JP2014107303A - 酸化物半導体薄膜および薄膜トランジスタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】酸化物半導体薄膜は、インジウムとチタンを含有する酸化物からなり、チタン含有量が、Ti/In原子数比で0.005〜0.12である非晶質膜を、250℃以上の加熱温度、および、1分〜120分の処理時間でアニール処理を施すことにより得られ、結晶質で、ビックスバイト型構造のIn2O3相によってのみ構成されており、かつ、キャリア濃度が1×1019cm-3以下で、キャリア移動度が1cm2/Vsec以上である。
【選択図】図2
Description
(a)組成
本発明のインジウム(In)とチタン(Ti)を含有する酸化物からなる結晶質の酸化物半導体薄膜では、Ti含有量を、Ti/In原子数比で0.005〜0.12に制御することにより、キャリア濃度が1×1019cm-3以下で、かつ、キャリア移動度が1cm2/Vsec以上を示し、さらには3cm2/Vsec以上という良好なキャリア特性を達成している。TFTのチャネル層としては、さらに低いキャリア濃度を示すことが好ましいが、本発明の酸化物半導体膜では、たとえば、Ti含有量を、Ti/In原子数比で0.01〜0.06の範囲に制御することにより、5×1017cm-3以下のキャリア濃度を達成することができる。
本発明の酸化物半導体薄膜は、結晶質であって、実質的にビックスバイト型構造の酸化インジウム(In2O3)相のみによって構成されており、この構造以外の結晶相を実質的に含まないことを特徴とする。ビックスバイト型構造のIn2O3相では、InとOからなるInO6八面体構造が形成されている。隣り合うInO6八面体構造が稜共有しているため、In−In間の距離が短くなり、キャリアとなる電子の軌道の重なりが大きくなり、キャリア移動度が向上する。
本発明の酸化物半導体薄膜において、酸化物半導体薄膜を構成する結晶粒の大きさ、すなわち、結晶粒径は10nm以上であることが好ましく、20nm以上であることがより好ましく、50nm以上であることが特に好ましい。結晶粒径が10nm以上の結晶粒によって構成されることにより、結晶粒界におけるキャリアの散乱が少なくなるため、キャリア移動度を安定的に1cm2/Vsec以上とすることが可能となる。
本発明の酸化物半導体薄膜の膜厚は、好ましくは15nm〜200nm、より好ましくは30nm〜150nm、さらに好ましくは40nm〜100nmの範囲に制御される。
上述のように本発明の酸化物半導体薄膜は、インジウムとチタンを含有する酸化物からなり、結晶質で、ビックスバイト型構造のIn2O3相によってのみ構成されている。このため、本発明の酸化物半導体薄膜を適用したTFTは、熱などの外的因子に対して高い安定性を有しており、かつ、光負バイアス劣化現象が発生し難い。
(成膜工程)
本発明の酸化物半導体薄膜は、酸化物焼結体のターゲットやタブレットを用いて、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの適用可能な公知の成膜技術により、基板上に形成される。原材料となる酸化物焼結体の金属元素組成比は、成膜条件に応じて適宜設定することも可能であるが、通常、酸化物焼結体の金属元素組成比を成膜後の酸化物薄膜と同じとして、成膜条件を制御して、所望の組成の酸化物薄膜を成膜することが容易な手段である。よって、本発明の酸化物半導体薄膜の金属元素組成比と同じとすることが好ましい。この場合、InとTiを含有する酸化物焼結体では、そのTi含有量を、Ti/In原子数比で0.005〜0.12、好ましくは0.01〜0.06とする。
本発明の酸化物半導体薄膜を結晶化させる方法として、基板を酸化物半導体薄膜の結晶化温度以上に加熱することによって、結晶質の酸化物半導体薄膜を成膜する、あるいは、室温近傍など低温で非晶質膜を形成してから、この非晶質膜を結晶化温度以上でアニール処理して結晶化させる方法がある。本発明の酸化物半導体膜の場合、いずれの方法も用いることができる。また、いずれの方法を用いる場合であっても、基板温度、または、アニール処理時の加熱温度を400℃以下とすることができ、このような温度範囲であれば、アモルファスシリコンや多結晶シリコンを用いる半導体プロセスと温度的に大きな差はないといえる。ただし、本発明では、上述したように、成膜時に結晶化させると、たとえば、その後にさらにアニール処理を施しても、酸素欠損の消失が進まず、結果として、キャリア濃度を1×1019cm-3以下に制御することが困難となる場合がある。したがって、非晶質膜を形成した後、この非晶質膜にアニール処理を施して結晶化させることが好ましい。
本発明の薄膜トランジスタ(TFT)は、上記の通り、チャネル層材料に、InとTiを含有する酸化物からなる酸化物半導体薄膜を適用している点に特徴がある。TFTの構造は限定されないが、たとえば、図1に示した構成のTFT素子を例示することができる。
本発明のTFT素子の製造方法について、詳細に説明する。なお、以下では、酸化物半導体薄膜の形成に際し、低温成膜後にアニール処理をする方法を例に挙げて説明するが、本発明のTFT素子は、高温で成膜する方法を採用することもできるし、その他、公知の方法を適宜組み合わせて製造することができる。
各実施例および比較例により得られた酸化物焼結体の端材に対して、X線回折装置(フィリップス社製、X´PertPRO MPD)を用いて、粉末X線回折法による生成相の同定を行った。
各実施例および比較例により得られた酸化物半導体薄膜の組成を、ICP発光分光法によって測定した。また、酸化物半導体薄膜の膜厚を、表面形状測定装置(ケーエルエー・テンコール社製)で測定し、この結果と成膜時間から成膜速度を算出した。さらに、酸化物半導体薄膜のキャリア濃度および比抵抗を、ホール効果測定装置(株式会社東陽テクニカ製)によって測定し、それらの値からそのキャリア移動度を算出した。酸化物半導体薄膜の生成相の同定は、上記と同様に、X線回折測定によって行った。
TFT素子の特性評価は、半導体パラメータアナライザ(ケースレー社製、4200SCS)を用いて、TFT素子の動作を確認するとともに、on/off比、電界効果移動度を測定することにより行った。
Tiを含有する酸化インジウム(In2O3)からなる酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとして使用して、酸化物半導体薄膜の成膜を実施した。このとき使用した酸化物焼結体は、Ti含有量が、Ti/In原子数比で0.018であり、In2O3相のみによって構成されていた。
実施例1と同様にして得られた非晶質の酸化物半導体薄膜に対して、大気中、400℃、30分間の条件でアニール処理を実施した。アニール処理後の酸化物半導体薄膜に対して、X線回折測定を行った結果、該酸化物半導体薄膜は結晶化していること、および、In2O3(222)を主ピークとしていることが確認された。このピークより結晶粒径を算出したところ、59nmであった。
スパッタリングターゲットとして使用した酸化物焼結体のTi含有量を、Ti/In原子数比で0.01としたこと以外は、実施例1と同様にして、酸化物半導体薄膜を得た。この酸化物半導体薄膜の組成を、ICP発光分析法により調べた結果、酸化物焼結体の組成とほぼ同じであることが確認された。また、この酸化物半導体薄膜に対してX線回折測定を行った結果、非晶質であることが確認された。
スパッタリングターゲットとして使用した酸化物焼結体のTi含有量を、Ti/In原子数比で0.06としたこと以外は、実施例1と同様にして、酸化物半導体薄膜を得た。この酸化物半導体薄膜の組成を、ICP発光分析法により調べた結果、酸化物焼結体の組成とほぼ同じであることが確認された。また、この酸化物半導体薄膜に対してX線回折測定を行った結果、非晶質であることが確認された。
スパッタリングターゲットとして使用した酸化物焼結体のTi含有量を、Ti/In原子数比で0.09としたこと以外は、実施例1と同様にして、酸化物半導体薄膜を得た。この酸化物半導体薄膜の組成を、ICP発光分析法により調べた結果、酸化物焼結体の組成とほぼ同じであることが確認された。また、この酸化物半導体薄膜に対してX線回折測定を行った結果、非晶質であることが確認された。
実施例5と同様にして得られた非晶質の酸化物半導体薄膜に対して、大気中、400℃、30分間の条件でアニール処理を実施した。アニール処理後の酸化物半導体薄膜に対して、X線回折測定を行った結果、該酸化物半導体薄膜は結晶化していること、および、In2O3(222)を主ピークとしていることが確認された。このピークより結晶粒径を算出したところ、58nmであった。
スパッタリングターゲットとして使用した酸化物焼結体のTi含有量を、Ti/In原子数比で0.005としたこと以外は、実施例1と同様にして、酸化物半導体薄膜を得た。この酸化物半導体薄膜の組成を、ICP発光分析法により調べた結果、酸化物焼結体の組成とほぼ同じであることが確認された。また、この酸化物半導体薄膜に対してX線回折測定を行った結果、非晶質であることが確認された。
スパッタリングターゲットとして使用した酸化物焼結体のTi含有量を、Ti/In原子数比で0.12としたこと以外は、実施例1と同様にして、酸化物半導体薄膜を得た。この酸化物半導体薄膜の組成を、ICP発光分析法により調べた結果、酸化物焼結体の組成とほぼ同じであることが確認された。また、この酸化物半導体薄膜に対してX線回折測定を行った結果、非晶質であることが確認された。
膜厚を15nmとしたこと以外は、実施例1と同様にして、酸化物半導体薄膜を得た。この酸化物半導体薄膜の組成を、ICP発光分析法により調べた結果、酸化物焼結体の組成とほぼ同じであることが確認された。また、この酸化物半導体薄膜に対して、X線回折測定を行った結果、非晶質であることが確認された。
膜厚を200nmとしたこと以外は、実施例1と同様にして、酸化物半導体薄膜を得た。この酸化物半導体薄膜の組成を、ICP発光分析法により調べた結果、酸化物焼結体の組成とほぼ同じであることが確認された。また、この酸化物半導体薄膜に対して、X線回折測定を行った結果、非晶質であることが確認された。
スパッタリングターゲットとして使用した酸化物焼結体のTi含有量を、Ti/In原子数比で0.001としたこと以外は、実施例1と同様にして、酸化物半導体薄膜を得た。この酸化物半導体薄膜の組成を、ICP発光分析法により調べた結果、酸化物焼結体の組成とほぼ同じであることが確認された。また、この酸化物半導体薄膜に対してX線回折測定を行った結果、非晶質であることが確認された。
スパッタリングターゲットとして使用した酸化物焼結体のTi含有量を、Ti/In原子数比で0.15としたこと以外は、実施例1と同様にして、酸化物半導体薄膜を得た。この酸化物半導体薄膜の組成を、ICP発光分析法により調べた結果、酸化物焼結体の組成とほぼ同じであることが確認された。また、この酸化物半導体薄膜に対してX線回折測定を行った結果、非晶質であることが確認された。
実施例1と同様にして得られた非晶質の酸化物半導体薄膜に対して、大気中、200℃、30分間の条件でアニール処理を実施した。アニール処理後の酸化物半導体薄膜に対して、X線回折測定を行った結果、該酸化物半導体薄膜は結晶化していないこと、および、In2O3相のいずれの面方位のピークも存在しないことが確認された。このため、酸化物薄膜のホール効果測定は実施しなかった。
実施例1〜10は、Ti含有量がTi/In原子数比で0.005〜0.12の範囲に制御され、かつ、大気中、400℃以下でアニール処理が施された例である。このため、実施例1〜10は、いずれも酸化物半導体膜は結晶化しており、結晶粒径、キャリア濃度およびキャリア濃度のいずれもが本発明に規定する範囲内となっていた。
InとTiを酸化物として含有する酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いて、熱酸化によってSiO2膜が形成された、厚さ300nmのSiウエハ基板のSiO2膜上に、膜厚が50nmとなるように、非晶質の酸化物半導体薄膜の成膜を実施した。このとき使用した酸化物焼結体は、Ti含有量がTi/In原子数比で0.018であり、In2O3相のみによって構成されていた。また、このときの酸化物半導体薄膜の成膜条件は、実施例1と同様にした。
2 ゲート絶縁膜
3 チャネル層
4 ソース電極
5 ドレイン電極
Claims (9)
- インジウムとチタンを含有する酸化物からなり、
チタン含有量が、Ti/In原子数比で0.005〜0.12であり、
結晶質で、ビックスバイト型構造のIn2O3相によってのみ構成されており、かつ、
キャリア濃度が1×1019cm-3以下で、キャリア移動度が1cm2/Vsec以上である、
ことを特徴とする酸化物半導体薄膜。 - 前記チタン含有量が、Ti/In原子数比で0.01〜0.06である、請求項1に記載の酸化物半導体薄膜。
- 前記キャリア移動度が3cm2/Vsec以上である、請求項1または2に記載の酸化物半導体薄膜。
- 前記キャリア濃度が5×1017cm-3以下で、前記キャリア移動度が5cm2/Vsec以上である、請求項1または2に記載の酸化物半導体薄膜。
- 前記酸化物半導体薄膜の膜厚が15nm〜200nmである、請求項1〜4のいずれかに記載の酸化物半導体薄膜。
- 前記酸化物半導体薄膜の膜厚が40nm〜100nmである、請求項1〜4のいずれかに記載の酸化物半導体薄膜。
- 前記酸化インジウム相の結晶粒径が10nm以上である、請求項1〜6のいずれかに記載の酸化物半導体薄膜。
- ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、チャネル層およびゲート絶縁膜を備える薄膜トランジスタであって、前記チャネル層が請求項1〜7のいずれかに記載の酸化物半導体薄膜により構成されている、薄膜トランジスタ。
- インジウムとチタンを含有する酸化物からなり、チタン含有量が、Ti/In原子数比で0.005〜0.12である非晶質の酸化物半導体薄膜に対して、250℃以上の加熱温度、および、1分〜120分の処理時間で、アニール処理を施すことにより、結晶質で、ビックスバイト型構造のIn2O3相によってのみ構成されており、かつ、キャリア濃度が1×1019cm-3以下で、キャリア移動度が1cm2/Vsec以上である、酸化物半導体薄膜を得る、酸化物半導体薄膜の製造方法。
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