JP2014137388A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014137388A5 JP2014137388A5 JP2013004370A JP2013004370A JP2014137388A5 JP 2014137388 A5 JP2014137388 A5 JP 2014137388A5 JP 2013004370 A JP2013004370 A JP 2013004370A JP 2013004370 A JP2013004370 A JP 2013004370A JP 2014137388 A5 JP2014137388 A5 JP 2014137388A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- mask blank
- nitrogen
- gas
- phase shift
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 42
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 27
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 22
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 15
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 9
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 claims 5
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims 5
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 2
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims 2
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 claims 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 claims 1
- 230000001590 oxidative Effects 0.000 claims 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims 1
Priority Applications (17)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013004370A JP6005530B2 (ja) | 2013-01-15 | 2013-01-15 | マスクブランク、位相シフトマスクおよびこれらの製造方法 |
| PCT/JP2014/050404 WO2014112457A1 (ja) | 2013-01-15 | 2014-01-14 | マスクブランク、位相シフトマスクおよびこれらの製造方法 |
| CN201910950357.9A CN110673435B (zh) | 2013-01-15 | 2014-01-14 | 掩膜板坯料、相移掩膜板及半导体器件的制造方法 |
| KR1020217002829A KR102390253B1 (ko) | 2013-01-15 | 2014-01-14 | 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| CN201480004256.8A CN104903792B (zh) | 2013-01-15 | 2014-01-14 | 掩膜板坯料、相移掩膜板及其制造方法 |
| US14/760,911 US9625806B2 (en) | 2013-01-15 | 2014-01-14 | Mask blank, phase-shift mask, and method for manufacturing the same |
| KR1020207028808A KR102211544B1 (ko) | 2013-01-15 | 2014-01-14 | 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| KR1020157021460A KR102166222B1 (ko) | 2013-01-15 | 2014-01-14 | 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 이들의 제조 방법 |
| CN201910950358.3A CN110554561B (zh) | 2013-01-15 | 2014-01-14 | 掩膜板坯料、相移掩膜板及半导体器件的制造方法 |
| TW107109321A TWI654479B (zh) | 2013-01-15 | 2014-01-15 | 光罩基底、相移光罩及半導體元件之製造方法 |
| TW108104223A TWI690769B (zh) | 2013-01-15 | 2014-01-15 | 光罩基底、相移光罩及半導體元件之製造方法 |
| TW108104220A TWI686662B (zh) | 2013-01-15 | 2014-01-15 | 光罩基底、相移光罩、光罩基底之製造方法、相移光罩之製造方法及半導體元件之製造方法 |
| TW103101500A TWI623806B (zh) | 2013-01-15 | 2014-01-15 | 光罩基底之製造方法、相移光罩之製造方法及半導體元件之製造方法 |
| TW109107708A TWI736171B (zh) | 2013-01-15 | 2014-01-15 | 光罩基底、相移光罩及半導體元件之製造方法 |
| US15/454,199 US10180622B2 (en) | 2013-01-15 | 2017-03-09 | Mask blank, phase-shift mask, method of manufacturing mask blank, method of manufacturing phase-shift mask and method of manufacturing semiconductor device |
| US16/201,344 US10539866B2 (en) | 2013-01-15 | 2018-11-27 | Mask blank, phase-shift mask, and method of manufacturing semiconductor device |
| US16/671,065 US10942442B2 (en) | 2013-01-15 | 2019-10-31 | Mask blank, phase-shift mask, and method of manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013004370A JP6005530B2 (ja) | 2013-01-15 | 2013-01-15 | マスクブランク、位相シフトマスクおよびこれらの製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016174229A Division JP6302520B2 (ja) | 2016-09-07 | 2016-09-07 | マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014137388A JP2014137388A (ja) | 2014-07-28 |
| JP2014137388A5 true JP2014137388A5 (de) | 2015-06-25 |
| JP6005530B2 JP6005530B2 (ja) | 2016-10-12 |
Family
ID=51414945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013004370A Active JP6005530B2 (ja) | 2013-01-15 | 2013-01-15 | マスクブランク、位相シフトマスクおよびこれらの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6005530B2 (de) |
Families Citing this family (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6258151B2 (ja) | 2013-09-25 | 2018-01-10 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクおよびその製造方法 |
| JP6524614B2 (ja) * | 2014-05-27 | 2019-06-05 | 大日本印刷株式会社 | マスクブランクス、ネガ型レジスト膜付きマスクブランクス、位相シフトマスク、およびそれを用いるパターン形成体の製造方法 |
| JP6104852B2 (ja) * | 2014-07-14 | 2017-03-29 | Hoya株式会社 | マスクブランクの製造方法、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
| JP6313678B2 (ja) * | 2014-07-14 | 2018-04-18 | Hoya株式会社 | マスクブランクの製造方法、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
| KR101579848B1 (ko) * | 2014-08-29 | 2015-12-23 | 주식회사 에스앤에스텍 | 위상 반전 블랭크 마스크 및 포토마스크 |
| JP5940755B1 (ja) * | 2014-12-26 | 2016-06-29 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
| WO2016140044A1 (ja) * | 2015-03-04 | 2016-09-09 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びマスクパターン形成方法 |
| JP6601245B2 (ja) * | 2015-03-04 | 2019-11-06 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びマスクパターン形成方法 |
| JP6544964B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2019-07-17 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び、半導体デバイスの製造方法 |
| JP6341129B2 (ja) | 2015-03-31 | 2018-06-13 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスク |
| JP6087401B2 (ja) | 2015-08-14 | 2017-03-01 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 |
| TWI684822B (zh) * | 2015-09-30 | 2020-02-11 | 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 | 空白遮罩、相位移轉遮罩及半導體元件之製造方法 |
| KR102368405B1 (ko) | 2015-11-06 | 2022-02-28 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| JP6500791B2 (ja) * | 2016-01-22 | 2019-04-17 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク及びその製造方法 |
| JP6743679B2 (ja) | 2016-03-02 | 2020-08-19 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、及びフォトマスクの製造方法 |
| US10678125B2 (en) * | 2016-03-02 | 2020-06-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank and method for preparing photomask |
| JP6698438B2 (ja) * | 2016-06-17 | 2020-05-27 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
| WO2018016262A1 (ja) | 2016-07-19 | 2018-01-25 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 |
| KR102366782B1 (ko) * | 2016-07-25 | 2022-02-23 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크, 전사용 마스크, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| JP6328863B1 (ja) * | 2016-08-26 | 2018-05-23 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 |
| US20190302604A1 (en) * | 2016-09-26 | 2019-10-03 | Hoya Corporation | Mask blank, phase shift mask, method of manufacturing phase shift mask, and method of manufacturing semiconductor device |
| JP6740107B2 (ja) | 2016-11-30 | 2020-08-12 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP6900872B2 (ja) * | 2016-12-26 | 2021-07-07 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びその製造方法 |
| JP6900873B2 (ja) * | 2016-12-26 | 2021-07-07 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びその製造方法 |
| JP6271780B2 (ja) * | 2017-02-01 | 2018-01-31 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 |
| JP6929656B2 (ja) * | 2017-02-16 | 2021-09-01 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
| KR102398092B1 (ko) | 2017-02-27 | 2022-05-16 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크, 반사형 마스크의 제조 방법, 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| JP6400763B2 (ja) | 2017-03-16 | 2018-10-03 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクおよび半導体デバイスの製造方法 |
| JP6808566B2 (ja) | 2017-04-08 | 2021-01-06 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP6716629B2 (ja) * | 2017-05-18 | 2020-07-01 | エスアンドエス テック カンパニー リミテッド | 位相反転ブランクマスク及びその製造方法 |
| JP6932552B2 (ja) | 2017-05-31 | 2021-09-08 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 |
| CN111133379B (zh) * | 2017-09-21 | 2024-03-22 | Hoya株式会社 | 掩模坯料、转印用掩模以及半导体器件的制造方法 |
| JP7037919B2 (ja) * | 2017-11-14 | 2022-03-17 | アルバック成膜株式会社 | マスクブランク、ハーフトーンマスクおよびその製造方法 |
| JP6998181B2 (ja) * | 2017-11-14 | 2022-02-04 | アルバック成膜株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクおよびその製造方法 |
| JP6490786B2 (ja) * | 2017-12-25 | 2019-03-27 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 |
| SG11202005137VA (en) | 2017-12-26 | 2020-07-29 | Hoya Corp | Mask blank, phase shift mask, and method of manufacturing semiconductor device |
| SG11202009172VA (en) * | 2018-03-26 | 2020-10-29 | Hoya Corp | Mask blank, phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device |
| JP6579219B2 (ja) * | 2018-05-07 | 2019-09-25 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスク |
| JP7109996B2 (ja) | 2018-05-30 | 2022-08-01 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 |
| JP6938428B2 (ja) * | 2018-05-30 | 2021-09-22 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 |
| JP6988697B2 (ja) * | 2018-05-31 | 2022-01-05 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク |
| JP6627926B2 (ja) * | 2018-07-23 | 2020-01-08 | 信越化学工業株式会社 | 位相シフトマスクブランクスの製造方法 |
| JP6720360B2 (ja) * | 2019-01-25 | 2020-07-08 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクおよびこれらの製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002040625A (ja) * | 1992-07-17 | 2002-02-06 | Toshiba Corp | 露光用マスク、レジストパターン形成方法及び露光マスク用基板の製造方法 |
| JP3286103B2 (ja) * | 1995-02-15 | 2002-05-27 | 株式会社東芝 | 露光用マスクの製造方法及び製造装置 |
| US5897977A (en) * | 1996-05-20 | 1999-04-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Attenuating embedded phase shift photomask blanks |
| US6274280B1 (en) * | 1999-01-14 | 2001-08-14 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Multilayer attenuating phase-shift masks |
| US6844119B2 (en) * | 2002-07-30 | 2005-01-18 | Hoya Corporation | Method for producing a halftone phase shift mask blank, a halftone phase shift mask blank and halftone phase shift mask |
| KR101696487B1 (ko) * | 2008-03-31 | 2017-01-13 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 포토마스크 블랭크의 제조 방법 |
| JP5474129B2 (ja) * | 2012-05-24 | 2014-04-16 | 信越化学工業株式会社 | 半透明積層膜の設計方法およびフォトマスクブランクの製造方法 |
-
2013
- 2013-01-15 JP JP2013004370A patent/JP6005530B2/ja active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2014137388A5 (de) | ||
| JP2015092281A5 (de) | ||
| JP2016164683A5 (de) | ||
| BR112017017616A2 (pt) | pigmentos perolados baseados em substratos construídos monoliticamente, métodos para a produção dos mesmos e uso desses pigmentos perolados | |
| JP2015200883A5 (de) | ||
| JP2015191218A5 (de) | ||
| JP2016021075A5 (de) | ||
| MX2013007748A (es) | Sustrato provisto con una pila que tiene propiedades termicas, en particular para fabricar un cristal de calefaccion. | |
| JP2012078441A5 (de) | ||
| SG10201806936XA (en) | Mask blank, phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device | |
| JP2015102633A5 (de) | ||
| EP2568335A3 (de) | Photomaskenrohling, Photomaske und Herstellungsprozess dafür | |
| JP2009244752A5 (de) | ||
| JP2017049312A5 (de) | ||
| EP2983044A3 (de) | Halbtonphasenschieberfotomaskenrohling und herstellungsverfahren | |
| JP2011081356A5 (de) | ||
| JP2010231172A5 (de) | ||
| JP2018146945A5 (de) | ||
| JP2011164598A5 (de) | ||
| JP2015212826A5 (de) | ||
| EA201591585A1 (ru) | Подложка, покрытая низкоэмиссионным набором | |
| JP2016189002A5 (de) | ||
| JP2009084143A5 (de) | ||
| EA201590212A1 (ru) | Полупрозрачное остекление, содержащее по меньшей мере один узор, который предпочтительно является прозрачным | |
| MX2016015556A (es) | Pigmentos de efecto. |