JP2014107461A - 半導体レーザ駆動回路、画像形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 半導体レーザを駆動するための所定の応答波形を得つつ、発光遅延を解消する。
【解決手段】 半導体レーザＬＤを駆動変調し、半導体レーザＬＤを駆動点灯するための駆動電流を供給する電流源１と、駆動電流の立ち上がり時に電流を供給する第１オーバーシュート電流源２と、駆動電流の立ち上がり時に電流を供給する第２オーバーシュート電流源３と、を備え、第１オーバーシュート電流源２が電流を供給する時間は、半導体レーザＬＤが駆動電流に応答する時間よりも短い時間であり、第２オーバーシュート電流源３が電流を供給する時間は、第１オーバーシュート電流源２が電流を供給する時間よりも長く半導体レーザＬＤが駆動電流に応答する時間よりも短い時間である。
【選択図】図１

Description

本発明は、レーザプリンタ、光デイスク装置、デジタル複写機、光通信装置などにおける半導体レーザ光源の光出力を制御する半導体レーザ駆動回路と、この半導体レーザ駆動回路を備える画像形成装置に関するものである。

従来の半導体レーザ駆動回路は、無バイアス方式と有バイアス方式に大別される。

無バイアス方式では、半導体レーザのバイアス電流を０に設定し、入力信号に対応するパルス電流で半導体レーザを駆動する。

ここで、閾値電流の大きな半導体レーザを無バイアス方式によって駆動する場合には、入力信号に対応する駆動電流が半導体レーザに印加されても、レーザ発光が可能な濃度のキャリアが生成されるまでにある程度の時間を要するため、発光遅延につながる。ただし、発光遅延は、入力信号が発光遅延時間より十分大きい（発光遅延量が無視できる）場合には問題にならない。

しかし、レーザプリンタ、光デイスク装置、デジタル複写機などの高速化に伴い、高速に半導体レーザを駆動する必要がある場合に、無バイアス方式では所望のパルス幅より小さいパルスしか得ることができない。

以上のような無バイアス方式における問題点を解決するために、有バイアス方式が提案されている。

有バイアス方式では、半導体レーザのバイアス電流を半導体レーザの閾値電流に設定し、常時バイアス電流を流しつつバイアス電流に入力信号に対応するパルス電流を加えて半導体レーザを駆動する。

有バイアス方式の場合には、あらかじめ半導体レーザに発光閾値分の電流（発光閾値電流）を流すため、発光遅延時間は無くなる。

しかし、有バイアス方式の場合には、半導体レーザが発光しない場合にも、常時発光閾値付近で通電している（通常は２００μＷ〜３００μＷ）。このため、有バイアス方式で駆動する半導体レーザを用いた光通信の場合には、消光比が小さくなる。半導体レーザの消光比が小さい場合に、光源に半導体レーザを用いたレーザプリンタ、光デイスク装置、デジタル複写機などでは、画像の地肌汚れの原因となる。

光通信の分野においては、以上の課題を解決するために、基本的に無バイアス方式を用い、発光させる直前に発光閾値電流を流す構成が提案されている（例えば、特許文献１と２参照）。

ところが、最近では、レーザプリンタ、光デイスク装置、デジタル複写機などにおいて、更なる高解像度化を求めて、６５０ｎｍの赤色半導体レーザや、さらに４００ｎｍの紫外半導体レーザなどを用いた画像形成装置が実用化されている。

また、処理の高速化や画像の高解像度化のため、複数光源を集積容易なＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）などの半導体レーザも実用化されている。

これらの半導体レーザは、微分抵抗が大きいなどの理由により、従来の１．３μｍや１．５μｍ、７８０ｎｍ帯の半導体レーザに比べて、レーザ発光が可能な濃度のキャリアが生成されるまでにさらに時間を要する特性を有している。

また、これらの半導体レーザは、有バイアス方式によっても所望のパルス幅より小さいパルス幅しか得ることができない。そのため、これらの特性を踏まえた半導体レーザの駆動方式が必要とされている。

また、短い時間（例えば数ｎｓ以下）の光出力により低濃度を表現しようとする場合に、発光出力がビームスポットのピーク強度まで到達しない。このため、以上の場合には必要以上に低濃度となってしまい、正しく濃度が表現できないという問題があった。

この問題を解決するため、半導体レーザの立ち上がり時に微分パルスを重畳して低濃度領域の濃度を補正する技術も知られている（例えば、特許文献３参照）。

しかし、この方法では、微分パルスのピークを制御できないため、半導体レーザを破壊する危険性が高い。また、この方法では、その微分パルスを重畳する時間も微分波形に依存する。このため、この方法では、初期の極低濃度は補正出来ても、その後の階調表現がリニアに増加するとは限らない問題点がある。

以上説明した課題を解決するために、高速で高精度な半導体レーザの駆動制御を行い、バイアス電流と発光閾値電流と発光電流と駆動補助電流の４電流による補正を行う方式が提案されている（例えば、特許文献４参照）。

たしかに、特許文献４に提案されている方式では、光波形としてはほぼ方形波の理想的な形を得ることができる。

しかし、特許文献４に提案されている方式では、バイアス電流や発光閾値電流の設定値により、入力信号のパルスの波形よりも出力信号のパルスの波形が細くなってしまう、いわゆるパルス細り現象が生じる場合がある。

ところで、画像形成装置などで用いる半導体レーザとしては、半導体レーザアレイ、ＶＣＳＥＬなどが多く利用されている。半導体レーザは、構造や波長特性、出力特性などにより、様々な特性を有している。

例えば、赤色の６５０ｎｍ帯半導体レーザは、赤外の７８０ｎｍ帯半導体レーザと比較して一般的に微分抵抗が大きい。このため、赤色の６５０ｎｍ帯半導体レーザは、駆動する回路や基板などの構成により、高速に方形波が得られず、波形の鈍りが発生する場合がある。

また、赤外光を発する半導体レーザでも例えばＶＣＳＥＬは、構造上の違いにより、微分抵抗が数百Ω程度と、端面型レーザに比較して非常に大きい微分抵抗を持っている。このため、ＶＣＳＥＬを使用した場合には、ＶＣＳＥＬ自身の端子容量や基板の寄生容量やドライバの端子容量などと、ＶＣＳＥＬの微分抵抗とにより、ＣＲの時定数が発生する。つまり、ＶＣＳＥＬそのものは、高速に変調できる素子特性やカットオフ周波数Ｆｔを有していても、基板に搭載しても所定の応答波形が得られない。

また半導体レーザにおいては、閾値電流までのＬＥＤ（Light Emitting Diode）領域と、閾値電流以上のＬＤ（Laser
Diode）領域とでは、電流量に対する発光強度の変動が大きい。ここで、画像形成装置など、閾値電流以下のバイアス電流を印加した状態から発光強度まで電流を上げて駆動する場合には、ＬＥＤ領域での発光強度が低い。つまり、この場合には、駆動信号に対して発光遅延が生じてしまう。

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであって、半導体レーザを駆動するための所定の応答波形を得つつ、発光遅延を解消する半導体レーザ駆動回路を提供することを目的とする。

本発明は、半導体レーザを駆動変調し、半導体レーザを駆動点灯するための駆動電流を供給する電流源と、駆動電流の立ち上がり時に電流を供給する第１オーバーシュート電流源と、駆動電流の立ち上がり時に電流を供給する第２オーバーシュート電流源と、を備え、第１オーバーシュート電流源が電流を供給する時間は、半導体レーザが駆動電流に応答する時間よりも短い時間であり、第２オーバーシュート電流源が電流を供給する時間は、第１オーバーシュート電流源が電流を供給する時間よりも長く半導体レーザが駆動電流に応答する時間よりも短い時間である、ことを特徴とする。

本発明によれば、半導体レーザを駆動するための所定の応答波形を得つつ、発光遅延を解消することができる。

本発明に係る半導体レーザ駆動回路の実施の形態を示す概念図である。 上記半導体レーザ駆動回路により生成される電流の波形図を、従来の半導体レーザ駆動回路により生成される電流の波形図と対比した図である。 従来の半導体レーザ駆動回路の一例を示す回路図である。 上記半導体レーザ駆動回路の実施の形態を示す回路図である。 上記半導体レーザ駆動回路が生成する半導体レーザ駆動電流の波形と、オーバーシュート電流との関係を示す波形図である。 半導体レーザに微弱電流を通電した場合の出力の変化を示す図である。 上記半導体レーザに微弱電流を通電した場合の降下電圧の変化を示す図である。 上記半導体レーザに微弱電流を通電した場合の出力と降下電圧とを示す表である。 上記半導体レーザのＩＬ特性と駆動電流波形とを示す図である。 上記半導体レーザに駆動電流を供給するドライバと回路内に流れる電流との関係を示す概念図である。 図９の駆動電流波形とは光出力が異なる場合における上記半導体レーザの駆動電流波形を示す図である。 本回路における上記半導体レーザの駆動電流波形を示す図である。 本回路におけるＶＣＳＥＬの駆動電流波形を示す図である。 本発明に係る画像形成装置の実施の形態を示す中央断面図である。

以下、本発明に係る半導体レーザ駆動回路と画像形成装置の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。

●半導体レーザ駆動回路●
まず、本発明に係る半導体レーザ駆動回路の実施の形態について説明する。

●半導体レーザ駆動回路の構成
図１は、本発明に係る半導体レーザ駆動回路の実施の形態を示す概念図である。

本発明に係る半導体レーザ駆動回路（以下「本回路」という。）は、発光電流生成部１と、第１微分電流生成部２と、第２微分電流生成部３と、を有してなる。

発光電流生成部１は、半導体レーザ駆動電流としての発光電流を、半導体レーザＬＤの点灯時に定常的に発光信号（電圧）を変換して生成する手段である。発光電流生成部１は、本発明における電流源に相当する。

第１微分電流生成部２は、発光電流生成部１が起動する初期のごく短い時間（例えば、０．５ｎｓ〜１．０ｎｓ）に投入される第１オーバーシュート電流を、発光信号を微分して生成する手段である。第１微分電流生成部２は、本発明における第１オーバーシュート電流源に相当する。

第２微分電流生成部３は、発光電流生成部１が起動する初期の短い時間（例えば、１．０ｎｓ〜５．０ｎｓ）に投入される第２オーバーシュート電流を、第１微分電流生成部２とは異なる微分値で発光信号を微分して生成する手段である。第２微分電流生成部３は、本発明における第２オーバーシュート電流源に相当する。第２微分電流生成部３は、第１オーバーシュート電流とは異なる時定数（オーバーシュート時間とオーバーシュート量）で第２オーバーシュート電流を投入する。

ここで、本回路は、半導体レーザの特性に着目し、前述の３種類の電流生成部で生成される、発光電流と、第１オーバーシュート電流と、第２オーバーシュート電流との３電流の和電流により、半導体レーザＬＤを駆動する。この構成により、本回路は、画像を形成する場合に最も必要となる積分光量を適正かつ安定して供給することができる。

なお、半導体レーザＬＤとしては、例えば、赤外光を発する赤外レーザダイオードや、赤色光や青色光などを発する各種レーザダイオードまたはレーザダイオードアレイを用いることができる。

●本回路の動作
次に、本回路の動作について、本回路により生成される半導体レーザ駆動電流の波形を参照しながら説明する。

図２は、本発明に係る半導体レーザ駆動回路により生成される電流の波形図を、従来の半導体レーザ駆動回路により生成される電流の波形図と対比した図である。

ここで、図２（ａ）は、半導体レーザＬＤを発光させる発光信号を示す波形図である。また、図２（ｂ）は、半導体レーザＬＤを発光させる理想的な波形図である。

図２(ｃ)は、従来の半導体レーザ駆動回路により生成される駆動電流の波形図である。

図２（ｄ）は、半導体レーザＬＤを発光させる変調電流の波形図である。

図２(ｅ)は、第１微分電流生成部２により生成される第１オーバーシュート電流の波形図である。

図２（ｆ）は、第２微分電流生成部３により生成される第２オーバーシュート電流の波形図である。

図２（ｇ）は、本回路により生成される駆動電流の波形図である。

次に、本回路の構成やその動作と対比するために、従来の半導体レーザ駆動回路の一例の構成とその動作を説明する。

図３は、従来の半導体レーザ駆動回路の一例を示す回路図である。

従来の半導体レーザ駆動回路は、ベース（ゲート）に発光信号が入力される駆動トランジスタＴｒを備える。また、従来の半導体レーザ駆動回路は、駆動トランジスタＴｒのコレクタに接続される半導体レーザＬＤと、駆動トランジスタＴｒのエミッタに接続される抵抗Ｒと、を備える。

従来の半導体レーザ駆動回路では、駆動トランジスタＴｒのベースに発光信号が流れると、半導体レーザＬＤに半導体レーザ駆動電流が流れ、抵抗Ｒにエミッタ電流が流れる。図３において、半導体レーザ駆動電流の波形がＷ１であり、発光信号の波形がＷ２であり、エミッタ電流の波形がＷ３である。

半導体レーザ駆動電流の波形Ｗ１は、駆動トランジスタＴｒから半導体レーザＬＤに至る経路において、発光遅延や駆動トランジスタＴｒの立ち上がり電流のなまりなどが発生し、図２（ｃ）に示すような波形になってしまう。

ここで、従来の半導体レーザ駆動回路による半導体レーザ駆動電流の波形Ｗ１が図２（ｃ）のようになる要因は、例えば、駆動トランジスタＴｒの出力インピーダンス、プリント基板の配線の寄生容量などの影響が考えられる。また、他の要因としては、半導体レーザＬＤの入力容量、半導体レーザＬＤのインピーダンスなどの影響が考えられる。

このような影響により、従来の半導体レーザ駆動回路による半導体レーザ駆動電流の波形Ｗ１には、発光遅延や駆動トランジスタＴｒの立ち上がりのなまりなどの不具合が発生してしまう。半導体レーザ駆動電流の波形Ｗ１に前述の不具合が発生すると、発光初期（例えば図２に示すＴ１〜Ｔ３の間）において、半導体レーザＬＤによる所望の出力（発光量や発光時間など）が得られない。

一方、本回路は以下の構成により半導体レーザ駆動電流の補正を行う。

図４は、本回路の実施の形態を示す回路図である。

本回路は、駆動トランジスタＴｒと、駆動トランジスタＴｒのコレクタに接続される半導体レーザＬＤとを有してなり、この点は、図３に示す従来の半導体レーザ駆動回路と同様である。

なお、駆動トランジスタＴｒは、図３と図４とには一例としてバイポーラトランジスタが示されているが、本回路ではこれに限定されない。例えば、駆動トランジスタＴｒとして、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）を用いることもできる。

本回路において、駆動トランジスタＴｒのエミッタには、発光電流生成部１に相当する抵抗Ｒ１が接続される。また、駆動トランジスタＴｒのエミッタには、第１微分電流生成部２に相当するコンデンサＣ１が接続される。さらに、駆動トランジスタＴｒのエミッタには、第２微分電流生成部３に相当する抵抗Ｒ２とコンデンサＣ２とが直列に接続される。つまり、本回路において、駆動トランジスタＴｒのエミッタには、抵抗Ｒ１と、コンデンサＣ１と、抵抗Ｒ２とコンデンサＣ２とが、並列に接続される。なお、抵抗Ｒ１と、コンデンサＣ１と、抵抗Ｒ２とコンデンサＣ２とは、駆動トランジスタＴｒのソースに接続してもよい。

以上説明した本回路において、第１オーバーシュート電流は、コンデンサＣ１により生成される。ここで、コンデンサＣ１を通る電流は、第１オーバーシュート電流に相当する単純微分波形となり、変調電流の変化点のみの微分波を生成する。

また、以上説明した本回路において、第２オーバーシュート電流は、抵抗Ｒ２とコンデンサＣ２とにより生成される。ここで、コンデンサＣ２を通る電流は、第２オーバーシュート電流に相当する単純微分波形となり、変調電流の変化点のみの微分波を生成する。

次に、半導体レーザ駆動電流について説明する。発光信号は、半導体レーザ駆動回路の外部からＬＤドライバ（不図示）へＯＮ／ＯＦＦ信号として入力された信号により設定される。

発光信号は、ＬＤドライバで電圧の２値信号として適当なレベルに設定された後に、図３と図４に示す駆動トランジスタＴｒのベース（ゲート）に入力される。

発光信号の波形Ｗ２は、本来は図２（ｂ）に示す理想的な波形と同一である。このため、多少の遅延は発生したとしても、パルスの高さと幅はともに発光信号の波形と同一であることが望ましい。

ここで、本回路においては、図２（ａ）に示す発光信号の電圧から図２（ｄ）に示す変調電流への変換と、変調電流から図２（ｇ）に示す本回路により生成される駆動電流との間には、ある所望の量的関係が成立し、それらを満たしているものと仮定する。

ところで、変調電流の波形が発光信号の波形と同一の方形波であったとしても、前述のように駆動トランジスタＴｒから半導体レーザＬＤに至る経路では、発光遅延など様々な不具合が生じる。

このような不具合を改善するため、第１微分電流生成部２では、図２（ｅ）のＴ１〜Ｔ２に示す半導体レーザＬＤが応答しても実際には発光しない極めて短い時間（例えば１ｎｓ以下）に出力する第１オーバーシュート電流を生成する。第１微分電流生成部２では、前述の不具合の原因となる影響に対応する容量をコンデンサＣ１にチャージして、半導体レーザＬＤの発光遅延時間を短縮する。

また、第２微分電流生成部３は、図２（ｆ）のＴ１〜Ｔ３に示す第１オーバーシュート電流の時間よりも長い時間、具体的には半導体レーザＬＤが応答する発光初期の時間（例えば５ｎｓ以下）に出力する、第２オーバーシュート電流を生成する。

以上説明したように、本回路は、駆動トランジスタＴｒの立ち上がりのなまりを補正するように、第１オーバーシュート電流と第２オーバーシュート電流とを、それぞれについて定めた時間だけ出力する。このようにすることで、本回路によれば、図２（ｇ）に示す半導体レーザ駆動電流の波形のように、Ｔ１〜Ｔ３の時間の波形が補正される。つまり、本回路によれば、ＬＤドライバから入力された発光信号の波形とほぼ同一形状の半導体レーザ駆動電流の波形を生成することができる。

なお、図２（ｅ）と図２（ｆ）とでは、変調電流の立ち上がり時に生成される第１オーバーシュート電流と第２オーバーシュート電流のみ図示しているが、本回路では、変調電流の立ち下がり時にアンダーシュート電流を生成してもよい。立ち下がり時にアンダーシュート電流を生成することで、本回路では、半導体レーザＬＤをＯＦＦにする動作も、高速に行うことができる。

また、本回路は、図２（ａ）と図２（ｅ）と図２（ｆ）とに示すように、発光信号の波形と第１オーバーシュート電流の波形と第２オーバーシュート電流との供給する時期を同時にしてもよい。その結果、本回路は、所定の応答波形を得つつ、発光遅延を解消することができる。

また、本回路は、抵抗Ｒ２の抵抗値やコンデンサＣ２の容量と、抵抗Ｒ１の抵抗値やコンデンサＣ１の容量との相対的な大小関係を変化させることで、生成する電流の電流値を変えることができる。すなわち、例えば、図２（ｇ）に示す補正後の波形を生成したい場合には、仮にＲ１＝Ｒ２、Ｃ１＜Ｃ２とすればよい。

つまり、本回路は、図２（ｇ）に示す補正後の波形を簡易な構成で実現することができる。

また、コンデンサＣ１の容量、抵抗Ｒ２の抵抗値やコンデンサＣ２の容量は、可変にしてもよい。このようにすることにより、本回路では、半導体レーザＬＤの種類や光量（出力）を問わず、半導体レーザ駆動電流を補正することができる。

ここで、抵抗値や容量を可変にする構成として、例えば、コンデンサＣ１と抵抗Ｒ２とコンデンサＣ２との抵抗値や容量を何通りか定め、その選択をレジスタに設定することにより所望の特性が得られるものがある。

次に、半導体レーザＬＤの立ち上がり時の電流の補正のために、第１オーバーシュート電流と第２オーバーシュート電流との２種類のオーバーシュート電流を生成する理由を説明する。

図５は、本回路が生成する半導体レーザ駆動電流の波形と、オーバーシュート電流との関係を示す波形図である。

図５（ａ）は、第１オーバーシュート電流のみにより補正された半導体レーザ駆動電流の波形図である。

図５（ｂ）は、第２オーバーシュート電流のみにより補正された半導体レーザ駆動電流の波形図である。

図５（ｃ）は、第２オーバーシュート電流の電流値を大きくして補正された半導体レーザ駆動電流の波形図である。

図５（ｄ）は、図５（ｃ）の第２オーバーシュート電流によって補正された半導体レーザ駆動電流の波形図である。

図５（ａ）に示すように、第１オーバーシュート電流のみにより半導体レーザ駆動電流の補正を行うと、立ち上がり時の発光遅延量は補正されるものの、その後の波形がオーバーシュートやアンダーシュートして（リンギングして）しまう。このため、第１オーバーシュート電流のみの補正では、半導体レーザＬＤは、良好で安定な積分光量を得ることができない。

一方、第２オーバーシュート電流のみにより半導体レーザ駆動電流の補正を行うと、図５（ｂ）に示すように発光遅延量に関しては一定の補正効果がある。しかしながら、この場合に立ち上がり初期の発光遅延量を補正するには、図５（ｃ）に示すように第２オーバーシュート電流の電流値を大きくすることが考えられる。しかしながら、第２オーバーシュート電流の電流値を大きくすると、図５（ｄ）に示すように、光波形がオーバーシュートしてしまうおそれがある。

以上説明したように、半導体レーザＬＤの種類などの特性を問わず安定して所望の光波形を生成するためには、本回路のように２種類のオーバーシュート電流により補正を行うことが有効である。

次に、本回路における半導体レーザ駆動電流と降下電圧と出力との関係について説明する。

図６は、半導体レーザＬＤに微弱電流を通電した場合の出力の変化を示す図である。また、図７は、半導体レーザＬＤに微弱電流を通電した場合の降下電圧の変化を示す図である。また、図８は、半導体レーザＬＤに微弱電流を通電した場合の出力と降下電圧とを示す表である。

図６と図７と図８に示すように、本回路では、半導体レーザＬＤの駆動電流のＩＬＤと、半導体レーザＬＤの降下電圧ＶＬＤＤＯＷＮが上昇し、出力も上昇する。

特に、図７に示すように、半導体レーザＬＤの駆動電流ＩＬＤが２５０μＡのとき、半導体レーザＬＤの降下電圧ＶＬＤＤＯＷＮは既に１．４Ｖ程度発生している。半導体レーザＬＤには直流抵抗成分があるため、ＩＬＤが増加するとＶＬＤＤＯＷＮも少しずつ大きくなる。

ここで、わずかな電流値のＩＬＤであってもある程度のＶＬＤＤＯＷＮが発生している理由は、ＩＬＤにより半導体レーザＬＤのインピーダンスが小さくなり、閾値電流を流す際の半導体レーザＬＤの応答特性が向上しているためと考えられる。

つまり、第１オーバーシュート電流を用いて、半導体レーザＬＤ、ＬＤドライバなどの半導体レーザ駆動回路の寄生容量が１．４Ｖ程度になるように、ごく短い時間（例えば１ｎｓ以下）、かつ半導体レーザＬＤが応答して発光しない範囲でコンデンサＣ１に給電する。

このように、本回路は、第１オーバーシュート電流と第２オーバーシュート電流とにより、半導体レーザＬＤを早期に動作可能な状態にさせる。このため、本回路は、瞬時に半導体レーザＬＤを高速点灯可能な状態にすることができる。

なお、図６、図７、図８では、所定の半導体レーザＬＤを用いた例について説明しているが、他の半導体レーザＬＤでも同様の特性を示している。つまり、本回路によれば、様々な種類の半導体レーザについて、半導体レーザを駆動するための所定の応答波形を得つつ、発光遅延を解消することができる。

●半導体レーザＬＤの発光遅延の原理
次に、半導体レーザＬＤの発光遅延と波形なまりの原理を説明する。

図９は、半導体レーザのＩＬ（駆動電流対光出力特性：Injection current-Light output 特性）特性と駆動電流波形とを示す図である。図９において、各電流の記号は、以下の通りである。

Ｉｏｐ：レーザ動作電流
Ｉｔｈ：レーザ閾値電流
Ｉｂ：バイアス電流
Ｉｄｒｖ：Ｉｏｐ−Ｉｂ＝Ｉｌｄ＋Ｉｌｅｄ：高速に駆動するレーザドライブ電流
Ｉｌｄ：レーザのＬＤ領域に相当する電流
Ｉｌｅｄ：レーザのＬＥＤ領域に相当する電流
Ｖｏｐ：発光時動作電圧
Ｖｔｈ：閾値電流印加時の電圧
Ｖｂ：バイアス電流印加時の電圧
ΔＶ：Ｖｔｈ−Ｖｂ：バイアス電流印加時から発光時動作電圧に変化する場合の差分電圧

ＬＢＰ（Laser
Beam Printer）において半導体レーザを駆動する場合には、半導体レーザの動作を考えるとＩｔｈまでバイアス電流を流したい。

しかしながら、その場合には半導体レーザがＬＥＤ発光してしまうことで感光体の地汚れが発生してしまうおそれがある。このため、半導体レーザを駆動する場合には、通常は電流値をＩｔｈ以下に設定する。

また、Ｉｂについて、仮にＩｂ＝０とすると、光の立ち上がり特性が悪くなる。このため、通常はある程度のＩｂを流す必要がある。つまり、Ｉｂについては、半導体レーザＬＤの光の立ち上がり特性と消費電流低減とのトレードオフで設定する。

図９に示す半導体レーザＬＤを点灯する場合における駆動電流波形では、電流の立ち上がりについては説明の簡易化のため直線近似で動作すると仮定する。

駆動電流は、時間ｔ１にＩｂから立ち上がり、時間ｔ２ではＩｂ＋Ｉｌｅｄ、時間ｔ３ではＩｏｐ＝Ｉｂ＋Ｉｌｅｄ＋Ｉｌｄになると仮定する。

図１０は、半導体レーザに駆動電流を供給するドライバと回路内に流れる電流との関係を示す概念図である。

半導体レーザＬＤとＬＤドライバ４を実装した半導体レーザ駆動回路において、半導体レーザＬＤとＬＤドライバ４との間を配線で接続する場合には、半導体レーザのパッケージなどの寄生容量、ＬＤドライバ４のパッケージなどの寄生容量、配線による寄生容量など、複数の寄生容量が存在する。ここで、図１０において、複数の寄生容量をＣで表す。

つまり、半導体レーザＬＤには、寄生容量Ｃへのチャージを行う電流であるＩｃが流れた後に、半導体レーザＬＤに対して本来与えるべき電流であるＩｌｅｄ＋Ｉｌｄが流れる。そして、半導体レーザＬＤにＩｃが流れた後にＩｌｅｄ＋Ｉｌｄが流れるまでには時間差が生じる。

ここで、半導体レーザ駆動回路の寄生容量の合計をＣと仮定する。図１０に示すように、ｔ０からｔ１までの過渡動作において、半導体レーザ駆動回路から出力される電流Ｉから、寄生容量Ｃに過渡電流Ｉｃが流れる。その後半導体レーザＬＤには、電流（Ｉｌｅｄ＋Ｉｌｄ）が流れる。

図１１は、図９の駆動電流波形とは光出力が異なる場合における半導体レーザの駆動電流波形を示す図である。

半導体レーザ駆動回路では、駆動電流量に関わらず同じ時間ｔ３−ｔ１で立ち上がると仮定する。

図１１では、説明の簡易化のため、時間ｔ０からｔ１までの時間はすべてＩｃとし、その後（Ｉｌｅｄ＋Ｉｌｄ）が流れ、Ｉｃは時間ｔ３に０となる仮定の電流波形図を示している。

また、図１１では、所望する電流が異なる場合を仮定して、電流Ｉｏｐ２の場合とＩｏｐ２より電流値の少ない電流Ｉｏｐ１の場合を記載している。

具体的には、Ｉｏｐ２の場合には、（Ｉｌｅｄ＋Ｉｌｄ）は、時間ｔ０：Ｉｂ、時間ｔ１２：Ｉｂ（ただし、ｔ０〜ｔ１１間においてＩｃが流れている）、時間ｔ２２：Ｉｌｅｄ
時間ｔ３：Ｉｏｐ２となる。

一方、Ｉｏｐ１の場合には、時間ｔ０：Ｉｂ、時間ｔ１１：Ｉｂ（ただし、ｔ０〜ｔ１１間においてＩｃが流れている）、時間ｔ２１：Ｉｌｅｄ、時間ｔ３：Ｉｏｐ１となる。

また、パルス発光遅延時間（駆動電流パルスと光パルスのパルス細りが生じている時間）は、寄生容量Ｃへのチャージ時間の差異と、Ｉｌｅｄに達する時間の和によって算出できると考えられる。

つまり、電流がＩｏｐ１の場合、パルス発光遅延時間は、
（ｔ１１−ｔ０）＋（ｔ２１−ｔ１１）＝（ｔ２１−ｔ０）
である。

一方、電流がＩｏｐ２の場合、パルス発光遅延時間は、
（ｔ１２−ｔ０）＋（ｔ２２−ｔ１２）＝（ｔ２２−ｔ０）
である。

次に、半導体レーザ駆動回路の寄生容量Ｃについて説明する。前述の通り、半導体レーザ駆動回路の寄生容量Ｃは、ＬＤ素子の入力容量、ボード、ドライバの出力容量によって決まる一定値である。このため、必要な電荷Ｑは、
Ｑ＝Ｃ×ΔＶ
である。

つまり、電流Ｉｏｐ１の場合の電荷Ｑ１と、Ｉｏｐ２の場合の電荷Ｑ２は、それぞれ、
Ｑ１＝１／２×Ｉｏｐ１×｛（ｔ１１−ｔ０）／（ｔ３−ｔ０）｝×（ｔ１１−ｔ０）
Ｑ２＝１／２×Ｉｏｐ２×｛（ｔ１２−ｔ０）／（ｔ３−ｔ０）｝×（ｔ１２−ｔ０）
である。そして、電流比Ｉｏｐ１／Ｉｏｐ２＝Ｋとすると、
（ｔ１２−ｔ０）／（ｔ１１−ｔ０）は、Ｋの平方根
となる。

したがって、寄生容量Ｃへのチャージ時間は、Ｉｏｐ１、Ｉｏｐ２の比Ｋが分かれば、遅延する時間の比が分かる。このため、この遅延時間を逆補正するようにパルスをエクスパンドすることにより、駆動電流の違いによる寄生容量Ｃへのチャージ時間の差分を補正することができる。

ここで、Ｉｌｅｄが十分に小さい場合にはΔＶも十分小さく、駆動電流差によるパルス細り分の補正の必要がない場合がある。この場合に、Ｉｌｅｄ／（Ｉｌｅｄ＋Ｉｌｄ）＜０．１、つまり寄生容量Ｃへのチャージが既に十分なされている状態の場合には、補正の必要がない。一方、Ｉｌｅｄ／（Ｉｌｅｄ＋Ｉｌｄ）≧０．１の場合には、寄生容量Ｃへのチャージが無視できなくなるため、補正が必要になる。

次に、Ｉｏｐ１とＩｏｐ２とについて、半導体レーザＬＤに流れる電流がＩｌｅｄに達する時間の差分を考える。

Ｉｌｅｄに到達する時間は、Ｉｏｐの電流比になる。このため、半導体レーザＬＤに流れる電流がＩｌｅｄに達する時間の差分は、
Ｉｏｐ１／Ｉｏｐ２＝（ｔ２１−ｔ１１）／（ｔ２２−ｔ１２）＝Ｋ
となる。

図１２は、本回路における半導体レーザの駆動電流波形を示す図である。半導体レーザ駆動回路で生じるパルス細り時間について図１２を用いて説明する。

半導体レーザに印加する駆動電流の立ち上がり時間を２ｎｓ、Ｉｔｈ＝１０ｍＡ、Ｉｂ＝７ｍＡ、Ｉｔｈ−ＩｂでのＬＤ動作電圧の差分ΔＶ＝０．２５Ｖであるとする。

このときＩｌｅｄ＝Ｉｔｈ−Ｉｂ＝３ｍＡ、Ｉｌｄ＝２ｍＡ、トータル電流Ｉｔ１＝５ｍＡが印加される場合の半導体レーザＬＤの挙動について考える。

まず、寄生容量のチャージによる補正分について検討する。半導体レーザとＬＤドライバ４間の寄生容量を５ｐＦとすると、Ｑ＝Ｃ×Ｖより
Ｑ＝５×１０＾−１２×０．２５＝１．２５×１０＾−１２
である。

また、立ち上がり部での印加電流量Ｉｔｒは、時間ｔの関数により次式で示される。
Ｉｔｒ＝２．５×１０＾−３×１０＾９×ｔ

ここで、
Ｑ＝１／２×Ｉｔｒ×ｔ＝１／２×２．５×１０＾−３×１０＾９×ｔ＾２
である。

また、Ｑ＝ＣＶより、
Ｑ＝１．２５×１０＾−１２＝１／２×２．５×１０＾−３×１０＾９×ｔ＾２である。

ｔ＝１×１０＾−９となり、半導体レーザＬＤには１ｎｓの立ち上がりの遅れが生じる。

ここでＩｌｄ＝２０ｍＡとして、トータル電流Ｉｔ２＝２３ｍＡのときには、
ｔ＝０．４６６×１０＾−９
となり、半導体レーザＬＤには０．４６６ｎｓの立ち上がりの遅れが生じる。Ｉｌｅｄによる遅延時間ｔｌｅｄ１は、トータル電流の比Ｉｔ１／Ｉｔ２の平方根に相当する時間である。

次にＩｌｅｄの遅延時間の補正について考える。Ｉｔ１＝５ｍＡのとき、Ｉｔ１＝Ｉｌｅｄ（３ｍＡ）＋Ｉｌｄ（２ｍＡ）となる。

駆動電流の立ち上がり時間が２ｎｓ、Ｉｌｅｄによる遅延時間がｔｌｅｄ１のとき、
ｔｌｅｄ１＝２ｎｓ×（３ｍＡ／５ｍＡ）＝１．２ｎｓ
の遅れが発生する。ここで、Ｉｔ１＝２３ｍＡのとき、Ｉｔ１＝Ｉｌｅｄ（３ｍＡ）＋Ｉｌｄ（２０ｍＡ）となる。

駆動電流の立ち上がり時間が２ｎｓのとき、Ｉｌｅｄによる遅延時間ｔｌｅｄ２は、
ｔｌｅｄ２＝２ｎｓ×（３ｍＡ／２３ｍＡ）＝０．２６ｎｓとなる。つまり、Ｉｌｅｄによる遅延時間ｔｌｅｄ２は、トータル電流の比Ｉｔ１／Ｉｔ２倍に相当する時間である。

以上より、トータル電流Ｉｔ１＝５ｍＡが印加される場合、寄生容量Ｃのチャージによる補正分である１ｎｓの遅れと、Ｉｌｅｄの遅延時間の補正分である１．２ｎｓの合計した２．２ｎｓが半導体レーザ駆動回路全体での遅延時間、つまりパルス細り時間になる。

図１３は、本回路におけるＶＣＳＥＬの駆動電流波形を示す図である。面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）におけるパルス細り時間について図１３を用いて説明する。

ＶＣＳＥＬに印加する駆動電流の立ち上がり時間を２ｎｓ、Ｉｔｈ＝０．６ｍＡ、Ｉｂ＝０．３ｍＡ、Ｉｔｈ−ＩｂでのＬＤ動作電圧の差分ΔＶ＝０．３４Ｖであるとする。

このときＩｌｅｄ＝Ｉｔｈ−Ｉｂ＝０．３ｍＡ、Ｉｌｄ＝０．２ｍＡ、Ｉｔ３＝０．５ｍＡが印加される場合の挙動について考える。

まず、寄生容量のチャージによる補正分について検討する。このとき半導体レーザとＬＤドライバ４間の寄生容量を５ｐＦとすると、Ｑ＝Ｃ×Ｖより、
Ｑ＝５×１０＾−１２×０．３４＝１．７×１０＾−１２
である。

また、立ち上がり部での印加電流量Ｉｔｒは、時間ｔの関数により次式で示される。
Ｉｔｒ＝２．５×１０＾−３×１０＾９×ｔ

ここで、
Ｑ＝１／２×Ｉｔｒ×ｔ＝１／２×２．５×１０＾−３×１０＾９×ｔ＾２
である。

Ｑ＝ＣＶより、
Ｑ＝１．７×１０＾−１２＝１／２×２．５×１０＾−３×１０＾９×ｔ＾２である。

ｔ＝３．６９×１０＾−９となり、３．６９［ｎｓ］の立ち上がりの遅れが生じる。

ここで、Ｉｌｄ＝２ｍＡとして、トータル電流Ｉｔ４＝２．３ｍＡのときには、
ｔ＝０．４６６×１０＾−９となり、０．４６６ｎｓの立ち上がりの遅れが生じる。これはトータル電流Ｉｔｈの比Ｉｔ１／Ｉｔ２の平方根に相当する時間である。

次に、Ｉｌｅｄの遅延時間の補正について考える。Ｉｔ４＝０．５ｍＡのとき、Ｉｔ４＝Ｉｌｅｄ（０．３ｍＡ）＋Ｉｌｄ（０．２ｍＡ）となる。

ここで、駆動電流の立ち上がり時間２ｎｓ、Ｉｌｅｄによる遅延時間ｔｌｅｄ３のとき、
ｔｌｅｄ３＝２ｎｓ×（０．３ｍＡ／０．５ｍＡ）＝１．２ｎｓ
の遅れが発生する。

Ｉｔ１＝２．３ｍＡのとき、Ｉｔ４＝Ｉｌｅｄ（０．３ｍＡ）＋Ｉｌｄ（０．２ｍＡ）となる。

駆動電流の立ち上がり時間２ｎｓ、Ｉｌｅｄによる遅延時間ｔｌｅｄ４のとき、
ｔｌｅｄ４＝２ｎｓ×（０．３ｍＡ／２．３ｍＡ）＝０．２６ｎｓ
の遅れが発生する。これはトータル電流Ｉｔｈの比Ｉｔ１／Ｉｔ２倍に相当する時間である。

以上より、トータル電流Ｉｔ３＝０．５ｍＡが印加される場合、寄生容量Ｃのチャージによる補正分である３．６８ｎｓの遅れと、Ｉｌｅｄの遅延時間の補正分である１．２ｎｓの合計した４．８８ｎｓが半導体レーザ駆動回路全体での遅延時間、つまりパルス細り時間になる。

半導体レーザの場合と比べて、ＶＣＳＥＬの場合には駆動電流が小さい分、遅延が大きく発生し、よりパルス遅延細り補正が必要となる。

また、半導体レーザの場合にもＩｔｈや駆動電流が小さい場合、低光量で使用する場合には、本補正が有効となる。

●実施の形態に係る作用・効果
以上説明した実施の形態によれば、第１微分電流生成部２と第２微分電流生成部３とが、２種類のオーバーシュートを生成することにより、ドライバから半導体レーザに至る部分に寄生する寄生容量に起因する半導体レーザの駆動電流とレーザ発光の点灯時間差である発光遅延時間を低減する。

つまり、以上説明した実施の形態によれば、発光信号のパルス幅を細らせることがなく、パルス幅再現性の優れた半導体レーザ駆動回路を実現することができる。

また、以上説明した実施の形態によれば、半導体レーザの特性によらない、また低濃度における階調再現に優れた高速・高精度の半導体レーザ駆動回路を提供することができる。

また、以上説明した実施の形態によれば、第１オーバーシュート電流と第２オーバーシュート電流との供給タイミングと半導体レーザ駆動電流との供給タイミングを同時にすることで、所定の応答波形を得つつ、発光遅延を解消することができる。

また、以上説明した実施の形態によれば、第１オーバーシュート電流と第２オーバーシュート電流とを半導体レーザ駆動電流またはその遅延信号について微分した信号により生成するため、所定の応答波形を得つつ、発光遅延を解消することができる。

また、以上説明した実施の形態によれば、第１微分電流生成部２をコンデンサＣ１により構成し、第２微分電流生成部３を抵抗Ｒ２とコンデンサＣ２とにより構成することで、簡易な構成により所定の応答波形を得つつ、発光遅延を解消することができる。

また、以上説明した実施の形態によれば、可変抵抗や可変容量コンデンサを用いることにより、半導体レーザの特性によらない、また低濃度における階調再現に優れた高速・高精度の半導体レーザ駆動回路を提供することができる。

また、以上説明した実施の形態によれば、半導体レーザとしてＶＣＳＥＬや赤色レーザや赤色レーザアレイなどを用いることができるため、半導体レーザの特性によらずに優れた高速・高精度の半導体レーザ駆動回路を提供することができる。

●画像形成装置●
次に、本発明に係る画像形成装置について説明する。

図１４は、本発明に係る画像形成装置の実施の形態を示す中央断面図である。画像形成装置２０００は、複写機、プリンタ、ファクシミリの各機能を有する複合機であり、本体装置１００１、読取装置１００２、自動原稿給紙装置１００３などを備えている。

本体装置１００１は、４色（ブラック、シアン、マゼンタ、イエロー）を重ね合わせてフルカラーの画像を形成するタンデム方式の多色カラープリンタであり、光走査装置２０１０、感光体ドラム２０３０（２０３０ａ、２０３０ｂ、２０３０ｃ、２０３０ｄ）、転写ベルト２０４０、転写ローラ２０４２、定着ローラ２０５０、給紙コロ２０５４、レジストローラ対２０５６、排紙ローラ２０５８、給紙トレイ２０６０、排紙トレイ２０７０、通信制御装置２０８０、プリンタ制御装置２０９０を有してなる。

通信制御装置２０８０は、通信ネットワークなどを介してパーソナルコンピュータなどの上位装置との双方向通信を制御する。プリンタ制御装置２０９０は、画像形成装置２０００が備える各手段を統括的に制御する。

転写ベルト２０４０の紙面下方には、光走査装置２０１０によって露光され静電潜像が形成される像担持体として円筒状に形成された光導電性の感光体ドラム２０３０が、転写ベルト２０４０の移動方向（図１４の紙面反時計回り）の上流側からイエロー用２０３２ｄ、マゼンタ用２０３０ｃ、シアン用２０３０ｂ、ブラック用２０３０ａの順に配設されている。

各感光体ドラム２０３０の周囲には、感光体ドラムの回転方向に、帯電装置２０３２（２０３２ａ、２０３２ｂ、２０３２ｃ、２０３２ｄ）、現像ローラ２０３３（２０３３ａ、２０３３ｂ、２０３３ｃ、２０３３ｄ）、トナーカートリッジ２０３４（２０３４ａ、２０３４ｂ、２０３４ｃ、２０３４ｄ）、クリーニングユニット２０３１（２０３１ａ、２０３１ｂ、２０３１ｃ、２０３１ｄ）などの電子写真法（電子写真プロセス）にしたがうプロセス部材が順に配設されている。

なお、帯電手段としては、コロナチャージャを用いることもできる。

感光体ドラム２０３０ａ、帯電装置２０３２ａ、現像ローラ２０３３ａ、トナーカートリッジ２０３４ａ、クリーニングユニット２０３１ａは、組として使用され、ブラック（Ｋ）の画像を形成する画像形成ステーションを構成する。

感光体ドラム２０３０ｂ、帯電装置２０３２ｂ、現像ローラ２０３３ｂ、トナーカートリッジ２０３４ｂ、クリーニングユニット２０３１ｂは、組として使用され、シアン（Ｃ）の画像を形成する画像形成ステーションを構成する。

感光体ドラム２０３０ｃ、帯電装置２０３２ｃ、現像ローラ２０３３ｃ、トナーカートリッジ２０３４ｃ、クリーニングユニット２０３１ｃは、組として使用され、マゼンタ（Ｍ）の画像を形成する画像形成ステーションを構成する。

感光体ドラム２０３０ｄ、帯電装置２０３２ｄ、現像ローラ２０３３ｄ、トナーカートリッジ２０３４ｄ、クリーニングユニット２０３１ｄは、組として使用され、イエロー（Ｙ）の画像を形成する画像形成ステーションを構成する。

本発明における走査部に対応する光走査装置２０１０は、感光体ドラム２０３０に光書込みを行う光書込装置であって、電子写真プロセスの露光プロセスを実行する。光走査装置２０１０は、通信制御装置２０８０に接続されている上位装置からの多色の画像情報（ブラック画像情報、シアン画像情報、マゼンタ画像情報、イエロー画像情報）に基づいて、各色に変調された光ビーム（画像変調信号）を、帯電された感光体ドラム２０３０の表面に照射する。感光体ドラム（回転感光体）２０３０の表面では、光ビームが照射された部分だけ電荷が消失し、画像情報に対応した静電潜像が形成される。形成された静電潜像は、いわゆるネガ潜像であって、感光体ドラム２０３０の回転に伴って、対応する現像ローラ２０３３の方向に移動する。

ここで、光走査装置２０１０には、以上説明した本回路が組み込まれる。そして、光走査装置２０１０の半導体レーザは、半導体レーザ駆動回路により駆動されて、光ビームを感光体ドラム２０３０に照射する。

トナーカートリッジ２０３４ａにはブラックトナー、トナーカートリッジ２０３４ｂにはシアントナー、トナーカートリッジ２０３４ｃにはマゼンタトナー、トナーカートリッジ２０３４ｄにはイエロートナーが格納されている。トナーカートリッジ２０３４に格納されている各色のトナーは、対応する現像ローラ２０３３に供給される。

現像ローラ２０３３の表面には、現像ローラ２０３３の回転に伴い、対応するトナーカートリッジ２０３４からのトナーが薄く均一に塗布される。現像ローラ２０３３の表面に塗布されたトナーは、各色に対応する感光体ドラム２０３０の表面に接すると、感光体ドラム２０３０の表面に形成されている静電潜像に付着して、静電潜像が顕像化されてトナー画像が形成される。形成されたトナー画像は、感光体ドラム２０３０の回転に伴い、転写ベルト２０４０の方向に移動する。

イエロー、マゼンタ、シアン、ブラックの各色のトナー画像は、所定のタイミングで転写ベルト２０４０上に順次転写されて重ね合わされ、カラー画像が形成される。

給紙トレイ２０６０には、記録媒体である転写紙が収納されている。給紙トレイ２０６０の近傍には、給紙コロ２０５４が配置されている。給紙トレイ２０６０に収納されている転写紙の最上位の１枚が給紙コロ２０５４に給紙され、給紙された転写紙は、その先端部がレジストローラ対２０５６に捕らえられる。レジストローラ対２０５６は、感光体ドラム２０３０上のトナー画像が転写位置へ移動するタイミングに合わせて、転写紙を転写ベルト２０４０と転写ローラ２０４２との間隙に向けて送り出す。送り出された転写紙には、転写ベルト２０４０上のカラー画像が転写される。カラー画像が転写された転写紙は、定着ローラ２０５０に送り出される。

定着ローラ２０５０に送り出された転写紙には、熱と圧力とが加えられて、トナーが転写紙上に定着される。トナーが定着された転写紙は、排紙ローラ２０５８を介して排紙トレイ２０７０に送り出されて、排紙トレイ２０７０上に順次スタックされる。

クリーニングユニット２０３１は、トナー画像が転写された後の感光体ドラム２０３０の表面に残ったトナー（残留トナー）を除去する。残留トナーが除去された感光体ドラム２０３０の表面は、再度、対応する帯電装置２０３２に対向する位置に戻る。

●実施の形態に係る作用・効果
以上説明した実施の形態によれば、本回路を用いることにより、簡易な構成により所定の応答波形を得つつ、発光遅延を解消することができる。

１ 発光電流生成部
２ 第１微分電流生成部
３ 第２微分電流生成部
４ ＬＤドライバ

特開平４−２８３９７８号公報 特開平９−８３０５０号公報 特開平５−３２８０７１号公報 特許第３４６６５９９号公報

Claims (8)

1. 半導体レーザを駆動変調する半導体レーザ駆動回路であって、
   前記半導体レーザを駆動点灯するための駆動電流を供給する電流源と、
   前記駆動電流の立ち上がり時に電流を供給する第１オーバーシュート電流源と、
   前記駆動電流の立ち上がり時に電流を供給する第２オーバーシュート電流源と、
   を備え、
   前記第１オーバーシュート電流源が電流を供給する時間は、前記半導体レーザが前記駆動電流に応答する時間よりも短い時間であり、
   前記第２オーバーシュート電流源が電流を供給する時間は、前記第１オーバーシュート電流源が電流を供給する時間よりも長く前記半導体レーザが前記駆動電流に応答する時間よりも短い時間である、
   ことを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
2. 前記第１オーバーシュート電流源と前記第２オーバーシュート電流源とは、前記電流源が前記駆動電流を供給するタイミングと同時に電源を供給する、
   請求項１記載の半導体レーザ駆動回路。
3. 前記第１オーバーシュート電流源が供給する電流と前記第２オーバーシュート電流源が供給する電流とを加算した加算電流の信号は、前記駆動電流の信号または前記駆動電流の遅延した信号を所定の変化点において微分した信号である、
   請求項１または２記載の半導体レーザ駆動回路。
4. 前記電流源には、電圧電流変換を行うトランジスタを有し、
   前記トランジスタのエミッタまたはソースには、
   前記第１オーバーシュート電流源として第１コンデンサが接続され、
   前記第２オーバーシュート電流源として抵抗と第２コンデンサとが直列に接続される、
   請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体レーザ駆動回路。
5. 前記抵抗は、可変抵抗であり、
   前記第１コンデンサと前記第２コンデンサとは、可変容量コンデンサである、
   請求項４記載の半導体レーザ駆動回路。
6. 前記半導体レーザは、ＶＣＳＥＬである、
   請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体レーザ駆動回路。
7. 前記半導体レーザは、赤色レーザまたは赤色レーザアレイである、
   請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体レーザ駆動回路。
8. 画像変調信号によりその出力が変調される半導体レーザと、
   前記半導体レーザの光で回転感光体を走査する走査部と、
   を備え、
   前記回転感光体に前記画像変調信号に応じた静電潜像を形成する画像形成装置であって、
   前記半導体レーザは、請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体レーザ駆動回路により駆動される、
   ことを特徴とする画像形成装置。
   

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