JP2014158048A - 半導体装置及び回路基板並びに電子機器、半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置及び回路基板並びに電子機器、半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】Si基板12の一方の面から他方の面に向けて貫通電極13を形成した半導体装置10であって、他方の面16には絶縁膜20を介して矩形状の電極パッド24が設けられ、貫通電極13を構成する貫通孔21は、一方の面14側の開口部よりも他方の面16側の開口部を狭く形成し、他方の面16側の開口部の形状を矩形として電極パッド24の内側領域に配置し、電極パッド24と貫通電極13を接続したことを特徴とする。このような特徴を有する半導体装置10では、貫通孔21における一方の面14側の開口部を円形とすると良い。
【選択図】図1
Description
さらに特許文献4には、ドライエッチングによりSi基板に貫通孔を形成する際、オーバーエッチングを行う事で、貫通孔の底部の幅を貫通孔の中間部よりも広くすることで、貫通孔の形成により生じる撓みに伴う電極パッドの変形による接続不良を防止する事が記載されている。
[適用例1]Si基板の一方の面から他方の面に向けて貫通する貫通孔内に貫通電極を形成した半導体装置であって、前記他方の面には絶縁膜を介して矩形状の電極パッドが設けられ、前記貫通孔の、前記一方の面側の開口部は円形であり、前記貫通孔の前記他方の面側の開口部は矩形であり、前記一方の面側の開口部の面積よりも前記他方の面側の開口部の面積を小さくしたことを特徴とする半導体装置。
前記他方の面側の開口部の面積を前記電極パッドの面積より小さくしたことにより、他方の面側の開口部の位置がずれた場合であっても、貫通電極が電極パッドからずれるといった虞が無い。
このような傾斜面を持つことにより、貫通孔底面近傍においても絶縁膜の形成を確実なものとすることができる。
このような特徴を有することにより、一方の面の開口部の形状をいかなる形状とした場合であっても、他方の面の形状を矩形とすることが可能となる。
このような構成とすることにより、一方の面の開口部の形状をいかなる形状とした場合であっても、他方の面の形状を矩形とし、かつ電極パッドの辺と開口部の辺を平行に合わせることが可能となる。
第1の形態に係る半導体装置は、半導体基板の一方の面から他方の面に向けて貫通する貫通孔内に貫通電極を形成した半導体装置であって、前記他方の面には絶縁膜を介して電極パッドが設けられ、前記一方の面側の開口部の面積よりも前記他方の面側の開口部の面積を小さくし、前記他方の面側の開口部に前記開口部の中心方向に向けた角錐台状の傾斜面が異方性エッチングにより形成されていることを特徴とする半導体装置。
第2の形態に係る半導体装置は、第1の形態記載の半導体装置であって、前記傾斜面が前記半導体基板における(111)面であることを特徴とする半導体装置。
第3の形態に係る半導体装置は、第1または第2の形態に記載の半導体装置であって、前記貫通電極は、前記絶縁膜を貫通し、前記電極パッドと接続されていることを特徴とする半導体装置。
第4の形態に係る半導体装置は、第1乃至第3の形態に記載の半導体装置であって、前記他方の面側の開口部の面積は、前記電極パッドの面積より小さいことを特徴とする半導体装置。
第5の形態に係る半導体装置は、第1乃至第4の形態のいずれか1に記載の半導体装置であって、前記Si基板の縁辺と、前記他方の面に形成される矩形開口部の辺とが平行となるように前記Si基板の結晶面を定めることを特徴とする半導体装置。
第6の形態に係る回路基板は、第1乃至第5のいずれか1に記載の半導体装置を実装したことを特徴とする回路基板。
第7の形態に係る電子機器は、第1乃至第5のいずれか1に記載の半導体装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
第8の形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板の一方の面から他方の面に向けて貫通する貫通孔内に貫通電極を形成した半導体装置の製造方法であって、前記一方の面側に開口を設けたレジストマスクを形成するレジスト工程と、前記一方の面側から他方の面に向けて等方性エッチングによる溝の形成と、前記溝の側壁を保護する保護膜の形成と、を複数回繰り返す第一エッチング工程と、前記第一エッチング工程の後に、前記一方の面側から他方の面側に向けて異方性エッチングをする第二エッチング工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
[適用例1]Si基板の一方の面から他方の面に向けて貫通する貫通孔内に貫通電極を形成した半導体装置であって、前記他方の面には絶縁膜を介して矩形状の電極パッドが設けられ、前記貫通孔の、前記一方の面側の開口部は円形であり、前記貫通孔の前記他方の面側の開口部は矩形であり、前記一方の面側の開口部の面積よりも前記他方の面側の開口部の面積を小さくしたことを特徴とする半導体装置。
Claims (8)
- Si基板の一方の面から他方の面に向けて貫通する貫通孔内に貫通電極を形成した半導体装置であって、
前記他方の面には絶縁膜を介して矩形状の電極パッドが設けられ、
前記貫通孔の、前記一方の面側の開口部は円形であり、
前記貫通孔の前記他方の面側の開口部は矩形であり、
前記一方の面側の開口部の面積よりも前記他方の面側の開口部の面積を小さくしたことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置であって、
前記貫通電極は、前記絶縁膜を貫通し、前記電極パッドと接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または請求項2に記載の半導体装置であって、
前記他方の面側の開口部の面積は、前記電極パッドの面積より小さいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置であって、
前記貫通孔は、前記他方の面側の開口部に当該開口部の中心方向に向けた角錐台状の傾斜面を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項4に記載の半導体装置であって、
前記Si基板における前記一方の面を(100)面とし、前記傾斜面を(111)面としたことを特徴とする半導体装置。 - 請求項5に記載の半導体装置であって、
前記Si基板の縁辺と、前記他方の面に形成される矩形開口部の辺とが平行となるように前記Si基板の結晶面を定めることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか1に記載の半導体装置を実装したことを特徴とする回路基板。
- 請求項1乃至請求項6のいずれか1に記載の半導体装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
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