TWI575829B - 加快雷射二極體發光的控制方法 - Google Patents

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Description

加快雷射二極體發光的控制方法
本發明係關於一種加快雷射二極體發光的控制方法。
雷射(Light Amplification by Simulated Emission of Radiation, LASER)是指藉由激勵放射進行光放大作用所產生的光線，輸出的所有光子具有相同的相位、方向與振幅，所以具有高強度、方向性、單光性與同調性等特質。由於雷射的特性使然，工業用雷射開始被導入不同的產業已進行精密加工使用。雷射可以提供較高而且集中的熱源來進行高速的熔接、切割、標記、雕刻、呈色、表面熱處理或量測等不同領域的應用。
目前較常見的作法是以雷射二極體搭配驅動裝置來產生雷射光，使用者可以透過驅動裝置控制雷射二極體的出光與否，來因應工件狀況進行加工。但是，目前一般的驅動裝置並無法足夠快速地啟動雷射二極體產生雷射光，而使得在加工過程中往往會因為雷射二極體的出光延遲而降低了加工品質。
本發明在於提供一種加快雷射二極體發光的控制方法，以降低雷射二極體的出光延遲。
本發明所揭露的一種加快雷射二極體發光的控制方法。在輸出期間前，將輸入電壓由第一電壓準位升壓至第二電壓準位。而在輸出期間初，開始導通電流路徑，同時輸入電壓降回第一電壓準位。電流路徑包含雷射二極體與電流源，雷射二極體的一端耦接電流源，雷射二極體的另一端接收輸入電壓。其中，當導通電流路徑時，電流源先進入暫態並輸出暫態驅動電流。雷射二極體的跨壓為第二電壓準位所產生的暫態電壓差，且驅動電流的大小關聯於暫態電壓差的大小。當暫態驅動電流大於預設閾值時，雷射二極體發光。
綜上所述，本發明提供了一種加快雷射二極體發光的控制方法，藉由提高輸入電壓的電壓準位，進而提高電路的暫態驅動電流，從而讓雷射二極體被導通之後能快速地發光。藉此，可讓雷射二極體盡可能地同步於使用者的指令或控制器的指示，減少了出光延遲，也提升了加工的品質。
以上之關於本揭露內容之說明及以下之實施方式之說明係用以示範與解釋本發明之精神與原理，並且提供本發明之專利申請範圍更進一步之解釋。
以下在實施方式中詳細敘述本發明之詳細特徵以及優點，其內容足以使任何熟習相關技藝者了解本發明之技術內容並據以實施，且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式，任何熟習相關技藝者可輕易地理解本發明相關之目的及優點。以下之實施例係進一步詳細說明本發明之觀點，但非以任何觀點限制本發明之範疇。
請參照圖1，圖1係為根據本發明一實施例所繪示之雷射輸出裝置的功能方塊示意圖。如圖所示，雷射輸出裝置1具有雷射二極體驅動模組12、系統控制模組16、電壓控制模組14與電流控制模組18。雷射二極體驅動模組12電性連接系統控制模組16、電壓控制模組14與電流控制模組18，且系統控制模組16電性連接電壓控制模組14與電流控制模組18。其中，雷射二極體驅動模組12具有雷射二極體122、電流源124、二極體126、電容128與開關單元129。在一實施例中，開關單元129串聯、雷射二極體122與電流源124彼此串聯，且串聯的開關單元129、雷射二極體122與電流源124並聯於電容128。二極體126的一端則分別電性連接於電容128與雷射二極體122。
而在圖1中更標示有多個電壓電流參數。電壓準位VA是雷射二極體122其中一端的端電壓，電壓準位VK是雷射二極體122的另一端的端電壓。電流源124的一端接地，電壓準位VC則是電流源124的另一端的端電壓。二極體126的一端係接收輸入電壓VDD。在另一實施例中，雷射二極體驅動模組12也可不具有二極體126，利用電壓控制模組14內部特性進行電壓維持，而讓雷射二極體122與電容128直接接收輸入電壓VDD。
電壓控制模組14係用以選擇性地提供輸入電壓VDD，且電壓控制模組14更用以選擇性地輸入電壓VDD將第一電壓準位V1提升至第二電壓準位V2。所述的第一電壓準位V1與第二電壓準位V2僅用以舉例示範，在此並不限制輸入電壓VDD的電壓範圍與輸出準位的個數。電流控制模組18係用以控制電流源124選擇性地提供驅動電流iD。系統控制模組16係用以依據一功率設定信號指示電壓控制模組14與電流控制模組18，並依據所述的功率設定信號選擇性地以控制信號S導通開關單元129。換句話說，系統控制模組16係依據功率設定信號所指定的輸出功率指示電壓控制模組14與電流控制模組18作動，以輸出對應的輸入電壓VDD與驅動電流iD。在一實施例中，當控制信號S為高電壓準位時，開關單元129被導通，但在此並不限制開關單元129係依據控制信號S的何種電壓準位而導通。
其中，電流源124與開關單元129例如是以至少一個雙極性場效電晶體（bipolar junction transistor,BJT）或至少一個金屬氧化物半導體場效電晶體（metal–oxide–semiconductor field-effect transistor, MOSFET）所組成的電路，但並不以此為限。
相對於此，本發明提供了一種加快雷射二極體發光的控制方法。請接著參照圖2以進行說明，圖2係為根據本發明一實施例所繪示之加快雷射二極體發光的控制方法的流程圖。在步驟S201中，係在輸出期間前，將輸入電壓由第一電壓準位升壓至第二電壓準位。在步驟S203中，係在輸出期間初，開始導通電流路徑，同時輸入電壓降至第一電壓準位。電流路徑包含雷射二極體與電流源。雷射二極體的一端耦接電流源，雷射二極體的另一端耦接輸入電壓。其中，當導通電流路徑時，電流源先進入暫態並輸出暫態驅動電流。雷射二極體的跨壓為暫態電壓差，且驅動電流的大小關聯於暫態電壓差的大小。當暫態驅動電流大於預設閾值時，雷射二極體發光。
請接著參照圖3A與圖3B以進一步地說明本發明提供之加快雷射二極體發光的控制方法，圖3A係為根據本發明一實施例所繪示之加快雷射二極體發光的控制方法的各節點電壓時序圖，圖3B係為根據本發明一實施例所繪示之加快雷射二極體發光的控制方法的驅動電流時序圖。於圖3A與圖3B中的時間點T1至時間點T4間係被定義為輸出區間。如圖2~圖3B所示地，輸入電壓VDD在時間點T1前係先被升壓至第二電壓準位V2。此時，電壓準位VA與電壓準位VK係對應地被拉至趨近於第二電壓準位V2。此時，由於控制信號S為低電壓準位，開關單元129未被導通，電壓準位VC為低電壓準位，且驅動電流iD的電流值相對較小。
在時間點T1，控制信號S被調整至高電壓準位，此時開關單元129導通，雷射二極體122、開關單元129與電流源124形成輸入電壓VDD與接地端之間的一電流路徑，且雷射二極體驅動模組12係處於暫態。此時，雷射二極體122被導通但尚未開始發光，電壓準位VK減小而往電壓準位VC靠近，電壓準位VC增大而往電壓準位VK靠近。如圖所示，在時間點T1之後，電壓準位VA與電壓準位VK之間的電位差逐漸增加，使得處於暫態的驅動電流iD隨之增加，並在時間點T2左右達到峰值。在此實施例中，驅動電流iD在時間點T2附近開始大於雷射二極體122的閾值電流，使得雷射二極體122係在時間點T2附近開始發光。於實務上，雷射二極體122在何時間點開始發光，端視其物理特性而決定，並不以此為限。
而在一實施例中，在時間點T1之後，也就是開關單元129被導通之後，停止升壓輸入電壓VDD至第二電壓準位V2，因此輸入電壓VDD在時間點T1之後會如圖3A所示地逐漸下降。連帶地，電壓準位VA也隨之下降。而輸入電壓VDD與電壓準位VA下降的速度係關聯於電容128的電容值大小，也就是關聯於電容128在時間點T1前所儲存的電荷量以及電容128的充放電速率。而在另一實施例中，係在開關單元129被導通的同時，停止升壓輸入電壓VDD至第二電壓準位V2。此外在更一實施例中，當雷射輸出裝置1的結構如圖1所示時，係在開關單元129被導通前即停止升壓輸入電壓VDD至第二電壓準位V2。更詳細地來說，在此實施例中，輸入電壓VDD已然在開關單元129導通前被升壓至第二電壓準位V2，並在開關單元129被導通前就停止對輸入電壓VDD升壓。在停止對輸入電壓VDD升壓後，輸入電壓VDD會逐漸降回第一電壓準位V1，而由於二極體126係串聯於電壓控制模組14與雷射二極體122之間，電壓準位VA理想上會被箝制在第二電壓準位V2，進而使此實施例具有於前述實施例相仿的作動方式與功效。上述僅為舉例示範，實際上並不僅以此為限。
在時間點T3後，雷射二極體驅動模組12逐漸趨於穩定，此時輸入電壓VDD趨近第一電壓準位V1而為一定值。電壓準位VA大致上也維持為趨近於第一電壓準位V1的一定值。此外，電壓準位VK、VC與驅動電流iD的變化也趨近於平滑。如圖所示，驅動電流iD的暫態峰值會大於驅動電流iD的穩態電流值，因而使得雷射二極體122能迅速地在電路暫態時被導通發光。
在時間點T4，控制信號S被調整為低電壓準位，開關單元129不導通。此時，輸入電壓VDD重新被升壓至第二電壓準位V2。於實務上，輸入電壓VDD的增加速度係關聯於電容128的電容值大小。由於開關單元129不導通，因此電壓準位VA、VK係隨著輸入電壓VDD的電壓準位提升而連帶地上升。另一方面，驅動電流iD與電壓準位VC則因為開關單元129的不導通而逐漸下降至定值。在時間點T5，雷射二極體驅動模組12逐漸趨於穩定，各個電壓參數與電流參數的變化亦趨近於平穩。當控制信號S再被拉至高電壓準位時，即再重複上述的作動方式。
其中，圖3B中更繪示了以習知技術驅動雷射二極體122時的驅動電流iD’的變化。如圖3B所示，以本發明所提供之方法驅動雷射二極體122時的驅動電流iD在暫態時會明顯地大於驅動電流iD’。換句話說，本發明所述之方法的驅動電流iD能較快地達到雷射二極體122的閾值電流，使得雷射二極體122能較快地發光。而且雷射輸出裝置1並不需要調整穩態時的功率，因而亦無須犧牲穩態時的輸出功率。此外，藉由本發明所提供之方法，亦無需增加元件，僅需要加入電壓調變控制邏輯，避免增加額外的設備成本。從整體看來，由於暫態所佔的時間極短，因此本發明所提供的方法亦不會增加整體所消耗的功率。
綜合以上所述，本發明提供了一種加快雷射二極體發光的控制方法，藉由提高輸入電壓的電壓準位，而連帶提升雷射二極體的暫態驅動電流。利用高於過往的暫態驅動電流，從而讓雷射二極體被導通之後能快速地發光，並且在電路穩定後能依據穩態電流穩定地出光。藉此，可讓雷射二極體盡可能地同步於使用者的指令或控制器的指示。當控制器的指令一下，雷射二極體也能隨即出光，減少了出光延遲，提升了雷射二極體加工的品質，並能應用雷射二極體在複雜的精密加工中。
雖然本發明以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。在不脫離本發明之精神和範圍內，所為之更動與潤飾，均屬本發明之專利保護範圍。關於本發明所界定之保護範圍請參考所附之申請專利範圍。
1‧‧‧雷射輸出裝置
12‧‧‧雷射二極體驅動模組
122‧‧‧雷射二極體
124‧‧‧電流源
126‧‧‧二極體
128‧‧‧電容
129‧‧‧開關單元
14‧‧‧電壓控制模組
16‧‧‧系統控制模組
18‧‧‧電流控制模組
VDD‧‧‧輸入電壓
VA、VC、VK‧‧‧電壓準位
V1‧‧‧第一電壓準位
V2‧‧‧第二電壓準位
iD、iD’‧‧‧驅動電流
S‧‧‧控制信號
T1~T5‧‧‧時間點
圖1係為根據本發明一實施例所繪示之雷射輸出裝置的功能方塊示意圖。 圖2係為根據本發明一實施例所繪示之加快雷射二極體發光的控制方法的流程圖。 圖3A係為根據本發明一實施例所繪示之加快雷射二極體發光的控制方法的各節點電壓時序圖。 圖3B係為根據本發明一實施例所繪示之加快雷射二極體發光的控制方法的驅動電流時序圖。
1‧‧‧雷射輸出裝置
12‧‧‧雷射二極體驅動模組
122‧‧‧雷射二極體
124‧‧‧電流源
126‧‧‧二極體
128‧‧‧電容
129‧‧‧開關單元
14‧‧‧電壓控制模組
16‧‧‧系統控制模組
18‧‧‧電流控制模組
VDD‧‧‧輸入電壓
VA、VC、VK‧‧‧電壓準位
iD‧‧‧電流
S‧‧‧控制信號

Claims (10)

  1. 一種加快雷射二極體發光的控制方法，包含：在一輸出期間前，將一輸入電壓由一第一電壓準位升壓至一第二電壓準位；以及在該輸出期間初，導通一電流路徑，該電流路徑包含一雷射二極體與一電流源，該雷射二極體的一端耦接該電流源，該雷射二極體的另一端接收該輸入電壓；其中，當導通該電流路徑時，該電流源先進入暫態並輸出一暫態驅動電流，該雷射二極體的跨壓為該第二電壓準位產生的一暫態電壓差，且該暫態驅動電流的大小關聯於該暫態電壓差的大小，當該暫態驅動電流大於一預設閾值時，該雷射二極體發光；其中，該雷射二極體耦接一二極體，該雷射二極體經由該二極體耦接該輸入電壓。
  2. 如請求項1所述之加快雷射二極體發光的控制方法，其中當導通該電流路徑後，停止對該輸入電壓升壓，以將該輸入電壓由該第二電壓準位調整至該第一電壓準位。
  3. 如請求項1所述之加快雷射二極體發光的控制方法，其中當導通該電流路徑的同時，停止對該輸入電壓升壓，以將該輸入電壓由該第二電壓準位調整至該第一電壓準位。
  4. 如請求項2或請求項3所述之加快雷射二極體發光的控制方法，其中在串聯的該雷射二極體與該電流源的兩端並聯有一電容，當停 止對該輸入電壓升壓後，該輸入電壓的電壓準位的降低速度係關聯於該電容的電容值大小。
  5. 如請求項1所述之加快雷射二極體發光的控制方法，其中在該輸入電壓被升至該第二電壓準位後，於導通該電流路徑前，停止對該輸入電壓升壓，以將該輸入電壓由該第二電壓準位調整至該第一電壓準位。
  6. 如請求項1所述之加快雷射二極體發光的控制方法，其中當導通該電流路徑後，停止對該輸入電壓升壓，以將該輸入電壓由該第二電壓準位調整至該第一電壓準位。
  7. 如請求項1所述之加快雷射二極體發光的控制方法，其中當導通該電流路徑的同時，停止對該輸入電壓升壓，以將該輸入電壓由該第二電壓準位調整至該第一電壓準位。
  8. 如請求項5、請求項6或請求項7所述之加快雷射二極體發光的控制方法，其中在串聯的該雷射二極體與該電流源的兩端並聯有一電容，當停止對該輸入電壓升壓後，該輸入電壓的電壓準位的降低速度係關聯於該電容的電容值大小。
  9. 如請求項1所述之加快雷射二極體發光的控制方法，其中該雷射二極體與該電流源之間耦接有一開關單元，在導通該電流路徑的步驟中，係導通該開關單元以導通該電流路徑。
  10. 如請求項1所述之加快雷射二極體發光的控制方法，其中該電流源進入穩態後會輸出一穩態驅動電流，該暫態驅動電流的最大值大於該穩態驅動電流的電流值。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5065401A (en) * 1991-02-26 1991-11-12 Spectra Diode Laboratories, Inc. Pulse jitter reduction method for a laser diode or array
TW477095B (en) * 2000-02-22 2002-02-21 Yamaha Corp Laser diode driving circuit
US20130195133A1 (en) * 2010-10-28 2013-08-01 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Driver circuit for laser diode outputting pre-emphasized signal
JP2014107461A (ja) * 2012-11-29 2014-06-09 Ricoh Co Ltd 半導体レーザ駆動回路、画像形成装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012124522A1 (ja) * 2011-03-15 2012-09-20 シャープ株式会社 発光装置、照明装置、前照灯および車両

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5065401A (en) * 1991-02-26 1991-11-12 Spectra Diode Laboratories, Inc. Pulse jitter reduction method for a laser diode or array
TW477095B (en) * 2000-02-22 2002-02-21 Yamaha Corp Laser diode driving circuit
US20130195133A1 (en) * 2010-10-28 2013-08-01 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Driver circuit for laser diode outputting pre-emphasized signal
JP2014107461A (ja) * 2012-11-29 2014-06-09 Ricoh Co Ltd 半導体レーザ駆動回路、画像形成装置

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