JP2014086470A - スキルミオン駆動方法およびマイクロ素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】磁場の印加によりスキルミオンが誘起された、らせん磁性体であるFeGeにより形成される厚さ100nm以下の二次元材料10に、電流を印加することにより、スキルミオンを駆動する。スキルミオンが誘起された材料に電流を流すと、通過する伝導電子にスキルミオンから実効的な磁場が加わり、トポロジカルホール効果など新規な電磁気現象が現れ、伝導電子のスピンの向きが変わり、伝導電子のスピンの向きの変化に応じて、スキルミオンのスピンも変化するため、スキルミオンが回転したり電流方向へ移動し(スピントランスファートルク効果)、材料中のスキルミオンを駆動することが可能となる。
【選択図】図1
Description
10 らせん磁性体
10a 薄膜部
11,12 電極
13 定電流源
Claims (11)
- 磁場の印加によりスキルミオンが誘起された材料に電流を印加することにより、前記スキルミオンを駆動するスキルミオン駆動方法。
- 前記スキルミオンが誘起された材料は、少なくとも部分的に二次元材料として形成される請求項1に記載のスキルミオン駆動方法。
- 前記スキルミオンが誘起された材料の前記二次元材料として形成された部分の厚さは、100nm以下であることを特徴とする請求項2に記載のスキルミオン駆動方法。
- 前記スキルミオンは、少なくとも−3°Cを含む温度範囲で駆動できることを特徴とする請求項2または3に記載のスキルミオン駆動方法。
- 前記磁場は、前記スキルミオンが誘起された材料の表面に直交する方向に印加される請求項2〜4の何れか一項に記載のスキルミオン駆動方法。
- 前記スキルミオンが誘起された材料は、FeGeであることを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載のスキルミオン駆動方法。
- 少なくとも部分的に二次元材料として形成される材料と、
前記二次元材料として形成された部分に、該二次元材料に沿う方向に電流を印加するように、前記材料に接続された複数の電極と
を備え、磁場の印加により前記材料にスキルミオン結晶が誘起されるスキルミオン駆動用マイクロ素子。 - 前記材料の前記二次元材料として形成された部分の厚さは、100nm以下であることを特徴とする請求項7に記載のマイクロ素子。
- 少なくとも−3°Cを含む温度範囲で駆動できることを特徴とする請求項7または8に記載のマイクロ素子。
- 前記磁場は、前記材料の表面に略直交する方向に印加される請求項7〜9の何れか一項に記載のマイクロ素子。
- 前記材料は、FeGeであることを特徴とする請求項7〜10の何れか一項に記載のマイクロ素子。
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---|---|
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Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014175417A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Institute Of Physical & Chemical Research | スキルミオンの生成、消去方法および磁気素子 |
CN104157297A (zh) * | 2014-07-17 | 2014-11-19 | 北京航空航天大学 | 一种基于磁性斯格明子的片上信息传输器件 |
WO2015111681A1 (ja) * | 2014-01-23 | 2015-07-30 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 磁気素子及びスキルミオンメモリ |
WO2015118748A1 (ja) * | 2014-02-10 | 2015-08-13 | 国立研究開発法人理化学研究所 | スキルミオンの駆動方法および駆動装置 |
WO2015125708A1 (ja) * | 2014-02-19 | 2015-08-27 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 磁気素子及びスキルミオンメモリ |
WO2015146827A1 (ja) * | 2014-03-24 | 2015-10-01 | 国立研究開発法人理化学研究所 | スキルミオンメモリ及びスキルミオンメモリを搭載した装置 |
WO2016002806A1 (ja) * | 2014-07-04 | 2016-01-07 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 磁気素子、スキルミオンメモリ、固体電子デバイス、データ記録装置、データ処理装置および通信装置 |
WO2016021403A1 (ja) * | 2014-08-07 | 2016-02-11 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 記憶媒体、記録装置、データ処理装置、データ記録装置および通信装置 |
WO2016021349A1 (ja) * | 2014-08-07 | 2016-02-11 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 磁気記憶媒体およびデータ記録装置 |
WO2016035579A1 (ja) * | 2014-09-02 | 2016-03-10 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 磁気素子、スキルミオンメモリ、スキルミオンメモリデバイス、固体電子デバイス、データ記録装置、データ処理装置およびデータ通信装置 |
WO2016035758A1 (ja) * | 2014-09-04 | 2016-03-10 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 磁気素子、スキルミオンメモリ、スキルミオンメモリデバイス、スキルミオンメモリ搭載固体電子デバイス、データ記録装置、データ処理装置および通信装置 |
FR3025655A1 (fr) * | 2014-09-09 | 2016-03-11 | Thales Sa | Systeme de generation de skyrmions |
WO2016067744A1 (ja) * | 2014-10-28 | 2016-05-06 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 磁気素子、スキルミオンメモリ、スキルミオンメモリデバイス、スキルミオンメモリ搭載固体電子デバイス、データ記録装置、データ処理装置および通信装置 |
WO2016084683A1 (ja) * | 2014-11-27 | 2016-06-02 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 磁気素子、スキルミオンメモリ、スキルミオンメモリ搭載固体電子デバイス、データ記録装置、データ処理装置及び通信装置 |
JP2016139673A (ja) * | 2015-01-26 | 2016-08-04 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 磁気素子、スキルミオンメモリ、スキルミオンメモリデバイス、データ処理装置、スキルミオンメモリ搭載固体電子デバイス、データ記録装置、データ処理装置及びデータ通信装置 |
JP2016162843A (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-05 | 公立大学法人大阪府立大学 | 磁気デバイス及び論理回路装置 |
WO2016158230A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 | スキルミオン生成装置、スキルミオン生成方法、および磁気記憶装置 |
WO2017024253A1 (en) * | 2015-08-05 | 2017-02-09 | The Regents Of The University Of California | Ground state artificial skyrmion lattices at room temperature |
JP2017041580A (ja) * | 2015-08-21 | 2017-02-23 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 磁気素子、スキルミオンメモリ及び演算処理装置 |
KR101731712B1 (ko) | 2015-07-27 | 2017-04-28 | 재단법인 파동에너지 극한제어 연구단 | 스핀파 전달 제어 소자 |
US10049761B2 (en) | 2014-11-06 | 2018-08-14 | Riken | Magnetic element, skyrmion memory, solid-state electronic device, data-storage device, data processing and communication device |
JP2019087697A (ja) * | 2017-11-09 | 2019-06-06 | 株式会社日立製作所 | 熱電変換装置および熱輸送システム |
JP2020077841A (ja) * | 2018-11-05 | 2020-05-21 | 国立大学法人信州大学 | スピンテクスチャ制御装置、スピンテクスチャ制御方法、およびメモリ装置 |
US11145805B2 (en) | 2017-08-01 | 2021-10-12 | The Regents Of The University Of California | Topological spin textures in 3-dimensional magnetic structures |
CN114496012A (zh) * | 2022-01-25 | 2022-05-13 | 广东工业大学 | 磁性斯格明子的磁场驱动方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002343943A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Hokkaido Univ | 磁気記憶素子、磁気メモリ、磁気記録方法、磁気記憶素子の製造方法、及び磁気メモリの製造方法 |
JP2002374019A (ja) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Oki Noboru | 双安定メモリ要素及び磁気メモリ |
JP2009508353A (ja) * | 2005-09-29 | 2009-02-26 | ソウル ナショナル ユニヴァーシティー インダストリー ファウンデーション | 強いスピン波発生方法及びスピン波を利用した超高速情報処理スピン波素子 |
-
2012
- 2012-10-19 JP JP2012232324A patent/JP6116043B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002343943A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Hokkaido Univ | 磁気記憶素子、磁気メモリ、磁気記録方法、磁気記憶素子の製造方法、及び磁気メモリの製造方法 |
JP2002374019A (ja) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Oki Noboru | 双安定メモリ要素及び磁気メモリ |
JP2009508353A (ja) * | 2005-09-29 | 2009-02-26 | ソウル ナショナル ユニヴァーシティー インダストリー ファウンデーション | 強いスピン波発生方法及びスピン波を利用した超高速情報処理スピン波素子 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JPN6016039476; N S Kiselev他: 'Chiral skyrmions in thin magnetic films: new objects for magnetic storage technologies?' Jounal of Physics D:Applied Physics Vol.44,No.39, 20110912, pp.1-4, IOP Publishing * |
JPN6016039478; X.Z.Yu他: 'Real-space observation of a two-dimensional skyrmion crystal' Nature Vol.465,No.09124, 20100717, pp.901-904, Macmillan Publishers * |
Cited By (56)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014175417A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Institute Of Physical & Chemical Research | スキルミオンの生成、消去方法および磁気素子 |
WO2015111681A1 (ja) * | 2014-01-23 | 2015-07-30 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 磁気素子及びスキルミオンメモリ |
JPWO2015111681A1 (ja) * | 2014-01-23 | 2017-03-23 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 磁気素子及びスキルミオンメモリ |
JPWO2015118748A1 (ja) * | 2014-02-10 | 2017-03-23 | 国立研究開発法人理化学研究所 | スキルミオンの駆動方法および駆動装置 |
WO2015118748A1 (ja) * | 2014-02-10 | 2015-08-13 | 国立研究開発法人理化学研究所 | スキルミオンの駆動方法および駆動装置 |
WO2015125708A1 (ja) * | 2014-02-19 | 2015-08-27 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 磁気素子及びスキルミオンメモリ |
JPWO2015125708A1 (ja) * | 2014-02-19 | 2017-03-30 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 磁気素子及びスキルミオンメモリ |
JPWO2015146827A1 (ja) * | 2014-03-24 | 2017-04-13 | 国立研究開発法人理化学研究所 | スキルミオンメモリ及びスキルミオンメモリを搭載した装置 |
WO2015146827A1 (ja) * | 2014-03-24 | 2015-10-01 | 国立研究開発法人理化学研究所 | スキルミオンメモリ及びスキルミオンメモリを搭載した装置 |
JPWO2016002806A1 (ja) * | 2014-07-04 | 2017-06-08 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 磁気素子、スキルミオンメモリ、固体電子デバイス、データ記録装置、データ処理装置および通信装置 |
US9748000B2 (en) | 2014-07-04 | 2017-08-29 | Riken | Magnetic element, skyrmion memory, solid-state electronic device data recording apparatus, data processing apparatus, and communication apparatus |
WO2016002806A1 (ja) * | 2014-07-04 | 2016-01-07 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 磁気素子、スキルミオンメモリ、固体電子デバイス、データ記録装置、データ処理装置および通信装置 |
CN104157297A (zh) * | 2014-07-17 | 2014-11-19 | 北京航空航天大学 | 一种基于磁性斯格明子的片上信息传输器件 |
CN104157297B (zh) * | 2014-07-17 | 2017-01-25 | 北京航空航天大学 | 一种基于磁性斯格明子的片上信息传输器件 |
WO2016021349A1 (ja) * | 2014-08-07 | 2016-02-11 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 磁気記憶媒体およびデータ記録装置 |
JPWO2016021349A1 (ja) * | 2014-08-07 | 2017-06-15 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 磁気記憶媒体およびデータ記録装置 |
JPWO2016021403A1 (ja) * | 2014-08-07 | 2017-06-01 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 記憶媒体、記録装置、データ処理装置、データ記録装置および通信装置 |
WO2016021403A1 (ja) * | 2014-08-07 | 2016-02-11 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 記憶媒体、記録装置、データ処理装置、データ記録装置および通信装置 |
WO2016035579A1 (ja) * | 2014-09-02 | 2016-03-10 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 磁気素子、スキルミオンメモリ、スキルミオンメモリデバイス、固体電子デバイス、データ記録装置、データ処理装置およびデータ通信装置 |
US10141068B2 (en) | 2014-09-02 | 2018-11-27 | Riken | Magnetic element, skyrmion memory, skyrmion memory-device, solid-state electronic device, data-storage device, data processing and communication device |
JPWO2016035579A1 (ja) * | 2014-09-02 | 2017-07-13 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 磁気素子、スキルミオンメモリ、スキルミオンメモリデバイス、固体電子デバイス、データ記録装置、データ処理装置およびデータ通信装置 |
JPWO2016035758A1 (ja) * | 2014-09-04 | 2017-07-13 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 磁気素子、スキルミオンメモリ、スキルミオンメモリデバイス、スキルミオンメモリ搭載固体電子デバイス、データ記録装置、データ処理装置および通信装置 |
WO2016035758A1 (ja) * | 2014-09-04 | 2016-03-10 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 磁気素子、スキルミオンメモリ、スキルミオンメモリデバイス、スキルミオンメモリ搭載固体電子デバイス、データ記録装置、データ処理装置および通信装置 |
US10003010B2 (en) | 2014-09-04 | 2018-06-19 | Riken | Magnetic element, skyrmion memory, skyrmion memory device, skyrmion-memory embedded solid-state electronic device, data storage apparatus, data processing and communication apparatus |
KR20170042619A (ko) * | 2014-09-04 | 2017-04-19 | 고쿠리쓰 겐큐 가이하쓰 호징 리가가쿠 겐큐소 | 자기 소자, 스커미온 메모리, 스커미온 메모리 장치, 스커미온 메모리 구비 고체 전자 장치, 데이터 기록 장치, 데이터 처리 장치 및 통신 장치 |
KR101985608B1 (ko) * | 2014-09-04 | 2019-06-03 | 고쿠리쓰 겐큐 가이하쓰 호징 리가가쿠 겐큐소 | 자기 소자, 스커미온 메모리, 스커미온 메모리 장치, 스커미온 메모리 구비 고체 전자 장치, 데이터 기록 장치, 데이터 처리 장치 및 통신 장치 |
FR3025655A1 (fr) * | 2014-09-09 | 2016-03-11 | Thales Sa | Systeme de generation de skyrmions |
WO2016038113A1 (fr) * | 2014-09-09 | 2016-03-17 | Thales | Système de génération de skyrmions |
US10102956B2 (en) | 2014-09-09 | 2018-10-16 | Thales | Skyrmion generation system |
JPWO2016067744A1 (ja) * | 2014-10-28 | 2017-08-10 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 磁気素子、スキルミオンメモリ、スキルミオンメモリデバイス、スキルミオンメモリ搭載固体電子デバイス、データ記録装置、データ処理装置および通信装置 |
KR20200001622A (ko) | 2014-10-28 | 2020-01-06 | 고쿠리쓰 겐큐 가이하쓰 호징 리가가쿠 겐큐소 | 자기 소자, 스커미온 메모리, 스커미온 메모리 장치, 스커미온 메모리 탑재 고체 전자 장치, 데이터 기록 장치, 데이터 처리 장치 및 통신 장치 |
US9859017B2 (en) | 2014-10-28 | 2018-01-02 | Riken | Magnetic element, skyrmion memory, skyrmion memory-device, solid-state electronic device, data-storage device, data processing and communication device |
KR20170042623A (ko) | 2014-10-28 | 2017-04-19 | 고쿠리쓰 겐큐 가이하쓰 호징 리가가쿠 겐큐소 | 자기 소자, 스커미온 메모리, 스커미온 메모리 장치, 스커미온 메모리 탑재 고체 전자 장치, 데이터 기록 장치, 데이터 처리 장치 및 통신 장치 |
WO2016067744A1 (ja) * | 2014-10-28 | 2016-05-06 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 磁気素子、スキルミオンメモリ、スキルミオンメモリデバイス、スキルミオンメモリ搭載固体電子デバイス、データ記録装置、データ処理装置および通信装置 |
US10049761B2 (en) | 2014-11-06 | 2018-08-14 | Riken | Magnetic element, skyrmion memory, solid-state electronic device, data-storage device, data processing and communication device |
WO2016084683A1 (ja) * | 2014-11-27 | 2016-06-02 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 磁気素子、スキルミオンメモリ、スキルミオンメモリ搭載固体電子デバイス、データ記録装置、データ処理装置及び通信装置 |
US10217931B2 (en) | 2014-11-27 | 2019-02-26 | Riken | Magnetic element, skyrmion memory, solid-state electronic device, data-storage device, data processing and communication device |
JPWO2016084683A1 (ja) * | 2014-11-27 | 2017-09-07 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 磁気素子、スキルミオンメモリ、スキルミオンメモリ搭載固体電子デバイス、データ記録装置、データ処理装置及び通信装置 |
KR20170042308A (ko) | 2014-11-27 | 2017-04-18 | 고쿠리쓰 겐큐 가이하쓰 호징 리가가쿠 겐큐소 | 자기 소자, 스커미온 메모리, 스커미온 메모리 탑재 고체 전자 장치, 데이터 기록 장치, 데이터 처리 장치 및 통신 장치 |
JP2016139673A (ja) * | 2015-01-26 | 2016-08-04 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 磁気素子、スキルミオンメモリ、スキルミオンメモリデバイス、データ処理装置、スキルミオンメモリ搭載固体電子デバイス、データ記録装置、データ処理装置及びデータ通信装置 |
JP2016162843A (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-05 | 公立大学法人大阪府立大学 | 磁気デバイス及び論理回路装置 |
TWI640000B (zh) * | 2015-03-31 | 2018-11-01 | 國立研究開發法人科學技術振興機構 | Smear generation device, sigmoid generation method and magnetic memory device |
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