JP2014164070A - カラーフィルター基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 - Google Patents

カラーフィルター基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 Download PDF

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Abstract

【課題】表示品質を向上することが可能なカラーフィルター基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】第２基材２０ａと、第２基材２０ａ上に設けられたストッパー膜３７と、ストッパー膜３７上に設けられたカラーフィルター溝部４２ａ１，４２ｂ１，４２ｃ１を有する絶縁膜３８と、カラーフィルター溝部４２ａ１，４２ｂ１，４２ｃ１を埋めるように設けられたカラーフィルター４２ａ，４２ｂ，４２ｃと、を備える。
【選択図】図５

Description

本発明は、カラーフィルター基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器に関する。
上記電気光学装置の一つとして、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。液晶装置は、例えば、直視型ディスプレイやプロジェクターのライトバルブなどにおいて用いられている。
液晶装置に備えられるカラーフィルター基板の製造方法は、例えば、特許文献１に記載のように、フォトリソグラフィ法及びエッチング法を用いて、ガラス基板上にパターニング形成したブラックマトリクスをマスクとして、基板にカラーフィルターとなる前の開口部を形成する。次に、開口部の中にカラーフィルターを形成することにより、カラーフィルター基板が完成する。
特開平８−１４６２１４号公報
しかしながら、エッチングした際、製造装置の構造などに起因して、基板面内において開口部の深さにばらつきが生じる。これにより、開口部の中にカラーフィルターを埋め込んだ際に、基板からカラーフィルターが飛び出し、素子基板と対向基板とのギャップがばらついてしまう。その結果、透過率などに影響を与えるという課題がある。
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
［適用例１］本適用例に係るカラーフィルター基板は、基板と、前記基板上に設けられたストッパー膜と、前記ストッパー膜上に設けられた開口孔を有する絶縁膜と、前記開口孔を埋めるように設けられたカラーフィルターと、を備えることを特徴とする。
本適用例によれば、基板上にストッパー膜を設けるので、ストッパー膜上の絶縁膜に開口孔を形成するとき、絶縁膜とストッパー膜との選択比により、エッチングをストッパー膜で略止めることができる。よって、複数の開口孔の深さを所定の深さに形成することが可能となり、開口孔にカラーフィルターを形成した際、絶縁膜からカラーフィルターが飛び出すことを抑えることができ、基板間のギャップを基板全体に亘って均一にすることができる。その結果、透過率などに影響を与えることを抑えることができる。
［適用例２］上記適用例に係るカラーフィルター基板において、前記カラーフィルターの色に対応して、前記基板の法線方向における前記基板と前記ストッパー膜の間隔が異なるように配置されていることが好ましい。
本適用例によれば、色に対応して基板とストッパー膜との間隔を異ならせ、開口孔の深さをコントロールするので、カラーフィルターの光路長をそれぞれ所定の光路長に変えることができる。よって、各色の色を強めることが可能となり、色味を向上させることができる。
［適用例３］上記適用例に係るカラーフィルター基板において、前記ストッパー膜は、前記開口孔と平面視で重ならない領域に設けられていることが好ましい。
本適用例によれば、開口孔と重なる領域にはストッパー膜が設けられていないため、ストッパー膜に起因して開口率が低下することを抑えることができる。
［適用例４］上記適用例に係るカラーフィルター基板において、前記絶縁膜上に、遮光膜が設けられていることが好ましい。
本適用例によれば、絶縁膜上、つまり開口孔を除く領域に遮光膜が設けられているので、斜め光がカラーフィルター内に侵入することを抑えることができる。
［適用例５］本適用例に係る電気光学装置は、第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とにより挟持された電気光学層と、を含み、前記第１基板又は前記第２基板上に設けられたストッパー膜と、前記ストッパー膜上に設けられた開口孔を有する絶縁膜と、前記開口孔を埋めるように設けられたカラーフィルターと、を備えることを特徴とする。
本適用例によれば、基板上にストッパー膜を設けるので、ストッパー膜上の絶縁膜に開口孔を形成するとき、絶縁膜とストッパー膜との選択比により、エッチングをストッパー膜で略止めることができる。よって、複数の開口孔の深さを所定の深さに形成することが可能となり、開口孔にカラーフィルターを形成した際、絶縁膜からカラーフィルターが飛び出すことを抑えることができ、基板間のギャップを基板全体に亘って均一にすることができる。その結果、透過率などに影響を与えることを抑えることができる。
［適用例６］上記適用例に係る電気光学装置において、前記カラーフィルターの色に対応して、前記第１基板又は前記第２基板の法線方向における前記基板と前記ストッパー膜の間隔が異なるように配置されていることが好ましい。
本適用例によれば、色に対応して基板とストッパー膜との間隔を異ならせ、開口孔の深さをコントロールするので、カラーフィルターの光路長をそれぞれ所定の光路長に変えることができる。よって、各色の色を強めることが可能となり、色味を向上させることができる。
［適用例７］上記適用例に係る電気光学装置において、前記ストッパー膜は、前記開口孔と平面視で重ならない領域に設けられていることが好ましい。
本適用例によれば、開口孔と重なる領域にはストッパー膜が設けられていないため、ストッパー膜に起因して開口率が低下することを抑えることができる。
［適用例８］上記適用例に係る電気光学装置において、前記絶縁膜上に、遮光膜が設けられていることが好ましい。
本適用例によれば、絶縁膜上、つまり開口孔を除く領域に遮光膜が設けられているので、斜め光がカラーフィルター内に侵入することを抑えることができる。
［適用例９］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とにより挟持された電気光学層と、を含む電気光学装置の製造方法であって、前記第１基板又は前記第２基板上にストッパー膜を形成するストッパー膜形成工程と、前記ストッパー膜上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、レジストパターンをマスクとして、前記ストッパー膜と平面視で重なる領域の前記絶縁膜にエッチング処理を施して開口孔を形成する開口孔形成工程と、少なくとも前記開口孔と平面視で重なる領域の前記ストッパー膜を除去する除去工程と、前記開口孔の中にカラーフィルターを埋め込むカラーフィルター形成工程と、を有することを特徴とする。
本適用例によれば、基板上にストッパー膜を形成するので、ストッパー膜上の絶縁膜に開口孔を形成するとき、絶縁膜とストッパー膜との選択比により、エッチングをストッパー膜で略止めることができる。よって、複数の開口孔の深さを所定の深さに形成することが可能となり、開口孔にカラーフィルターを形成した際、絶縁膜からカラーフィルターが飛び出すことを抑えることができ、基板間のギャップを基板全体に亘って均一にすることができる。その結果、透過率などに影響を与えることを抑えることができる。
［適用例１０］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記ストッパー膜形成工程は、前記開口孔と平面視で重なる領域に前記ストッパー膜をパターニングして形成することが好ましい。
本適用例によれば、開口孔を形成するときはパターニングしたストッパー膜によってエッチングを所定の深さで止めることができ、開口孔を形成した後は、開口孔の中にストッパー膜が露出しているので、開口率に影響を与えるストッパー膜を除去することが可能となり、開口率を向上させることができる。
［適用例１１］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記ストッパー膜形成工程は、前記カラーフィルターの色に対応して、前記第１基板又は前記第２基板の法線方向における前記第１基板又は前記第２基板と前記ストッパー膜との間隔が異なるように前記ストッパー膜を形成することが好ましい。
本適用例によれば、色に対応して基板とストッパー膜との間隔を異ならせて形成し、開口孔の深さをコントロールするので、カラーフィルターの光路長をそれぞれ所定の光路長に変えることができる。よって、各色の色を強めることが可能となり、色味を向上させることができる。
［適用例１２］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記絶縁膜形成工程の後、前記絶縁膜上に、遮光膜を形成する工程を有することが好ましい。
本適用例によれば、絶縁膜上、つまり開口孔を除く領域に遮光膜を形成するので、斜め光がカラーフィルター内に侵入することを抑えることができる。
［適用例１３］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする。
本適用例によれば、上記した電気光学装置を備えているので、透過率など表示品質を向上することが可能な電子機器を提供することができる。
第１実施形態の液晶装置の構成を示す模式平面図。 図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。 液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 液晶装置の構造を示す模式断面図。 液晶装置を構成する対向基板、及び対向基板を構成するカラーフィルター基板の構成を示す模式断面図。 液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。 液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式断面図。 液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式断面図。 液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図。 第２実施形態の液晶装置を構成する対向基板、及び対向基板を構成するカラーフィルター基板の構成を示す模式断面図。 第２実施形態の対向基板の製造方法を工程順に示す模式断面図。 対向基板の製造方法を工程順に示す模式断面図。 変形例のカラーフィルター基板の構成を示す模式断面図。 変形例の液晶装置の構造を示す模式断面図。
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
本実施形態では、液晶装置として、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
（第１実施形態）
＜液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図１〜図３を参照しながら説明する。
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０（第１基板）および対向基板２０（第２基板）と、これら一対の基板によって挟持された電気光学層としての液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、および対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。平面視で環状に設けられたシール材１４の内側で、素子基板１０は対向基板２０の間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。シール材１４は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
シール材１４の内縁より内側には、複数の画素Ｐが配列した表示領域Ｅが設けられている。表示領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、図１及び図２では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光膜（ブラックマトリックス；ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と該１辺部との間に、データ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。
対向基板２０における環状に配置されたシール材１４と表示領域Ｅとの間には、遮光膜１８（見切り部）が設けられている。遮光膜１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜１８の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。なお、図１では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光膜が設けられている。
これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子６１に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。
図２に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極２７およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以降、「ＴＦＴ３０」と呼称する）と、信号配線と、これらを覆う配向膜２８とが形成されている。
また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、ＴＦＴ３０、配向膜２８を含むものである。
対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光膜１８と、これを覆うように成膜された平坦化層３３と、平坦化層３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも対向電極３１、配向膜３２を含むものである。
遮光膜１８は、図１に示すように、表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている（図示簡略）。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
平坦化層３３は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜１８を覆うように設けられている。このような平坦化層３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
対向電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層３３を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
画素電極２７を覆う配向膜２８および対向電極３１を覆う配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。
このような液晶装置１００は透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きくて明表示となるノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さくて暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域（ソース領域）に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域（ドレイン領域）に電気的に接続されている。
データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングで供給する。
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持される。
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に誘電体層を有するものである。
図４は、液晶装置の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図４を参照しながら説明する。なお、図４は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
図４に示すように、液晶装置１００は、一対の基板のうち一方の基板である素子基板１０と、これに対向配置される他方の基板である対向基板２０とを備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、及び対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、上記したように、例えば、石英基板等によって構成されている。
第１基材１０ａ上には、チタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）等からなる下側遮光膜３ｃが形成されている。下側遮光膜３ｃは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素の開口領域を規定している。なお、下側遮光膜３ｃは、走査線３ａの一部として機能するようにしてもよい。第１基材１０ａ及び下側遮光膜３ｃ上には、シリコン酸化膜等からなる下地絶縁層１１ａが形成されている。
下地絶縁層１１ａ上には、ＴＦＴ３０及び走査線３ａ等が形成されている。ＴＦＴ３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン等からなる半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート絶縁膜１１ｇと、ゲート絶縁膜１１ｇ上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極３０ｇとを有する。上記したように、走査線３ａは、ゲート電極３０ｇとしても機能する。
半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されることにより、Ｎ型のＴＦＴ３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ｃと、データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ１と、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ１と、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを備えている。
チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされている。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンがドープされている。このように、ＴＦＴ３０は、Ｎ型のＴＦＴとして形成されている。
ゲート電極３０ｇ、下地絶縁層１１ａ、及び走査線３ａ上には、シリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁層１１ｂが形成されている。第１層間絶縁層１１ｂ上には、容量素子１６が設けられている。具体的には、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第１容量電極１６ａと、固定電位側容量電極としての容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）の一部とが、誘電体膜１６ｃを介して対向配置されることにより、容量素子１６が形成されている。
容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から形成することも可能である。
第１容量電極１６ａは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子１６の画素電位側容量電極として機能する。ただし、第１容量電極１６ａは、容量線３ｂと同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第１容量電極１６ａは、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホールＣＮＴ５２、中継層５５、コンタクトホールＣＮＴ５３、ＣＮＴ５１を介して、画素電極２７とＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）とを中継接続する機能を有する。
容量素子１６上には、第２層間絶縁層１１ｃを介してデータ線６ａが形成されている。データ線６ａは、第１層間絶縁層１１ｂ及び第２層間絶縁層１１ｃに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ５４を介して、半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ（ソース領域）に電気的に接続されている。
データ線６ａ上には、第３層間絶縁層１１ｄを介して画素電極２７が形成されている。画素電極２７は、第２層間絶縁層１１ｃ及び第３層間絶縁層１１ｄに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ５２、ＣＮＴ５３、中継層５５を介して第１容量電極１６ａに接続されることにより、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）に電気的に接続されている。なお、画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ膜等の透明導電性膜から形成されている。
画素電極２７及び第３層間絶縁層１１ｄ上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜２８が設けられている。配向膜２８上には、シール材１４（図１及び図２参照）により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が設けられている。
一方、第２基材２０ａ上（液晶層１５側）には、カラーフィルター層４１が設けられている。カラーフィルター層４１の構造の説明は後述する。カラーフィルター層４１上には、その全面に渡って対向電極３１が設けられている。対向電極３１上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜３２が設けられている。対向電極３１は、上述の画素電極２７と同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。
液晶層１５は、画素電極２７と対向電極３１との間で電界が生じていない状態で配向膜２８，３２によって所定の配向状態をとる。シール材１４は、素子基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサーが混入されている。
＜対向基板、及びカラーフィルター基板の構成＞
図５は、液晶装置を構成する対向基板、及び対向基板を構成するカラーフィルター基板の構成を示す模式断面図である。以下、対向基板、及びカラーフィルター基板の構成について、図５を参照しながら説明する。
図５に示すように、液晶装置１００の対向基板２０を構成する第２基材２０ａ上（液晶側）には、平面視で、カラーフィルター領域３６ａ，３６ｂ，３６ｃを除く領域に、ストッパー膜３７が設けられている。ストッパー膜３７上には、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）などの絶縁膜３８と、遮光膜（ＢＭ）３９とが、カラーフィルター領域３６ａ，３６ｂ，３６ｃを囲むように設けられている。言い換えれば、カラーフィルター領域３６ａ，３６ｂ，３６ｃに、ストッパー膜３７、絶縁膜３８、及び遮光膜３９の積層膜によって囲まれた開口孔である、カラーフィルター溝部４２ａ１，４２ｂ１，４２ｃ１が設けられている。
カラーフィルター溝部４２ａ１，４２ｂ１，４２ｃ１には、カラーフィルター４２ａ，４２ｂ，４２ｃが設けられている。カラーフィルター４２ａ，４２ｂ，４２ｃ及び遮光膜３９上には、透光性の樹脂等からなるオーバーコート４３が設けられている。オーバーコート４３上には、対向電極３１が設けられている。対向電極３１上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜３２が設けられている。
＜電気光学装置としての液晶装置の製造方法＞
図６は、液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図７及び図８は、液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式断面図である。以下、液晶装置の製造方法を、図６〜図８を参照しながら説明する。
最初に、素子基板１０側の製造方法を説明する。なお、第１基材１０ａから第３層間絶縁層１１ｄまでを、第１基材１０ａと称して説明する。まず、ステップＳ１１では、石英基板などからなる第１基材１０ａ上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、画素電極２７等を形成する。
ステップＳ１２では、配向膜２８を形成する。具体的には、画素電極２７が設けられた第３層間絶縁層１１ｄ（第１基材１０ａ）上の全体に、酸化シリコンなどの無機材料を斜方蒸着することで、柱状構造物を有する配向膜２８を形成する。
次に、対向基板２０側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ２１では、石英基板等の透光性材料からなる第２基材２０ａ上に、カラーフィルター４２ａ，４２ｂ，４２ｃを形成する。具体的には、図７及び図８を参照しながら説明する。
図７（ａ）に示す工程（ストッパー膜形成工程、絶縁膜形成工程）では、石英などからなる第２基材２０ａ上に、ストッパー膜３７、絶縁膜３８、及び遮光膜３９を順に成膜する。ストッパー膜３７は、例えば、ポリシリコンである。ストッパー膜３７の厚みは、例えば、５００Åである。ストッパー膜３７の製造方法としては、減圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）法が挙げられる。
絶縁膜３８は、シリコン酸化膜である。絶縁膜３８の厚みは、例えば、１．２μｍである。絶縁膜３８の製造方法としては、プラズマＣＶＤ法などが挙げられる。
遮光膜３９（ブラックマトリックス：ＢＭ）は、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）である。遮光膜３９の厚みは、例えば、０．２μｍである。遮光膜３９の製造方法としては、スパッタ法などが挙げられる。
図７（ｂ）に示す工程では、カラーフィルター４２ａ，４２ｂ，４２ｃが形成される領域以外の領域に、レジストパターン４４を形成する。具体的には、まず、遮光膜３９上にレジスト膜を成膜する。次に、フォトリソグラフィ法を用いてレジスト膜をパターニングして、レジストパターン４４を形成する。
図７（ｃ）に示す工程（開口孔形成工程）では、カラーフィルター４２ａ，４２ｂ，４２ｃが形成されるカラーフィルター領域３６ａ，３６ｂ，３６ｃにカラーフィルター溝部４２ａ１，４２ｂ１，４２ｃ１を形成する。具体的には、レジストパターン４４をマスクとして、遮光膜３９及び絶縁膜３８にエッチング処理を施す。
エッチング装置は、例えば、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）である。用いるガスは、ＣＨＦ３、ＣＦ４などである。これにより、カラーフィルター領域３６ａ，３６ｂ，３６ｃにカラーフィルター溝部４２ａ１，４２ｂ１，４２ｃ１が形成される。
なお、第２基材２０ａ上にストッパー膜３７が設けられており、絶縁膜３８とストッパー膜３７との選択比が１０程度であるため、絶縁膜３８をエッチングした際、ストッパー膜３７でエッチングを略止めることが可能となる。よって、複数のカラーフィルター溝部４２ａ１，４２ｂ１，４２ｃ１の深さを均一に形成することができる。
図８（ｄ）に示す工程（除去工程）では、ストッパー膜３７をエッチングで除去する。具体的には、上記したレジストパターン４４をマスクとして、ストッパー膜３７をエッチングする。エッチング装置は、例えば、ＲＩＥである。これにより、カラーフィルター領域３６ａ，３６ｂ，３６ｃにカラーフィルター溝部４２ａ１，４２ｂ１，４２ｃ１が形成される。レジストパターン４４は、アッシングによって除去する。
図８（ｅ）に示す工程（カラーフィルター形成工程）では、カラーフィルター層４１を完成させる。具体的には、カラーフィルター溝部４２ａ１，４２ｂ１，４２ｃ１の中にカラーフィルター材料（着色層）を充填する。例えば、スピンコート法を用いて、カラーフィルター溝部４２ａ１，４２ｂ１，４２ｃ１の中に、赤色着色層（４２ａ２）、緑色着色層（４２ｂ２）、青色着色層（４２ｃ２）を選択的に形成する。その後、例えば、着色層４２ａ２，４２ｂ２，４２ｃ２を加熱させて硬化し、カラーフィルター層４１を完成させる。
ステップＳ２２（図８（ｆ）参照）では、カラーフィルター層４１の上に、オーバーコート４３、対向電極３１、及び配向膜３２を形成する。具体的には、周知の成膜技術を用いて、オーバーコート４３及び対向電極３１を形成する。
ステップＳ２３（図８（ｆ）参照）では、対向電極３１上に配向膜３２を形成する。配向膜３２の製造方法としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着する斜方蒸着法が用いられる。以上により、対向基板２０が完成する。次に、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる方法を説明する。
ステップＳ３１では、素子基板１０上にシール材１４を塗布する。具体的には、例えば、素子基板１０とディスペンサー（吐出装置でも可能）との相対的な位置関係を変化させて、素子基板１０における表示領域Ｅの周縁部に（表示領域Ｅを囲むように）シール材１４を塗布する。
ステップＳ３２では、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。具体的には、素子基板１０に、塗布されたシール材１４を介して素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。より具体的には、互いの基板１０，２０の平面的な縦方向や横方向の位置精度を確保しながら行う。
ステップＳ３３では、液晶注入口から構造体の内部に液晶を注入し、その後、液晶注入口を封止材で封止する。以上により、液晶装置１００が完成する。
＜電子機器の構成＞
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図９を参照して説明する。図９は、上記した液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図である。図９（ａ）は概略側断面図であり、図９（ｂ）は上面から見た概略断面図である。
図９（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、照明装置１１００と、光変調手段としての液晶ライトバルブ１５００と、投射光学系としての投射レンズ１６０１とを備えている。液晶ライトバルブ１５００は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶ライトバルブ１５００は、照明装置１１００から射出された照明光を画像情報に基づいて変調し表示光に変換する。変換された表示光が液晶ライトバルブ１５００から射出され投射レンズ１６０１によって例えばスクリーンなどに映し出される。
本実施形態における照明装置１１００は、発光素子１１１０、第１集光レンズ１１２０、反射部材１１０５の各構成に加えて、第２集光レンズ１３００と、偏光ビームスプリッター１４００と、液晶ライトバルブ１５００に外部からの光が入射しないように、第１集光レンズ１１２０及び第２集光レンズ１３００並びに偏光ビームスプリッター１４００を収納する遮光ボックス１１５０とを含んで構成されている。
発光素子１１１０における固体光源としてのＬＥＤ１１０１、第１集光レンズ１１２０、第２集光レンズ１３００、偏光ビームスプリッター１４００、液晶ライトバルブ１５００、投射レンズ１６０１は、同一光学軸（光軸）上に配置されている。
第２集光レンズ１３００は、第１集光レンズ１１２０の入射面１１２０ａに比べて開口径が大きい平坦な入射面１３０１と入射面１３０１に対して凸のレンズ部１３０２とを有する。また、第２集光レンズ１３００は光軸方向から見たときに真円ではなく上下がそれぞれ切断された切断面１３０３を有している。当該切断面１３０３が上記遮光ボックス１１５０と接している。
第２集光レンズ１３００は光の入射面１３０１が第１集光レンズ１１２０のレンズ部１１２０ｂと対向するように光軸上に配置されている。また、発光素子１１１０から射出され第１集光レンズ１１２０によって集光された光のうち、第２集光レンズ１３００の入射面１３０１に入射しない非有効光を第１集光レンズ１１２０のレンズ部１１２０ｂに向けて再帰反射させる反射部材１３０５を有している。
反射部材１３０５の構成は反射部材１１０５と同じであり、反射面に複数の再帰反射体を有している。また、再帰反射体の配置ピッチは５μｍ以上１００μｍ以下である。図９（ｂ）に示すように、反射部材１３０５は光軸方向から見たときに第２集光レンズ１３００の左右の外縁に接して設けられている。なお、反射部材１３０５は、入射面１３０１に入射する光を妨げず、第１集光レンズ１１２０と第２集光レンズ１３００との間において、入射面１３０１に入射しない非有効光の少なくとも一部を第１集光レンズ１１２０のレンズ部１１２０ｂに再帰反射させる位置に反射部材１３０５を配置すればよい。
偏光ビームスプリッター１４００は、第２集光レンズ１３００によって集光された光を偏光（Ｓ波）に変換するものである。光の入射側に偏光ビームスプリッター１４００が配置されると共に、光の射出側に偏光素子１５６１が配置されている。
このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１５００として、透過率を向上した液晶装置１００を用いているので、高い表示品質を実現することができる。
なお、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、投射型表示装置１０００の他、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター（ピコプロジェクター）など各種電子機器に用いることができる。
以上詳述したように、第１実施形態のカラーフィルター基板３５、液晶装置１００、液晶装置１００の製造方法、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。
（１）第１実施形態のカラーフィルター基板３５、液晶装置１００、液晶装置１００の製造方法によれば、第２基材２０ａ上にストッパー膜３７を形成するので、ストッパー膜３７上の絶縁膜３８にカラーフィルター溝部４２ａ１，４２ｂ１，４２ｃ１を形成するとき、絶縁膜３８とストッパー膜３７との選択比により、エッチングをストッパー膜３７で略止めることができる。よって、複数のカラーフィルター溝部４２ａ１，４２ｂ１，４２ｃ１の深さを所定の深さに形成することが可能となり、カラーフィルター溝部４２ａ１，４２ｂ１，４２ｃ１にカラーフィルター４２ａ，４２ｂ，４２ｃを形成した際、絶縁膜３８からカラーフィルター４２ａ，４２ｂ，４２ｃが飛び出すことを抑えることができ、素子基板１０と対向基板２０とのギャップを基板全体に亘って均一にすることができる。その結果、透過率などに影響を与えることを抑えることができる。
（２）第１実施形態のカラーフィルター基板３５、液晶装置１００、液晶装置１００の製造方法によれば、絶縁膜３８上、つまりカラーフィルター溝部４２ａ１，４２ｂ１，４２ｃ１を除く領域に遮光膜３９が設けられているので、斜め光がカラーフィルター４２ａ，４２ｂ，４２ｃ内に侵入することを抑えることができる。
（３）第１実施形態の電子機器によれば、上記した液晶装置１００を備えているので、透過率などの表示品質を向上することが可能な電子機器を提供することができる。
（第２実施形態）
＜対向基板、及びカラーフィルター基板の構成＞
図１０は、第２実施形態の液晶装置を構成する対向基板、及び対向基板を構成するカラーフィルター基板の構成を示す模式断面図である。以下、対向基板、及びカラーフィルター基板の構成について、図１０を参照しながら説明する。
第２実施形態の対向基板１２０は、上述の第１実施形態と比べて、カラーフィルター層の構成が異なり、その他の構成については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
図１０に示すように、第２実施形態の対向基板１２０は、第２基材２０ａ上のカラーフィルター領域３６ａ，３６ｂ，３６ｃにカラーフィルター４２ａ，４２ｂ，４２ｃが設けられている。第２基材２０ａ上のカラーフィルター領域３６ａ，３６ｂ，３６ｃ以外の領域には、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）などの絶縁膜３８と、遮光膜３９とが、カラーフィルター領域３６ａ，３６ｂ，３６ｃを囲むように設けられている。
カラーフィルター層１４１上には、第１実施形態と同様に、透光性の樹脂等からなるオーバーコート４３が設けられている。オーバーコート４３上には、対向電極３１が設けられている。対向電極３１上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜３２が設けられている。
第１実施形態の対向基板２０と比較して、平面視でカラーフィルター領域３６ａ，３６ｂ，３６ｃを除く領域に、ストッパー膜３７が設けられていない点が異なっている。このように、対向基板１２０にストッパー膜３７が設けられていないため、第１実施形態の液晶装置１００と比べて、透過率を向上させることができる。
＜対向基板（カラーフィルター基板）の製造方法＞
図１１及び図１２は、第２実施形態の対向基板の製造方法を工程順に示す模式断面図である。以下、対向基板の製造方法を、図１１及び図１２を参照しながら説明する。
まず、図１１（ａ）に示す工程では、石英などからなる第２基材２０ａ上に、ストッパー膜３７とレジストパターン４４を形成する。具体的には、第２基材２０ａ上にストッパー膜３７を成膜し、その後、ストッパー膜３７上に、フォトリソグラフィ法を用いて、平面視でカラーフィルター領域３６ａ，３６ｂ，３６ｃを除く領域にレジストパターン４４を形成する。
図１１（ｂ）に示す工程では、ストッパー膜３７をパターニングする。具体的には、レジストパターン４４をマスクとして、ストッパー膜３７にエッチング処理を施す。これにより、カラーフィルター領域３６ａ，３６ｂ，３６ｃにストッパー膜３７がパターニングされる。レジストパターン４４は、アッシングにより除去する。
図１１（ｃ）に示す工程では、カラーフィルター領域３６ａ，３６ｂ，３６ｃにカラーフィルター溝部４２ａ１，４２ｂ１，４２ｃ１を形成する準備をする。具体的には、まず、ストッパー膜３７及び第２基材２０ａ上に、プラズマＣＶＤ法を用いて絶縁膜３８を成膜する。次に、絶縁膜３８上に、スパッタ法を用いて遮光膜３９を成膜する。その後、遮光膜３９上における平面視でカラーフィルター領域３６ａ，３６ｂ，３６ｃを除く領域に、フォトリソグラフィ法などを用いてレジストパターン４４を形成する。
図１２（ｄ）に示す工程では、カラーフィルター領域３６ａ，３６ｂ，３６ｃにカラーフィルター溝部４２ａ１，４２ｂ１，４２ｃ１の一部を形成する。具体的には、レジストパターン４４をマスクとして、遮光膜３９及び絶縁膜３８にエッチング処理を施す。これにより、カラーフィルター領域３６ａ，３６ｂ，３６ｃに、遮光膜３９及び絶縁膜３８で囲まれたカラーフィルター溝部４２ａ１，４２ｂ１，４２ｃ１が形成される。
なお、カラーフィルター領域３６ａ，３６ｂ，３６ｃと平面視で重なる領域に、予めストッパー膜３７を形成してあるので、エッチング処理を行った際、ストッパー膜３７でエッチングを止めることが可能となり、複数のカラーフィルター溝部４２ａ１，４２ｂ１，４２ｃ１の深さを略均一に形成することができる。
図１２（ｅ）に示す工程では、ストッパー膜３７を除去する。具体的には、ポリシリコンをエッチングする装置に対向基板１２０をセットして、レジストパターン４４をマスクとしてストッパー膜３７にエッチング処理を施す。これにより、カラーフィルター領域３６ａ，３６ｂ，３６ｃにストッパー膜３７のないカラーフィルター溝部４２ａ１，４２ｂ１，４２ｃ１が形成される。レジストパターン４４は、アッシングにより除去する。
図１２（ｆ）に示す工程では、カラーフィルター基板３５及び対向基板１２０を完成させる。具体的には、まず、カラーフィルター溝部４２ａ１，４２ｂ１，４２ｃ１の中に、カラーフィルター材料（着色層）を充填する。例えば、スピンコート法を用いて、カラーフィルター溝部４２ａ１，４２ｂ１，４２ｃ１の中に、赤色着色層４２ａ２、緑色着色層４２ｂ２、青色着色層４２ｃ２を選択的に形成する。その後、例えば、着色層４２ａ２，４２ｂ２，４２ｃ２を加熱させて硬化し、カラーフィルター層１４１を完成させる。
その後、カラーフィルター層１４１の上に、オーバーコート４３、対向電極３１、及び配向膜３２を形成する。これらの製造方法は、第１実施形態と同様である。以上により、対向基板１２０が完成する。
以上詳述したように、第２実施形態のカラーフィルター基板３５、液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器によれば、上記した（１）、（２）、（３）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
（４）第２実施形態のカラーフィルター基板３５、液晶装置、液晶装置の製造方法によれば、第２基材２０ａ上のカラーフィルター領域３６ａ，３６ｂ，３６ｃのみにストッパー膜３７を形成するので、カラーフィルター溝部４２ａ１，４２ｂ１，４２ｃ１を形成するときはストッパー膜３７によってエッチングを所定の深さで止めることができ、カラーフィルター溝部４２ａ１，４２ｂ１，４２ｃ１を形成した後は、カラーフィルター溝部４２ａ１，４２ｂ１，４２ｃ１の中にストッパー膜３７が露出しているので、開口率に影響を与えるストッパー膜３７を第２基材２０ａ上から除去することが可能となる。その結果、第２基材２０ａ上にストッパー膜３７がなくなるので、開口率を向上させることができる。
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
（変形例１）
上記したように、カラーフィルター溝部４２ａ１，４２ｂ１，４２ｃ１の深さを、各色（赤色、緑色、青色）同じ深さに設定することに代えて、図１３に示すカラーフィルター基板１３５のように、色に応じてカラーフィルター溝部の深さを異ならせるようにしてもよい。図１３は、変形例のカラーフィルター基板の構成を示す模式断面図である。図１３に示すカラーフィルター基板１３５は、第２基材２０ａ側から順に、第１絶縁膜３８ａ、第２絶縁膜３８ｂ、第３絶縁膜３８ｃ、遮光膜３９、及びオーバーコート４３が設けられている。
第２基材２０ａ上における赤色用カラーフィルター領域３６ａには、赤色用ストッパー膜３７ａが設けられている。また、第１絶縁膜３８ａ上における緑色用カラーフィルター領域３６ｂには、緑色用ストッパー膜３７ｂが設けられている。また、第２絶縁膜３８ｂ上における青色用カラーフィルター領域３６ｃには、青色用ストッパー膜３７ｃが設けられている。つまり、ストッパー膜３７ａ，３７ｂ，３７ｃは、第２基材２０ａの法線方向において第２基材２０ａとストッパー膜３７ａ，３７ｂ，３７ｃとの間隔が異なるように配置されている。
赤色用ストッパー膜３７ａ上には、第１絶縁膜３８ａ、第２絶縁膜３８ｂ、第３絶縁膜３８ｃを貫通して、赤色光を選択的に透過させる赤色用カラーフィルター１４２ａが設けられている。緑色用ストッパー膜３７ｂ上には、第２絶縁膜３８ｂ、第３絶縁膜３８ｃを貫通して、緑色光を選択的に透過させる緑色用カラーフィルター１４２ｂが設けられている。青色用ストッパー膜３７ｃ上には、第３絶縁膜３８ｃを貫通して、青色光を選択的に透過させる青色用カラーフィルター１４２ｃが設けられている。
なお、各絶縁膜３８ａ，３８ｂ，３８ｃの上面は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）などの研磨法を利用して平坦化されていてもよい。また、各色カラーフィルター領域３６ａ，３６ｂ，３６ｃと平面視で重なる領域のストッパー膜３７ａ，３７ｂ，３７ｃは、カラーフィルター溝部を形成した後、エッチングにより除去される。
第３絶縁膜３８ｃ上における各色のカラーフィルター領域３６ａ，３６ｂ，３６ｃの間には、遮光膜３９が設けられている。なお、カラーフィルター基板１３５として、遮光膜３９を設けない構成であってもよい。また、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に限定されず、白色（Ｗ）が強められる白色用カラーフィルター（カラーフィルター溝部の深さが他の色と比較して浅い）を備えるようにしてもよい。また、上記した第１実施形態及び第２実施形態においても、白色用カラーフィルターを備える構成でもよい。
このように、カラーフィルター１４２ａ，１４２ｂ，１４２ｃの色に応じて、絶縁膜３８ａ，３８ｂ，３８ｃの厚み（間隔）をコントロールして、ストッパー膜３７ａ，３７ｂ，３７ｃの位置を異ならせ光路長（カラーフィルター１４２ａ，１４２ｂ，１４２ｃの厚み）を変えることにより、赤色用カラーフィルター領域３６ａは赤色が強められ、緑色用カラーフィルター領域３６ｂは緑色が強められ、青色用カラーフィルター領域３６ｃは青色が強められる。つまり、各色の色の純度を上げる（色味を向上させる）ことが可能となり、表示品質を向上させることができる。
（変形例２）
上記したように、対向基板２０にカラーフィルター４２ａ，４２ｂ，４２ｃを備えることに限定されず、例えば、図１４に示すように、素子基板１１０にカラーフィルター２４２を備える構造であってもよい。図１４は、変形例の液晶装置２００の構造を示す模式断面図である。なお、液晶装置２００は、ＣＯＡ（Color filter On Array）構造である。
図１４に示すように、変形例の液晶装置２００は、第１基材１０ａ上に、下地絶縁層１１ａ、第１層間絶縁層１１ｂ〜第４層間絶縁層１１ｅ、パッシベーション層１１ｆが積層されている。下地絶縁層１１ａ上には、ＴＦＴ３０が設けられている。また、第１層間絶縁層１１ｂ上には、容量素子１６が設けられている。
例えば、表示領域Ｅにおける第２層間絶縁層１１ｃ〜第４層間絶縁層１１ｅには、カラーフィルター２４２が設けられている。例えば、第１層間絶縁層１１ｂ上には、上記実施形態と同様に、カラーフィルター溝部２４２ａの深さを規定するためのストッパー膜３７が設けられている。カラーフィルター２４２間には、ＴＦＴ３０や容量素子１６、データ線６ａなどが設けられている。
パッシベーション層１１ｆ上には、画素電極２７が設けられている。画素電極２７及びパッシベーション層１１ｆ上には、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜２８が設けられている。
一方、第２基材２０ａ上には、その全面に渡って対向電極３１が設けられている。対向電極３１上（液晶層１５側）には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜３２が設けられている。
（変形例３）
上記したように、電気光学装置として液晶装置１００に適用することに限定されず、例えば、有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ、電子ペーパー等に適用するようにしてもよい。
３ａ…走査線、３ｂ…容量線、３ｃ…下側遮光膜、６ａ…データ線、１０，１１０…素子基板、１０ａ…第１基材、１１ａ…下地絶縁層、１１ｂ…第１層間絶縁層、１１ｃ…第２層間絶縁層、１１ｄ…第３層間絶縁層、１１ｅ…第４層間絶縁層、１１ｆ…パッシベーション層、１１ｇ…ゲート絶縁膜、１４…シール材、１５…電気光学層としての液晶層、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…第２容量電極、１６ｃ…誘電体膜、１８…遮光膜、２０，１２０…対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８，３２…配向膜、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…画素電極側ソースドレイン領域、３０ｄ１…画素電極側ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…データ線側ソースドレイン領域、３０ｓ１…データ線側ＬＤＤ領域、３１…対向電極、３３…平坦化層、３５，１３５…カラーフィルター基板、３６ａ…赤色用カラーフィルター領域、３６ｂ…緑色用カラーフィルター領域、３６ｃ…青色用カラーフィルター領域、３７…ストッパー膜、３７ａ…赤色用ストッパー膜、３７ｂ…緑色用ストッパー膜、３７ｃ…青色用ストッパー膜、３８…絶縁膜、３８ａ…第１絶縁膜、３８ｂ…第２絶縁膜、３８ｃ…第３絶縁膜、３９…遮光膜、４１，１４１…カラーフィルター層、４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，１４２ａ，１４２ｂ，１４２ｃ，２４２…カラーフィルター、４２ａ１，４２ｂ１，４２ｃ１，２４２ａ…開口孔としてのカラーフィルター溝部、４２ａ１…赤色着色層、４２ｂ１…緑色着色層、４２ｃ１…青色着色層、４３…オーバーコート、４４…レジストパターン、ＣＮＴ５１，５２，５３，５４…コンタクトホール、５５…中継層、６１…外部接続用端子、１００，２００…液晶装置、１０００…投射型表示装置、１１００…照明装置、１１０１…ＬＥＤ、１１０５…反射部材、１１１０…発光素子、１１２０…第１集光レンズ、１１２０ａ…入射面、１１２０ｂ…レンズ部、１１５０…遮光ボックス、１３００…第２集光レンズ、１３０１…入射面、１３０２…凸のレンズ部、１３０３…切断面、１３０５…反射部材、１４００…偏光ビームスプリッター、１５００…液晶ライトバルブ、１５６１…偏光素子、１６０１…投射レンズ。

Claims (13)

  1. 基板と、
    前記基板上に設けられたストッパー膜と、
    前記ストッパー膜上に設けられた開口孔を有する絶縁膜と、
    前記開口孔を埋めるように設けられたカラーフィルターと、
    を備えることを特徴とするカラーフィルター基板。
  2. 請求項１に記載のカラーフィルター基板であって、
    前記カラーフィルターの色に対応して、前記基板の法線方向における前記基板と前記ストッパー膜の間隔が異なるように配置されていることを特徴とするカラーフィルター基板。
  3. 請求項１又は請求項２に記載のカラーフィルター基板であって、
    前記ストッパー膜は、前記開口孔と平面視で重ならない領域に設けられていることを特徴とするカラーフィルター基板。
  4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のカラーフィルター基板であって、
    前記絶縁膜上に、遮光膜が設けられていることを特徴とするカラーフィルター基板。
  5. 第１基板と、
    前記第１基板に対向配置された第２基板と、
    前記第１基板と前記第２基板とにより挟持された電気光学層と、
    を含み、
    前記第１基板又は前記第２基板上に設けられたストッパー膜と、
    前記ストッパー膜上に設けられた開口孔を有する絶縁膜と、
    前記開口孔を埋めるように設けられたカラーフィルターと、
    を備えることを特徴とする電気光学装置。
  6. 請求項５に記載の電気光学装置であって、
    前記カラーフィルターの色に対応して、前記第１基板又は前記第２基板の法線方向における前記基板と前記ストッパー膜の間隔が異なるように配置されていることを特徴とする電気光学装置。
  7. 請求項５又は請求項６に記載の電気光学装置であって、
    前記ストッパー膜は、前記開口孔と平面視で重ならない領域に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
  8. 請求項５乃至請求項７のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
    前記絶縁膜上に、遮光膜が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
  9. 第１基板と、
    前記第１基板に対向配置された第２基板と、
    前記第１基板と前記第２基板とにより挟持された電気光学層と、
    を含む電気光学装置の製造方法であって、
    前記第１基板又は前記第２基板上にストッパー膜を形成するストッパー膜形成工程と、
    前記ストッパー膜上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
    レジストパターンをマスクとして、前記ストッパー膜と平面視で重なる領域の前記絶縁膜にエッチング処理を施して開口孔を形成する開口孔形成工程と、
    少なくとも前記開口孔と平面視で重なる領域の前記ストッパー膜を除去する除去工程と、
    前記開口孔の中にカラーフィルターを埋め込むカラーフィルター形成工程と、
    を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
  10. 請求項９に記載の電気光学装置の製造方法であって、
    前記ストッパー膜形成工程は、前記開口孔と平面視で重なる領域に前記ストッパー膜をパターニングして形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
  11. 請求項９又は請求項１０に記載の電気光学装置の製造方法であって、
    前記ストッパー膜形成工程は、前記カラーフィルターの色に対応して、前記第１基板又は前記第２基板の法線方向における前記第１基板又は前記第２基板と前記ストッパー膜との間隔が異なるように前記ストッパー膜を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
  12. 請求項９乃至請求項１１のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
    前記絶縁膜形成工程の後、前記絶縁膜上に、遮光膜を形成する工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
  13. 請求項５乃至請求項８のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
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