JP2014112081A - 基板検査装置および基板検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板内に内蔵されたコンデンサに接続不良等が生じているか否かを確実に検査する。
【解決手段】各内部電極３２ａ，３２ｂの電極面に対向配置されたプローブ４ｃ、接続用パターン２２および接続用パターン２３のうちのいずれか２つを基準電位に接続すると共に基準電位に接続していない１つに交流信号を印加した状態において電気的パラメータを測定する測定処理Ａと、測定処理Ａにおいて基準電位に接続した２つのうちの一方を基準電位から切り離すと共に測定処理Ａにおいて基準電位に接続していない１つに交流信号を印加した状態において電気的パラメータを測定する測定処理Ｂとを、基準電位に接続する対象および交流信号を印加する対象を切り替えて実行し、各測定処理の測定結果と検査用基準データとに基づいて不良が生じているか否かを判別する。
【選択図】図２

Description

本発明は、検査対象基板を電気的に検査する基板検査装置および基板検査方法に関するものである。

この種の基板検査装置および基板検査方法として、出願人は、特開平７−１０４０２６号公報にインサーキットテスタおよび半田付け不良検出方法（基板検査方法）を開示している。このインサーキットテスタは、被検査基板に表面実装されたフラットパッケージＩＣ等（以下、「電子部品」ともいう）のリードと、そのリードが接続されているべきパターンとの間に半田付け不良（接続不良）が生じているか否かを検査可能に構成された基板検査装置であって、被検査基板を載置可能な測定台と、４本の測定プローブと、各測定プローブを別個独立して任意のＸ−Ｙ方向に移動させる４台のＸ−Ｙユニットと、各測定プローブが接続された抵抗測定回路とを備えて構成されている。

このインサーキットテスタによる被検査基板の検査に際しては、まず、抵抗測定回路の＋ソース端子に接続されている測定プローブ、および抵抗測定回路の＋センス端子に接続されている測定プローブの２本を、被検査基板に実装されている電子部品のリードにおける肩部や先端部等にそれぞれプロービングさせる。また、抵抗測定回路の−センス端子に接続されている測定プローブ、および抵抗測定回路の−ソース端子に接続されている測定プローブの２本を、上記の２本の測定プローブをプロービングしたリードが接続されているべきパターンにそれぞれプロービングさせる。次いで、両ソース端子の間に定電流を供給し、その状態において両センス端子の間に生じる電圧の電圧値を測定すると共に、供給した定電流の電流値と測定した電圧値とに基づき、電子部品のリードとパターンとの間の抵抗値を算出する（４端子法による抵抗値の測定処理）。

この際に、パターンに対してリードが正常に半田付けされている場合には、予め規定されたしきい値以下の抵抗値が算出される。したがって、しきい値以下の抵抗値が算出されたときには、２本の測定プローブをプロービングさせたパターンに対して他の２本の測定プローブをプロービングさせたリードが正常に半田付けされていると判定する。一方、パターンに対してリードが不完全な状態で半田付けされている場合には、しきい値を超えて大きな値の抵抗値が算出される。また、パターンからリードが完全に離間している場合（未接続状態の場合）には、算出される抵抗値の値が無限大となる。したがって、しきい値を超えて大きな値（無限大を含む）の抵抗値が算出されたときには、パターンに対してリードが正常に半田付けされていないと判定する。この後、他のリードとパターンとの間についても上記の一連の処理と同様の手順で抵抗値を測定してしきい値と比較することにより、被検査基板上の各部に半田付け不良が生じているか否を検査する。

特開平７−１０４０２６号公報（第３−５頁、第１−１０図）

ところが、出願人が開示しているインサーキットテスタおよびその基板検査方法には、以下の改善すべき課題が存在する。すなわち、出願人が開示しているインサーキットテスタ（基板検査方法）では、電子部品のリードとパターンとの間の抵抗値を順次測定することにより、半田付け不良が生じているか否かを検査する構成（方法）が採用されている。この場合、この種の基板検査装置および基板検査方法の対象である検査対象基板のなかには、表面実装された電子部品だけでなく、多層基板における内層に実装された（内蔵された）電子部品を有するものが存在する。特に、その内部構造が簡易であることで小型化および薄形化が容易な積層コンデンサについては、基板表面に他の電子部品の実装スペースを確保するために、基板内に内蔵されることが多くなっている。

この場合、出願人が開示しているインサーキットテスタ（基板検査方法）では、半田付け不良の有無を検査するために、検査対象のコンデンサにおける外部電極、およびその外部電極が接続されているべき接続用パターンの双方にそれぞれ一対の測定プローブを接触させる必要がある。しかしながら、出願人が開示しているインサーキットテスタ（基板検査方法）では、基板内に内蔵されているコンデンサの外部電極に測定プローブを接触させることができないため、外部電極と接続用パターンとの間に接続不良が生じているか否かの検査が困難となっている。このため、この点を改善するのが好ましい。

本発明は、かかる改善すべき課題に鑑みてなされたものであり、基板内に内蔵されたコンデンサに接続不良等が生じているか否かを確実に検査し得る基板検査装置および基板検査方法を提供することを主目的とする。

上記目的を達成すべく請求項１記載の基板検査装置は、一対の外部電極にそれぞれ複数の内部電極が接続された積層コンデンサが内蔵されると共に、当該両外部電極の一方が第１接続用パターンに接続され、かつ当該両外部電極の他方が第２接続用パターンに接続されている検査対象基板に対して、当該第１接続用パターンに対する当該一方の外部電極の接続不良、当該第２接続用パターンに対する当該他方の外部電極の接続不良、当該第１接続用パターンの断線、当該第２接続用パターンの断線、および当該積層コンデンサの破損のいずれかの不良が生じているか否かを電気的に検査可能に構成された基板検査装置であって、前記各内部電極の電極面に対向配置された導体、前記第１接続用パターンおよび前記第２接続用パターンのうちのいずれか２つを基準電位に接続すると共に当該基準電位に接続していない１つに交流信号を印加した状態において電気的パラメータを測定する測定処理Ａと、当該測定処理Ａにおいて前記基準電位に接続した前記２つのうちの一方を当該基準電位から切り離すと共に当該測定処理Ａにおいて当該基準電位に接続していない１つに前記交流信号を印加した状態において前記電気的パラメータを測定する測定処理Ｂとを、前記基準電位に接続する対象および前記交流信号を印加する対象を切り替えて実行する測定部、並びに、前記測定部を制御して前記各測定処理を実行させると共に当該各測定処理の測定結果と検査用基準データとに基づいて前記不良が生じているか否かを判別する処理部を備えている。

また、請求項２記載の基板検査装置は、請求項１記載の基板検査装置において、前記測定部は、前記導体と前記第１接続用パターンとのいずれか一方を前記基準電位に接続し、かつ前記第２接続用パターンを前記基準電位に接続すると共に、当該導体と当該第１接続用パターンとの他方に前記交流信号を印加した状態において当該他方から当該いずれか一方に流れる電流に応じて変化する前記電気的パラメータを測定する第１測定処理と、前記導体と前記第１接続用パターンとのいずれか一方を前記基準電位に接続し、かつ前記第２接続用パターンを前記基準電位から切り離すと共に、当該導体と当該第１接続用パターンとの他方に前記交流信号を印加した状態において当該他方から当該いずれか一方に流れる電流に応じて変化する前記電気的パラメータを測定する第２測定処理と、前記導体と前記第２接続用パターンとのいずれか一方を前記基準電位に接続し、かつ前記第１接続用パターンを前記基準電位に接続すると共に、当該導体と当該第２接続用パターンとの他方に前記交流信号を印加した状態において当該他方から当該いずれか一方に流れる電流に応じて変化する前記電気的パラメータを測定する第３測定処理と、前記導体と前記第２接続用パターンとのいずれか一方を前記基準電位に接続し、かつ前記第１接続用パターンを前記基準電位から切り離すと共に、当該導体と当該第２接続用パターンとの他方に前記交流信号を印加した状態において当該他方から当該いずれか一方に流れる電流に応じて変化する前記電気的パラメータを測定する第４測定処理との４つの測定処理を実行可能に構成されると共に、前記処理部の制御に従い、前記第１測定処理および前記第３測定処理を前記測定処理Ａとして実行し、かつ前記第２測定処理および前記第４測定処理を前記測定処理Ｂとして実行する。

さらに、請求項３記載の基板検査装置は、請求項２記載の基板検査装置において、前記処理部は、前記第１測定処理および前記第３測定処理のいずれか一方の測定結果だけが予め規定された基準範囲から外れ、かつ他の３つの前記測定処理の測定結果が当該基準範囲内のときに前記不良が生じていないと判別すると共に、前記各測定処理のうちの２つの当該測定処理の測定結果が前記基準範囲から外れ、かつ他の２つの当該測定処理の測定結果が当該基準範囲内のとき、および当該各測定処理のすべての測定結果が当該基準範囲から外れているときに前記不良が生じていると判別する。

また、請求項４記載の基板検査装置は、請求項１から３のいずれかに記載の基板検査装置において、前記第１接続用パターンに接続される第１プローブと、前記第２接続用パターンに接続される第２プローブと、前記処理部の制御に従って前記第１プローブおよび前記基準電位を接断する第１スイッチと、前記処理部の制御に従って前記第２プローブおよび前記基準電位を接断する第２スイッチとを備えている。

さらに、請求項５記載の基板検査装置は、請求項１から４のいずれかに記載の基板検査装置において、前記導体としての電極と、前記処理部の制御に従って前記各内部電極の前記電極面に対向する位置に前記電極を移動させる移動機構とを備えている。

また、請求項６記載の基板検査方法は、一対の外部電極にそれぞれ複数の内部電極が接続された積層コンデンサが内蔵されると共に、当該両外部電極の一方が第１接続用パターンに接続され、かつ当該両外部電極の他方が第２接続用パターンに接続されている検査対象基板に対して、当該第１接続用パターンに対する当該一方の外部電極の接続不良、当該第２接続用パターンに対する当該他方の外部電極の接続不良、当該第１接続用パターンの断線、当該第２接続用パターンの断線、および当該積層コンデンサの破損のいずれかの不良が生じているか否かを電気的に検査する基板検査方法であって、前記各内部電極の電極面に対向配置された導体、前記第１接続用パターンおよび前記第２接続用パターンのうちのいずれか２つを基準電位に接続すると共に当該基準電位に接続していない１つに交流信号を印加した状態において電気的パラメータを測定する測定処理Ａと、当該測定処理Ａにおいて前記基準電位に接続した前記２つのうちの一方を当該基準電位から切り離すと共に当該測定処理Ａにおいて当該基準電位に接続していない１つに前記交流信号を印加した状態において前記電気的パラメータを測定する測定処理Ｂとを、前記基準電位に接続する対象および前記交流信号を印加する対象を切り替えて実行すると共に当該各測定処理の測定結果と検査用基準データとに基づいて前記不良が生じているか否かを判別する。

また、請求項７記載の基板検査方法は、請求項６記載の基板検査方法において、前記導体と前記第１接続用パターンとのいずれか一方を前記基準電位に接続し、かつ前記第２接続用パターンを前記基準電位に接続すると共に、当該導体と当該第１接続用パターンとの他方に前記交流信号を印加した状態において当該他方から当該いずれか一方に流れる電流に応じて変化する前記電気的パラメータを測定する第１測定処理と、前記導体と前記第１接続用パターンとのいずれか一方を前記基準電位に接続し、かつ前記第２接続用パターンを前記基準電位から切り離すと共に、当該導体と当該第１接続用パターンとの他方に前記交流信号を印加した状態において当該他方から当該いずれか一方に流れる電流に応じて変化する前記電気的パラメータを測定する第２測定処理と、前記導体と前記第２接続用パターンとのいずれか一方を前記基準電位に接続し、かつ前記第１接続用パターンを前記基準電位に接続すると共に、当該導体と当該第２接続用パターンとの他方に前記交流信号を印加した状態において当該他方から当該いずれか一方に流れる電流に応じて変化する前記電気的パラメータを測定する第３測定処理と、前記導体と前記第２接続用パターンとのいずれか一方を前記基準電位に接続し、かつ前記第１接続用パターンを前記基準電位から切り離すと共に、当該導体と当該第２接続用パターンとの他方に前記交流信号を印加した状態において当該他方から当該いずれか一方に流れる電流に応じて変化する前記電気的パラメータを測定する第４測定処理との４つの測定処理における前記第１測定処理および前記第３測定処理を前記測定処理Ａとして実行し、かつ前記第２測定処理および前記第４測定処理を前記測定処理Ｂとして実行する。

請求項１記載の基板検査装置、および請求項６記載の基板検査方法では、基準電位に接続する対象および交流信号を印加する対象を切り替えて測定処理Ａ，Ｂを実行し、各測定処理の測定結果と検査用基準データとに基づいて不良が生じているか否かを判別する。この場合、請求項２記載の基板検査装置、および請求項７記載の基板検査方法では、第１測定処理および第３測定処理を測定処理Ａとして実行すると共に、第２測定処理および第４測定処理を測定処理Ｂとして実行する。したがって、一方の外部電極および第１接続用パターンの間の不良等が存在するときには、他方の外部電極および第２接続用パターンの間の不良等が存在するか否かに拘わらず、第１測定処理および第２測定処理のいずれにおいても測定される電気的パラメータが基準範囲を外れ、他方の外部電極および第２接続用パターンの間の不良等が存在するときには、一方の外部電極および第１接続用パターンの間の不良等が存在するか否かに拘わらず、第３測定処理および第４測定処理のいずれにおいても測定される電気的パラメータが基準範囲を外れ、一方の外部電極および第１接続用パターンの間の不良、および他方の外部電極および第２接続用パターンの間の不良等が存在しないときには、第１測定処理および第３測定処理のいずれか一方だけにおいて測定される電気的パラメータが基準範囲を外れるため、両外部電極にプローブ等を直接接続することができない内蔵の積層コンデンサを有する検査対象基板について、各測定処理毎の測定結果に基づき、不良が存在するか否かを確実に検査することができる。

また、請求項３記載の基板検査装置によれば、第１測定処理および第３測定処理のいずれか一方の測定結果だけが基準範囲から外れているときに不良が生じていないと判別すると共に、各測定処理のうちの２つの測定処理の測定結果が基準範囲から外れているとき、および各測定処理のすべての測定結果が基準範囲から外れているときに不良が生じていると判別することにより、検査対象基板に実装されている積層コンデンサの容量、およびその実装状態に応じて基準範囲を規定しておくことで、各測定処理の検査結果に基づき、不良が存在するか否かを短時間で容易に判別することができる。

また、請求項４記載の基板検査装置によれば、第１プローブ、第２プローブ、第１スイッチおよび第２スイッチを備えたことにより、例えば、第１プローブや第２プローブを第１接続用パターンや第２接続用パターンにプロービングさせたり、第１接続用パターンや第２接続用パターンから離間させたりすることで基準電位に対して接断する構成とは異なり、第１プローブや第２プローブを第１接続用パターンや第２接続用パターンに接続したままの状態において、第１スイッチや第２スイッチによって第１プローブや第２プローブを基準電位に対して接断することができるため、検査対象基板の検査に要する時間を充分に短縮することができる。

さらに、請求項５記載の基板検査装置によれば、導体としての電極、およびこの電極を移動させる移動機構を備えたことにより、導体として使用可能な導体パターン等が存在しない検査対象基板についても、電極を導体として使用して確実に検査することができる。

基板検査装置１の構成を示す構成図である。 検査対象基板２０におけるコンデンサ２１および接続用パターン２２ａ，２２ｂ，２３とプローブ４ａ〜４ｃとの接続態様について説明するための説明図である。 図２に示す状態の検査対象基板２０を対象とする各測定処理の測定結果と、接続不良Ｘａ，Ｘｂの有無との関係について説明するための説明図である。 検査対象基板２０における他のコンデンサ２１および接続用パターン２２ａ，２２ｂ，２３とプローブ４ａ〜４ｃとの接続態様について説明するための説明図である。 図４に示す状態の検査対象基板２０を対象とする各測定処理の測定結果と、接続不良Ｘａ，Ｘｂの有無との関係について説明するための説明図である。 検査対象基板２０における接続用パターン２２ａ，２２ｂ，２３に生じた断線Ｘｃ、およびコンデンサ２１に生じたクラックＸｄについて説明するための説明図である。 検査対象基板２０におけるさらに他のコンデンサ２１、接続用パターン２２ａ，２２ｂ，２３および導体パターン２４とプローブ４ａ，４ｂ，４ｄとの接続態様について説明するための説明図である。

以下、本発明に係る基板検査装置および基板検査方法の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。

図１に示す基板検査装置１は、「基板検査装置」の一例であって、基板保持部２、移動機構３ａ〜３ｃ、プローブ４ａ〜４ｃ、スイッチ５ａ，５ｂ、測定部６、操作部７、表示部８、制御部９および記憶部１０を備え、後述する「基板検査方法」に従って検査対象基板２０を電気的に検査可能に構成されている。

この場合、検査対象基板２０は、「検査対象基板」の一例である多層基板であって、一例として、コンデンサ２１ａ〜２１ｃの３つ（以下、区別しないときには「コンデンサ２１」ともいう）が内蔵されている。なお、図１、および後に参照する図２，４，６，７では、コンデンサ２１以外の電子部品（実装部品）についての図示を省略している。また、コンデンサ２１は、「積層コンデンサ」の一例であって、図２，４に示すように、一対の外部電極３１ａ，３１ｂ（「一方の外部電極」および「他方の外部電極」の一例）と、外部電極３１ａに接続された複数の内部電極３２ａと、外部電極３１ｂに接続された複数の内部電極３２ｂとを備えて構成されている。

さらに、本例の検査対象基板２０では、図１に示すように、一例として、コンデンサ２１ａの外部電極３１ａが接続用パターン２２ａに単独で接続されると共に、コンデンサ２１ｂ，２１ｃの外部電極３１ａが接続用パターン２２ｂに共通的に接続され、かつ各コンデンサ２１ａ〜２１ｃの各外部電極３１ｂが接続用パターン２３に共通的に接続されている（コンデンサ２１ｂ，２１ｃの両外部電極３１ａが接続用パターン２２ｂを介して相互に接続され、かつ、コンデンサ２１ａ〜２１ｃの各外部電極３１ｂが接続用パターン２３を介して相互に接続されている例）。

この場合、本例では、接続用パターン２２ａ，２２ｂ（以下、区別しないときには「接続用パターン２２」ともいう）が「第１接続用パターン」に相当すると共に、接続用パターン２３が「第２接続用パターン」に相当する。なお、図２，４，６，７では、「検査対象基板」の構成に関する理解を容易とするために、外部電極３１ａ，３１ｂの下端部から検査対象基板２０の下面に向けて接続用パターン２２，２３が最短距離で引き出されている例（「コンデンサ」の真下に向かって引き出されている例）を図示しているが、「接続用パターン」の形状はこれに限定されず、「検査対象基板」の内層または外層に形成された配線パターンで構成されて「コンデンサの外部電極」から離れた位置に引き出されていることもある（図示せず）。

一方、基板保持部２は、検査対象基板２０を保持可能に構成されている。移動機構３ａ，３ｂは、制御部９からの制御信号Ｓ１ａ，Ｓ１ｂに従い、基板保持部２によって保持されている検査対象基板２０に向けてプローブ４ａ，４ｂを移動させることで、プローブ４ａ，４ｂを接続用パターン２２，２３にそれぞれプロービングさせる。移動機構３ｃは、「移動機構」の一例であって、制御部９からの制御信号Ｓ１ｃに従い、基板保持部２によって保持されている検査対象基板２０に向けてプローブ４ｃを移動させて検査対象基板２０の表面にプローブ４ｃを当接させることにより、検査対象基板２０内に内蔵されているコンデンサ２１の内部電極３２ａ，３２ｂにプローブ４ｃを対向配置させる。

プローブ４ａは、「第１プローブ」に相当し、本例の基板検査装置１では、移動機構３ａに取り付けられている。また、プローブ４ｂは、「第２プローブ」に相当し、本例の基板検査装置１では、移動機構３ｂに取り付けられている。さらに、プローブ４ｃは、「導体」としての「電極」の一例であって、本例の基板検査装置１では、その電極面（底面）が１つのコンデンサ２１と同程度の柱状の（一例として、円柱状の）金属によってプローブ４ｃが構成されている。このプローブ４ｃは、上記したように「移動機構」の一例である移動機構３ｃに取り付けられている。また、このプローブ４ｃは、測定部６の電流測定ポート６ｂに接続されると共に、測定部６の電流測定回路を介してグランド電位（Ｇ電位：「基準電位」の一例）に接続されている。したがって、この基板検査装置１では、測定部６の電流測定ポート６ｂに接続されているプローブ４ｃがＧ電位（基準電位）と同じ電位のＬ電位となる構成が採用されている。

スイッチ５ａは、制御部９からの制御信号Ｓ２ａに従い、プローブ４ａに接続されている接点ａを、グランド電位（Ｇ電位）に接続されている接点ｂ、および測定部６の測定用信号出力ポート６ａ（Ｈ電位）に接続されている接点ｃのいずれかに接続することにより、プローブ４ａが接続されている接続用パターン２２をＧ電位および測定用信号出力ポート６ａのいずれかに接続する（「交流信号」を印加する「導体と第１接続用パターンとの他方」が「第１接続用パターン」である構成の一例）。また、スイッチ５ａは、「第１スイッチ」の一例であって、制御部９からの制御信号Ｓ２ａに従い、接点ａを接点ｂおよび接点ｃのいずれにも接続しないＯＰＥＮ状態に切り替えることにより、プローブ４ａが接続されている接続用パターン２２をＧ電位から切り離す。

スイッチ５ｂは、制御部９からの制御信号Ｓ２ｂに従い、プローブ４ｂに接続されている接点ａを、グランド電位（Ｇ電位）に接続されている接点ｂ、および測定部６の測定用信号出力ポート６ａ（Ｈ電位）に接続されている接点ｃのいずれかに接続することにより、プローブ４ｂが接続されている接続用パターン２３をＧ電位および測定用信号出力ポート６ａのいずれかに接続する（「交流信号」を印加する「導体と第２接続用パターンとの他方」が「第２接続用パターン」である構成の一例）。また、スイッチ５ｂは、「第２スイッチ」の一例であって、制御部９からの制御信号Ｓ２ｂに従い、接点ａを接点ｂおよび接点ｃのいずれにも接続しないＯＰＥＮ状態に切り替えることにより、プローブ４ｂが接続されている接続用パターン２３をＧ電位から切り離す。

測定部６は、「測定部」の一例であって、制御部９からの制御信号Ｓ３に従い、「測定処理Ａ」および「測定処理Ｂ」を実行し、その測定結果を測定結果データＤ１として制御部９に出力する。この場合、後述するように、測定部６は、一例として、「測定処理Ａ」としての「第１測定処理」、「測定処理Ｂ」としての「第２測定処理」、「測定処理Ａ」としての「第３測定処理」、および「測定処理Ｂ」としての「第４測定処理」をこの順で実行する。なお、各測定処理の実行順序は、上記の順序に限定されず、任意の順序で実行する構成・方法を採用することができる。この測定部６は、スイッチ５ａ，５ｂによってプローブ４ａ，４ｂのいずれかが接続される測定用信号出力ポート６ａと、プローブ４ｃが接続された電流測定ポート６ｂとを備えると共に、測定用信号出力ポート６ａに接続された測定用信号出力部（図示せず）と、電流測定ポート６ｂに接続された電流測定回路（図示せず）とを備えて構成されている。

また、測定部６は、後述するように、制御部９の制御に従って測定用信号出力ポート６ａから測定用信号（「交流信号」の一例）を出力しつつ、電流測定ポート６ｂに流れ込む電流の電流値を電流測定回路によって測定し、測定用信号出力ポート６ａから出力した測定用信号の電圧値と、電流測定回路によって測定した電流値と、測定した電流および測定用信号の位相差とに基づき、プローブ４ｃが対向させられているコンデンサ２１の内部電極３２ａ（または内部電極３２ｂ）とプローブ４ｃとの間に形成されている１容量成分の静電容量（「他方からいずれか一方に流れる電流に応じて変化する電気的パラメータ」の一例）を測定して測定結果データＤ１を出力する。なお、上記の各「測定処理」については、後に詳細に説明する。

操作部７は、基板検査装置１の動作条件（検査条件）を設定するための各種操作スイッチを備え、スイッチ操作に応じた操作信号を制御部９に出力する。表示部８は、制御部９の制御に従い、基板検査装置１の動作条件（検査条件）を設定するための動作条件設定画面や、検査対象基板２０についての検査結果を報知する検査結果報知画面などの各種表示画面（いずれも図示せず）を表示する。

制御部９は、基板検査装置１を総括的に制御する。具体的には、制御部９は、「処理部」に相当し、移動機構３ａ，３ｂに制御信号Ｓ１ａ，Ｓ１ｂを出力してプローブ４ａ，４ｂを接続用パターン２２，２３に接続させる（プロービングさせる）。また、制御部９は、移動機構３ｃに制御信号Ｓ１ｃを出力してプローブ４ｃを検査対象のコンデンサ２１における内部電極３２ａ，３２ｂに対向させる。さらに、制御部９は、スイッチ５ａ，５ｂに制御信号Ｓ２ａ，Ｓ２ｂを出力してプローブ４ａ，４ｂをＧ電位およびＨ電位（測定部６の測定用信号出力ポート６ａ）のいずれかに接続させるか、または、ＯＰＥＮ状態に切り替えさせる。

また、制御部９は、測定部６に制御信号Ｓ３を出力して上記の各「測定処理」を実行させる。この場合、本例の基板検査装置１では、前述したように、予め規定された順序（具体的には、一例として、「第１測定処理」、「第２測定処理」、「第３測定処理」および「第４測定処理」の順序）で各「測定処理」を実行させる構成が採用されている。さらに、制御部９は、測定部６から出力される測定結果データＤ１を記憶部１０に記憶させると共に、この測定結果データＤ１と、記憶部１０に記憶されている検査用データＤ０とに基づき、検査対象基板２０に対して、接続用パターン２２に対する外部電極３１ａの接続不良Ｘａ（図２，４参照）、接続用パターン２３に対する外部電極３１ｂの接続不良Ｘｂ（図２，４参照）、接続用パターン２２，２３の断線Ｘｃ（図６参照）、およびコンデンサ２１の破損（クラックＸｄ：図６参照）のいずれかの不良が生じているか否かを判別し、その判別結果を検査結果データＤ２として記憶部１０に記憶させる。なお、不良が生じているか否かの具体的な判別方法については、後に詳細に説明する。

記憶部１０は、上記の検査用データＤ０、測定結果データＤ１および検査結果データＤ２などを記憶する。この場合、検査用データＤ０は、検査対象基板２０についての検査手順を特定可能な「検査手順データ」と、検査対象基板２０に不良が生じているか否かを判別するための「検査用基準データ」とが記録されて構成されている。具体的には、検査用データＤ０には、制御部９が移動機構３ａ，３ｂを制御してプローブ４ａ，４ｂをプロービングさせるべき位置、およびその移動タイミングと、制御部９が移動機構３ｃを制御してプローブ４ｃをプロービングさせるべき位置、およびその移動タイミングと、制御部９がスイッチ５ａ，５ｂを制御してプローブ４ａ，４ｂを接断すべき電位、およびその切替えタイミングと、制御部９が測定部６を制御して各「測定処理」を実行させるべき順序およびそのタイミングとが「検査手順データ」として記録されている。また、検査用データＤ０には、測定部６によって実行される各「測定処理」の結果（測定結果データＤ１の値）の大小関係と、コンデンサ２１に生じている不良との関係を特定可能な情報が「検査用基準データ」として記録されている。

この基板検査装置１による検査対象基板２０の検査に際しては、まず、検査対象基板２０を基板保持部２に保持させる。次いで、操作部７の図示しないスタートスイッチが操作されたときに、制御部９が検査対象基板２０についての検査処理を開始する。なお、検査対象基板２０の実際の検査に際しては、各コンデンサ２１以外の各種電子部品や接続用パターンに関する不良の有無についても検査されるが、「基板検査装置」および「基板検査方法」についての理解を容易とするために、コンデンサ２１に関連する検査項目以外の検査項目についての説明を省略する。この際に、制御部９は、一例として、検査用データＤ０に従って移動機構３ａ，３ｂに制御信号Ｓ１ａ，Ｓ１ｂを出力することにより、図２に示すように、基板保持部２によって保持されている検査対象基板２０の接続用パターン２２ａにプローブ４ａをプロービングさせ、かつ接続用パターン２３にプローブ４ｂをプロービングさせる。

次いで、制御部９は、検査用データＤ０に従って移動機構３ｃに制御信号Ｓ１ｃを出力することにより、検査対象基板２０におけるコンデンサ２１ａの実装部位の表面にプローブ４ｃをプロービングさせる。この際には、同図に示すように、プローブ４ｃを検査対象基板２０の表面に当接させるようにしてプロービングすることにより、検査対象基板２０に内蔵されているコンデンサ２１ａと検査対象基板２０の表面との間に存在する基材によって、コンデンサ２１ａの各内部電極３２ａ，３２ｂとプローブ４ｃの電極面（底面）との間に非導電体からなる隙間が生じた状態（各内部電極３２ａ，３２ｂに対してプローブ４ｃが接することなく対向させられて容量成分が形成された状態）となる。

続いて、制御部９は、スイッチ５ａに制御信号Ｓ２ａを出力することにより、プローブ４ａに接続されている接点ａを測定部６の測定用信号出力ポート６ａに接続されている接点ｃに接続させることでプローブ４ａを測定用信号出力ポート６ａ（測定用信号の出力時にＨ電位となるポート）に接続させる（「導体と第１接続用パターンとの他方」が「第１接続用パターン」としての接続用パターン２２ａ（プローブ４ａがプロービングされている接続用パターン）である例）。また、制御部９は、スイッチ５ｂに制御信号Ｓ２ｂを出力することにより、プローブ４ｂに接続されている接点ａをＧ電位に接続されている接点ｂに接続させることでプローブ４ｂをＧ電位に接続させる（プローブ４ｂがプロービングされている「第２接続用パターン」としての接続用パターン２３を「基準電位」としてのＧ電位に接続する処理の一例）。

なお、本例の基板検査装置１では、プローブ４ｃが測定部６の電流測定ポート６ｂ（測定用信号の出力時にＧ電位と同電位となるように制御されるＬ電位のポート）に常時接続された状態となっている（「導体と第１接続用パターンとのいずれか一方」が「導体」としてのプローブ４ｃであり、このプローブ４ｃが「基準電位」としてのＧ電位と同電位のＬ電位に接続されている構成の例）。

次いで、制御部９は、測定部６に制御信号Ｓ３を出力することにより、「測定処理Ａ」としての「第１測定処理」を開始させる。この際に、測定部６は、測定用信号出力ポート６ａから測定用信号としての交流信号を出力すると共に、電流測定ポート６ｂから流れ込む電流の電流値を測定する。また、測定部６は、測定した電流値と、測定用信号出力ポート６ａから出力されている測定用信号の電圧値と、測定した電流および測定用信号の位相差とに基づき、プローブ４ｃが対向させられているコンデンサ２１ａの内部電極３２ａとプローブ４ｃとの間に形成されている容量成分の静電容量を測定して測定結果データＤ１として制御部９に出力する（「第１接続用パターン」としての接続用パターン２２ａに測定用信号（交流信号）を印加した状態において、接続用パターン２２ａ、外部電極３１ａ、内部電極３２ａ、および内部電極３２ａとプローブ４ｃとの間の容量成分を介して「導体」としてのプローブ４ｃに流れる電流に応じて変化する電気的パラメータ（静電容量）を測定する処理の一例）。これに応じて、制御部９は、測定部６から出力された測定結果データＤ１を「第１測定処理」の測定結果として記憶部１０に記憶させる。

この際に、コンデンサ２１ａの外部電極３１ｂと接続用パターン２３との間の接続不良Ｘｂが存在しないとき（外部電極３１ｂが接続用パターン２３に対して正常に接続されているとき）には、プローブ４ｂ、接続用パターン２３および外部電極３１ｂを介して各内部電極３２ｂがＧ電位（すなわち、プローブ４ｃが接続されているＬ電位としての電流測定ポート６ｂと同電位）となる。このため、コンデンサ２１ａの外部電極３１ａと接続用パターン２２ａとの間の接続不良Ｘａが存在しないとき（コンデンサ２１ａが接続用パターン２２ａに対して正常に接続されているとき）には、測定部６の測定用信号出力ポート６ａから測定用信号が出力された際に、プローブ４ａ、接続用パターン２２ａ、外部電極３１ａ、各内部電極３２ａ、および内部電極３２ａ，３２ｂの間の容量成分を介して測定部６から各内部電極３２ｂに電流が流れ、この電流が外部電極３１ｂ、接続用パターン２３およびプローブ４ｂを介してＧ電位に流れることなる。

したがって、接続不良Ｘａ，Ｘｂの双方が存在しないときには、内部電極３２ａおよびプローブ４ｃ間の容量成分を介して内部電極３２ａからプローブ４ｃに電流が殆ど流れないため、測定部６によって実質的には「０ｍＡ」の電流値が測定されることとなる。この結果、接続不良Ｘａ，Ｘｂが存在しないときには、図３に示すように、測定部６によって「０ｐＦ」との静電容量値が測定されて測定結果データＤ１として出力される。なお、コンデンサ２１ａの大きさ（内部電極３２ａ，３２ｂの面積）や、コンデンサ２１ａとプローブ４ｃとの離間距離（すなわち、コンデンサ２１ａとプローブ４ｃとの間に形成される容量成分の大きさ）によっては、各内部電極３２ａからプローブ４ｃに極く僅かな電流が流れ込み、これにより、極く小さな静電容量が測定されることもあるが、以下、この極く小さな静電容量（実質的には「０ｐＦ」の静電容量）については「０ｐＦ」として説明する。

一方、コンデンサ２１ａの外部電極３１ａと接続用パターン２２ａとの間に接続不良Ｘａが存在するときには、上記のように測定用信号出力ポート６ａから測定用信号を出力したときに、接続不良Ｘｂの存在の有無に拘わらず、内部電極３２ａおよびプローブ４ｃ間の容量成分を介して内部電極３２ａからプローブ４ｃに電流が流れないため、測定部６によって「０ｍＡ」との電流値が測定されることとなる。この結果、接続不良Ｘａが存在するときには、図３に示すように、測定部６によって「０ｐＦ」との静電容量値が測定されて測定結果データＤ１として出力される。

また、接続不良Ｘｂが存在するときには、各内部電極３２ｂがＧ電位とはならないため、接続不良Ｘａが存在しないときには、測定部６の測定用信号出力ポート６ａから測定用信号が出力された際に、プローブ４ａ、接続用パターン２２ａおよび外部電極３１ａを介して、各内部電極３２ａから、内部電極３２ａおよびプローブ４ｃ間の容量成分を介してプローブ４ｃに電流が流れ、この電流が測定部６の電流測定ポート６ｂに流れ込むこととなる。したがって、測定部６によってある程度の大きな電流値が測定される結果、図３に示すように、測定部６によって「数ｐＦ」程度の静電容量値が測定されて測定結果データＤ１として出力される。このように、この「第１測定処理」では、コンデンサ２１ａと接続用パターン２２ａ，２３との間の接続不良Ｘａ，Ｘｂの有無により、「０ｐＦ」または「数ｐＦ」の静電容量が測定される。以上により、「第１測定処理」が完了する。

次いで、制御部９は、スイッチ５ａに制御信号Ｓ２ａを出力することにより、接点ａを接点ｃに接続させた状態を維持させつつ、スイッチ５ｂに制御信号Ｓ２ｂを出力することにより、ＯＰＥＮ状態に切り替えさせて接点ａをＧ電位から切り離させることでプローブ４ｂをＧ電位から切り離させる（プローブ４ｂがプロービングされている「第２接続用パターン」としての接続用パターン２３を「基準電位」としてのＧ電位から切断する処理の一例）。次いで、制御部９は、測定部６に制御信号Ｓ３を出力することにより、「測定処理Ｂ」としての「第２測定処理」を実行させる。なお、静電容量の測定手順については上記の「第１測定処理」と同様のため、その説明を省略する。また、制御部９は、測定部６から出力された測定結果データＤ１を「第２測定処理」の測定結果として記憶部１０に記憶させる。

この際に、スイッチ５ａをＯＰＥＮ状態に切り替えたこの状態（すなわち、各内部電極３２ｂがＧ電位から切り離された状態）では、測定用信号が出力された際に内部電極３２ａおよびプローブ４ｃの間の容量成分を介して内部電極３２ａからプローブ４ｃに電流が流れるのを阻害する要素が存在しない状態となる。したがって、接続不良Ｘａが存在しないときには、測定部６の測定用信号出力ポート６ａから測定用信号が出力された際に、接続不良Ｘｂの存在の有無に拘わらず、プローブ４ａ、接続用パターン２２ａおよび外部電極３１ａを介して、各内部電極３２ａから、内部電極３２ａおよびプローブ４ｃ間の容量成分を介してプローブ４ｃに電流が流れ、この電流が測定部６の電流測定ポート６ｂに流れ込むこととなる。したがって、測定部６によってある程度の大きな電流値が測定される結果、図３に示すように、測定部６によって「数ｐＦ」程度の静電容量値が測定されて測定結果データＤ１として出力される。

一方、コンデンサ２１ａの外部電極３１ａと接続用パターン２２ａとの間に接続不良Ｘａが存在するときには、上記のように測定用信号出力ポート６ａから測定用信号を出力したときに、接続不良Ｘｂの存在の有無に拘わらず、内部電極３２ａおよびプローブ４ｃ間の容量成分を介して、内部電極３２ａからプローブ４ｃに電流が流れないため、測定部６によって「０ｍＡ」との電流値が測定されることとなる。この結果、図３に示すように、接続不良Ｘａが存在するときには、接続不良Ｘｂの有無に拘わらず、測定部６によって「０ｐＦ」との静電容量値が測定されて測定結果データＤ１として出力される。このように、この「第２測定処理」においても、コンデンサ２１ａと接続用パターン２２ａ，２３との間の接続不良Ｘａ，Ｘｂの有無により、「０ｐＦ」または「数ｐＦ」の静電容量が測定される。以上により、「第２測定処理」が完了する。

続いて、制御部９は、スイッチ５ａに制御信号Ｓ２ａを出力することにより、プローブ４ａに接続されている接点ａをＧ電位に接続されている接点ｂに接続させることでプローブ４ａをＧ電位に接続させる（プローブ４ａがプロービングされている「第１接続用パターン」としての接続用パターン２２ａを「基準電位」としてのＧ電位に接続する処理の一例）。また、制御部９は、スイッチ５ｂに制御信号Ｓ２ｂを出力することにより、プローブ４ｂに接続されている接点ａを測定部６の測定用信号出力ポート６ａに接続されている接点ｃに接続させることでプローブ４ａを測定用信号出力ポート６ａ（Ｈ電位となるポート）に接続させる（「導体と第２接続用パターンとの他方」が「第２接続用パターン」としての接続用パターン２３（プローブ４ｂがプロービングされている接続用パターン）である例）。

次いで、制御部９は、測定部６に制御信号Ｓ３を出力することにより、「測定処理Ａ」としての「第３測定処理」を開始させる。この際に、測定部６は、測定用信号出力ポート６ａから測定用信号としての交流信号を出力すると共に、電流測定ポート６ｂから流れ込む電流の電流値を測定する。また、測定部６は、測定した電流値と、測定用信号出力ポート６ａから出力されている測定用信号の電圧値と、測定した電流および測定用信号の位相差とに基づき、プローブ４ｃが対向させられているコンデンサ２１ａの内部電極３２ａとプローブ４ｃとの間に形成されている容量成分の静電容量を測定して測定結果データＤ１として制御部９に出力する（「第２接続用パターン」としての接続用パターン２３に測定用信号（交流信号）を印加した状態において、接続用パターン２３から、外部電極３１ｂ、内部電極３２ｂ、および内部電極３２ｂとプローブ４ｃとの間の容量成分を介して「導体」としてのプローブ４ｃに流れる電流に応じて変化する電気的パラメータ（静電容量）を測定する処理の一例）。これに応じて、制御部９は、測定部６から出力された測定結果データＤ１を「第３測定処理」の測定結果として記憶部１０に記憶させる。

この際に、図２に示す例では、内部電極３２ｂおよびプローブ４ｃの間の容量成分を介して、内部電極３２ｂからプローブ４ｃに電流が流れるのを阻害する要素（電極）が内部電極３２ｂとプローブ４ｃとの間に存在しない状態となっている。したがって、接続不良Ｘｂが存在しない状態においては、測定部６の測定用信号出力ポート６ａから測定用信号が出力された際に、接続不良Ｘａの存在の有無に拘わらず、プローブ４ｂ、接続用パターン２３および外部電極３１ｂを介して、各内部電極３２ｂから、内部電極３２ｂおよびプローブ４ｃ間の容量成分を介してプローブ４ｃに電流が流れ、この電流が測定部６の電流測定ポート６ｂに流れ込むこととなる。したがって、測定部６によってある程度の大きな電流値が測定される結果、図３に示すように、測定部６によって「数ｐＦ」程度の静電容量値が測定されて測定結果データＤ１として出力される。

また、接続不良Ｘｂが存在するときには、上記のように測定用信号出力ポート６ａから測定用信号を出力したときに、接続不良Ｘａの存在の有無に拘わらず、内部電極３２ｂおよびプローブ４ｃ間の容量成分を介して内部電極３２ｂからプローブ４ｃに電流が流れないため、測定部６によって「０ｍＡ」との電流値が測定されることとなる。この結果、図３に示すように、接続不良Ｘｂが存在するときには、接続不良Ｘａの有無に拘わらず、測定部６によって「０ｐＦ」との静電容量値が測定されて測定結果データＤ１として出力される。このように、この「第３測定処理」においても、コンデンサ２１ａと接続用パターン２２ａ，２３との間の接続不良Ｘａ，Ｘｂの有無により、「０ｐＦ」または「数ｐＦ」の静電容量が測定される。以上により、「第３測定処理」が完了する。

次いで、制御部９は、スイッチ５ｂに制御信号Ｓ２ｂを出力することにより、接点ａを接点ｃに接続させた状態を維持させつつ、スイッチ５ａに制御信号Ｓ２ａを出力することにより、ＯＰＥＮ状態に切り替えさせて接点ａをＧ電位から切り離させることでプローブ４ａをＧ電位から切り離させる（プローブ４ａがプロービングされている「第１接続用パターン」としての接続用パターン２２ａを「基準電位」としてのＧ電位から切断する処理の一例）。次いで、制御部９は、測定部６に制御信号Ｓ３を出力することにより、「測定処理Ｂ」としての「第４測定処理」を実行させる。なお、静電容量の測定手順については上記の「第３測定処理」と同様のため、その説明を省略する。また、制御部９は、測定部６から出力された測定結果データＤ１を「第４測定処理」の測定結果として記憶部１０に記憶させる。

この際に、図２に示す例では、前述したように、内部電極３２およびプローブ４ｃの間の容量成分を介して内部電極３２ｂからプローブ４ｃに電流が流れるのを阻害する要素（電極）が内部電極３２ｂとプローブ４ｃとの間に存在しない状態となっている。したがって、この「第４測定処理」においては、図３に示すように、上記の「第３測定処理」と同様にして、接続不良Ｘｂが存在しない状態においては、接続不良Ｘａの存在の有無に拘わらず「数ｐＦ」との静電容量が測定されて測定結果データＤ１として出力されると共に、接続不良Ｘｂが存在する状態においては、接続不良Ｘａの存在の有無に拘わらず「０ｐＦ」との静電容量が測定されて測定結果データＤ１として出力される。このように、この「第４測定処理」においても、コンデンサ２１ａと接続用パターン２２ａ，２３との間の接続不良Ｘａ，Ｘｂの有無により、「０ｐＦ」または「数ｐＦ」の静電容量が測定される。以上により、「第４測定処理」が完了する。

次いで、制御部９は、記憶部１０に記憶させた各「測定処理」についての測定結果データＤ１と、記憶部１０に記憶されている検査用データＤ０とに基づき、コンデンサ２１ａと接続用パターン２２ａ，２３との間に接続不良Ｘａ，Ｘｂが存在するか否かを判別し、その判別結果を検査結果データＤ２として記憶部１０に記憶させる。

具体的には、図３に示すように、接続不良Ｘａ，Ｘｂの双方が存在しないとき（「不良」が生じていないとき）には、「第１測定処理」において「０ｐＦ」との静電容量が測定され、「第２測定処理」において「数ｐＦ」との静電容量が測定され、「第３測定処理」において「数ｐＦ」との静電容量が測定され、かつ「第４測定処理」において「数ｐＦ」との静電容量が測定される（「第１測定処理および第３測定処理のいずれか一方」である「第１測定処理」の測定結果だけが、「予め規定された基準範囲」としての基準容量範囲を外れ、かつ他の３つの「測定処理」の測定結果が基準容量範囲内のときの一例）。したがって、制御部９は、「第１測定処理」から「第４測定処理」までの４つの「測定処理」において、「０ｐＦ」、「数ｐＦ」、「数ｐＦ」および「数ｐＦ」とのパターンＰａの測定結果が得られたときに、コンデンサ２１ａと接続用パターン２２ａ，２３との間に接続不良Ｘａ，Ｘｂが存在せず、コンデンサ２１ａが接続用パターン２２ａ，２３に正常に接続されていると判別し、その判別結果を検査結果データＤ２として記憶部１０に記憶させる。

この場合、一例として、上記のコンデンサ２１ａが２μｆの静電容量を有する積層コンデンサの場合には、上記の「数ｐＦ」として「１０ｐＦ」程度の静電容量が測定され、上記の「０ｐＦ」として「０．１ｐＦ」程度の静電容量が測定される。したがって、そのようなコンデンサ２１ａの検査に際しては、一例として、上記の「１０ｐＦ」を基準として±５０％（すなわち、５ｐＦ〜１５ｐＦ）を「基準容量範囲」として規定すればよい。

また、接続不良Ｘａが存在し、接続不良Ｘｂが存在しないときには、「第１測定処理」において「０ｐＦ」との静電容量が測定され、「第２測定処理」において「０ｐＦ」との静電容量が測定され、「第３測定処理」において「数ｐＦ」との静電容量が測定され、かつ「第４測定処理」において「数ｐＦ」との静電容量が測定される（４つの「測定処理」のうちの２つの「測定処理」の測定結果が「基準範囲」としての基準容量範囲を外れ、かつ他の２つの「測定処理」の測定結果が「基準範囲」としての基準容量範囲内のときの一例）。したがって、制御部９は、「第１測定処理」から「第４測定処理」までの４つの「測定処理」において、「０ｐＦ」、「０ｐＦ」、「数ｐＦ」および「数ｐＦ」とのパターンＰｂの測定結果が得られたときに、コンデンサ２１ａ（外部電極３１ａ）と接続用パターン２２ａとの間に接続不良Ｘａが存在すると判別し、その判別結果を検査結果データＤ２として記憶部１０に記憶させる。

さらに、接続不良Ｘａが存在せず、接続不良Ｘｂが存在するときには、「第１測定処理」において「数ｐＦ」との静電容量が測定され、「第２測定処理」において「数ｐＦ」との静電容量が測定され、「第３測定処理」において「０ｐＦ」との静電容量が測定され、かつ「第４測定処理」において「０ｐＦ」との静電容量が測定される（４つの「測定処理」のうちの２つの「測定処理」の測定結果が「基準範囲」としての基準容量範囲を外れ、かつ他の２つの「測定処理」の測定結果が「基準範囲」としての基準容量範囲内のときの他の一例）。したがって、制御部９は、「第１測定処理」から「第４測定処理」までの４つの「測定処理」において、「数ｐＦ」、「数ｐＦ」、「０ｐＦ」および「０ｐＦ」とのパターンＰｃの測定結果が得られたときに、コンデンサ２１ａ（外部電極３１ｂ）と接続用パターン２３との間に接続不良Ｘｂが存在すると判別し、その判別結果を検査結果データＤ２として記憶部１０に記憶させる。

また、接続不良Ｘａ，Ｘｂの双方が存在するときには、「第１測定処理」から「第４測定処理」のすべてにおいて「０ｐＦ」との静電容量がそれぞれ測定される（各「測定処理」のすべての測定結果が「基準範囲」としての「基準容量範囲」を外れているときの一例）。したがって、制御部９は、「第１測定処理」から「第４測定処理」までの４つの「測定処理」のすべてにおいて、「０ｐＦ」、「０ｐＦ」、「０ｐＦ」および「０ｐＦ」とのパターンＰｄの測定結果が得られたときに、コンデンサ２１ａ（外部電極３１ａ）と接続用パターン２２ａとの間に接続不良Ｘａが存在し、かつコンデンサ２１ａ（外部電極３１ｂ）と接続用パターン２３との間に接続不良Ｘｂが存在すると判別し、その判別結果を検査結果データＤ２として記憶部１０に記憶させる。

この後、制御部９は、記憶部１０に記憶させた検査結果データＤ２に基づく検査結果を表示部８に表示させて、コンデンサ２１ａと接続用パターン２２ａおよび接続用パターン２３との間に接続不良Ｘａ，Ｘｂが存在するか否かの検査を終了する。続いて、制御部９は、コンデンサ２１ｂと接続用パターン２２ｂ，２３との間に接続不良Ｘａ，Ｘｂが存在するか否かの検査を開始する。具体的には、制御部９は、検査用データＤ０に従って移動機構３ａ，３ｂに制御信号Ｓ１ａ，Ｓ１ｂを出力することにより、接続用パターン２３にプローブ４ｂをプロービングさせた状態を維持しつつ、図１に破線で示すように、検査対象基板２０の接続用パターン２２ｂにプローブ４ａをプロービングさせる。

次いで、制御部９は、検査用データＤ０に従って移動機構３ｃに制御信号Ｓ１ｃを出力することにより、図１に破線で示すように、検査対象基板２０におけるコンデンサ２１ｂの実装部位の表面にプローブ４ｃをプロービングさせる。この際には、プローブ４ｃを検査対象基板２０の表面に当接させるようにしてプロービングすることにより、コンデンサ２１ｂと検査対象基板２０の表面との間に存在する基材によって、コンデンサ２１ｂの各内部電極３２ａ，３２ｂとプローブ４ｃの電極面（底面）との間に非導電体からなる隙間が生じた状態（各内部電極３２ａ，３２ｂに対してプローブ４ｃが接することなく対向させられて容量成分が形成された状態）となる。

この場合、前述したように、本例の基板検査装置１では、その電極面（底面）が１つのコンデンサ２１と同程度の柱状となるようにプローブ４ｃが構成されている。したがって、上記のようにコンデンサ２１ｂの実装部位の表面にプローブ４ｃをプロービングさせることにより、プローブ４ｃがコンデンサ２１ｂ（コンデンサ２１ｂの内部電極３２ａ，３２ｂ）だけと対向した状態となり、接続用パターン２２ｂを介してコンデンサ２１ｂの内部電極３２ａに接続されているコンデンサ２１ｃの内部電極３２ａがプローブ４ｃとは対向しない状態となる。これにより、本例の基板検査装置１では、コンデンサ２１ｂ，２１ｃの双方と対向するような大きな電極等を「導体」として使用する構成・方法とは異なり、コンデンサ２１ｂについての検査時おける各「測定処理」に際して、コンデンサ２１ｃの内部電極３２ａからプローブ４ｃに電流が流れ込んでコンデンサ２１ｂについての検査結果に影響が及ぶ事態が回避される。

次いで、制御部９は、スイッチ５ａ，５ｂによるプローブ４ａ，４ｂの接断の切り替えを実行しつつ、前述したコンデンサ２１ａについての４つの「測定処理」と同様の手順で「第１測定処理」から「第４測定処理」の各「測定処理」を実行する。また、制御部９は、各「測定処理」についての測定結果データＤ１と、記憶部１０に記憶されている検査用データＤ０とに基づき、コンデンサ２１ｂと接続用パターン２２ｂ，２３との間に接続不良Ｘａ，Ｘｂが存在するか否かを判別し、その判別結果を検査結果データＤ２として記憶部１０に記憶させると共に、判別結果を表示部８に表示させる。これにより、コンデンサ２１ｂと接続用パターン２２ｂおよび接続用パターン２３との間に接続不良Ｘａ，Ｘｂが存在するか否かの検査が終了する。この後、制御部９は、コンデンサ２１ｃと接続用パターン２２ｂ，２３との間に接続不良Ｘａ，Ｘｂが存在するか否かの検査を実行し、その検査結果を表示部８に表示させる。これにより、検査対象基板２０を対象とする一連の検査が完了する。

この場合、検査対象のコンデンサ２１は、その外観から外部電極３１ａ，３１ｂを区別するのが困難となっている。したがって、上記の例では、図２に示すように、各内部電極３２ｂのうちの１つが内部電極３２ａよりもプローブ４ｃ寄りに位置するように実装されているが（内部電極３２ａよりも内部電極３２ｂの近傍にプローブ４ｃが位置するようにプロービングした例）、図４に示すように、各内部電極３２ａのうちの１つが内部電極３２ｂよりもプローブ４ｃ寄りに位置するように実装された状態となっていること（内部電極３２ｂよりも内部電極３２ａの近傍にプローブ４ｃが位置するようにプロービングすること）もある。なお、同図、および後に参照する図６，７において図２を参照して説明した要素と同様の機能を有する要素については、同一の符号を付して重複する説明を省略する。

この図４に示す実装状態のコンデンサ２１と接続用パターン２２，２３との間に接続不良Ｘａ，Ｘｂが存在するか否かの検査に際しては、図２を参照しつつ説明した手順と同様の手順で「第１測定処理」から「第４測定処理」までの４つの「測定処理」を実行することにより、図５に示すパターンＰＡ，Ｐｂ〜Ｐｄの４つのパターンのうちのいずれかのパターンで静電容量が測定される。なお、詳細な説明を省略するが、図４に示す例のときには、図２に示す例のときとは異なり、接続不良Ｘａ，Ｘｂの双方が存在しないときに、「第３測定処理」の測定結果だけが他の３つの「測定処理」の測定結果とは相異するパターンＰＡとなる。したがって、制御部９は、記憶部１０に記憶させた各「測定処理」の測定結果データＤ１と、記憶部１０に記憶されている検査用データＤ０とに基づき（測定結果がパターンＰＡ，Ｐｂ〜Ｐｄのいずれであるかに基づき）、接続不良Ｘａ，Ｘｂが存在するか否かを検査し、その検査結果を表示部８に表示させる。

また、「基板検査装置」の構成、および「基板検査方法」の具体的な手順についての理解を容易とするために、「第１測定処理」から「第４測定処理」の測定結果に基づいて接続不良Ｘａ，Ｘｂが存在するか否かを検査する例について説明したが、図６に示す例のように、接続不良Ｘａに代わって（または、接続不良Ｘａに加えて）接続用パターン２２に断線Ｘｃが存在するとき、接続不良Ｘｂに代わって（または、接続不良Ｘｂに加えて）接続用パターン２３に断線Ｘｃが存在するとき、接続不良Ｘａや断線Ｘｃに代わって（または、接続不良Ｘａや断線Ｘｃに加えて）コンデンサ２１にクラックＸｄが生じて内部電極３２ａが破断しているとき、および接続不良Ｘｂや断線Ｘｃに代わって（または、接続不良Ｘｂや断線Ｘｃに加えて）コンデンサ２１にクラックＸｄが生じて内部電極３２ｂが破断しているときにも、各「測定処理」の測定結果として、上記のパターンＰａ〜Ｐｄ（または、パターンＰＡ，Ｐｂ〜Ｐｄ）のいずれかのパターンで測定結果が得られる。

なお、断線ＸｃやクラックＸｄが生じている場合についての「測定処理」については、接続不良Ｘａ，Ｘｂが生じている場合の「測定処理」と同様の現象が生じて同様の測定結果が得られる。したがって、基板検査装置１による検査対象基板２０の検査に際しては、実際には、各「測定処理」の測定結果がパターンＰａ（または、パターンＰＡ）のときに、接続不良Ｘａ，Ｘｂ、断線ＸｃおよびクラックＸｄが存在しないと判別されると共に、各「測定処理」の測定結果がパターンＰｂ〜Ｐｄのいずれかのときには、接続不良Ｘａ，Ｘｂ、断線ＸｃおよびクラックＸｄのいずれかの不良が生じていると判別されることとなる。

このように、この基板検査装置１、および基板検査装置１による基板検査方法によれば、「測定処理Ａ（「第１測定処理」および「第３測定処理」）」と、「測定処理Ｂ（「第２測定処理」および「第４測定処理」）」の各「測定処理」を実行すると共に、各「測定処理」の測定結果（測定結果データＤ１の値）と検査用基準データ（検査用データＤ０）とに基づいて不良が生じているか否かを判別することにより、外部電極３１ａおよび接続用パターン２２の間の接続不良Ｘａ等が存在するときには、外部電極３１ｂおよび接続用パターン２３の間の接続不良Ｘｂ等が存在するか否かに拘わらず、「第１測定処理」および「第２測定処理」のいずれにおいても測定される静電容量が予め規定された基準容量範囲を外れ、接続不良Ｘｂ等が存在するときには、接続不良Ｘａ等が存在するか否かに拘わらず、「第３測定処理」および「第４測定処理」のいずれにおいても測定される静電容量が予め規定された基準容量範囲を外れ、接続不良Ｘａ，Ｘｂの双方が存在しないときには、「第１測定処理」および「第３測定処理」のいずれか一方だけにおいて測定される静電容量が予め規定された基準容量範囲を外れるため、外部電極３１ａ，３１ｂにプローブ等を直接接続することができない内蔵のコンデンサ２１を有する検査対象基板２０について、各「測定処理」毎の測定結果に基づき、接続不良Ｘａ，Ｘｂが存在するか否かを確実に検査することができる。

また、この基板検査装置１、および基板検査装置１による基板検査方法によれば、「第１測定処理」および「第３測定処理」のいずれか一方の測定結果だけが予め規定された基準容量範囲から外れているときに接続不良Ｘａ，Ｘｂが生じていないと判別すると共に、各「測定処理」のうちの２つの「測定処理」の測定結果が予め規定された基準容量範囲から外れているとき、および各「測定処理」のすべての測定結果が予め規定された基準容量範囲から外れているときに接続不良Ｘａ，Ｘｂが生じていると判別することにより、検査対象基板２０に実装されているコンデンサ２１の容量、およびその実装状態に応じて基準容量範囲（基準範囲）を規定しておくことで、各「測定処理」の検査結果に基づき、接続不良Ｘａ，Ｘｂが存在するか否かを短時間で容易に判別することができる。

また、この基板検査装置１によれば、「第１プローブ」としてのプローブ４ａ、「第２プローブ」としてのプローブ４ｂ、「第１スイッチ」としてのスイッチ５ａ、および「第２スイッチ」としてのスイッチ５ｂを備えたことにより、例えば、プローブ４ａ，４ｂを接続用パターン２２，２３にプロービングさせたり接続用パターン２２，２３から離間させたりすることでＧ電位に対して接断する構成とは異なり、プローブ４ａ，４ｂを接続用パターン２２，２３に接続したままの状態において、スイッチ５ａ，５ｂによってプローブ４ａ，４ｂをＧ電位に対して接断することができるため、検査対象基板２０の検査に要する時間を充分に短縮することができる。

さらに、この基板検査装置１によれば、「導体」としての「電極」の一例であるプローブ４ｃ、およびこのプローブ４ｃを移動させる移動機構３ｃを備えたことにより、「導体」として使用可能な導体パターン等が存在しない検査対象基板２０についても、プローブ４ｃを「導体」として使用して確実に検査することができる。

なお、「基板検査装置」の構成や「基板検査方法」の具体的手順については、上記の基板検査装置１の構成や基板検査装置１による基板検査方法の手順の例に限定されない。例えば、「電気的パラメータ」は、「静電容量」に限定されず、内部電極３２ａ（または、内部電極３２ｂ）からプローブ４ｃに流れる電流の電流値そのものを「電気的パラメータ」として測定することで接続不良Ｘａ，Ｘｂの有無を検査する構成・方法を採用することもできる。

また、「導体」としての「電極」の一例であるプローブ４ｃを使用して各「測定処理」を実行する構成・方法を例に挙げて説明したが、「電極」は、柱状（プローブ状）に限定されず、板状や球状などの各種形状の「電極」（図示せず）を使用することができる。この場合、前述したプローブ４ｃと同様にして「電極」を１つの「コンデンサ」と同程度の大きさに形成することにより、上記の例におけるコンデンサ２１ｂ，２１ｃのように外部電極３１ａ，３１ｂが相互に接続された状態で隣接している場合にも、それらの接続不良等を個別に検査することができる。

さらに、図７に示す検査対象基板２０のように、コンデンサ２１の各内部電極３２ａ，３２ｂの電極面を覆い、かつその電極面に対向配置された信号伝送用パターン、グランドパターンおよび電源パターンなどの導体パターン２４が存在するときには、この導体パターン２４を「導体」として使用して各「測定処理」を実行する構成・方法を採用することができる。具体的には、導体パターン２４を「導体」として使用する場合には、前述したプローブ４ｃに代えて、一例として、導体パターン２４に接続されている接続用パターン２４ａにプロービングさせたプローブ４ｄを測定部６の電流測定ポート６ｂに接続する。これにより、接続用パターン２４ａを介してプローブ４ｄに接続される導体パターン２４が、前述したプローブ４ｃと同様に機能する結果、プローブ４ｃを用いた上記の例と同様の測定結果を得ることができる。この場合、「導体」として使用する「導体パターン」は、同図に示す導体パターン２４のような「内層の導体パターン」に限定されず、検査対象基板の表面に形成された「導体パターン」を使用することもできる。

また、スイッチ５ｂをＯＰＥＮ状態に切り替えることでプローブ４ｂをプロービングしている接続用パターン２３をＧ電位から切り離し、スイッチ５ａをＯＰＥＮ状態に切り替えることでプローブ４ａをプロービングしている接続用パターン２２をＧ電位から切り離す構成・方法を例に挙げて説明したが、このような構成・方法に代えて、Ｇ電位に接続されているプローブ４ｂを接続用パターン２３から離間させることで接続用パターン２３をＧ電位から切り離したり、Ｇ電位に接続されているプローブ４ａを接続用パターン２２から離間させることで接続用パターン２２をＧ電位から切り離したりする構成・方法を採用することもできる。このような構成・方法を採用した場合においても、上記の基板検査装置１、および基板検査装置１による基板検査方法と同様の効果を奏することができる。

さらに、プローブ４ａ，４ｂを接続用パターン２２，２３にプロービングすることで接続用パターン２２，２３をＨ電位（測定用信号出力ポート６ａ）やＧ電位に接続する構成・方法を例に挙げて説明したが、例えば、接続用パターン２２，２３を外部装置に接続するための接続用コネクタ（図示せず）が存在する場合には、この接続用コネクタに図示しない信号ケーブルを接続することで接続用パターン２２，２３をＨ電位（測定用信号出力ポート６ａ）やＧ電位に接続する構成・方法を採用することができる（「第１プローブ」や「第２プローブ」を使用しない構成・方法の例）。このような構成・方法を採用した場合においても、上記の基板検査装置１、および基板検査装置１による基板検査方法と同様の効果を奏することができる。

また、移動機構３ａ，３ｂによってプローブ４ａ，４ｂを任意に移動させて接続用パターン２２，２３にプロービングさせた状態において各「測定処理」を実行する構成・方法を例に挙げて説明したが、接続用パターン２２ａ，２２ｂ，２３等の位置に応じて複数のプローブを植設したプローブユニット（検査用治具：図示せず）と検査対象基板２０との少なくとも一方を他方に向けて移動させることで接続用パターン２２ａ，２２ｂ，２３等にプローブをそれぞれプロービングした状態において各「測定処理」を実行する構成・方法を採用することもできる。このような構成・方法を採用する場合には、各プローブのうちの任意のプローブをＧ電位やＨ電位（測定用信号出力ポート６ａ）に対して任意に接断するためのスキャナ（図示せず）をプローブユニットに接続すればよい。このような構成・方法を採用した場合においても、上記の基板検査装置１、および基板検査装置１による基板検査方法と同様の効果を奏することができる。

さらに、プローブ４ｃを測定部６の電流測定ポート６ｂ（Ｌ電位）に固定的に接続した状態において各「測定処理」を実行する構成・方法を例に挙げて説明したが、プローブ４ｃを測定部６の測定用信号出力ポート６ａ（Ｈ電位）に接続すると共に、プローブ４ａ，４ｂのいずれか一方を測定部６の電流測定ポート６ｂ（Ｌ電位）に接続し、かつプローブ４ａ，４ｂの他方をＧ電位に対して接断することで、上記の各「測定処理」と同様の４つの「測定処理」を実行する構成・方法を採用することができる。

また、「第１測定処理」においてプローブ４ａ，４ｂ，４ｃをＨ電位、Ｇ電位およびＬ電位にそれぞれ接続すると共に、「第２測定処理」においてプローブ４ａ，４ｃをＬ電位およびＨ電位にそれぞれ接続したり、「第１測定処理」においてプローブ４ａ，４ｂ，４ｃをＬ電位、Ｇ電位およびＨ電位にそれぞれ接続すると共に、「第２測定処理」においてプローブ４ａ，４ｃをＨ電位およびＬ電位にそれぞれ接続したり、「第３測定処理」においてプローブ４ａ，４ｂ，４ｃをＧ電位、Ｌ電位およびＨ電位にそれぞれ接続すると共に、「第４測定処理」においてプローブ４ｂ，４ｃをＨ電位およびＬ電位にそれぞれ接続したり、「第３測定処理」においてプローブ４ａ，４ｂ，４ｃをＧ電位、Ｈ電位およびＬ電位にそれぞれ接続すると共に、「第４測定処理」においてプローブ４ｂ，４ｃをＬ電位およびＨ電位にそれぞれ接続したりする構成・方法を採用することもできる。

さらに、「第１測定処理」、「第２測定処理」、「第３測定処理」および「第４測定処理」の実行順序（「予め規定された順」）は、上記の例に限定されず、「第１測定処理」から「第４測定処理」までの４つの測定処理を任意の順序で実行する構成・方法を採用することができる。この場合、「第１測定処理」および「第２測定処理」のいずれか一方を実行した後に「第３測定処理」および「第４測定処理」を実行することなく「第１測定処理」および「第２測定処理」の他方を実行すると共に、「第３測定処理」および「第４測定処理」のいずれか一方を実行した後に「第１測定処理」および「第２測定処理」を実行することなく「第３測定処理」および「第４測定処理」の他方を実行することにより、「第１接続用パターン」や「第２接続用パターン」に対する接続の切り替え回数（上記の例では、プローブ４ａ，４ｂのプロービング回数）を少数回とすることができる。

また、検査対象基板２０の検査に際してコンデンサ２１ａ〜２１ｃのすべてについて接続不良Ｘａ，Ｘｂの有無を検査する例について説明したが、このような構成・方法に代えて、複数のコンデンサ２１について接続不良Ｘａ，Ｘｂの有無を検査する際に、いずれかのコンデンサ２１において接続不良Ｘａ，Ｘｂのいずれかまたは双方が存在すると判別した時点において、そのコンデンサ２１が実装されている検査対象基板２０を不良品として一連の検査を終了する構成・方法を採用することもできる。

１ 基板検査装置
３ａ〜３ｃ 移動機構
４ａ〜４ｄ プローブ
５ａ，５ｂ スイッチ
６ 測定部
６ａ 測定用信号出力ポート
６ｂ 電流測定ポート
９ 制御部
２０ 検査対象基板
２１ａ〜２１ｃ コンデンサ
２２ａ，２２ｂ，２３，２４ａ 接続用パターン
２４ 導体パターン
３１ａ，３１ｂ 外部電極
３２ａ，３２ｂ 内部電極
Ｄ０ 検査用データ
Ｄ１ 測定結果データ
Ｄ２ 検査結果データ
Ｓ１ａ〜Ｓ１ｃ，Ｓ２ａ，Ｓ２ｂ，Ｓ３ 制御信号
Ｘａ，Ｘｂ 接続不良
Ｘｃ 断線
Ｘｄ クラック

Claims (7)

1. 一対の外部電極にそれぞれ複数の内部電極が接続された積層コンデンサが内蔵されると共に、当該両外部電極の一方が第１接続用パターンに接続され、かつ当該両外部電極の他方が第２接続用パターンに接続されている検査対象基板に対して、当該第１接続用パターンに対する当該一方の外部電極の接続不良、当該第２接続用パターンに対する当該他方の外部電極の接続不良、当該第１接続用パターンの断線、当該第２接続用パターンの断線、および当該積層コンデンサの破損のいずれかの不良が生じているか否かを電気的に検査可能に構成された基板検査装置であって、
   前記各内部電極の電極面に対向配置された導体、前記第１接続用パターンおよび前記第２接続用パターンのうちのいずれか２つを基準電位に接続すると共に当該基準電位に接続していない１つに交流信号を印加した状態において電気的パラメータを測定する測定処理Ａと、当該測定処理Ａにおいて前記基準電位に接続した前記２つのうちの一方を当該基準電位から切り離すと共に当該測定処理Ａにおいて当該基準電位に接続していない１つに前記交流信号を印加した状態において前記電気的パラメータを測定する測定処理Ｂとを、前記基準電位に接続する対象および前記交流信号を印加する対象を切り替えて実行する測定部、並びに、前記測定部を制御して前記各測定処理を実行させると共に当該各測定処理の測定結果と検査用基準データとに基づいて前記不良が生じているか否かを判別する処理部を備えている基板検査装置。
2. 前記測定部は、前記導体と前記第１接続用パターンとのいずれか一方を前記基準電位に接続し、かつ前記第２接続用パターンを前記基準電位に接続すると共に、当該導体と当該第１接続用パターンとの他方に前記交流信号を印加した状態において当該他方から当該いずれか一方に流れる電流に応じて変化する前記電気的パラメータを測定する第１測定処理と、前記導体と前記第１接続用パターンとのいずれか一方を前記基準電位に接続し、かつ前記第２接続用パターンを前記基準電位から切り離すと共に、当該導体と当該第１接続用パターンとの他方に前記交流信号を印加した状態において当該他方から当該いずれか一方に流れる電流に応じて変化する前記電気的パラメータを測定する第２測定処理と、前記導体と前記第２接続用パターンとのいずれか一方を前記基準電位に接続し、かつ前記第１接続用パターンを前記基準電位に接続すると共に、当該導体と当該第２接続用パターンとの他方に前記交流信号を印加した状態において当該他方から当該いずれか一方に流れる電流に応じて変化する前記電気的パラメータを測定する第３測定処理と、前記導体と前記第２接続用パターンとのいずれか一方を前記基準電位に接続し、かつ前記第１接続用パターンを前記基準電位から切り離すと共に、当該導体と当該第２接続用パターンとの他方に前記交流信号を印加した状態において当該他方から当該いずれか一方に流れる電流に応じて変化する前記電気的パラメータを測定する第４測定処理との４つの測定処理を実行可能に構成されると共に、前記処理部の制御に従い、前記第１測定処理および前記第３測定処理を前記測定処理Ａとして実行し、かつ前記第２測定処理および前記第４測定処理を前記測定処理Ｂとして実行する請求項１記載の基板検査装置。
3. 前記処理部は、前記第１測定処理および前記第３測定処理のいずれか一方の測定結果だけが予め規定された基準範囲から外れ、かつ他の３つの前記測定処理の測定結果が当該基準範囲内のときに前記不良が生じていないと判別すると共に、前記各測定処理のうちの２つの当該測定処理の測定結果が前記基準範囲から外れ、かつ他の２つの当該測定処理の測定結果が当該基準範囲内のとき、および当該各測定処理のすべての測定結果が当該基準範囲から外れているときに前記不良が生じていると判別する請求項２記載の基板検査装置。
4. 前記第１接続用パターンに接続される第１プローブと、前記第２接続用パターンに接続される第２プローブと、前記処理部の制御に従って前記第１プローブおよび前記基準電位を接断する第１スイッチと、前記処理部の制御に従って前記第２プローブおよび前記基準電位を接断する第２スイッチとを備えている請求項１から３のいずれかに記載の基板検査装置。
5. 前記導体としての電極と、前記処理部の制御に従って前記各内部電極の前記電極面に対向する位置に前記電極を移動させる移動機構とを備えている請求項１から４のいずれかに記載の基板検査装置。
6. 一対の外部電極にそれぞれ複数の内部電極が接続された積層コンデンサが内蔵されると共に、当該両外部電極の一方が第１接続用パターンに接続され、かつ当該両外部電極の他方が第２接続用パターンに接続されている検査対象基板に対して、当該第１接続用パターンに対する当該一方の外部電極の接続不良、当該第２接続用パターンに対する当該他方の外部電極の接続不良、当該第１接続用パターンの断線、当該第２接続用パターンの断線、および当該積層コンデンサの破損のいずれかの不良が生じているか否かを電気的に検査する基板検査方法であって、
   前記各内部電極の電極面に対向配置された導体、前記第１接続用パターンおよび前記第２接続用パターンのうちのいずれか２つを基準電位に接続すると共に当該基準電位に接続していない１つに交流信号を印加した状態において電気的パラメータを測定する測定処理Ａと、当該測定処理Ａにおいて前記基準電位に接続した前記２つのうちの一方を当該基準電位から切り離すと共に当該測定処理Ａにおいて当該基準電位に接続していない１つに前記交流信号を印加した状態において前記電気的パラメータを測定する測定処理Ｂとを、前記基準電位に接続する対象および前記交流信号を印加する対象を切り替えて実行すると共に当該各測定処理の測定結果と検査用基準データとに基づいて前記不良が生じているか否かを判別する基板検査方法。
7. 前記導体と前記第１接続用パターンとのいずれか一方を前記基準電位に接続し、かつ前記第２接続用パターンを前記基準電位に接続すると共に、当該導体と当該第１接続用パターンとの他方に前記交流信号を印加した状態において当該他方から当該いずれか一方に流れる電流に応じて変化する前記電気的パラメータを測定する第１測定処理と、前記導体と前記第１接続用パターンとのいずれか一方を前記基準電位に接続し、かつ前記第２接続用パターンを前記基準電位から切り離すと共に、当該導体と当該第１接続用パターンとの他方に前記交流信号を印加した状態において当該他方から当該いずれか一方に流れる電流に応じて変化する前記電気的パラメータを測定する第２測定処理と、前記導体と前記第２接続用パターンとのいずれか一方を前記基準電位に接続し、かつ前記第１接続用パターンを前記基準電位に接続すると共に、当該導体と当該第２接続用パターンとの他方に前記交流信号を印加した状態において当該他方から当該いずれか一方に流れる電流に応じて変化する前記電気的パラメータを測定する第３測定処理と、前記導体と前記第２接続用パターンとのいずれか一方を前記基準電位に接続し、かつ前記第１接続用パターンを前記基準電位から切り離すと共に、当該導体と当該第２接続用パターンとの他方に前記交流信号を印加した状態において当該他方から当該いずれか一方に流れる電流に応じて変化する前記電気的パラメータを測定する第４測定処理との４つの測定処理における前記第１測定処理および前記第３測定処理を前記測定処理Ａとして実行し、かつ前記第２測定処理および前記第４測定処理を前記測定処理Ｂとして実行する請求項６記載の基板検査方法。

Images