JP2014115307A - レジスト除去装置 - Google Patents

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俊彦 野澤
Kyu Hyun Shim
揆鉉 沈
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Abstract

【課題】第1に、レジストの剥離性が大きく向上し、レジストが残り無く、確実に剥離,除去されると共に、第2に、しかもこれが簡単容易に、スペース面やコスト面に優れて実現される、レジスト除去装置を提案する。
【解決手段】このレジスト除去装置10は、電子回路基板の製造工程で使用される。すなわち、その製造工程中の現像工程の現像機や、剥離工程の剥離機として、使用される。そして、基板材Aについて、その外表面から所定のレジストを、剥離,除去する。もって、現像液や剥離液の処理液Bで満たされた浸漬槽11と、基板材Aを浸漬槽11内で液中E搬送するコンベア12と、浸漬槽11内に設けられた超音波振動子13とを、有している。超音波振動子13は、搬送される基板材Aに対峙すべく液中E配設されており、超音波の放射,伝達により、基板材Aの外表面から所定のレジストを剥離,除去する。
【選択図】図1

Description

本発明は、レジスト除去装置に関する。すなわち、電子回路基板の製造工程で使用され、基板材外表面からレジストを剥離,除去する、レジスト除去装置に関するものである。
《技術的背景》
電子回路基板は、小型軽量化,極薄化の進展がめざましく、形成される回路の微細化,高密度化も著しい。
そして、このような電子回路基板の製造方法、例えばサブトラクティブ法やセミアディティブ法の製造工程中では、基板材外表面からレジストの剥離,除去が行われる。
すなわち、基板材の外表面に塗布又は張り付けられた感光性のレジストについて、露光硬化部分以外の非硬化部分が現像工程により、露光硬化部分が剥離工程により、それぞれ剥離,除去される。
《従来技術》
図5は、この種従来例のレジスト除去装置の説明に供する。上述した現像工程では現像機が、剥離工程では剥離機が、それぞれレジスト除去装置1として使用される。そしてレジスト除去装置1では、処理室2内をコンベア3にて水平搬送される基板材Aに対し、現像液や剥離液等の処理液Bが、スプレーノズル4から噴射される。
もって、基板材Aの外表面から、非硬化部分のレジストC又は硬化部分のレジストC(後述する図6の(1)図,(2)図も参照)が、噴射された処理液Bの膨潤等により、剥離,除去されていた。
なお、図5の(1)図は、従来のレジスト除去装置1の代表例を示し、処理室2の雰囲気中Dで、上述したレジストCの剥離,除去が行われる。これに対し図5の(2)図は、最近のレジスト除去装置1の一例を示し、基板材Aの極薄化対策,噴射圧対策として、処理室2の浸漬槽5中つまり処理液Bの液中Eで、レジストCの剥離,除去が行われる。
なお両例共に、処理液Bは事後、処理室2の貯槽6に流下,回収,貯留された後、ポンプ7,フィルター(図示せず),配管8,スプレー管9等を経由し、スプレーノズル4へと循環供給され再使用される。
このような従来技術のレジスト除去装置としては、例えば、次の特許文献1,2に示されたものが挙げられる。
特開2002−68435号公報 特開平10−079565号公報
ところで、このような従来技術については、次の課題が指摘されていた。
《第1の問題点》
第1に、従来のレジスト除去装置1については、レジストCの剥離性に問題が指摘されていた。
すなわち、剥離,除去対象となるレジストC、つまり非硬化部分又は硬化部分のレジストCが、噴射される現像液又は剥離液の処理液Bにて、すべて確実に剥離,除去されず、剥離残滓,除去残りが発生する、という問題があった。
剥離,除去対象の薄膜状をなしていたレジストCについて、特に、隅のコーナー箇所や微細な狭小箇所のものが、剥れにくく,こびりついたままとなり易かった。レジストCが、微細剥離片に割れることなく、取り除かれずに残留してしまう、という指摘があった。
このように、レジスト除去装置1の本来的機能であるレジスト剥離性に、問題が指摘されており、回路の微細化,高密度化が著しい現在の状況下において、特に、問題が顕著化していた。
《第2の問題点》
第2に、このような問題を解決すべく、従来のレジスト除去装置1について、a時間,b圧力,c温度等を、工夫することも試みられていた。しかしながら、スペース面やコスト面に問題が指摘されると共に、根本的な問題解決には程遠かった。
すなわち、まずa.剥離,除去処理時間を、延長する試みが行われていた。しかしながら、この試みについては、レジスト除去装置1の全体長さが長大化し、使用台数が増加する等、スペース面や設置コスト面に大きな難点が存すると共に、剥離性向上にも限界が指摘されていた。
又b.スプレーノズル4による処理液Bの噴射圧を、上げる試みも行われていた(例えば使用圧力を、従来の0.2MPa程度を0.5MPa程度へ)。しかしながら、この試みも、その為の設備コスト負担や動力コスト負担等が嵩むと共に、剥離性向上も確実ではなかった。
更にc.処理液Bの温度を上げることも、試みられていた(例えば使用温度を、従来の40℃〜50℃程度から60℃〜70℃程度へ)。しかしながらこの試みも、ヒーター容量や電力コスト負担等の大幅上昇を招くと共に、剥離性向上も確実ではなかった。
《本発明について》
本発明のレジスト除去装置は、このような実情に鑑み、上記従来技術の課題を解決すべくなされたものである。
そして本発明は、第1に、レジストの剥離性が、大きく向上すると共に、第2に、これが簡単容易に実現される、レジスト除去装置を提案することを、目的とする。
《各請求項について》
このような課題を解決する本発明の技術的手段は、特許請求の範囲に記載したように、次のとおりである。
請求項1については、次のとおり。
請求項1のレジスト除去装置は、電子回路基板の製造工程で使用され、基板材について、その外表面からレジストを剥離,除去する。そして、処理液で満たされた浸漬槽と、該浸漬槽内で該基板材を液中搬送するコンベアと、該浸漬槽に設けられた超音波振動子とを、有していることを特徴とする。
請求項2については、次のとおり。
請求項2のレジスト除去装置では、請求項1において、該超音波振動子は、搬送される該基板材に対峙すべく液中配設されており、超音波により、該基板材の外表面からレジストを剥離,除去すること、を特徴とする。
請求項3については、次のとおり。
請求項3のレジスト除去装置では、請求項2において、該超音波振動子は、該基板材の搬送方向に沿い上下にそれぞれ配設され、該基板材の上面に超音波を伝達する上段の該超音波振動子と、下面に超音波を伝達する下段の該超音波振動子と、からなっている。
そして、上段の該超音波振動子と下段の該超音波振動子とは、上下で対峙することなく、搬送方向に沿って交互に配設されていること、を特徴とする。
請求項4については、次のとおり。
請求項4のレジスト除去装置では、請求項3において、更にスプレーノズルが、該浸漬槽内に液中配設されており、該スプレーノズルは、搬送される該基板材に対峙すべく、該基板材の搬送方向に沿い上下にそれぞれ配設されている。
もって該スプレーノズルは、該基板材の上面に該処理液を噴射する上段の該スプレーノズルと、下面に該処理液を噴射する下段の該スプレーノズルと、からなる。そして、該処理液の液中噴射により、該基板材の外表面からレジストを剥離,除去すること、を特徴とする。
請求項5については、次のとおり。
請求項5のレジスト除去装置では、請求項4において、上段の該スプレーノズルと下段の該スプレーノズルとは、上下で対峙することなく、搬送方向に沿って交互に配設されると共に、上段の該超音波振動子および下段の該超音波振動子に対しても、上下で対峙することなく、搬送方向に沿って交互に配設されていること、を特徴とする。
請求項6については、次のとおり。
請求項6のレジスト除去装置では、請求項1,2,3,4,又は5において、このように該超音波振動子を備えた該レジスト除去装置は、他のレジスト除去装置と併用される。
そして、該他のレジスト除去装置は、処理室内で該基板材を搬送するコンベアと、該処理室内に設けられたスプレーノズルとを、有している。該スプレーノズルは、搬送される該基板材に対峙すべく、該基板材の搬送方向に沿い上下にそれぞれ配設され、該処理液の噴射により、該基板材の外表面からレジストを剥離,除去すること、を特徴とする。
請求項7については、次のとおり。
請求項7のレジスト除去装置では、請求項6において、このような該他のレジスト除去装置は、該超音波振動子を備えた該レジスト除去装置の前後のいずれか一方又は双方に設けられている。
そして、該処理室内の雰囲気中で該基板材を搬送する該コンベアと、該雰囲気中に設けられ該処理液を空中噴射する該スプレーノズルとを、有していること、を特徴とする。
請求項8については、次のとおり。
請求項8のレジスト除去装置では、請求項1,2,3,4,又は5において、該レジスト除去装置は、電子回路基板のサブトラクティブ法やセミアディティブ法の製造工程中、現像工程や剥離工程で使用され、該処理液は、現像液や剥離液よりなること、を特徴とする。
請求項9については、次のとおり。
請求項9のレジスト除去装置では、請求項5において、該超音波振動子を備えた該レジスト除去装置のコンベアは、該基板材を挟んで水平搬送する上下のローラー群よりなる。そして該ローラー群は、該超音波振動子およびスプレーノズルが配設されたエリアには、配設されていないこと、を特徴とする。
《作用等について》
本発明は、このような手段よりなるので、次のようになる。
(1)電子回路基板の製造工程において、レジスト除去装置では、処理液で満たされた浸漬槽内を、基板材がコンベアにて液中搬送される。
(2)浸漬槽内には超音波振動子が、搬送される基板材に対峙して液中配設されており、超音波を照射,伝達する。
(3)伝達された超音波は、基板材外表面のレジストに対し、キャビテーション(発生する気泡の崩壊に伴う振動等のエネルギー)を、作用せしめる。
(4)これにより、所定の非硬化部分や硬化部分のレジストの剥離,除去が進行する。
(5)特に、浸漬槽内の処理液のレジストへの浸透が促進され、もってレジストの膨潤が促進されるので、処理液の化学作用も相俟って、レジストの剥離,除去が順調に進行する。
(6)すなわち、回路の微細化,高密度化が著しい基板材について、コーナー箇所,狭小箇所,割れ残り箇所,こびりつき箇所等のレジストが、残すことなくスムーズに剥離,除去される。
(7)そして、このようなレジストの剥離,除去は、レジスト除去装置の浸漬槽内で、処理液をスプレーノズルから基板材に噴射することにより、より確実かつ効果的に進行する。
(8)すなわち、処理液の噴射に基づき、処理液の浸透,レジストの膨潤,処理液の化学作用,処理液のスプレー圧等により、レジストの剥離,除去が進行するが、その際、浸透や膨潤が、キャビテーションにより一段と促進される。
(9)更に、このようなレジスト除去装置による剥離,除去は、他のレジスト除去装置との併用により、すなわち基板材への処理液のスプレーノズルからの噴射のみを行う他のレジスト除去装置と併用することにより、より一段と確実かつ効果的に進行するようになる。
レジスト除去装置の前後の一方又は双方に、他のレジスト除去装置を設けることにより、より確実であると共に効率的でコスト面にも優れた、レジストの剥離,除去が実現される。
(10)さてそこで、本発明のレジスト除去装置は、次の効果を発揮する。
《第1の効果》
第1に、レジストの剥離性が、大きく向上する。このレジスト除去装置では、超音波振動子を液中配設し、もって基板材からレジストを剥離,除去する。
すなわち、超音波の伝達に基づき、キャビテーション(発生気泡の崩壊に伴う振動等のエネルギー)を、基板材に作用せしめ、もって処理液の浸透そしてレジストの膨潤が、特に促進される。
そこで、剥離,除去対象であるレジストが、すべて隅々まで剥離,除去されるようになり、隅のコーナー箇所や微細な狭小箇所のレジストも、取り除かれずにこびりついたままとなることなく、確実に剥離,除去される。
前述したこの種従来技術のレジスト除去装置のように、レジストが割れ残ることなく残留してしまうことは、確実に回避され、剥離残滓,除去残りの発生は防止される。
このように、レジスト除去装置の本来的機能であるレジスト剥離性が、大きく向上するが、このような効果は、回路の微細化,高密度化が進む現状において、特に顕著に評価される。
《第2の効果》
第2に、しかもこれは、簡単容易に実現される。すなわち、このレジスト除去装置は、超音波振動子を液中配設する簡単な構成により、上述したレジスト剥離性の向上を、容易に実現する。
前述した従来技術のレジスト除去装置のように、a時間,b圧力,c温度等を工夫することにより、スペース面やコスト面に問題を生じることもない。すなわち、レジスト除去装置が長大化することもなく、設備負担,動力負担,ヒーター容量,電力負担等が、大幅に嵩むこともなく、実現可能である。
本発明のレジスト除去装置は、超音波振動子を追加的に導入したことにより、レジスト剥離性の向上が確実に実現されると共に、これを簡単容易に、スペース面やコスト面に優れて実現する。
このように、この種従来技術に存した課題がすべて解決される等、本発明の発揮する効果は、顕著にして大なるものがある。
本発明に係るレジスト除去装置について、発明を実施するための形態の説明に供し、側面説明図である。 同発明を実施するための形態の説明に供し、要部の側面説明図である。 同発明を実施するための形態の説明に供し、要部の斜視説明図である(なお、コンベアの図示は省略)。 同発明を実施するための形態の説明に供し、(1)図は、要部の正面断面図、(2)図は、他の要部の正面断面図である。 従来技術に係るレジスト除去装置の説明に供し、(1)図は、その一例の側面説明図、(2)図は、他の例の側面説明図である。 (1)図は、サブトラクティブ法の現像工程や剥離工程の説明に供し、模式図である。(2)図は、セミアディティブ法の現像工程や剥離工程の説明に供し、模式図である。(3)図は、電子回路基板の一例の説明に供し、要部の拡大平面図である。
以下、本発明を実施するための形態について、詳細に説明する。
《電子回路基板Fの製造工程について》
本発明のレジスト除去装置10は、電子回路基板Fの製造工程で使用される。そこでまず、前提となる電子回路基板Fの製造工程について、図6を参照して一般的に説明しておく。
プリント配線基板等の電子回路基板Fは、小型軽量化,極薄化,フレキシブル化、そして形成される回路Gの微細化,高密度化,多層化、等の進展が著しい。例えば、縦横500mm程度,板厚25μm〜100μm程度よりなると共に、回路幅15μm〜40μm程度,回路間スペース15μm〜40μm程度,回路高さ25μm〜35μm程度、更にはこれら以下の数値にまで、極薄化,微細化が進展している(図6の(3)図を参照)。
そして、このような電子回路基板Fの製造工程では、基板材Aの表裏外表面に塗布又は張り付けられた感光性のレジストC(液状硬化フォトレジスト又はドライフィルムレジスト)について、露光硬化部分以外の非硬化部分が現像工程により、露光硬化部分が剥離工程により、それぞれ剥離,除去される。
このような電子回路基板Fの製造工程としては、例えば、サブトラクティブ法(ウェットプロセス法)やセミアディティブ法が、代表的である。
サブトラクティブ法では(図6の(1)図を参照)、絶縁基材Hに銅箔Jが張り付けられた銅張り積層板よりなる基板材Aの外表面に、感光性のレジストCが、膜状に塗布又は張り付けられる。→それから、回路フィルムを当てて露光した後、→露光硬化部分以外の非硬化部分のレジストCを、現像により除去し、露出した銅箔Jをエッチングにより除去する。そして、露光硬化部分のレジストCを、剥離により除去することにより、→残った銅箔Jにて、回路Gが形成される。
セミアディティブ法では、絶縁基材Hよりなる基板材Aの外表面に、無電解銅メッキKが施される。→そして、感光性のレジストCが、膜状に塗布又は張り付けられる。→それから、回路フィルムを当てて露光した後、→露光硬化部分以外の非硬化部分のレジストCを、現像により除去し、→露出した無電解銅メッキK部分に対し、電解銅メッキが施されて、回路Gが形成される。残った露光硬化部分のレジストCは、剥離により除去され、露出した無電解銅メッキK部分は、クイックエッチングにより除去される。
そして、上述した現像工程の現像機では、例えば炭酸ナトリウム等の現像液が、処理液Bとして用いられ、剥離工程の剥離機では、例えば苛性ソーダ等の剥離液が、処理液Bとして用いられる。
電子回路基板Fの製造工程については、以上のとおり。
《本発明の概要》
以下、本発明のレジスト除去装置10について、図1〜図4を参照して説明する。まず、本発明の概要について述べる。
このレジスト除去装置10は、上述した電子回路基板Fの製造工程で使用される。製造工程中の現像工程の現像機や、剥離工程の剥離機として、使用される。
そして、基板材Aについて、その外表面から所定のレジストCを、剥離,除去する。もって、処理液Bで満たされた浸漬槽11と、基板材Aを浸漬槽11内で液中E搬送するコンベア12と、浸漬槽11に設けられた超音波振動子13とを、有している。
超音波振動子13は、代表的には、搬送される基板材Aに対峙すべく液中E配設されており、超音波により、基板材Aの外表面からレジストCを剥離,除去する。
本発明の概要については、以上のとおり。以下、このようなレジスト除去装置1について、詳述する。
《超音波振動子13について》
まず、このレジスト除去装置1で採用される超音波振動子13について、説明する。
超音波振動子13は、図2中に示したように、超音波発振器13’に接続されている。そして、浸漬槽11等の処理室14外に設置された超音波発振器13’にて超音波が発振され、励振コイルが駆動されて電気振動することにより、浸漬槽11内に設けられた超音波振動子13が、超音波を照射する。
この超音波は、周波数が30kHz〜120kHz程度よりなり、この値未満では効果が低下すると共に、この値を越えると、基板材Aを損傷する虞が発生する。出力は、600W〜1,200W程度の可変式よりなる。
そして、伝達された超音波は、処理液Bの液中Eにおいて、照射,伝達対象である基板材A、そしてレジストCの被膜,剥離残滓,除去残り等に対し、公知のキャビテーションcavitationを作用せしめる。
すなわち、超音波をレジストCに伝達することにより、→無数の微細気泡が発生して、成長すると共に崩壊,破裂し、→このような崩壊,破裂に伴い、その内部エネルギーが外部に伝達され、→もって、振動等の衝撃エネルギーとして、レジストCに作用し、→レジストCに破砕力を加える。
そして、このようなキャビテーションの作用により、所定のレジストCの基板材Aからの剥離,除去が進行する。基板材Aの表裏外表面に塗布又は張り付けられていたレジストC、つまり所定の非硬化部分や硬化部分のレジストCについて、その剥離,除去が、キャビテーションの作用に基づき進行する。
特に、処理液BのレジストCへの浸透が促進され、もって処理液BによるレジストCの膨潤swellingが促進されることにより、処理液Bの化学作用も相俟って、レジストCの剥離,除去が進行する。すなわち、超音波によるキャビテーションの物理作用と、処理液Bによる膨潤や化学作用との相乗効果により、剥離,除去が確実かつ効果的に進行する。
なお、膨潤によるレジストCの剥離,除去は、知られている。すなわち、レジストCが、処理液Bを吸収した結果、体積が増大し軟化することに基づき、剥離,除去されることは、公知事実である。
超音波振動子13については、以上のとおり。
《レジスト除去装置10の構成について》
レジスト除去装置10は、このような超音波振動子13を、図1〜図4に示したように、処理室14の浸漬槽11内の液中Eに設けてなり、浸漬槽11は、処理液Bで満たされると共に、基板材Aがコンベア12にて水平搬送される。
このようなレジスト除去装置10の構成について、更に詳述する。まず超音波振動子13は、基板材Aの搬送方向Lに沿い、上下にそれぞれ複数配設されている。すなわち、搬送される基板材Aの上面に対峙して超音波を伝達する上段の超音波振動子13と、下面に対峙して超音波を伝達する下段の超音波振動子13と、からなっている(図1,図2,図3を参照)。
上段の超音波振動子13と下段の超音波振動子13とは、上下で対峙することなく、搬送方向Lに沿って交互に配設されている。配設台数は、図示例では上下それぞれ2台となっているが、上下それぞれ1台〜10台の範囲で、適宜選択配設される。超音波振動子13の寸法は、縦(搬送方向L)・横(左右方向M)・高さ(上下方向)が、例えば、50mm・600mm・80mm程度よりなる。
浸漬槽11は、レジスト除去装置10の処理室14の上部に、設けられている(図1を参照)。浸漬槽11内の処理液Bは、基板材Aの処理後、オーバーフローして、処理室14の下部の貯槽15に流下,回収されて、一旦貯留される。
そして事後、ポンプ16,フィルター(図示せず),配管17等を介し、浸漬槽11へと循環供給されて、再使用される。図示例では、後述するように浸漬槽11内にスプレーノズル18が配設されているので、処理液Bは、貯槽15からスプレーノズル18へと循環供給,再使用される。
コンベア12は、浸漬槽11の処理液B内に配設されている。そして浸漬槽11内で、基板材Aを前後の搬送方向Lに、液中Eを水平搬送する。このようなコンベア12は、基板材Aを挟んで搬送する上下のローラー群19よりなり、多数のストレートローラー又はホイールローラー(図4を参照)が、使用される。
なお、このコンベア12のローラー群19は、超音波振動子13やスプレーノズル18が配設されたエリアには、配設されていない(図1,図2を参照)。
レジスト除去装置10の構成については、以上のとおり。
《スプレーノズル18について》
さて、図示のレジスト除去装置10では、図1〜図4に示したように、更にスプレーノズル18が、浸漬槽11内の液中E中に配設されている。
このスプレーノズル18は、搬送される基板材Aに対峙すべく、基板材Aの搬送方向Lに沿い、上下にそれぞれ複数配設されている。このように、超音波振動子13と共に、スプレーノズル18を使用することにより、レジストCの剥離,除去の確実化が図られている。
このようなスプレーノズル18について、更に詳述する。スプレーノズル18は、基板材Aの上面に処理液Bを噴射する上段のスプレーノズル18と、下面に処理液Bを噴射する下段のスプレーノズル18と、からなっており(図1,図2,図3を参照)、処理液Bの液中噴射により、基板材Aの外表面からレジストCを剥離,除去する。
すなわち、搬送される基板材Aの表裏外表面に噴射された処理液Bは、基板材Aに塗布又は張り付けられていた所定のレジストC、つまり非硬化部分や硬化部分のレジストCに、浸透する。そして、膨潤,化学作用,スプレー圧等により、所定のレジストCを剥離,除去する。
又、上段のスプレーノズル18と下段のスプレーノズル18とは、上下で対峙することなく、搬送方向Lに沿って交互に配設されると共に、前述した上段の超音波振動子13および下段の超音波振動子13に対しても、上下で対峙することなく、搬送方向Lに沿って交互に配設されている(図1,図2,図3を参照)。
すなわち配設順序として、図示例では、下段のスプレーノズル18,下段の超音波振動子13,上段のスプレーノズル18,上段の超音波振動子13の順に配設されると共に、このような互い違い配設が繰り返されている。勿論、図示例とは逆に、上段のスプレーノズル18,上段の超音波振動子13,下段のスプレーノズル18,下段の超音波振動子13の順に配設し、このような互い違い配設を繰り返すようにしてもよい。
いずれにしても、上段および下段においては、それぞれ、先にスプレーノズル18、後に超音波振動子13の順となっている。
なおスプレーノズル18は、処理液Bの配管17から分岐されたスプレー管20に複数列設されており、前後の搬送方向Lと左右方向Mとについて、それぞれ、複数列設されている(図3,図4の(1)図を参照)。
レジスト除去装置10のスプレーノズル18については、以上のとおり。
《他のレジスト除去装置21の併用について》
次に、図1を参照して、他のレジスト除去装置21の併用について、説明する。上述したように超音波振動子13を備えたレジスト除去装置10は、図1に示した例では、他のレジスト除去装置21と併用されている。そして、他のレジスト除去装置21は、処理室2内で基板材Aを搬送するコンベア3と、処理室2内に設けられたスプレーノズル4とを、有している。
このスプレーノズル4は、搬送される基板材Aに対峙すべく、基板材Aの搬送方向Lに沿い上下にそれぞれ配設されており、処理液Aの噴射により、基板材Aの外表面からレジストCを剥離,除去する。
このような他のレジスト除去装置21との併用,組み合わせについて、更に詳述する。まず、他のレジスト除去装置21の構成については、前述した従来技術のレジスト除去装置1(図5を参照)の構成に準じるので、同符号を付してその説明は省略する。
すなわち、他のレジスト除去装置21は、レジスト除去装置10のように、超音波振動子13は設けられておらず、前後の搬送方向Lおよび左右方向Mにそれぞれ列設されたスプレーノズル4からの処理液Bの噴射のみにて、レジストCの剥離,除去を実施する。つまり、他のレジスト除去装置21では、膨潤,化学作用,スプレー圧等のみによって、レジストCの剥離,除去が行われるようになっている。
そして、このような他のレジスト除去装置21は、超音波振動子13を備えたレジスト除去装置10の前後のいずれか一方、又は図示のように双方に設けられる。
又、図示した他のレジスト除去装置21では、処理室2内の雰囲気中Dで基板材Aを搬送するコンベア3と、雰囲気中Dに設けれ処理液Bを空中噴射するスプレーノズル4とを、備えている(前述した図5の(1)図の従来技術のレジスト除去装置1に、準じた構成よりなる)。
超音波振動子13を備えたレジスト除去装置10は、このように、他のレジスト除去装置21と併用することにより、レジストCの剥離,除去の一段の確実化が、図られるようになる。
まず、レジスト除去装置10の前段階に、他のレジスト除去装置21を設けたことにより、膜状をなしていた剥離,除去対象のレジストCが、基板材Aから、大まかに剥離,除去される。すなわち、レジストCについて、まず細部を残し、全体的に粗い剥離,除去が実施される。スプレーノズル4のみを使用する他のレジスト除去装置21は、このような剥離,除去にコスト的にも適している。
次に、それからレジスト除去装置10により、細部に特化した剥離,除去が実施される。コーナー箇所,狭小箇所,割れ残り箇所,こびりつき箇所等のレジストCについて、特化した隔離,除去が実施される。
それから、レジスト除去装置10の後段階に、更に、他のレジスト除去装置21を設けることにより、それでも剥離残り,除去残りとなっていたレジストCが、基板材Aから残す所なく徹底的に剥離,除去される。
すなわち、この後段階の他のレジスト除去装置21では、その前段階のレジスト除去装置10にて、コーナー箇所,狭小箇所,割れ残り箇所,こびりつき箇所等について、ほぼ剥離,除去が進行したものの、それでも残留していた微細なレジストCを対象に、レジスト除去装置10とは異なった手段により、これらを剥離,除去する。スプレーノズル4のみを使用する他のレジスト除去装置21は、このような剥離,除去にコスト的にも適している。
なお、このような後段階の他のレジスト除去装置21では、上述した機能に鑑み、噴射される処理液Bの粒子径が、前段階の他のレジスト除去装置21やレジスト除去装置10のものより、小さくなるスプレーノズル4が使用される。すなわち、平均粒子径が10μm〜150μm程度、代表的には20μm〜30μm程度となるスプレーノズル4が、使用される。例えば、処理液Bとエアーとを混合して噴射する2流体ノズルが、使用される。
他のレジスト除去装置21の併用については、以上のとおり。
《作用等》
本発明のレジスト除去装置10は、以上説明したように構成されている。そこで、その作用等は以下のようになる。
(1)電子回路基板Fの製造工程において、現像機や剥離機等のレジスト除去装置10では、その処理室14の浸漬槽11内を、基板材Aが液中E搬送される(図1,図2を参照)。すなわち基板材Aは、現像液や剥離液等の処理液Bで満たされた浸漬槽11内を、コンベア12にて水平搬送される。
(2)そして浸漬槽11内には、超音波振動子13が、搬送される基板材Aに対峙すべく、液中Eに配設されている(図1〜図4を参照)。そして超音波振動子13は、基板材Aに対し、超音波を照射,伝達する。
(3)伝達された超音波は、基板材Aの表裏外表面のレジストCに対し、キャビテーションを作用させる。すなわち、発生する気泡の崩壊に伴い、振動等の衝撃エネルギーをレジストCに作用させ、レジストCに破砕力を加える。
(4)これにより、レジストCの基板材Aからの剥離,除去が進行する。すなわち、基板材Aの外表面について、所定の非硬化部分や硬化部分のレジストCの剥離,除去が、キャビテーションに基づき進行する。
(5)特に、浸漬槽11内の現像液や剥離液よりなる処理液Bについて、レジストCへの浸透が促進される。破砕力が加えられたレジストCは、処理液Bが浸透しやすくなる。
もって、処理液BによるレジストCの膨潤が促進され、処理液Bの化学作用も相俟って、レジストCの基板材Aからの剥離,除去が順調に進行する。
(6)すなわち、形成される回路Gの微細化,高密度化が著しい基板材Aについて、コーナー箇所,狭小箇所,割れ残り箇所,こびりつき箇所等のレジストCが、残すことなくスムーズに剥離,除去されるようになる。
(7)そして、このようなレジストCの剥離,除去は、レジスト除去装置10の浸漬槽11内で、処理液Bをスプレーノズル18から基板材Aに噴射することにより、確実かつ効果的に進行するようになる(図1〜図4を参照)。
(8)すなわち、スプレーノズル18から処理液Bが噴射されることにより、レジストCは、処理液Bの浸透により膨潤が進行し、処理液Bの化学作用やスプレー圧も相俟って、基板材Aからの剥離,除去が進行する。
そしてその際、このような処理液Bの浸透そして膨潤が、超音波によるキャビテーション,気泡崩壊,衝撃エネルギー,破壊力により、一段と促進されるようになる。
(9)そして更に、このようなレジスト除去装置10を、他のレジスト除去装置21と併用すると、レジストCの剥離,除去が、より一段と確実かつ効果的に、進行するようにになる(図1を参照)。
すなわち、スプレーノズル4による処理液B噴射のみに基づきレジストC剥離,除去を行う他のレジスト除去装置21を、レジスト除去装置10の前後の一方又は双方に設けることにより、つまりそれぞれの装置の特長を生かした役割分担により、より効率的でコスト面にも優れたレジストCの剥離,除去が実現される。
例えば、まず前段階の他のレジスト除去装置21により、膜状をなしているレジストCについて、大まかな剥離,除去を行う。→次に、レジスト除去装置10により、細部に残留したレジストCを対象として、特化した剥離,除去を行う。→それから、後段階の他のレジスト除去装置21により、それでも残ったレジストCを対象として、微細な剥離,除去を行うようにすることが、考えられる。
本発明の作用等については、以上のとおり。
1 レジスト除去装置1(従来例)
2 処理室
3 コンベア
4 スプレーノズル
5 浸漬槽
6 貯槽
7 ポンプ
8 配管
9 スプレー管
10 レジスト除去装置(本発明)
11 浸漬槽
12 コンベア
13 超音波振動子
13’超音波発信器
14 処理室
15 貯槽
16 ポンプ
17 配管
18 スプレーノズル
19 ローラー群
20 スプレー管
21 他のレジスト除去装置
A 基板材
B 処理液
C レジスト
D 雰囲気中
E 液中
F 電子回路基板
G 回路
H 絶縁基材
J 銅箔
K 無電解銅メッキ
L 搬送方向
M 左右方向

Claims (9)

  1. 電子回路基板の製造工程で使用され、基板材について、その外表面からレジストを剥離,除去するレジスト除去装置であって、
    処理液で満たされた浸漬槽と、該浸漬槽内で該基板材を液中搬送するコンベアと、該浸漬槽に設けられた超音波振動子とを、有していること、を特徴とするレジスト除去装置。
  2. 請求項1において、該超音波振動子は、搬送される該基板材に対峙すべく液中配設されており、超音波により、該基板材の外表面からレジストを剥離,除去すること、を特徴とするレジスト除去装置。
  3. 請求項2において、該超音波振動子は、該基板材の搬送方向に沿い上下にそれぞれ配設され、該基板材の上面に超音波を伝達する上段の該超音波振動子と、下面に超音波を伝達する下段の該超音波振動子と、からなっており、
    上段の該超音波振動子と下段の該超音波振動子とは、上下で対峙することなく、搬送方向に沿って交互に配設されていること、を特徴とするレジスト除去装置。
  4. 請求項3において、更にスプレーノズルが、該浸漬槽内に液中配設されており、該スプレーノズルは、搬送される該基板材に対峙すべく、該基板材の搬送方向に沿い上下にそれぞれ配設されており、
    もって該スプレーノズルは、該基板材の上面に該処理液を噴射する上段の該スプレーノズルと、下面に該処理液を噴射する下段の該スプレーノズルと、からなり、該処理液の液中噴射により、該基板材の外表面からレジストを剥離,除去すること、を特徴とするレジスト除去装置。
  5. 請求項4において、上段の該スプレーノズルと下段の該スプレーノズルとは、上下で対峙することなく、搬送方向に沿って交互に配設されると共に、
    上段の該超音波振動子および下段の該超音波振動子に対しても、上下で対峙することなく、搬送方向に沿って交互に配設されていること、を特徴とするレジスト除去装置。
  6. 請求項1,2,3,4,又は5において、このように該超音波振動子を備えた該レジスト除去装置は、他のレジスト除去装置と併用されており、
    該他のレジスト除去装置は、処理室内で該基板材を搬送するコンベアと、該処理室内に設けられたスプレーノズルとを、有しており、
    該スプレーノズルは、搬送される該基板材に対峙すべく、該基板材の搬送方向に沿い上下にそれぞれ配設され、該処理液の噴射により、該基板材の外表面からレジストを剥離,除去すること、を特徴とするレジスト除去装置。
  7. 請求項6において、このような該他のレジスト除去装置は、該超音波振動子を備えた該レジスト除去装置の前後のいずれか一方又は双方に設けられており、
    該処理室内の雰囲気中で該基板材を搬送する該コンベアと、該雰囲気中に設けられ該処理液を空中噴射する該スプレーノズルとを、有していること、を特徴とするレジスト除去装置。
  8. 請求項1,2,3,4又は5において、該レジスト除去装置は、電子回路基板のサブトラクティブ法やセミアディティブ法の製造工程中、現像工程や剥離工程で使用され、該処理液は、現像液や剥離液よりなること、を特徴とするレジスト除去装置。
  9. 請求項5において、該超音波振動子を備えた該レジスト除去装置のコンベアは、該基板材を挟んで水平搬送する上下のローラー群よりなると共に、
    該ローラー群は、該超音波振動子およびスプレーノズルが配設されたエリアには、配設されていないこと、を特徴とするレジスト除去装置。
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