JP2014090027A - 回路基板、回路基板の製造方法、電子装置及びガラスクロス - Google Patents

Abstract

【課題】優れた信号伝播特性を有する、ガラスクロスを用いた回路基板を、コストを抑えて提供する。
【解決手段】回路基板１は、樹脂層２０と、樹脂層２０内に設けられたガラスクロス１０と、樹脂層２０内にガラスクロス１０に沿って設けられた配線３０とを含む。ガラスクロス１０は、開繊されたガラス繊維糸１１ａと、そのガラス繊維糸１１ａよりも低誘電率のガラス繊維糸１１ｂとが、交差して織られた構造を有する。このようなガラスクロス１０により、ガラスクロス１０が配線３０を伝播する信号に及ぼす影響が抑えられる回路基板１を、コストを抑えて実現する。
【選択図】図５

Description

本発明は、回路基板、回路基板の製造方法、電子装置及びガラスクロスに関する。

電子部品が実装されるマザーボード等の回路基板や、半導体素子（半導体チップ）が実装されるパッケージ基板等の回路基板の絶縁層に、プリプレグを用いる技術が知られている。プリプレグは、縦糸（経糸）と横糸（緯糸）になるガラス繊維糸を平織等して作製されたガラスクロスに樹脂を含浸したコンポジット材料である。

ガラスクロスとしては、縦糸と横糸に同種のガラス繊維糸を用いたもののほか、異種のガラス繊維糸を用いたもの、例えば、縦糸にＥガラス繊維糸、横糸にＳガラス繊維糸を用いたもの等が知られている。ガラスクロスとしてはこのほか、縦糸と横糸に、熱膨張係数が異なるガラス繊維で作製したヤーンを用いたものや、縦糸と横糸に、含浸する樹脂に近い誘電率のガラス繊維糸を用いたもの等も知られている。また、開繊された繊維糸（開繊糸）を用いる技術も知られている。

ガラスクロスを用いたプリプレグに関しては、例えば、ガラスクロスを積層する際、隣接するガラスクロスのガラス繊維糸の方向を所定角度にする技術が知られている。このほか、一方向に配向されたガラス繊維を含むプリプレグを、繊維方向を直交させ且つコア層の上下に対称的に積層する技術等も知られている。

特開平０７−２７３４１４号公報 特開２００９−７９３１１号公報 特開２００８−１７１８３４号公報 国際公開第２００８／０５６５００号パンフレット

アイ・イー・イー・イー・２００８・エレクトロニック・コンポーネンツ・アンド・テクノロジー・コンフェレンス（IEEE 2008 Electronic Components and Technology Conference）、２００８年、ｐｐ．５１３〜５２０

ガラスクロスに樹脂を含浸したプリプレグを用いた回路基板では、その内部にガラスクロスに沿って設けられる配線が、ガラス繊維糸との距離が異なる場所を通ったり、ガラス繊維糸の疎密が異なる場所を通ったりする。

ガラスクロスの縦糸と横糸の双方のガラス繊維糸に、比較的誘電率の高いものを使用すると、配線を伝播する信号の伝播特性に影響が及ぶ場合がある。縦糸と横糸の双方のガラス繊維糸に、より低誘電率のガラス繊維糸を使用すると、ガラスクロス及びそれを用いたプリプレグ、更にはそのプリプレグを用いた回路基板のコストが増加してしまう場合がある。

本発明の一観点によれば、樹脂層と、前記樹脂層内に設けられたガラスクロスと、前記樹脂層内に前記ガラスクロスに沿って設けられた配線とを含み、前記ガラスクロスは、開繊され第１誘電率を有する第１ガラス繊維糸と、前記第１誘電率よりも低い第２誘電率を有する第２ガラス繊維糸とを含み、前記第１ガラス繊維糸と前記第２ガラス繊維糸とが交差して織られている回路基板が提供される。

また、本発明の一観点によれば、上記のような回路基板の製造方法、上記のような回路基板を用いた電子装置が提供される。また、上記のような回路基板に採用し得るガラスクロスが提供される。

開示の技術によれば、ガラスクロスが配線を伝播する信号に及ぼす影響が効果的に抑えられる回路基板を、コストを抑えて実現することが可能になる。また、そのような回路基板を用いた電子装置、回路基板に用いるガラスクロスを、コストを抑えて実現することが可能になる。

回路基板の一例を示す図である。 ガラスクロスの一例を示す図である。 第１構成例のガラスクロスを示す図である。 第２構成例のガラスクロスを示す図である。 ガラスクロスを用いた回路基板の一例を示す図である。 回路基板に用いるガラスクロスの一例を示す図（その１）である。 回路基板に用いるガラスクロスの一例を示す図（その２）である。 回路基板内でのガラスクロスの配置の一例を示す図である。 回路基板内でのガラスクロスの配置の別例を示す図である。 シミュレーション用の回路基板モデルを示す図である。 回路基板モデルのシミュレーション結果の一例を示す図である。 ガラスクロスの製織装置の一例を示す図である。 回路基板の形成フローの一例を示す図である。 ガラスクロスを用いたプリプレグの形成工程の説明図である。 プリプレグを用いた回路基板の形成工程の説明図である。 電子装置の一例を示す図である。

まず、回路基板の一例として、信号伝送に差動伝送方式を採用する回路基板について説明する。
ＬＳＩ（Large Scale Integration）等の素子を含む電子部品の高速化、高性能化に伴い、電子部品間の信号伝送に用いられる回路基板には、高速信号伝送に対応する性能が要求される。高速信号伝送では、例えば、差動伝送方式が用いられる。差動伝送方式は、２本の配線（信号線）を用いて１つの信号を伝送する方式であり、正と負の逆位相の信号を２本の信号線にそれぞれ入力し、その電位差を利用して信号を伝送する。そのため、ノイズに強く、信号の高速伝送が可能である。但し、このような差動伝送において、２本の信号線で配線長や材質によって信号速度の違いが生じると、伝播遅延時間差であるスキュー（Ｓｋｅｗ）が発生し、信号品質が低下する。

ところで、回路基板では、その機械的強度を高める観点から、ガラスクロスに樹脂を含浸したコンポジット材料（プリプレグと称される）を絶縁層に用いる技術がある。
ここで、図１は回路基板の一例を示す図、図２はガラスクロスの一例を示す図である。尚、図１には、回路基板の一例の要部断面を模式的に図示し、図２には、ガラスクロスの一例の要部平面を模式的に図示している。また、図２には、ガラスクロスと回路基板の配線との配置関係の一例を併せて図示している。

図１に示す回路基板１００のガラスクロス１１０は、図１及び図２に示すように、複数本（例えば数十本）のガラス繊維を束ねたガラス繊維糸１１１を、縦糸（経糸）１１１ａと横糸（緯糸）１１１ｂにして、縦横に交互に交差させた平織の構造とされる。ガラス繊維糸１１１には、例えば、Ｅガラス、Ｔガラス等のガラス繊維が用いられる。尚、図１では便宜上、縦糸１１１ａと横糸１１１ｂを非接触の状態で図示しているが、縦糸１１１ａと横糸１１１ｂは接触していてもよい。

上記のような構造を有するガラスクロス１１０に樹脂１２０ａを含浸したプリプレグが、少なくとも一方の表面に配線１３０が形成されて積層される。それにより、図１に示すような、絶縁層となる樹脂層１２０内にガラスクロス１１０及び配線１３０を含む構造体を備えた回路基板１００が形成される。樹脂層１２０には、例えば、エポキシ樹脂が用いられる。また、配線１３０として、図１及び図２には、前述の差動伝送で用いられるような、並設された２本の信号線１３１及び信号線１３２を例示している。信号線１３１及び信号線１３２には、例えば、銅（Ｃｕ）が用いられる。

回路基板１００内の１枚のガラスクロス１１０には、図１及び図２に示すように、縦糸１１１ａと横糸１１１ｂの交差部分、縦糸１１１ａの部分、横糸１１１ｂの部分、縦糸１１１ａと横糸１１１ｂに囲まれた空隙部分が存在する。即ち、ガラスクロス１１０には、ガラス繊維糸１１１の量（厚み）や疎密に面内分布がある。

回路基板１００において、信号線１３１及び信号線１３２は、ガラス繊維糸１１１の厚みや疎密に面内分布のあるガラスクロス１１０に沿って、樹脂層１２０内に設けられる。信号線１３１及び信号線１３２は、ガラス繊維糸１１１との距離が異なる場所を通ったり、ガラス繊維糸１１１の密度が異なる場所を通ったりする。図１及び図２の例の場合、一方の信号線１３１は、縦糸１１１ａと横糸１１１ｂの交差部分の近傍、及び縦糸１１１ａの部分の近傍を通る。もう一方の信号線１３２は、横糸１１１ｂの部分の近傍、及び縦糸１１１ａと横糸１１１ｂに囲まれた空隙部分の近傍を通る。

この時、信号線１３１及び信号線１３２がそれぞれガラス繊維糸１１１の厚み、疎密の異なる場所を通ることで、信号線１３１と信号線１３２を伝播する信号間にスキューが発生し得る。即ち、信号線１３１の周囲及び信号線１３２の周囲のガラスクロス１１０及び樹脂層１２０の配置により、信号線１３１及び信号線１３２に対する周囲の誘電率の影響が大きく異なってくる。その結果、信号線１３１及び信号線１３２をそれぞれ伝播する信号の遅延の状況が異なってきて、信号線１３１と信号線１３２を伝播する信号間にスキューが発生する可能性がでてくる。

そこで、まず、上記のような回路基板の絶縁層（樹脂層１２０）内に設けるガラスクロスとして、次の図３及び図４に示すような構成のガラスクロスについて述べる。
図３は第１構成例のガラスクロスを示す図である。尚、図３には、第１構成例のガラスクロスの要部平面を模式的に図示している。

図３に示すガラスクロス１４０は、複数本のガラス繊維を束ねたガラス繊維糸１４１を、縦糸１４１ａと横糸１４１ｂにして、縦横に交互に交差させた平織の構造を有している。ガラス繊維糸１４１には、例えば、Ｅガラス、Ｔガラス等のガラス繊維が用いられる。ガラスクロス１４０では、その縦糸１４１ａとして、開繊されたガラス繊維糸１４１が用いられ、その横糸１４１ｂとして、開繊されていない（非開繊の）ガラス繊維糸１４１が用いられている。

このように縦糸１４１ａが開繊されて薄くなることで、図１及び図２のように非開繊のガラス繊維糸１１１を用いた場合に比べ、縦糸１４１ａに沿って配置される信号線１３１に対する、縦糸１４１ａの誘電率の影響が低減される。但し、その信号線１３１が通る縦糸１４１ａと横糸１４１ｂの交差部分の近傍では、横糸１４１ｂが非開繊のため、交差していない縦糸１４１ａの部分の近傍に比べ、信号線１３１に対するガラスクロス１４０の誘電率の影響は大きい。

また、回路基板内には、縦糸１４１ａの延在方向に延びる信号線１３１及び信号線１３２のほか、配線１３０として、図３に点線で示すような、横糸１４１ｂの延在方向に延びる信号線１３１Ａ及び信号線１３２Ａが設けられる場合もある。図３の例では、一方の信号線１３１Ａが、開繊の縦糸１１１ａと非開繊の横糸１１１ｂの交差部分の近傍、及び非開繊の横糸１１１ｂの部分の近傍を通る。もう一方の信号線１３２Ａは、開繊の縦糸１１１ａの部分の近傍、及び開繊の縦糸１１１ａと非開繊の横糸１１１ｂに囲まれた空隙部分の近傍を通る。このような場合、エポキシ樹脂等の樹脂層１２０内にガラスクロス１４０、信号線１３１Ａ及び信号線１３２Ａが設けられる回路基板では、信号線１３１Ａ及び信号線１３２Ａに対する周囲の誘電率の影響が大きく異なる。そのため、信号線１３１Ａと信号線１３２Ａを伝播する信号間にスキューが発生する可能性がある。

また、このように開繊の縦糸１４１ａと非開繊の横糸１４１ｂを織った場合、非開繊の横糸１４１ｂには、非開繊のガラス繊維糸同士を織った場合に比べ、その長さ方向にかかる張力が大きくなる傾向がある。更に、非開繊の横糸１４１ｂは、縦糸１４１ａと織られた時に、ガラス繊維の束が糸の中心部の方に集まる傾向がある。その結果、非開繊の横糸１４１ｂは、平面視で細く、断面視で厚くなるような形状となる場合がある。このような形状となった横糸１４１ｂに沿って配置される信号線１３１Ａには、その横糸１４１ｂの誘電率の影響がより大きくなり、信号線１３１Ａと信号線１３２Ａを伝播する信号間にスキューが発生する可能性が高くなる恐れがある。

図４は第２構成例のガラスクロスを示す図である。尚、図４には、第２構成例のガラスクロスの要部平面を模式的に図示している。
図４に示すガラスクロス１５０は、複数本のガラス繊維を束ねたガラス繊維糸１５１を、縦糸１５１ａと横糸１５１ｂにして、縦横に交互に交差させた平織の構造を有している。この図４に示すガラスクロス１５０では、その縦糸１５１ａと横糸１５１ｂのいずれにも、上記のガラス繊維糸１１１及びガラス繊維糸１４１のガラス繊維よりも樹脂層１２０の誘電率に近い、低誘電率のガラス繊維を束ねたガラス繊維糸１５１が用いられている。即ち、上記のガラス繊維糸１１１及びガラス繊維糸１４１のガラス繊維よりも低誘電率のガラス繊維を束ねたガラス繊維糸１５１が、ガラスクロス１５０の縦糸１５１ａと横糸１５１ｂの双方に用いられている。ガラス繊維糸１５１には、例えば、Ｄガラス等のガラス繊維が用いられる。

このような低誘電率のガラス繊維糸１５１が用いられることで、図４に実線で示す信号線１３１及び信号線１３２に対する周囲の誘電率の影響、その影響の違いが比較的小さくなり、信号線１３１と信号線１３２を伝播する信号間のスキューが低減されるようになる。また、図４に点線で示す信号線１３１Ａ及び信号線１３２Ａについても、信号線１３１Ａ及び信号線１３２Ａに対する周囲の誘電率の影響、その影響の違いが比較的小さくなり、信号線１３１Ａと信号線１３２Ａを伝播する信号間のスキューが低減されるようになる。

但し、このように樹脂層１２０の誘電率に近付けた低誘電率のガラス繊維糸１５１は、より高誘電率のガラス繊維糸１１１やガラス繊維糸１４１に比べて高価となり得る。そのため、このような低誘電率のガラス繊維糸１５１を、縦糸１５１ａと横糸１５１ｂの双方に用いたガラスクロス１５０のコストが増加する場合がある。その場合、ガラスクロス１５０を用いた回路基板、更にはその回路基板を用いた電子装置のコストの増加を招いてしまうことが起こり得る。

また、回路基板において、ガラスクロスの縦糸及び横糸を信号線に対して斜めに交差させる技術がある。しかし、そのようなガラスクロスを含むプリプレグを得るために、予めガラスクロスを、その縦糸及び横糸が、配置される信号線に対して斜めになるように織ることは、必ずしも容易でない。信号線に対して縦糸及び横糸が斜めになるガラスクロスを含むプリプレグを得るためには、例えば、通常の製織法で織られたガラスクロス、或いはそのガラスクロスに樹脂を含浸したシートを、回路基板に使用するプリプレグのサイズで、斜めにカットすればよい。しかし、この場合、カットすることを想定してシートを予め長めに作製しておくことを要したり、カット後に残るシート部分が無駄になったりするため、ガラスクロス及びプリプレグ、更に回路基板のコストが増加する恐れがある。

以上のような点に鑑み、ここでは回路基板に用いるガラスクロスとして、次の図５〜図７に示すようなガラスクロスを用いる。
図５はガラスクロスを用いた回路基板の一例を示す図、図６及び図７は回路基板に用いるガラスクロスの一例を示す図である。尚、図５には、回路基板の一例の要部断面を模式的に図示している。図６には、ガラスクロスの一例の要部平面を模式的に図示している。図７（Ａ）は図６のＬ１−Ｌ１断面模式図、図７（Ｂ）は図６のＬ２−Ｌ２断面模式図である。また、図６及び図７には、ガラスクロスと回路基板の配線との配置関係の一例を併せて図示している。

図５に示す回路基板１のガラスクロス１０は、図５〜図７に示すように、複数本のガラス繊維を束ねたガラス繊維糸１１である２種類のガラス繊維糸１１ａ及びガラス繊維糸１１ｂを、それぞれ縦糸と横糸にして、縦横に交互に交差させた平織の構造を有している。尚、図５及び図７では便宜上、ガラス繊維糸１１ａとガラス繊維糸１１ｂを非接触の状態で図示しているが、ガラス繊維糸１１ａとガラス繊維糸１１ｂは接触していてもよい。

ガラスクロス１０では、ガラス繊維糸１１ａに、開繊されたガラス繊維糸が用いられ、ガラス繊維糸１１ａに交差するガラス繊維糸１１ｂに、開繊されていない非開繊のガラス繊維糸が用いられている。また、ガラス繊維糸１１ｂには、ガラス繊維糸１１ａのガラス繊維よりも樹脂層１２０の誘電率に近い、低誘電率のガラス繊維が用いられている。即ち、ガラス繊維糸１１ａのガラス繊維よりも低誘電率のガラス繊維を束ねたガラス繊維糸が、ガラス繊維糸１１ａと交差するガラス繊維糸１１ｂとして用いられている。ガラス繊維糸１１ａには、例えば、Ｅガラス、Ｔガラス等のガラス繊維が用いられ、ガラス繊維糸１１ｂには、例えば、Ｄガラス等のガラス繊維が用いられる。

このようなガラスクロス１０に樹脂２０ａを含浸したプリプレグが、少なくとも一方の表面に配線３０が形成されて積層され、図５に示すような、絶縁層となる樹脂層２０内にガラスクロス１０及び配線３０を含む構造体を備えた回路基板１が形成される。樹脂層２０には、例えば、エポキシ樹脂が用いられる。配線３０として、図５〜図７には、差動伝送で用いられるような、並設された２本の信号線３１及び信号線３２を例示している。信号線３１及び信号線３２には、例えば、銅が用いられる。

１枚のガラスクロス１０には、図５〜図７に示すように、ガラス繊維糸１１ａとガラス繊維糸１１ｂの交差部分、ガラス繊維糸１１ａの部分、ガラス繊維糸１１ｂの部分、ガラス繊維糸１１ａとガラス繊維糸１１ｂに囲まれた空隙部分が存在する。即ち、ガラスクロス１０には、ガラス繊維糸１１の厚みや疎密に面内分布がある。

回路基板１において、信号線３１及び信号線３２は、ガラス繊維糸１１の厚みや疎密に面内分布のあるガラスクロス１０に沿って、樹脂層１２０内に設けられる。信号線３１及び信号線３２は、ガラス繊維糸１１との距離が異なる場所を通ったり、ガラス繊維糸１１の密度が異なる場所を通ったりする。図５〜図７の例の場合、一方の信号線３１は、ガラス繊維糸１１ａとガラス繊維糸１１ｂの交差部分の近傍、及びガラス繊維糸１１ａの部分の近傍を通る。もう一方の信号線３２は、ガラス繊維糸１１ｂの部分の近傍、及びガラス繊維糸１１ａとガラス繊維糸１１ｂに囲まれた空隙部分の近傍を通る。

ガラスクロス１０では、ガラス繊維糸１１ａが開繊されていることで、図１及び図２のように非開繊のガラス繊維糸１１１を用いた場合に比べ、ガラス繊維糸１１ａに沿って配置される信号線３１に対する、ガラス繊維糸１１ａの誘電率の影響が低減される。更に、ガラスクロス１０では、開繊されたガラス繊維糸１１ａと交差するガラス繊維糸１１ｂに低誘電率のガラス繊維糸１１が用いられていることで、信号線３１に対する、ガラス繊維糸１１ａとガラス繊維糸１１ｂの交差部分の誘電率の影響が低減される。この結果、信号線１３１に対するガラスクロス１０の誘電率の影響が小さく抑えられるようになる。

もう一方の信号線３２は、ガラス繊維糸１１ｂの部分の近傍、及びガラス繊維糸１１ａとガラス繊維糸１１ｂに囲まれた空隙部分の近傍を通るが、ガラスクロス１０では、ガラス繊維糸１１ｂに、低誘電率のガラス繊維糸１１が用いられている。そのため、信号線１３２に対するガラスクロス１０の誘電率の影響も小さく抑えられるようになる。

ガラスクロス１０では、上記のようなガラス繊維糸１１ａ及びガラス繊維糸１１ｂを用いることで、信号線３１及び信号線３２に対する周囲の誘電率の影響、その影響の違いが抑えられ、信号線３１と信号線３２を伝播する信号間のスキューが低減されるようになる。

また、ガラスクロス１０では、配線３０として配置される、図６に点線で示すような信号線３１Ａ及び信号線３２Ａについても、それらの周囲の誘電率の影響、その影響の違いが抑えられる。図６の例では、一方の信号線３１Ａが、開繊されたガラス繊維糸１１ａと低誘電率のガラス繊維糸１１ｂの交差部分の近傍、及び低誘電率のガラス繊維糸１１ｂの部分の近傍を通る。もう一方の信号線３２Ａは、開繊されたガラス繊維糸１１ａの部分の近傍、及び開繊されたガラス繊維糸１１ａと低誘電率のガラス繊維糸１１ａに囲まれた空隙部分の近傍を通る。ガラス繊維糸１１ａが開繊され、ガラス繊維糸１１ｂが低誘電率とされていることで、信号線３１Ａ及び信号線３２Ａに対する周囲の誘電率の影響、その影響の違いが抑えられる。そのため、このような配置の信号線３１Ａ及び信号線３２Ａについても、それらを伝播する信号間のスキューが低減されるようになる。

尚、このような配置の信号線３１及び信号線３２、或いは信号線３１Ａ及び信号線３２Ａに限らず、ガラス繊維糸１１ａ或いはガラス繊維糸１１ｂの延在方向に対して斜め方向に延びる信号線についても、上記同様の効果を得ることが可能である。

ガラスクロス１０では、開繊されたガラス繊維糸１１ａと低誘電率のガラス繊維糸１１ｂを用いることで、各信号線（上記の信号線３１，３２，３１Ａ，３２Ａ等）に対するガラスクロス１０の誘電率の影響が低減される。そのため、各信号線を伝播する信号の波形ひずみや波形ばらつきの改善、遅延の抑制を図ることが可能になる。

以上述べたように、回路基板１に用いるガラスクロス１０では、誘電率の異なる２種類のガラス繊維糸１１が用いられる。即ち、一方は、開繊されたガラス繊維１１ａであり、もう一方は、より低誘電率のガラス繊維１１ｂである。これにより、回路基板１内でガラスクロス１０に沿って延びる信号線を伝播する信号の遅延、２本の信号線を伝播する信号間の遅延差を効果的に抑えることができる。

更に、このガラスクロス１０では、その縦糸と横糸の双方に低誘電率のガラス繊維を用いる場合に比べ、一方（開繊のガラス繊維糸１１ａ）にはより高誘電率の比較的低価なガラス繊維を用いることができる。そのため、より低コストでガラスクロス１０及びそれを用いた回路基板１を実現することができる。

また、回路基板１に設ける信号線に対してガラス繊維糸１１ａ及びガラス繊維１１ｂが斜めになるようなガラスクロス１０を織ったり、斜めになるようにガラスクロス１０をカットしたプリプレグを作製したりすることを要しない。そのため、コストを抑えたガラスクロス１０及びそれを用いた回路基板１を実現することができる。

上記のようなガラスクロス１０は、１枚の回路基板１内に１枚設けることができるほか、１枚の回路基板１内に複数枚設けることができる。１枚の回路基板１内に複数枚のガラスクロス１０を設ける場合には、対向する（隣接する）ガラスクロス１０同士を、次の図８或いは図９に示すような配置とすることができる。

図８は回路基板内でのガラスクロスの配置の一例を示す図である。尚、図８（Ａ）は対向するガラスクロスの一例の要部平面模式図、図８（Ｂ）は対向するガラスクロスの一例の要部断面模式図である。

回路基板１において、樹脂層２０内に２枚のガラスクロス１０を対向させて配置する場合には、例えば、この図８に示すように、互いの開繊されたガラス繊維糸１１ａ（或いは互いの低誘電率のガラス繊維糸１１ｂ）の延在方向が直交するように、配置する。このような配置の回路基板１は、樹脂層２０内にガラスクロス１０を設けた２枚のプリプレグを、例えば表面に配線３０を形成した後、互いの開繊されたガラス繊維糸１１ａの延在方向が直交するように積層し、一体化することで、得ることができる。

樹脂層２０内の隣接する２枚のガラスクロス１０をこのように配置することで、誘電率の分布を平均化することができる。その結果、信号線３１及び信号線３２を伝播する信号の遅延、信号線３１と信号線３２を伝播する信号間のスキューを効果的に抑えることができるようになる。

また、図９は回路基板内でのガラスクロスの配置の別例を示す図である。尚、図９（Ａ）は対向するガラスクロスの別例の要部平面模式図、図９（Ｂ）は対向するガラスクロスの別例の要部断面模式図である。

回路基板１において、樹脂層２０内に２枚のガラスクロス１０を対向させて配置する場合には、例えば、この図９に示すように、互いの開繊されたガラス繊維糸１１ａ（或いは互いの低誘電率のガラス繊維糸１１ｂ）の延在方向が同一方向となるように、配置する。この場合、互いのガラス繊維糸１１ａ同士（或いは互いのガラス繊維糸１１ｂ同士）の位置をずらすようにしてもよい。このような配置の回路基板１は、樹脂層２０内にガラスクロス１０を設けた２枚のプリプレグを、例えば表面に配線３０を形成した後、互いの開繊されたガラス繊維糸１１ａの延在方向が同一方向となるように積層し、一体化することで、得ることができる。

樹脂層２０内の隣接する２枚のガラスクロス１０をこのように配置しても、誘電率の分布を平均化し、信号線３１及び信号線３２を伝播する信号の遅延、信号線３１と信号線３２を伝播する信号間のスキューを効果的に抑えることができる。

尚、図８及び図９には、２枚のガラスクロス１０を例示したが、回路基板１内には３枚以上のガラスクロス１０が含まれていてもよい。回路基板１内に含まれる複数枚のガラスクロス１０のうち、隣接する２枚のガラスクロス１０について、図８及び図９のような配置を適用することができる。

また、隣接する２枚のガラスクロス１０は、互いの開繊されたガラス繊維糸１１ａの延在方向が直交するような配置、或いは同一方向となるような配置に限らず、略直交するような配置、或いは略同一方向となるような配置であってもよい。このような配置であっても、上記同様、誘電率の分布を平均化し、信号線３１及び信号線３２を伝播する信号の遅延を抑えることが可能である。

尚、図８（Ｂ）及び図９（Ｂ）では便宜上、ガラス繊維糸１１ａとガラス繊維糸１１ｂを非接触の状態で図示しているが、ガラス繊維糸１１ａとガラス繊維糸１１ｂは接触していてもよい。

続いて、上記のようなガラスクロスを含む回路基板のシミュレーションについて述べる。
図１０はシミュレーション用の回路基板モデルを示す図である。

図１０（Ａ）には、開繊されていない、比較的高誘電率の同種のガラス繊維糸を用いたガラスクロス２１０が４枚、樹脂層５２０内に配置された回路基板モデル２００を示している。この回路基板モデル２００において、ガラスクロス２１０の厚い部分２１０ａは、縦横に織られるガラス繊維糸の交差部分を表している。また、この回路基板モデル２００において、樹脂層５２０内には、２枚のガラスクロス２１０に挟まれて信号線５３１及び信号線５３２が配置されており、樹脂層５２０の外側には、一対のグランド（ＧＮＤ）パターン５４０が配置されている。

この図１０（Ａ）に示す回路基板モデル２００は、上記図１及び図２に示したガラスクロス１１０を含む回路基板１００に対応するモデルである。回路基板モデル２００において、一方の信号線５３１は、縦横のガラス繊維糸が交差する厚い部分２１０ａの直下にあり、もう一方の信号線５３２は、縦横のガラス繊維糸が交差していない部分（縦糸又は横糸単体）の直下にある。この場合、信号線５３１には、厚い部分２１０ａで重なり合った比較的高誘電率のガラス繊維糸の影響が及ぶ一方、信号線５３２へのガラス繊維糸の影響は、信号線５３１への影響に比べて小さくなる。そのため、信号線５３１と信号線５３２に及ぶ誘電率の影響の違いが比較的大きく、双方を伝播する信号間にスキューが生じ得る。

図１０（Ｂ）には、開繊された、より高誘電率のガラス繊維糸と、開繊されていない、より低誘電率のガラス繊維糸を用いたガラスクロス３１０が４枚、同種のガラス繊維糸の方向が揃うように樹脂層５２０内に配置された回路基板モデル３００Ａを示している。この回路基板モデル３００Ａにおいて、ガラスクロス３１０の厚い部分３１０ａは、縦横に織られるガラス繊維糸の交差部分を表している。即ち、この回路基板モデル３００Ａの場合、ガラスクロス３１０の厚い部分３１０ａは、開繊のガラス繊維糸（高誘電率）と非開繊のガラス繊維糸（低誘電率）の交差部分を表している。樹脂層５２０内には、２枚のガラスクロス３１０に挟まれて信号線５３１及び信号線５３２が配置されており、樹脂層５２０の外側には、一対のＧＮＤパターン５４０が配置されている。

この図１０（Ｂ）に示す回路基板モデル３００Ａは、上記図５及び図６に示したガラスクロス１０を、上記図９に示したように配置した回路基板１に対応するモデルである。回路基板モデル３００Ａにおいて、一方の信号線５３１は、縦横のガラス繊維糸が交差する厚い部分３１０ａの直下にあるが、この厚い部分３１０ａは、高誘電率の開繊されたガラス繊維糸と、開繊されていない低誘電率のガラス繊維糸とが重なる部分である。また、もう一方の信号線５３２は、高誘電率の開繊されたガラス繊維糸の直下にある。そのため、信号線５３１と信号線５３２に及ぶ誘電率の影響の違いは比較的小さく、双方を伝播する信号間のスキューを抑えることができる。

図１０（Ｃ）には、開繊された、より高誘電率のガラス繊維糸と、開繊されていない、より低誘電率のガラス繊維糸を用いたガラスクロス３１０が４枚、同種のガラス繊維糸の方向が直交するように樹脂層５２０内に配置された回路基板モデル３００Ｂを示している。この回路基板モデル３００Ｂにおいて、ガラスクロス３１０の厚い部分３１０ａは、縦横に織られるガラス繊維糸の交差部分を表している。即ち、開繊のガラス繊維糸（高誘電率）と非開繊のガラス繊維糸（低誘電率）の交差部分を表している。尚、４枚のガラスクロス３１０のうち、図中、上から１枚目と３枚目のガラスクロス３１０は、非開繊のガラス繊維に沿った断面を表し、開繊されたガラス繊維糸との交差部分を含め、一定の厚みで表している。また、樹脂層５２０内には、２枚のガラスクロス３１０に挟まれて信号線５３１及び信号線５３２が配置されており、樹脂層５２０の外側には、一対のＧＮＤパターン５４０が配置されている。

この図１０（Ｃ）に示す回路基板モデル３００Ｂは、上記図５及び図６に示したガラスクロス１０を、上記図８に示したように配置した回路基板１に対応するモデルである。回路基板モデル３００Ｂでは、信号線５３１及び信号線５３２の上側、下側の各一対のガラスクロス３１０が、同種のガラス繊維糸の延在方向が直交するように配置されることで、信号線５３１及び信号線５３２の上側、下側の誘電率分布が平均化される。これにより、上記の回路基板モデル３００Ａと同様、信号線５３１と信号線５３２に及ぶ誘電率の影響の違いを比較的小さくし、双方を伝播する信号間のスキューを効果的に抑えることができる。

図１１は回路基板モデルのシミュレーション結果の一例を示す図である。
図１１には、図１０（Ａ）〜（Ｃ）に示した回路基板モデル２００、回路基板モデル３００Ａ及び回路基板モデル３００Ｂの、信号の周波数（ＧＨｚ）に対するスキュー（ｐｓ／２０ｃｍ）のシミュレーション結果の一例を示している。図１１中、“ａ”は図１０（Ａ）の回路基板モデル２００のシミュレーション結果、“ｂ”は図１０（Ｂ）の回路基板モデル３００Ａのシミュレーション結果、“ｃ”は図１０（Ｃ）の回路基板モデル３００Ｂのシミュレーション結果を表している。

図１１に示すように、図１０（Ａ）に示した回路基板モデル２００（“ａ”）に比べ、図１０（Ｂ）に示した回路基板モデル３００Ａ（“ｂ”）、及び図１０（Ｃ）に示した回路基板モデル３００Ｂ（“ｃ”）では、いずれもスキューが改善される。回路基板モデル３００Ａ及び回路基板モデル３００Ｂのような構造を有する回路基板１は、高速信号伝送に好適であると言うことができる。

次に、上記のようなガラスクロス、及びガラスクロスを用いた回路基板の形成方法について説明する。
図１２はガラスクロスの製織装置の一例を示す図である。

図１２に示す製織装置６００は、縦糸のガラス繊維糸が巻かれたローラ６１０、横糸のガラス繊維糸が巻かれたローラ６２０、綜絖６３０、筬６４０、カッタ６５０、及び織られたガラスクロス１０を巻き取るローラ６６０を備えている。

このような製織装置６００において、例えば、上記の開繊されたガラス繊維糸１１ａを縦糸とし、上記の低誘電率のガラス繊維糸１１ｂを横糸として、ガラスクロス１０を形成することができる。その場合、まず、縦糸のガラス繊維糸１１ａを綜絖６３０及び筬６４０に通し、綜絖６３０で縦糸のガラス繊維糸１１ａを開いた所へ横糸のガラス繊維糸１１ｂを通し、筬６４０で縦糸のガラス繊維糸１１ａに横糸のガラス繊維糸１１ｂを織り込む。綜絖６３０で開いた縦糸のガラス繊維糸１１ａの所に通す横糸のガラス繊維糸１１ｂは、例えば、１回通す度にカッタ６５０で切断する。このような動作を繰り返し、ガラス繊維糸１１ａとガラス繊維糸１１ｂが交差するように織られたガラスクロス１０が形成される。織られたガラスクロス１０は、ローラ６６０に巻き取られる。

尚、製織装置６００では、縦糸と横糸を入れ替え、上記の低誘電率のガラス繊維糸１１ｂを縦糸とし、上記の開繊されたガラス繊維糸１１ａを横糸として、ガラスクロス１０を形成することもできる。

例えば上記のようにして織られたガラスクロス１０を用いてプリプレグが形成され、形成されたプリプレグを用いて回路基板１が形成される。
図１３は回路基板の形成フローの一例を示す図である。図１４はガラスクロスを用いたプリプレグの形成工程の説明図、図１５はプリプレグを用いた回路基板の形成工程の説明図である。以下、図１３〜図１５を参照し、回路基板１の形成フローを順に説明する。

はじめに、ガラスクロス１０を用いてプリプレグを形成する（図１３；ステップＳ１〜Ｓ４）。
まず、図１４に示すように、上記のようにして織られたガラスクロス１０のロール６６０ａを準備する（図１３；ステップＳ１）。そして、図１４に示すように、そのロール６６０ａから繰り出されるガラスクロス１０を、エポキシ樹脂等の所定の樹脂２０ａが入れられた槽７１０内を通過させ、ガラスクロス１０に樹脂２０ａを含浸する（図１３；ステップＳ２）。

このように槽７１０内を通過して樹脂２０ａが含浸されたガラスクロス１０を、図１４に示すように、ヒータ等の乾燥装置７２０に送り、乾燥装置７２０を通過させることで乾燥する（図１３；ステップＳ３）。

樹脂２０ａが含浸され、乾燥されたガラスクロス１０を、図１４に示すように、カッタ７３０を用いて所定のサイズでカットし、プリプレグ１ａを得る（図１３；ステップＳ４）。

続いて、形成したプリプレグ１ａを用いて回路基板１を形成する（図１３；ステップＳ４〜Ｓ１０）。
例えば、まず図１５（Ａ）に示すように、２枚のプリプレグ１ａ及び２枚の銅箔３０ａを準備し、プリプレグ１ａを銅箔３０ａで被覆する（図１３；ステップＳ５）。そして、図１５（Ｂ）に示すように、２枚のプリプレグ１ａを２枚の銅箔３０ａで挟むように積層し、プレスすることで、両面銅張積層板１ｂを形成する（図１３；ステップＳ６）。

次いで、図１５（Ｃ）に示すように、両面銅張積層板１ｂ上にフォトリソグラフィ技術を用いてレジストパターン７４０を形成する（図１３；ステップＳ７）。そのレジストパターン７４０をマスクにして、両面銅張積層板１ｂの銅箔３０ａをエッチングすることで、図１５（Ｄ）に示すように、プリプレグ１ａの積層体の表裏面に所定のパターンの配線３０を形成した構造体を得る（図１３；ステップＳ８）。エッチング後、図１５（Ｅ）に示すように、レジストパターン７４０は除去する。

ここでは２枚のプリプレグ１ａを２枚の銅箔３０ａで挟んで積層して両面銅張積層板１ｂを形成し、その表裏面に配線３０を形成する場合を例示した。このほか、１枚又は３枚以上のプリプレグ１ａを２枚の銅箔３０ａで挟んで積層したものを両面銅張積層板１ｂとし、その表裏面に図１５（Ｃ）〜（Ｅ）と同様にして配線３０を形成した構造体を得ることもできる（図１３；ステップＳ７，Ｓ８）。

このようにして複数枚のプリプレグ１ａの積層体又は１枚のプリプレグ１ａの表裏面に配線３０を形成した構造体を、形成する回路基板１に必要な層数分作製し（図１３；ステップＳ４〜Ｓ８）、それらを図１５（Ｆ）に示すように積層する（図１３；ステップＳ９）。これにより、表裏面及び内部に配線３０を有する回路基板１を得る（図１３；ステップＳ１０）。

尚、図１５（Ａ），（Ｂ）に示したようなプリプレグ１ａ同士の積層時、図１５（Ｆ）に示したような構造体同士の積層時には、積層するもの同士の間にエポキシ樹脂等の樹脂２０ａを介在させたうえで、それらを積層するようにしてもよい。

また、図１５（Ｅ）に示した構造体の形成後や、図１５（Ｆ）に示した回路基板１の形成後に、異なる層の配線３０同士を接続するビアを形成するようにしてもよい。
以上のような方法により、表裏面及び内部に配線３０を有し、開繊されたガラス繊維糸１１ａと低誘電率のガラス繊維糸１１ｂが交差するように織られたガラスクロス１０を樹脂２０ａ（樹脂層２０）内に含むガラスクロス１０を用いた回路基板１が形成される。

以上述べたような回路基板１に電子部品を実装し、電子装置が得られる。
図１６は電子装置の一例を示す図である。
図１６に示す電子装置８００は、回路基板１と、その回路基板１に実装された各種電子部品を含む。図１６には、電子部品として、半導体パッケージ８１０、コンデンサ８２０、挿入部品８３０、及びコネクタ８４０を例示している。尚、回路基板１に実装される電子部品の種類は、勿論、ここに示したものには限定されない。回路基板１には、実装される電子部品に応じたパターンの配線３０（電極パッド、ランドを含む）、ビア３３等が形成されている。

半導体パッケージ８１０は、パッケージ基板８１１上に実装されたＬＳＩ等の半導体チップ８１２、及び半導体チップ８１２を樹脂等で封止する封止部８１３を有している。半導体パッケージ８１０は、パッケージ基板８１１の、半導体チップ８１２の実装面と反対の面側に設けられた半田等のバンプ８１４を用いて、回路基板１に実装されている。コンデンサ８２０は、その電極部８２１が、半田等の導電部材８２２を用いて、回路基板１に実装されている。挿入部品８３０は、そのピン部８３１が、回路基板１に形成されたビア３３に挿通され、半田等の導電部材８３２を用いて、回路基板１に実装されている。コネクタ８４０は、その電極部８４１を介して回路基板１に実装されている。

このように回路基板１に、半導体パッケージ８１０、コンデンサ８２０、挿入部品８３０、及びコネクタ８４０が実装され、電子装置８００が形成されている。
尚、半導体パッケージ８１０のパッケージ基板８１１に、上記のような構成を有する回路基板１を用いることもできる。

回路基板１には、開繊されたガラス繊維糸１１ａと低誘電率のガラス繊維糸１１ｂが交差するように織られたガラスクロス１０を樹脂２０ａ（樹脂層２０）内に含むガラスクロス１０が用いられている。このようなガラスクロス１０が用いられることで、優れた機械的強度を有する回路基板１が実現される。また、このガラスクロス１０の縦糸と横糸には、開繊されたガラス繊維糸１１ａと低誘電率のガラス繊維糸１１ｂが用いられるため、低誘電率のガラス繊維糸１１ｂを縦糸と横糸の双方に用いた場合よりも、低コストの回路基板１が実現される。更に、ガラスクロス１０は、開繊されたガラス繊維糸１１ａと低誘電率のガラス繊維糸１１ｂが用いられるため、配線３０に差動伝送用の信号線３１及び信号線３２が形成されている場合でも、それらを伝播する信号の遅延、信号間のスキューが効果的に抑制される。

上記のような回路基板１を用いることで、高品質、高性能の電子装置８００を低コストで実現することが可能になる。
尚、以上の説明では、開繊されたガラス繊維糸１１ａと、低誘電率のガラス繊維糸１１ｂの、２種類のガラス繊維糸１１を用いたガラスクロス１０を例示したが、３種類以上のガラス繊維糸を用いてガラスクロスを形成することも可能である。例えば、開繊のガラス繊維糸１１ａと、更に別のガラス繊維糸を縦糸に用い、低誘電率のガラス繊維糸１１ｂを横糸に用いて、ガラスクロスを形成することができる。或いは、開繊のガラス繊維糸１１ａを縦糸に用い、低誘電率のガラス繊維糸１１ｂと、更に別のガラス繊維糸を横糸に用いて、ガラスクロスを形成することもできる。

また、以上の説明では、開繊されたガラス繊維糸１１ａと、低誘電率のガラス繊維糸１１ｂとを用いたガラスクロス１０を例示した。ガラスクロスの低誘電率化のためには、開繊されたガラス繊維糸１１ａに低誘電率のガラス繊維糸を用いたり、開繊されたガラス繊維糸１１ａと交差させるガラス繊維糸１１ｂに開繊されたガラス繊維糸を用いたりすることも可能である。

以上説明した実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１） 樹脂層と、
前記樹脂層内に設けられた第１ガラスクロスと、
前記樹脂層内に前記第１ガラスクロスに沿って設けられた配線と
を含み、
前記第１ガラスクロスは、開繊され第１誘電率を有する第１ガラス繊維糸と、前記第１誘電率よりも低い第２誘電率を有する第２ガラス繊維糸とを含み、前記第１ガラス繊維糸と前記第２ガラス繊維糸とが交差して織られていることを特徴とする回路基板。

（付記２） 前記樹脂層内に前記第１ガラスクロスと対向して設けられた第２ガラスクロスを更に含み、
前記第２ガラスクロスは、開繊され前記第１誘電率を有する第３ガラス繊維糸と、前記第２誘電率を有する第４ガラス繊維糸とを含み、前記第３ガラス繊維糸と前記第４ガラス繊維糸とが交差して織られていることを特徴とする付記１に記載の回路基板。

（付記３） 前記第２ガラスクロスは、前記第３ガラス繊維糸の延在方向が前記第１ガラス繊維糸の延在方向と直交する向きで設けられることを特徴とする付記２に記載の回路基板。

（付記４） 前記配線は、第１信号線と、前記第１信号線に並設された第２信号線とを含むことを特徴とする付記１乃至３のいずれかに記載の回路基板。
（付記５） 開繊され第１誘電率を有する第１ガラス繊維糸と、前記第１誘電率よりも低い第２誘電率を有する第２ガラス繊維糸とを含み、前記第１ガラス繊維糸と前記第２ガラス繊維糸とが交差して織られた第１ガラスクロスを準備する工程と、
前記第１ガラスクロスに第１樹脂を含浸して第１基材を形成する工程と、
前記第１基材上に配線を形成する工程と、
前記配線が形成された前記第１基材上に、第２樹脂を含む第２基材を設ける工程と
を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。

（付記６） 前記第２基材は、開繊され前記第１誘電率を有する第３ガラス繊維糸と、前記第２誘電率を有する第４ガラス繊維糸とが交差して織られた第２ガラスクロスを含み、前記第２ガラスクロスに前記第２樹脂が含浸され、
前記第２基材を設ける工程では、前記第２基材を、前記配線が形成された前記第１基材上に、前記第２ガラスクロスが前記第１ガラスクロスに対向するように設けることを特徴とする付記５に記載の回路基板の製造方法。

（付記７） 前記第２基材を設ける工程では、前記第２基材を、前記第３ガラス繊維糸の延在方向が前記第１ガラス繊維糸の延在方向と直交する向きで設けることを特徴とする付記６に記載の回路基板の製造方法。

（付記８） 回路基板と、
前記回路基板に搭載された電子部品と
を含み、
前記回路基板は、
樹脂層と、
前記樹脂層内に設けられた第１ガラスクロスと、
前記樹脂層内に前記第１ガラスクロスに沿って設けられた配線と
を含み、
前記第１ガラスクロスは、開繊され第１誘電率を有する第１ガラス繊維糸と、前記第１誘電率よりも低い第２誘電率を有する第２ガラス繊維糸とを含み、前記第１ガラス繊維糸と前記第２ガラス繊維糸とが交差して織られていることを特徴とする電子装置。

（付記９） 前記樹脂層内に前記第１ガラスクロスと対向して設けられた第２ガラスクロスを更に含み、
前記第２ガラスクロスは、開繊され前記第１誘電率を有する第３ガラス繊維糸と、前記第２誘電率を有する第４ガラス繊維糸とを含み、前記第３ガラス繊維糸と前記第４ガラス繊維糸とが交差して織られていることを特徴とする付記８に記載の電子装置。

（付記１０） 前記第２ガラスクロスは、前記第３ガラス繊維糸の延在方向が前記第１ガラス繊維糸の延在方向と直交する向きで設けられることを特徴とする付記９に記載の電子装置。

（付記１１） 開繊され第１誘電率を有する第１ガラス繊維糸と、前記第１誘電率と異なる第２誘電率を有する第２ガラス繊維糸とを含み、前記第１ガラス繊維糸と前記第２ガラス繊維糸とが交差して織られていることを特徴とするガラスクロス。

１，１００ 回路基板
１ａ プリプレグ
１ｂ 両面銅張積層板
１０，１１０，１４０，１５０，２１０，３１０ ガラスクロス
１１，１１ａ，１１ｂ，１１１，１４１，１５１ ガラス繊維糸
２０，１２０，５２０ 樹脂層
２０ａ，１２０ａ 樹脂
３０，１３０ 配線
３０ａ 銅箔
３１，３２，３１Ａ，３２Ａ，１３１，１３２，１３１Ａ，１３２Ａ，５３１，５３２ 信号線
３３ ビア
１１１ａ，１４１ａ，１５１ａ 縦糸
１１１ｂ，１４１ｂ，１５１ｂ 横糸
２００，３００Ａ，３００Ｂ 回路基板モデル
２１０ａ，３１０ａ 厚い部分
５４０ ＧＮＤパターン
６００ 製織装置
６１０，６２０，６６０ ローラ
６３０ 綜絖
６４０ 筬
６５０，７３０ カッタ
６６０ａ ロール
７１０ 槽
７２０ 乾燥装置
７４０ レジストパターン
８００ 電子装置
８１０ 半導体パッケージ
８１１ パッケージ基板
８１２ 半導体チップ
８１３ 封止部
８１４ バンプ
８２０ コンデンサ
８２１，８４１ 電極部
８２２，８３２ 導電部材
８３０ 挿入部品
８３１ ピン部
８４０ コネクタ

Claims (7)

1. 樹脂層と、
   前記樹脂層内に設けられた第１ガラスクロスと、
   前記樹脂層内に前記第１ガラスクロスに沿って設けられた配線と
   を含み、
   前記第１ガラスクロスは、開繊され第１誘電率を有する第１ガラス繊維糸と、前記第１誘電率よりも低い第２誘電率を有する第２ガラス繊維糸とを含み、前記第１ガラス繊維糸と前記第２ガラス繊維糸とが交差して織られていることを特徴とする回路基板。
2. 前記樹脂層内に前記第１ガラスクロスと対向して設けられた第２ガラスクロスを更に含み、
   前記第２ガラスクロスは、開繊され前記第１誘電率を有する第３ガラス繊維糸と、前記第２誘電率を有する第４ガラス繊維糸とを含み、前記第３ガラス繊維糸と前記第４ガラス繊維糸とが交差して織られていることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
3. 前記第２ガラスクロスは、前記第３ガラス繊維糸の延在方向が前記第１ガラス繊維糸の延在方向と直交する向きで設けられることを特徴とする請求項２に記載の回路基板。
4. 前記配線は、第１信号線と、前記第１信号線に並設された第２信号線とを含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の回路基板。
5. 開繊され第１誘電率を有する第１ガラス繊維糸と、前記第１誘電率よりも低い第２誘電率を有する第２ガラス繊維糸とを含み、前記第１ガラス繊維糸と前記第２ガラス繊維糸とが交差して織られた第１ガラスクロスを準備する工程と、
   前記第１ガラスクロスに第１樹脂を含浸して第１基材を形成する工程と、
   前記第１基材上に配線を形成する工程と、
   前記配線が形成された前記第１基材上に、第２樹脂を含む第２基材を設ける工程と
   を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
6. 回路基板と、
   前記回路基板に搭載された電子部品と
   を含み、
   前記回路基板は、
   樹脂層と、
   前記樹脂層内に設けられた第１ガラスクロスと、
   前記樹脂層内に前記第１ガラスクロスに沿って設けられた配線と
   を含み、
   前記第１ガラスクロスは、開繊され第１誘電率を有する第１ガラス繊維糸と、前記第１誘電率よりも低い第２誘電率を有する第２ガラス繊維糸とを含み、前記第１ガラス繊維糸と前記第２ガラス繊維糸とが交差して織られていることを特徴とする電子装置。
7. 開繊され第１誘電率を有する第１ガラス繊維糸と、前記第１誘電率と異なる第２誘電率を有する第２ガラス繊維糸とを含み、前記第１ガラス繊維糸と前記第２ガラス繊維糸とが交差して織られていることを特徴とするガラスクロス。

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