JP2014149897A

JP2014149897A - 磁気記録媒体の記録再生方法

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Publication number: JP2014149897A
Application number: JP2013018842A
Authority: JP
Inventors: Norihisa Nagata; 徳久永田
Original assignee: Fuji Electric Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 2013-02-01
Filing date: 2013-02-01
Publication date: 2014-08-21
Anticipated expiration: 2033-02-01
Also published as: JP6089740B2; US20140218820A1; US8891196B2; MY168033A

Abstract

【課題】耐食性、耐久性、ヘッド浮上性といったＨＤＩ信頼性を損ねることなく、さらなる磁気スペーシングの低減を実現し、電磁変換特性の向上を実現できる磁気記録媒体の記録再生方法を提供する。
【解決手段】基体と、基体上に形成された金属膜と、金属膜上に形成された保護膜と、保護膜上に形成された潤滑膜とを有する磁気記録媒体と磁気ヘッドとからなる磁気記録再生装置において、潤滑膜が液体潤滑膜からなり、記録再生の際に、磁気ヘッドの素子部が潤滑膜の中に位置することを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は磁気記録媒体の記録再生方法に関する。

ＨＤＤ（ハード・ディスク・ドライブ）の記録密度を向上させるためには、磁気記録層の改良と同時に、情報の読み書きをする磁気ヘッドと磁気記録層との距離（磁気スペーシング）をできるだけ小さくする必要がある。このため、磁気記録層の上に形成されている保護膜の薄膜化、保護膜の上に形成されている潤滑膜の薄膜化、磁気ヘッドの潤滑膜表面からの浮上高さの低減がなされている。また、最近のＨＤＤでは、磁気ヘッドの潤滑膜表面からの浮上量を下げるのではなく，磁気ヘッドの素子部のみを熱膨張により媒体側へ近づけ、実効的な浮上高さ（保護膜表面から磁気ヘッドの素子部までの距離）を下げる技術を適用した磁気ヘッドが用いられている。この技術は、ＤＦＨ(ＤｙｎａｍｉｃＦｌｙｉｎｇＨｅｉｇｈｔ) 技術、ＴＦＣ(ＴｈｅｒｍａｌＦｌｙｉｎｇ−ｈｅｉｇｈｔＣｏｎｔｒｏｌ)技術、ＦＯＤ(ＦｌｙｉｎｇｏｎＤｅｍａｎｄ)技術などと呼ばれている（例えば特許文献１参照）。

特開２００３−１６８２７４号公報

しかしながら、現在、保護膜膜厚、潤滑膜膜厚、実効的な浮上高さは、いずれも数ｎｍ以下のレベルとなっており、これ以上の保護膜の薄膜化は耐食性の悪化を、潤滑膜の薄膜化は耐久性の悪化を、実効的な浮上高さの低減はヘッド浮上性の不安定化を招きかねない。

従って、本発明の目的は、耐食性、耐久性、ヘッド浮上性といったＨＤＩ（Ｈｅａｄ−ＤｉｓｋＩｎｔｅｒｆａｃｅ）信頼性を損ねることなく、さらなる磁気スペーシングの低減を実現し、電磁変換特性の向上を実現できる磁気記録媒体の記録再生方法を提供することである。

上記の目的を達成するために本発明では、以下の手段を提供する。

基体と、基体上に形成された金属膜と、金属膜上に形成された保護膜と、保護膜上に形成された潤滑膜とを有する磁気記録媒体と磁気ヘッドとからなる磁気記録再生装置において、記録再生の際に、磁気ヘッドの素子部が潤滑膜の中に位置することを特徴とする記録再生方法によってなされる。

記録再生方法は、磁気ヘッドがＡＥ（ＡｃｏｕｓｔｉｃＥｍｉｓｓｉｏｎ）素子を有し、ＡＥ素子から得られるＡＥ信号により、磁気ヘッドの素子部が潤滑膜の表面に接しているか、潤滑膜の中に位置するか、保護膜の表面に接しているかを検知し、磁気ヘッドの素子部が潤滑膜の中に位置している場合の素子部の潤滑膜の表面からの距離を得ることが好ましい。

記録再生方法は、潤滑膜の膜厚が０．７ｎｍ以上１．８ｎｍ以下であることが好ましい。

記録再生方法は、磁気ヘッドの素子部が潤滑膜の中に位置している場合の前記素子部と前記保護膜表面との距離が０．４ｎｍ以上、０．８ｎｍ以下であることが好ましい。

記録再生方法は、磁気ヘッドが磁気ヘッドの素子部を突き出す機能を有することが好ましい。

本発明によれば、耐食性、耐久性、ヘッド浮上性といったＨＤＩ信頼性を損ねることなく、さらなる磁気スペーシングの低減を実現し、電磁変換特性の向上を実現できる磁気記録媒体の記録再生方法を提供することが可能となる。

本発明の実施例にかかる磁気ヘッドと磁気記録媒体の断面概略図であり、（ａ）は磁気ヘッドの素子部の突き出しがない場合を、（ｂ）は磁気ヘッドの素子部の突き出しがある場合を示す。

本発明に用いられる磁気記録再生装置は、主として磁気記録媒体と磁気ヘッドから構成される。磁気記録媒体は基体と、前記基体上に形成された金属膜等と、前記金属膜等上に形成された保護膜と、前記保護膜上に形成された潤滑膜とを有する磁気記録媒体、および磁気ヘッドから構成される。記録再生の際、磁気ヘッドの素子部は、潤滑膜内部に位置する。以下に、詳細を述べる。

保護膜が形成される被成膜基板は、基体上に金属膜層等を積層することによって形成される。基体上に形成される金属膜層等は、少なくとも磁気記録層を含む。任意選択的に、磁気記録層と基体との間に、非磁性下地層、軟磁性層、シード層、中間層などの層をさらに含んでもよい。以下に説明する実施例においては、直径９５ｍｍ、厚さ１．７５ｍｍのアルミニウム合金にＮｉ−Ｐめっきを施された基体上に、下地層、中間層、磁気記録層を成膜して被成膜基板を形成した。

基体は、好ましくは非磁性であり、磁気記録媒体の製造に従来から用いられている任意の材料を用いることができる。たとえば、Ｎｉ−Ｐめっきを施されたアルミニウム合金のほか、ガラス、セラミック、プラスチック、シリコンなどの材料を用いて基体を作製することができる。

磁気記録層は、ＣｏとＰｔを含む合金の強磁性材料を用いて形成することができる。強磁性材料の磁化容易軸は、磁気記録を行う方向に向かって配向していることが必要である。例えば、垂直磁気記録を行うためには、磁気記録層の材料の磁化容易軸が、記録媒体表面（すなわち基体の主平面）に垂直方向に配向していることが必要である。

あるいはまた、非磁性酸化物または非磁性窒化物のマトリクス中に磁性結晶粒子が分散されているグラニュラー構造を有する材料を用いて、単層または多層からなる垂直磁気記録層を形成することがさらに好ましい。用いることができるグラニュラー構造を有する材料は、ＣｏＰｔ−ＳｉＯ₂、ＣｏＣｒＰｔＯ、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ₂、ＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ₂、ＣｏＣｒＰｔ−Ａｌ₂Ｏ₃、ＣｏＰｔ−ＡｌＮ、ＣｏＣｒＰｔ−Ｓｉ₃Ｎ₄などを含むが、これらに限定されない。本発明においては、グラニュラー構造を有する材料を用いることによって、垂直磁気記録層内で近接する磁性結晶粒間の磁気的分離を促進し、ノイズの低減、ＳＮＲの向上および記録分解能の向上といった媒体特性の改善を図ることができる。

任意選択的に設けてもよい非磁性下地層は、Ｔｉ、又はＣｒＴｉ合金のようなＣｒを含む非磁性材料を用いて形成することができる。

任意選択的に設けてもよい軟磁性層は、ＦｅＴａＣ、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金などの結晶性材料、若しくはＦｅＴａＣ、ＣｏＦｅＮｉ、ＣｏＮｉＰなどの微結晶性材料、若しくは又はＣｏＺｒＮｄ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＴａＺｒなどのＣｏを含む非晶質材料を用いて形成することができる。軟磁性層は、垂直磁気記録媒体において、磁気ヘッドの発生する垂直方向磁界を磁気記録層に集中させる機能を有する。軟磁性層の膜厚は、記録に使用する磁気ヘッドの構造や特性によって最適値が変化するが、概ね１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが、生産性との兼ね合いから好ましい。

任意選択的に設けてもよいシード層は、ＮｉＦｅＡｌ、ＮｉＦｅＳｉ、ＮｉＦｅＮｂ、ＮｉＦｅＢ、ＮｉＦｅＮｂＢ、ＮｉＦｅＭｏ、ＮｉＦｅＣｒなどのようなパーマロイ系材料、若しくはＣｏ、若しくはＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅＳｉ、ＣｏＮｉＦｅＢ、ＣｏＮｉＦｅＮｂなどのようなパーマロイ系材料にＣｏをさらに添加した材料、若しくはＣｏＢ、ＣｏＳｉ、ＣｏＮｉ、ＣｏＦｅなどのＣｏ基合金を用いて形成することができる。シード層は、磁気記録層の結晶構造を制御するのに充分な膜厚を有することが好ましく、通常の場合、３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の膜厚を有することが好ましい。

任意選択的に設けてもよい中間層は、Ｒｕ、若しくはＲｕを主成分とする合金を用いて形成することができる。中間層は、通常０．１ｎｍ以上２０ｎｍ以下の膜厚を有する。このような範囲内の膜厚とすることによって、磁気記録層の磁気特性や電磁変換特性を劣化させることなしに、高密度記録に必要な特性を磁気記録層に付与することが可能となる。

非磁性下地層、軟磁性層、シード層、中間層および磁気記録層の形成は、スパッタ法（ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法などを含む）、真空蒸着法など当該技術において知られている任意の方法を用いて実施することができる。

保護膜は、腐食および磁気ヘッド接触の衝撃から磁気記録層を保護するための膜である。保護膜は、磁気記録媒体の分野で慣用的に使用されている材料（カーボン系材料など）を用いて形成することができる。非晶質炭素膜が好ましく、ＤＬＣ（ＤｉａｍｏｎｄＬｉｋｅＣａｒｂｏｎ）などが用いられる。しかし、保護膜は、非晶質に限定されるわけではなく、また、単層であってもよく、積層構造を有してもよい。積層構造の保護膜は、たとえば、特性の異なる２種のカーボン系材料の積層構造、金属とカーボン系材料との積層構造、または金属酸化物膜とカーボン系材料との積層構造であってもよい。保護膜は、プラズマＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、スパッタ法、真空蒸着法などの当該技術において知られている任意の方法を用いて形成することができる。

保護膜の形成をプラズマＣＶＤ法によって行う場合は、原料ガスとして、エチレン、アセチレン、メタン、ベンゼンなどの炭化水素ガスを用いることができる。プラズマ発生のための電力供給は、容量結合式で実施してもよく、誘導結合式で実施してもよい。供給する電力としては、直流電力、ＨＦ電力（周波数：数十〜数百ｋＨｚ）、ＲＦ電力（周波数：１３．５６ＭＨｚ、２７．１２ＭＨｚ、４０．６８ＭＨｚなど）、マイクロ波（周波数：２．４５ＧＨｚ）などを使用することができる。プラズマの発生装置としては、平行平板型装置、フィラメント型装置、ＥＣＲプラズマ発生装置、ヘリコン波プラズマ発生装置などを用いることができる。本発明においては、フィラメント型プラズマＣＶＤ装置を用いることが好ましい。以下に示す実施例においては、フィラメント型のプラズマＣＶＤ装置を用いて、カソードフィラメントに所定の電流を供給して熱電子を放出させながら、装置内にエチレンガスを導入してエチレンプラズマを生成した。

被成膜基板として用いる基体および金属膜層等の積層体に対してバイアス電圧を印加して、ＤＬＣ膜の堆積を促進してもよい。たとえば、被成膜基板に対して−４０〜−１２０Ｖを印加することができる。以下に示す実施例においては、基板バイアスにより成膜種を被成膜基板に引き込んでＤＬＣ膜を形成しており、このときのアノード電位は＋６０Ｖ、基板バイアス電位は−１２０Ｖである。

保護膜の膜厚は、１．２ｎｍ以上２．５ｎｍ以下であるのが好ましい。保護膜の膜厚が１．２ｎｍ未満であると、耐食性が悪化するという不都合があり、保護膜の膜厚が２．５ｎｍを超えると、磁気ヘッドとの磁気スペーシングロスが増加し、電磁変換特性が悪化する。

前述のプラズマＣＶＤ装置と同じ種類のもう１つのプラズマＣＶＤ装置において、窒素ガス流量を５０ｓｃｃｍ、テトラフルオロメタンガス流量を４０ｓｃｃｍ、処理時間を１．０ｓとしてＤＬＣ膜の表面を窒化処理およびフッ化処理を施してもよい。これにより、保護膜表面が窒化ないしフッ化することにより、潤滑膜との親和性や保護膜の潤滑性を向上させることができ、ひいてはヘッド浮上性や耐久性を高めることができる。

潤滑膜は、磁気記録媒体の分野で慣用的に使用されている材料（たとえば、パーフルオロポリエーテル系の潤滑剤（Ｆｏｍｂｌｉｎ（商標）Ｚ−ｄｏｌ、Ｆｏｍｂｌｉｎ（商標）Ｚ−ｔｅｔｒａｏｌなど））を用いて形成することができる。

保護膜上にパー・フルオロ・ポリ・エーテルを主体とする液体潤滑剤をディップ法により塗布し、潤滑膜が形成される。しかしながらこれに限定されるわけではなくスピンコート法などの塗布法を用いて形成することもができる。該潤滑膜の膜厚は０．７ｎｍ以上１．８ｎｍ以下であるのが好ましい。潤滑膜の膜厚が０．７ｎｍ未満であると、耐食性、耐久性が悪化するという不都合があり、潤滑膜の膜厚が１．８ｎｍを超えると、潤滑膜の膜厚の均一性に支障を生じ、磁気ヘッドの浮上（走行）が不安定になる。また、磁気ヘッドと磁気記録層との磁気スペーシングが増加し、電磁変換特性が悪化する。

（記録再生方法）
次に記録再生方法を述べる。
磁気ヘッドは主にスライダーとそれに組み込まれた素子部からなっている。ヘッドサイズは小型化しており、スライダーも長さ１．２ｍｍ程度のピコスライダーやそれより小型のフェムトスライダーなどが用いることができる。ＨＤＤの記録再生方式は誘導型素子で書き込み、磁気抵抗型素子で読み出す方法等を用いることができ、磁気ヘッドの素子部は、ライト（書き込み）素子とリード（読み出し）素子とを有していても良い。リード素子としてはＧＭＲ（ＧｉａｎｔＭａｇｎｅｔｏ−Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅｅｆｆｅｃｔ）素子やＴＭＲ（ＴｕｎｎｅｌＭａｇｎｅｔｏ−Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅｅｆｆｅｃｔ）素子などを用いることができる。これらの素子はスライダー内に形成されたり、取り付けられたりする。

ＦＯＤ等と呼ばれている、磁気ヘッドの素子部を突き出させて実効的な浮上高さを制御する技術を用い、ＡＥ素子（ＡｃｏｕｓｔｉｃＥｍｉｓｓｉｏｎ素子）を有する磁気ヘッドを用い記録再生をおこなった。図１（ａ）（ｂ）に使用した磁気ヘッド概略を示す。磁気ヘッドのスライダー２の先端に素子部３があり、素子部３の近傍にヒーター４が備えられている。ヒーター４に電力を印加することによって熱膨張により素子部が突き出し、突き出した素子部５が生じる。磁気ヘッドのスライダー２は例えば１ｍｍ×１ｍｍ未満の大きさのフェムトスライダーであり、磁気ヘッドのスライダー保護膜はｔａ−Ｃ（ｔｅｔｒａｈｅｄｒａｌａｍｏｒｐｈｏｕｓＣａｒｂｏｎ）である。また、突き出し素子部５は次のように動作させる。図１（ａ）、（ｂ）に示すように磁気ヘッドのヒーター４に電力を印加することによって熱を発生させ、熱膨張により磁気ヘッドの素子部３を突き出す。この電力を調節することにより突き出し量を調節する。

磁気ヘッドの素子部を潤滑膜の中に位置させるため、前記磁気ヘッドの素子部が潤滑膜１１の中に潜る深さを以下のように制御する。なお、前記潜る深さとは、前記磁気ヘッドの素子部が前記潤滑膜１１の中に位置している場合の前記素子部の前記潤滑膜の表面からの距離であり、前記素子部の下端の前記潤滑膜の表面１１aからの距離である。まず磁気ヘッドの素子部が潤滑膜表面と保護膜表面それぞれを検知したときの磁気ヘッドの素子部の位置を決定する。磁気記録媒体を回転させ回転数７２００ｒｐｍに到達した後に、磁気ヘッドの素子部を、ＦＯＤを用いて突き出していく。なお、前記回転数は所定の回転数であればよく、これに限定されるわけではない。磁気ヘッドに取り付けられたＡＥ素子から得られるＡＥ信号の強度が緩やかに上昇し始めたとき、磁気ヘッドの素子部は潤滑膜に接触した位置にあるとする。これは最も媒体の潤滑膜表面に近い素子部の部分が前記潤滑膜表面に接触した場合である。さらに、磁気ヘッドの素子部を突き出していき、ＡＥ信号の強度が急激に上昇したとき、磁気ヘッドの素子部は保護膜に接触した位置にあるとする。潤滑膜の膜厚は既知であるから、磁気ヘッドの素子部の突き出し量を、ＡＥ信号を基に前記磁気ヘッドの素子部近傍のヒーターに印加する電力を調整することによって調整し、潤滑膜中に潜る素子部の深さを制御することができる。具体的には、ＡＥ信号の強度がある上限を超えた場合、磁気ヘッドの素子部が保護膜表面の近傍に位置するとみなす。この場合、前記ヒーターに印加する電力を減少させ、突き出し量を減少させる。或いはＡＥ信号の強度がある下限を下回った場合、磁気ヘッドの素子部が潤滑膜に接していないとみなす。この場合、前記磁気ヘッドの素子部近傍のヒーターに印加する電力を増加させて、突き出し量を増加させる。このようにすることで磁気ヘッドの素子部が潤滑膜中に潜る深さを制御することができる。また、ＡＥ信号を基にＰＩＤ制御をすることによっても磁気ヘッドの素子部が潤滑膜中に潜る深さを制御することは可能である。なお、磁気ヘッドの素子部が潤滑膜中に潜っている状態とは、潤滑膜の中に位置する状態であり、ＦＯＤを用いて素子部を突き出しＡＥ信号の強度が緩やかに上昇し始めたとき（素子部が潤滑膜表面に接触した状態）から、さらに、前記素子部を突き出していき、ＡＥ信号の強度が急激に上昇する（保護膜に接触した状態）までであり、素子部が潤滑膜中に潜っており、潤滑膜表面にも保護膜にも接していない状態である。

［実施例１］
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明する。

（媒体の製造方法）
９５ｍｍの外径、２５ｍｍの内径、および１．２７ｍｍの厚さを有する円環状のアルミニウム製ディスクの表面に、１２μｍの膜厚を有するＮｉ−Ｐメッキを施し、非磁性基体を調製した。得られた非磁性基体に対して、平滑化加工および洗浄を施した。

ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて、洗浄済みの非磁性基体上に金属膜を形成する。まず、Ｃｒ₅₀Ｔｉ₅₀を積層して、６．０ｎｍの膜厚を有する非磁性下地層を形成した。

続いて、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて、前記非磁性下地層の上に、軟磁性層として２０ｎｍの膜厚を有するＣｏＺｒＮｂ膜を形成した。

続いて、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて、前記軟磁性層の上に、シード層として８．０ｎｍの膜厚を有するＣｏＮｉＦｅ膜を形成した。

続いて、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて、前記シード層の上にＲｕを積層して、１０ｎｍの膜厚を有する中間層を形成した。

続いて、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて、前記中間層の上に、１０ｎｍの膜厚を有するＣｏＣｒＰｔＳｉＯ２膜（第１磁性層）、０．２ｎｍの膜厚を有するＲｕ膜（結合制御層）、３．０ｎｍの膜厚を有するＣｏＣｒＰｔＳｉＯ２膜（第２磁性層）、および６．０ｎｍの膜厚を有するＣｏＣｒＰｔＢ膜（第３磁性層）を積層して、４層構造の磁気記録層を形成した。

続いて、プラズマＣＶＤ装置を用いて、厚さ２．０ｎｍのＤＬＣ膜を形成した。

上述のプラズマＣＶＤ装置と同じ種類のもう１つのプラズマＣＶＤ装置において、窒素ガス流量を５０ｓｃｃｍ、テトラフルオロメタンガス流量を４０ｓｃｃｍ、処理時間を１．０ｓとしてＤＬＣ膜の表面を窒化処理、フッ化処理した。

このようにして形成した保護膜の上に、パー・フルオロ・ポリ・エーテルを主体とする液体潤滑剤をディップ法により塗布し、膜厚０．７ｎｍ、１．１ｎｍ、１．５ｎｍ、１．８ｎｍの４通りの厚さを有する潤滑膜を形成した。

（記録再生方法）
本実施例においては、前記磁気ヘッドの素子部が潤滑膜に潜る深さを０．３ｎｍ、０．７ｎｍ、１．１ｎｍ、１．６ｎｍとして電磁変換特性（ＳＮＲ）の評価を行なった。ＳＮＲは、記録用の単磁極ヘッドおよび再生用のＧＭＲ型ヘッドを有する複合型ヘッドを取り付けたスピンスタンド型テスターを用い、５００Ｇｂ／ｉｎ²の記録密度に相当する測定条件で測定した。得られた信号出力およびノイズ出力から、以下の式を用いて、ＳＮＲ値を求めた。
ＳＮＲ（ｄＢ）＝２０×ｌｏｇ［（信号出力）／（ノイズ出力）］
ここで、上式中、「ｌｏｇ」は常用対数を示す。

また、本発明は磁気ヘッドが浮上する従来の記録再生方式と異なり、磁気ヘッドの素子部が潤滑膜中を潜る方式であるため、磁気ヘッドの素子部の摩耗が懸念される。そこでＨＤＩ信頼性としてバニッシュアビリティーテストをおこなった。これは、磁気ヘッドの素子部を潤滑膜中に各所定の深さに潜らせた状態で一定時間走行させた後、磁気ヘッドの素子部の摩耗量を測定する方法であり、０．５ｎｍ以下であることが好ましい。なお、素子部の摩耗量の測定は次の方法で行なった。先ず磁気ヘッドの素子部が保護膜表面に接触する際の突き出し量を計測する。次に、磁気ヘッドの前記素子部を潤滑膜中に各所定の深さに潜らせた状態で一定時間走行させた後、磁気ヘッドの素子部の突き出しが無い状態に一旦戻す。再度、磁気ヘッドの素子部が保護膜表面に接触する際の突き出し量を計測し、突き出し量の増加分を摩耗量とした。

（比較例１）
実施例１の方法で作製した潤滑膜の膜厚が０．７、１．１、１．５、１．８ｎｍである場合の磁気記録媒体について、電磁変換特性（ＳＮＲ）およびＨＤＩ信頼性（磁気ヘッドの素子部の摩耗量）を実施例１の方法で評価した。その際、磁気ヘッドの素子部が潤滑膜に潜る深さは、−０．５ｎｍ、０ｎｍとして評価した。なお、−０．５ｎｍとは潤滑膜表面から磁気ヘッドの素子部が０．５ｎｍ浮上していることを示す。

実施例１と比較例１の結果を表１に示す。表中の、一段目は、磁気ヘッドの素子部から保護膜表面までの距離ｄを示した。前記距離ｄは潤滑膜の膜厚から前記潜る深さを引いた値である。二段目はＳＮＲで、１４．０ｄＢ以上を良好と評価した。三段目は前記バニッシュアビリティーテストによる磁気ヘッドの素子部の摩耗量ｘであり、０．５ｎｍ以下を良好と判断した。

その結果、表１の網掛け部分がＨＤＩ信頼性と電磁変換特性およびその他の媒体特性を全て満足する条件であった。これは、磁気ヘッドの前記素子部が前記潤滑膜の中に位置している場合であって、磁気ヘッドの素子部から保護膜表面までの距離ｄが０．４ｎｍ以上で０．８ｎｍ以下の場合であった。磁気ヘッドの前記素子部が前記潤滑膜の中に位置している場合でも、素子部と保護膜との距離ｄが０．２ｎｍと小さい場合は素子部の摩耗が大きく、信頼性を満足しなかった。比較例１の潜る深さが−０．５ｎｍの条件はいずれもＳＮＲを満足することはできなかった。これは磁気ヘッドと磁気記録層との磁気スペーシングが増加したためと考えられる。また、潜る深さが０ｎｍの条件においては、ヘッドの浮上および走行が安定せずＳＮＲの変動が大きく、良好な記録再生はできなかった。

以上のことから本発明によってＨＤＩ信頼性を損ねることなく電磁変換特性の向上を実現できる磁気記録媒体の記録再生方法を提供することができた。

１磁気記録媒体
２磁気ヘッドのスライダー
３素子部
４ヒーター
５突き出した素子部
１０保護膜
１０ａ保護膜表面
１１潤滑膜
１１ａ潤滑膜表面

Claims

基体と、
前記基体上に形成された金属膜と、
前記金属膜上に形成された保護膜と、
前記保護膜上に形成された潤滑膜と
を有する磁気記録媒体と磁気ヘッドとからなる磁気記録再生装置において、記録再生の際に、前記磁気ヘッドの素子部が前記潤滑膜の中に位置することを特徴とする記録再生方法。
前記磁気ヘッドがＡＥ素子を有し、前記ＡＥ素子から得られるＡＥ信号により、前記磁気ヘッドの前記素子部が前記潤滑膜の表面に接しているか、前記潤滑膜の中に位置するか、前記保護膜の表面に接しているかを検知し、前記磁気ヘッドの前記素子部が前記潤滑膜の中に位置している場合の前記素子部の前記潤滑膜の表面からの距離を得ることを特徴とする請求項１に記載の記録再生方法。
前記潤滑膜の膜厚が０．７ｎｍ以上１．８ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の記録再生方法。
前記磁気ヘッドの前記素子部が前記潤滑膜の中に位置している場合の前記素子部と前記保護膜表面との距離が０．４ｎｍ以上、０．８ｎｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載の記録再生方法。
前記磁気ヘッドが前記磁気ヘッドの前記素子部を突き出す機能を有することを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の記録再生方法。