会社 | 上層膜形成用組成物、並びに、それを用いたパターン形成方法及び電子デバイスの製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106471057A (zh) * | 2014-05-29 | 2017-03-01 | Az电子材料(卢森堡)有限公司 | 空隙形成用组合物、具备使用该组合物而形成的空隙的半导体装置、以及使用了该组合物的半导体装置的制造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002532759A (ja) * | 1998-12-17 | 2002-10-02 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 電子線レジスト |
JP2008513821A (ja) * | 2004-09-17 | 2008-05-01 | ザ ユニバーシティ オブ バーミンガム | 新規なレジスト材および基板へのパターン化レジスト層の形成方法 |
JP2009276406A (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-26 | Fujifilm Corp | 黒色感光性樹脂組成物、及びカラーフィルタ並びにその製造方法 |
JP2011227508A (ja) * | 2011-06-06 | 2011-11-10 | Fujifilm Corp | 透明保護フィルム、光学補償フィルム、偏光板、及び液晶表示装置 |
WO2012053302A1 (ja) * | 2010-10-21 | 2012-04-26 | 日産化学工業株式会社 | Euvリソグラフィー用レジスト上層膜形成組成物 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5994430A (en) * | 1997-04-30 | 1999-11-30 | Clariant Finance Bvi) Limited | Antireflective coating compositions for photoresist compositions and use thereof |
SG115693A1 (en) | 2003-05-21 | 2005-10-28 | Asml Netherlands Bv | Method for coating a substrate for euv lithography and substrate with photoresist layer |
US7759046B2 (en) * | 2006-12-20 | 2010-07-20 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Antireflective coating compositions |
JP2010073340A (ja) * | 2008-09-16 | 2010-04-02 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機電界発光素子、有機el表示装置、有機el照明および有機薄膜パターニング用基板 |
JP2010098301A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-30 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機薄膜パターニング用基板、有機電界発光素子、並びにこれを用いた有機el表示装置および有機el照明 |
JP2010108927A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-05-13 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機電界発光素子、該有機電界発光素子の製造方法、有機el表示装置および有機el照明 |
JP5514448B2 (ja) | 2009-01-29 | 2014-06-04 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線または感放射線性樹脂組成物、および該組成物を用いたパターン形成方法 |
JP5653690B2 (ja) | 2010-09-01 | 2015-01-14 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | ペリクル用枠体及びペリクル |
US20120021555A1 (en) | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photovoltaic cell texturization |
JP5650088B2 (ja) | 2011-10-11 | 2015-01-07 | 信越化学工業株式会社 | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 |
JP5516557B2 (ja) | 2011-12-06 | 2014-06-11 | 信越化学工業株式会社 | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002532759A (ja) * | 1998-12-17 | 2002-10-02 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 電子線レジスト |
JP2008513821A (ja) * | 2004-09-17 | 2008-05-01 | ザ ユニバーシティ オブ バーミンガム | 新規なレジスト材および基板へのパターン化レジスト層の形成方法 |
JP2009276406A (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-26 | Fujifilm Corp | 黒色感光性樹脂組成物、及びカラーフィルタ並びにその製造方法 |
WO2012053302A1 (ja) * | 2010-10-21 | 2012-04-26 | 日産化学工業株式会社 | Euvリソグラフィー用レジスト上層膜形成組成物 |
JP2011227508A (ja) * | 2011-06-06 | 2011-11-10 | Fujifilm Corp | 透明保護フィルム、光学補償フィルム、偏光板、及び液晶表示装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015178387A1 (ja) * | 2014-05-21 | 2015-11-26 | アーゼット・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | 上層膜形成用組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法 |
JPWO2015178387A1 (ja) * | 2014-05-21 | 2017-04-20 | アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | 上層膜形成用組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法 |
US10268117B2 (en) | 2014-05-21 | 2019-04-23 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | Top-layer membrane formation composition and method for forming resist pattern using same |
KR20160087624A (ko) * | 2015-01-14 | 2016-07-22 | 최상준 | 반사방지용 하드마스크 조성물 |
KR101713251B1 (ko) * | 2015-01-14 | 2017-03-07 | 최상준 | 반사방지용 하드마스크 조성물 |
JPWO2016136596A1 (ja) * | 2015-02-26 | 2017-07-06 | 富士フイルム株式会社 | 上層膜形成用組成物、並びに、それを用いたパターン形成方法及び電子デバイスの製造方法 |
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