JP2014157849A - プライマー組成物及びそれを用いた光半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光半導体素子を実装した基板と、光半導体素子を封止する付加反応硬化型シリコーン組成物の硬化物とを接着するプライマー組成物であって、(A)1分子中に1個以上のシラザン結合を有するシラザン化合物又はポリシラザン化合物、(B)1分子中に一つ以上のSiH基を含有するアクリル酸エステル又はメタクリル酸エステルのどちらか一方、もしくは両方を含むアクリル樹脂、(C)溶剤、を含有するプライマー組成物。
【選択図】図1
Description
尚、本発明に関連する従来技術として、上述した文献と共に下記文献(特許文献6〜8)を挙げることができる。
光半導体素子を実装した基板と、前記光半導体素子を封止する付加反応硬化型シリコーン組成物の硬化物とを接着するプライマー組成物であって、
(A)1分子中に1個以上のシラザン結合を有するシラザン化合物又はポリシラザン化合物、
(B)1分子中に一つ以上のSiH基を含有するアクリル酸エステル又はメタクリル酸エステルのどちらか一方、もしくは両方を含むアクリル樹脂、
(C)溶剤、
を含有するプライマー組成物を提供する。
(D)シランカップリング剤、
を含有するものであることが好ましい。
(A)1分子中に1個以上のシラザン結合を有するシラザン化合物又はポリシラザン化合物、
(B)1分子中に一つ以上のSiH基を含有するアクリル酸エステル又はメタクリル酸エステルのどちらか一方、もしくは両方を含むアクリル樹脂、
(C)溶剤、
を含有するものである。
以下、このプライマー組成物の各成分について説明する。
[(A)成分]
本発明のプライマー組成物に含有される(A)成分は、1分子中に1個以上のシラザン結合を有するシラザン化合物又はポリシラザン化合物であり、例えば、LEDを実装する基板、特にセラミックス基板やポリアミド樹脂基板に対して十分な接着性を与えるとともに、強固な硬い膜を形成し、金属電極(特にAg電極)の経時的な腐食を抑制するものである。
本発明のプライマー組成物に含有される(B)成分は、1分子中に一つ以上のSiH基を含有するアクリル酸エステル又はメタクリル酸エステルのどちらか一方、もしくは両方を含むアクリル樹脂であり、例えばLEDを実装する基板、特にセラミックス基板やポリフタルアミド樹脂基板に対して十分な接着性を与えるとともに、該基板上に可とう性のある膜を形成し、金属電極(特にAg電極)の経時的な腐食を抑制する。
(C)成分の溶剤は、上記の(A)成分、(B)成分及び後述する任意成分を溶解するものであれば特に限定されるものではなく、公知の有機溶剤を使用することができる。該溶剤としては、例えば、キシレン、トルエン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤、ヘプタン、ヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶剤、トリクロロエチレン、パークロロエチレン、塩化メチレン等のハロゲン化炭化水素系溶剤、酢酸エチル等のエステル系溶剤、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶剤、エタノール、イソプロパノール、ブタノール等のアルコール系溶剤、リグロイン、シクロヘキサノン、ジエチルエーテル、ゴム揮発油、シリコーン系溶剤等を挙げることができる。中でも酢酸エチル、へキサン、アセトンを好適に用いることができる。
本発明のプライマー組成物は、さらに(D)シランカップリング剤を配合することができる。該シランカップリング剤としては、一般的なシランカップリング剤であれば特に限定されることなく用いることができる。このようなシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン等のビニル基含有シランカップリング剤、グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のエポキシ基含有シランカップリング剤、メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、アクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン等の(メタ)アクリロキシ基含有シランカップリング剤、メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト基含有シランカップリング剤等を挙げることができる。中でもビニルトリメトキシシラン、メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシランが好ましい。
本発明のプライマー組成物は、上記成分以外に、必要に応じて、その他の任意成分を配合することができる。例えば、金属腐食抑制剤として、ベンゾトリアゾール、ブチルヒドロキシトルエン、ハイドロキノン又はその誘導体を配合することができる。ベンゾトリアゾール、ジブチルヒドロキシトルエン、ハイドロキノン又はその誘導体は、LEDランプが過酷な外部環境に曝されて、例えば大気中の硫黄化合物が光半導体装置の封止材(付加反応硬化型シリコーン組成物の硬化物)を透過した場合に、この封止材で封止された基板上の金属電極、特にAg電極の腐食をより効果的に抑制する成分である。
本発明のプライマー組成物の製造方法としては、上記(A)、(B)、(C)成分及び必要に応じて任意成分を常温下で混合撹拌機により均一に混合する方法を挙げることができる。
本発明の光半導体装置は、光半導体素子を実装した基板と、前記光半導体素子を封止する付加反応硬化型シリコーン組成物の硬化物とを、上記プライマー組成物により接着してなるものであることが好ましい。
以下、本発明の光半導体装置の一態様について図面を参照して説明する。
予め、AgメッキでAg電極等の金属電極6が形成された基板4にLED3等の光半導体素子を接着剤で接合して、ボンディングワイヤ7によりLED3の電極端子(図示せず)と金属電極6とを電気的に接続しておき、この後、LED3が実装された基板4を必要に応じて清浄にしてから、スピンナー等の塗布装置や噴霧器等でプライマー組成物2を基板4に塗布した後、加熱、風乾等によりプライマー組成物2中の溶剤を揮発させ、好ましくは10μm以下、より好ましくは0.1〜5μmの厚さの被膜を形成する。プライマーの被膜を形成した後、付加反応硬化型シリコーン組成物をディスペンサー等で塗布し、室温で放置又は加熱硬化させてゴム状の硬化物5でLED3を封止する。
蛇管冷却器、温度計を備えた2Lの四つ口フラスコに、酢酸エチル1,000gを入れ、ここに、メタクリロイルオキシプロピルトリクロロシラン3.8g(0.015mol)、メチルトリクロロシラン41.5g(0.28mol)を投入し、氷浴下にて撹拌した。系内が10℃以下になった時点でアンモニアガス15g(0.89mol)を吹き込み、吹き込んだ後に3時間撹拌した。撹拌終了後、副生成物である塩化アンモニウムをろ別し、酢酸エチルの4質量%ポリシラザン溶液として仕上げた。
合成したポリシラザン化合物を29Si−NMR、1H−NMRにより測定したところ、該ポリシラザンの構造は、下記に示すものであり、GPC測定(THF溶媒)による重量平均分子量は2,000であった。
蛇管冷却器、温度計を備えた2Lの四つ口フラスコに、酢酸エチル1,000gを入れ、ここに、ジメチルジクロロシラン19g(0.15mol)、メチルトリクロロシラン22.5g(0.15mol)を投入し、氷浴下にて撹拌した。系内が10℃以下になった時点でアンモニアガス14g(0.83mol)を吹き込み、吹き込んだ後に3時間撹拌した。撹拌終了後、副生成物である塩化アンモニウムをろ別し、酢酸エチルの4質量%ポリシラザン溶液として仕上げた。
合成したポリシラザン化合物を29Si−NMR、1H−NMRにより測定したところ、該ポリシラザンの構造は、下記に示すものであり、GPC測定(THF溶媒)による重量平均分子量は2,000であった。
蛇管冷却器、温度計を備えた500mlの四つ口フラスコにメタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン124g(0.5mol)、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン107g(0.8mol)を入れ、氷浴にて10℃以下にした。冷却後濃硫酸13.7gを投入し、20分混合した。混合後、水を14.4g(0.75mol)滴下し、加水分解・平衡化反応を行った。反応終了後、水を4.5g投入し廃酸分離し、10%芒硝水250gとトルエン220gを投入して、水洗により酸触媒成分を除去した。除去後、50℃/5mmHgにて濃縮により溶剤を取り除き、下記構造のSiH基含有メタクリル酸エステル152gを得た。
蛇管冷却器、温度計を備えた1lの四つ口フラスコにオクタメチルシクロテトラシロキサン355g(1.2mol)、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン289g(1.2mol)、ジメタクリロキシプロピルテトラメチルジシロキサン39.7g(0.12mol)、ジビニルテトラメチルジシロキサン22.3g(0.12mol)、メタンスルホン酸2g(触媒量)を入れ、60〜70℃に昇温し6時間混合した。混合後室温まで温度を戻し重曹を24g入れ中和した。中和後ろ過し、ろ液を100℃/5mmHgにて濃縮により未反応成分を取り除き、下記構造のSiH基含有メタクリル酸エステル408gを得た
メタクリル酸メチル43質量部、合成例3で調製したSiH基含有メタクリル酸エステル22質量部、IPA(イソプロピルアルコール)と酢酸エチルの混合溶剤600質量部、AIBN(2,2’−アゾビスイソブチロニトリル)0.5質量部を80℃で3時間加熱攪拌し、SiH基含有メタクリル酸エステル重合体を含有する溶液を調整した。
メタクリル酸メチル57質量部、合成例4で調製したSiH基含有メタクリル酸エステル24質量部、酢酸エチル600質量部、AIBN(2,2’−アゾビスイソブチロニトリル)0.5質量部を80℃で3時間加熱攪拌し、SiH基含有メタクリル酸エステル重合体を含有する溶液を調整した。
メタクリル酸メチル100質量部、酢酸エチル900質量部、AIBN(2,2’−アゾビスイソブチロニトリル)0.5質量部を80℃で3時間加熱撹拌し、メタクリル酸メチル重合体を含有する溶液を調製した。
メタクリル酸メチル83質量部、γ−メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン17質量部、酢酸エチル900質量部、AIBN(2,2’−アゾビスイソブチロニトリル)0.5質量部を80℃で3時間加熱撹拌し、メタクリル酸メチル重合体を含有する溶液を調製した。
上記合成例1で調製したポリシラザン化合物の酢酸エチル溶液100質量部に、合成例5で調製したSiH基含有メタクリル酸エステル重合体50質量部、ビニルトリメトキシシラン1.5質量部、ハイドロキノン0.15質量部を添加、撹拌し、プライマー組成物を得た。
得られたプライマー組成物を用いて光半導体装置を作製し、各種物性(外観、透過率、接着性(接着強度)及び耐腐食性)を下記に示す評価方法により測定し、結果を表1に示した。尚、表1に示した物性は、23℃において測定した値である。
得られたプライマー組成物をアルミナセラミックス板上に厚さ2μmとなるように刷毛塗りし、23℃で30分放置して乾燥させ、さらに150℃30分で乾燥処理を行った。このプライマー組成物上に付加反応硬化型シリコーンゴム組成物(信越化学工業株式会社製、KER−2700)を2mm厚で塗布して150℃で1時間硬化させて、その外観を観察した。
得られたプライマー組成物をスライドガラス上に厚さ2μmとなるように刷毛塗りし、23℃で30分放置して乾燥させ、プライマー組成物被膜を形成した。このプライマー組成物被膜が形成されたスライドガラスの波長400nmにおける透過率を、空気をブランクとして測定した。また、上記プライマー組成物被膜が形成されたスライドガラスを150℃×1000時間耐熱劣化させ、この透過率を上記と同様に測定した。
図2に示すような接着試験用のテストピース11を作製した。即ち、2枚のアルミナセラミックス基板12,13(ケーディーエス社製、幅25mm)のそれぞれの片面に、得られたプライマー組成物を厚さ0.01mmで塗布し、23℃で60分放置して乾燥させ、プライマー組成物被膜14,15を形成した。これらアルミナセラミックス基板をプライマー組成物被膜14,15が形成された面を対向させて、それらの端部が10mm重なるようにし、その間に付加反応硬化型シリコーンゴム組成物(信越化学工業株式会社製、KER−2700)を1mm厚で挟み込むようにして、150℃で2時間加熱することにより該付加反応硬化型シリコーンゴム組成物を硬化させ、シリコーンゴム組成物の硬化物16により接着(接着面積25mm×10mm=250mm2)された2枚のアルミナセラミックス基板からなるテストピースを作製した。
このテストピースのアルミナセラミックス基板12,13のそれぞれの端部を反対方向(図2の矢印方向)に、引っ張り試験機(島津製作所製、オートグラフ)を用いて引張速度50mm/分で引っ張り、単位面積あたりの接着強度(MPa)を求めた。
得られたプライマー組成物を銀メッキ板上に厚さ2μmとなるように刷毛塗りし、23℃で30分放置して乾燥させた後、この上に付加反応硬化型シリコーンゴム組成物(信越化学工業株式会社製、KER−2700)を1mm厚で塗布し、150℃で1時間硬化させてシリコーンゴム層を有するテストピースを作製した。このテストピースを硫黄結晶0.1gとともに100ccガラス瓶に入れ、密閉して70℃で放置し、1日後、8日後、及び12日後の各時点でテストピースのシリコーンゴム層を剥がして、銀メッキ板の該シリコーンゴム層を剥がした部分の腐食の程度を目視で観察し、下記基準で評価した。
○:腐食(変色)なし
×:黒変
上記合成例2で調製したポリシラザン化合物の酢酸エチル溶液100質量部に、上記合成例6で調製したSiH基含有メタクリル酸エステル重合体100質量部添加した混合物をそのまま使用し、プライマー組成物を得た。この組成物を用いて光半導体装置を作製し、各種物性を実施例1と同様にして測定し、結果を表1に示した。
プライマー組成物を塗布せずに直接付加反応硬化型シリコーンゴム組成物(信越化学工業株式会社製、KER−2700)をアルミナセラミックス板及び銀メッキ板に塗布し、硬化した。このようにしてできあがった光半導体装置の接着性及び耐腐食性を実施例1と同様にして測定し、結果を表1に示した。
比較合成例1で調製したメタクリル酸メチルエステル重合体の酢酸エチル溶液100質量部に、ビニルトリメトキシシラン1質量部、ハイドロキノン0.1質量部を添加、撹拌し、プライマー組成物を得た。この組成物を用いて光半導体装置を作製し、各種物性を実施例1と同様にして測定し、結果を表1に示した。
比較合成例1で調製したメタクリル酸メチルエステル重合体の酢酸エチル溶液100質量部に、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン1質量部、テトラ−n−ブチルチタネート1質量部を添加、撹拌し、プライマー組成物を得た。この組成物を用いて光半導体装置を作製し、各種物性を実施例1と同様にして測定し、結果を表1に示した。
合成例1で調製したポリシラザン化合物の酢酸エチル溶液を用いて光半導体装置を作製し、各種物性を実施例1と同様にして測定し、結果を表2に示した。
合成例5で調製したSiH基含有メタクリル酸エステル重合体100質量部の酢酸エチル溶液を用いて光半導体装置を作製し、各種物性を実施例1と同様にして測定し、結果を表2に示した。
また、表2の結果から明らかなように、(B)成分を配合しなかったプライマー組成物を用いた比較例4は、接着性、耐腐食性は良好であったものの、耐熱性が低いものとなった。(A)成分を配合しなかったプライマー組成物を用いた比較例5は、耐腐食性は良好であったものの、耐熱性は経時変化が生じ、接着性は十分ではなかった。
4…基板、 5…付加反応硬化型シリコーン組成物の硬化物、 6…金属電極、
7…ボンディングワイヤ、 11…テストピース、
12、13…アルミナセラミックス基板、 14、15…プライマー組成物被膜、
16…付加反応硬化型シリコーンゴム組成物の硬化物。
Claims (7)
- 光半導体素子を実装した基板と、前記光半導体素子を封止する付加反応硬化型シリコーン組成物の硬化物とを接着するプライマー組成物であって、
(A)1分子中に1個以上のシラザン結合を有するシラザン化合物又はポリシラザン化合物、
(B)1分子中に一つ以上のSiH基を含有するアクリル酸エステル又はメタクリル酸エステルのどちらか一方、もしくは両方を含むアクリル樹脂、
(C)溶剤、
を含有するものであることを特徴とするプライマー組成物。 - 前記(A)成分が分岐構造を有するポリシラザン化合物であり、前記(C)成分の配合量が組成物全体の70質量%以上であることを特徴とする請求項1に記載のプライマー組成物。
- 前記プライマー組成物が、さらに、
(D)シランカップリング剤、
を含有するものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のプライマー組成物。 - 光半導体素子を実装した基板と、前記光半導体素子を封止する付加反応硬化型シリコーン組成物の硬化物とを、請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のプライマー組成物により接着してなるものであることを特徴とする光半導体装置。
- 前記光半導体素子が、発光ダイオード用のものであることを特徴とする請求項4に記載の光半導体装置。
- 前記基板の構成材料が、ポリアミド、セラミックス、シリコーン、シリコーン変性ポリマー、及び液晶ポリマーのいずれかであることを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の光半導体装置。
- 前記付加反応硬化型シリコーン組成物の硬化物が、ゴム状のものであることを特徴とする請求項4乃至請求項6のいずれか1項に記載の光半導体装置。
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