JP2014084417A - オルガノポリシロキサン、硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 高いヒドロシリル化反応性を有し、ガス透過性の低い硬化物を形成するオルガノポリシロキサン、高い反応性を有し、ガス透過性の低い硬化物を形成する硬化性シリコーン組成物、ガス透過性の低い硬化物、および信頼性の優れる光半導体装置を提供する。
【解決手段】 （Ａ）平均単位式で表されるオルガノポリシロキサン、任意の（Ｂ）一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有し、ケイ素原子結合水素原子を有さない直鎖状オルガノポリシロキサン、（Ｃ）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、および（Ｄ）ヒドロシリル化反応用触媒から少なくともなる硬化性シリコーン組成物。
【選択図】 図１

Description

本発明は、オルガノポリシロキサン、このオルガノポリシロキサンを主成分とする硬化性シリコーン組成物、この組成物を硬化してなる硬化物、およびこの組成物を用いてなる光半導体装置に関する。

硬化性シリコーン組成物は、発光ダイオード（ＬＥＤ）等の光半導体装置における光半導体素子の封止材あるいは保護コーティング材に使用されている。しかし、硬化性シリコーン組成物の硬化物はガス透過性が高いため、光の強度が強く、発熱が大きい高輝度ＬＥＤに用いた場合には、腐食性ガスによる、封止材の変色や、ＬＥＤの基板にメッキされた銀の腐食による輝度の低下が問題となっている。

このため、ガス透過性の低い硬化物を形成する硬化性シリコーン組成物として、特許文献１には、メチルフェニルビニルシロキサン単位を有する分岐鎖状のオルガノポリシロキサン、オルガノハイドロジェンポリシロキサン、および付加反応用触媒からなる硬化性シリコーン組成物が提案されている。

しかし、このような硬化性シリコーン組成物は、硬化反応が遅く、硬化が不十分であると、硬化物の表面にタックを生じ、ゴミや埃が付着するという課題がある。また、このような硬化性シリコーン組成物の硬化反応を完結させるためには多大な時間とエネルギーが必要であるという課題がある。

特開２０１２−０５２０４５号公報

本発明の目的は、高いヒドロシリル化反応性を有し、ガス透過性の低い硬化物を形成するオルガノポリシロキサンを提供することにあり、さらには、高い反応性を有し、ガス透過性の低い硬化物を形成する硬化性シリコーン組成物を提供することにある。また、本発明の他の目的は、ガス透過性の低い硬化物を提供することにあり、さらには、信頼性に優れる光半導体装置を提供することにある。

本発明のオルガノポリシロキサンは、平均単位式：
(Ｒ^１ _３ＳiＯ_１/２)_ａ(Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４ＳiＯ_１/２)_ｂ(Ｒ^５ _２ＳiＯ_２/２)_ｃ(Ｒ^３ＳiＯ_３/２)_ｄ
（式中、Ｒ^１は同じかまたは異なる、炭素数１〜１２のアルキル基もしくは炭素数２〜１２のアルケニル基、但し、一分子中の少なくとも一つのＲ^１は炭素数２〜１２のアルケニル基；Ｒ^２は炭素数１〜１２のアルキル基；Ｒ^３は同じかまたは異なる、炭素数６〜２０のアリール基もしくは炭素数７〜２０のアラルキル基；Ｒ^４は炭素数２〜１２のアルケニル基；Ｒ^５は同じかまたは異なる、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、もしくはフェニル基；ａ、ｂ、ｃ、およびｄは、それぞれ、０.０１≦ａ≦０.４５、０.０１≦ｂ≦０.４５、０≦ｃ≦０.７、０.１≦ｄ＜０.９、かつａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１を満たす数である。）
で表されることを特徴とする。

本発明の硬化性シリコーン組成物は、
（Ａ）平均単位式：
(Ｒ^１ _３ＳiＯ_１/２)_ａ(Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４ＳiＯ_１/２)_ｂ(Ｒ^５ _２ＳiＯ_２/２)_ｃ(Ｒ^３ＳiＯ_３/２)_ｄ
（式中、Ｒ^１は同じかまたは異なる、炭素数１〜１２のアルキル基もしくは炭素数２〜１２のアルケニル基、但し、一分子中の少なくとも一つのＲ^１は炭素数２〜１２のアルケニル基；Ｒ^２は炭素数１〜１２のアルキル基；Ｒ^３は同じかまたは異なる、炭素数６〜２０のアリール基もしくは炭素数７〜２０のアラルキル基；Ｒ^４は炭素数２〜１２のアルケニル基；Ｒ^５は同じかまたは異なる、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、もしくはフェニル基；ａ、ｂ、ｃ、およびｄは、それぞれ、０.０１≦ａ≦０.４５、０.０１≦ｂ≦０.４５、０≦ｃ≦０.７、０.１≦ｄ＜０.９、かつａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１を満たす数である。）
で表されるオルガノポリシロキサン、
（Ｂ）一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有し、ケイ素原子結合水素原子を有さない直鎖状オルガノポリシロキサン（本組成物に対して、０〜７０質量％）、
（Ｃ）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン｛（Ａ）成分中と（Ｂ）成分中のアルケニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０.１〜５モルとなる量｝、および
（Ｄ）有効量のヒドロシリル化反応用触媒
から少なくともなることを特徴とする。

本発明の硬化物は、上記の硬化性シリコーン組成物を硬化してなることを特徴とする。

本発明の光半導体装置は、上記の硬化性シリコーン組成物の硬化物により光半導体素子を封止してなることを特徴とする。

本発明のオルガノポリシロキサンは、高いヒドロシリル化反応性を有し、ガス透過性の低い硬化物を形成するという特徴があり、本発明の硬化性シリコーン組成物は、高い反応性を有し、ガス透過性の低い硬化物を形成するという特徴がある。さらに、本発明の硬化物は、ガス透過性が低いという特徴があり、本発明の光半導体装置は、信頼性が優れるという特徴がある。

本発明の光半導体装置の一例であるＬＥＤの断面図である。

はじめに、本発明のオルガノポリシロキサンについて詳細に説明する。
本発明のオルガノポリシロキサンは、平均単位式：
(Ｒ^１ _３ＳiＯ_１/２)_ａ(Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４ＳiＯ_１/２)_ｂ(Ｒ^５ _２ＳiＯ_２/２)_ｃ(Ｒ^３ＳiＯ_３/２)_ｄ
で表される。

式中、Ｒ^１は同じかまたは異なる、炭素数１〜１２のアルキル基もしくは炭素数２〜１２のアルケニル基である。Ｒ^１のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基が例示され、好ましくは、メチル基である。また、Ｒ^１のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基が例示され、好ましくは、ビニル基である。但し、一分子中の少なくとも一つのＲ^１は炭素数２〜１２のアルケニル基である。また、Ｒ^２は炭素数１〜１２のアルキル基であり、前記Ｒ^１と同様のアルキル基が例示され、好ましくは、メチル基である。また、Ｒ^３は同じかまたは異なる、炭素数６〜２０のアリール基もしくは炭素数７〜２０のアラルキル基である。Ｒ^３のアリール基としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ピレニル基、およびこれらのアリール基の水素原子をメチル基、エチル基等のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子で置換した基が例示され、好ましくは、フェニル基、ナフチル基である。また、Ｒ^３のアラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルエチル基、ナフチルプロピル基、アントラセニルエチル基、フェナントリルエチル基、ピレニルエチル基、およびこれらのアラルキル基の水素原子をメチル基、エチル基等のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子で置換した基が例示される。また、Ｒ^４は炭素数２〜１２のアルケニル基であり、前記Ｒ^１と同様のアルケニル基が例示され、好ましくは、ビニル基である。また、Ｒ^５は同じかまたは異なる、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、もしくはフェニル基である。Ｒ^５のアルキル基としては、前記Ｒ^１と同様のアルキル基が例示される。Ｒ^５のアルケニル基としては、前記Ｒ^１と同様のアルケニル基が例示される。

また、式中、ａ、ｂ、ｃ、およびｄは、それぞれ、０.０１≦ａ≦０.４５、０.０１≦ｂ≦０.４５、０≦ｃ≦０.７、０.１≦ｄ＜０.９、かつａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１を満たす数であり、好ましくは、０.０５≦ａ≦０.４５、０.０５≦ｂ≦０.４５、０≦ｃ≦０.５、０.４≦ｄ＜０.８５、かつａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１を満たす数であり、更に好ましくは、０.０５≦ａ≦０.４、０.０５≦ｂ≦０.４、０≦ｃ≦０.４、０.４５≦ｄ＜０.８、かつ、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１を満たす数である。これは、ａが上記範囲の下限以上であると、オルガノポリシロキサンのヒドロシリル化反応性が向上するからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、硬化物のガス透過性が低下するからである。また、ｂが上記範囲の下限以上であると、硬化物のガス透過性が低下するからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、硬化物にべたつきが生じ難くなるからである。また、ｃが上記範囲の上限以下であると、硬化物の硬度が良好となり、信頼性が向上するからである。また、ｄが上記範囲の下限以上であると、硬化物の屈折率が良好となるからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、硬化物の機械的特性が向上するからである。

本発明のオルガノポリシロキサンは、上記の平均単位式で表されるが、本発明の目的を損なわない範囲で、式：Ｒ^２ _２Ｒ^３ＳiＯ_１/２で表されるシロキサン単位、式：Ｒ^２Ｒ^３ _２ＳiＯ_１/２で表されるシロキサン単位、式：Ｒ^３ _３ＳiＯ_１/２で表されるシロキサン単位、式：Ｒ^２ＳiＯ_３/２で表されるシロキサン単位、式：Ｒ^４ＳiＯ_３/２で表されるシロキサン単位、または式：ＳiＯ_４/２で表されるシロキサン単位を有してもよい。なお、式中、Ｒ^２は炭素数１〜１２のアルキル基であり、Ｒ^３は炭素数６〜２０のアリール基または炭素数７〜２０のアラルキル基であり、Ｒ^４は炭素数２〜１２のアルケニル基であり、それぞれ前記と同様の基が例示される。また、本発明のオルガノポリシロキサンには、本発明の目的を損なわない範囲で、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等のケイ素原子結合アルコキシ基、あるいはケイ素原子結合水酸基を有していてもよい。

このようなオルガノポリシロキサンを調製する方法としては、例えば、一般式（Ｉ）：
Ｒ^３ＳiＸ_３
で表されるシラン化合物、一般式（II−１）：
Ｒ^１ _３ＳiＯＳiＲ^１ _３
で表されるジシロキサンおよび／または一般式（II−２）：
Ｒ^１ _３ＳiＸ
で表されるシラン化合物、および一般式（III−１）：
Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４ＳiＯＳiＲ^２Ｒ^３Ｒ^４
で表されるジシロキサンおよび／または一般式（III−２）：
Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４ＳiＸ
で表されるシラン化合物を、酸もしくはアルカリの存在下、加水分解・縮合反応させる方法が挙げられる。

一般式（Ｉ）：
Ｒ^３ＳiＸ_３
で表されるシラン化合物は、オルガノポリシロキサンに、式：Ｒ^３ＳiＯ_３/２で表されるシロキサン単位を導入するための原料である。式中、Ｒ^３は炭素数６〜２０のアリール基または炭素数７〜２０のアラルキル基であり、前記と同様の基が例示され、好ましくは、フェニル基またはナフチル基である。また、式中、Ｘはアルコキシ基、アシロキシ基、ハロゲン原子、または水酸基である。Ｘのアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基が例示される。また、Ｘのアシロキシ基としては、アセトキシ基が例示される。また、Ｘのハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子が例示される。

このようなシラン化合物としては、フェニルトリメトキシシラン、ナフチルトリメトキシシラン、アントラセニルトリメトキシシラン、フェナントリルトリメトキシシラン、ピレニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ナフチルトリエトキシシラン、アントラセニルトリエトキシシラン、フェナントリルトリエトキシシラン、ピレニルトリエトキシシラン等のアルコキシシラン；フェニルトリアセトキシシラン、ナフチルトリアセトキシシラン、アントラセニルトリアセトキシシラン、フェナントリルトリアセトキシシラン、ピレニルトリアセトキシシラン等のアシロキシシラン；フェニルトリクロロシラン、ナフチルトリクロロシラン、アントラセニルトリクロロシラン、フェナントリルトリクロロシラン、ピレニルトリクロロシラン等のハロシラン；フェニルトリヒドロキシシラン、ナフチルトリヒドロキシシラン、アントラセニルトリヒドロキシシラン、フェナントリルトリヒドロキシシラン、ピレニルトリヒドロキシシラン等のヒドロキシシランが例示される。

また、一般式（II−１）：
Ｒ^１ _３ＳiＯＳiＲ^１ _３
で表されるジシロキサンは、オルガノポリシロキサンに、式：Ｒ^１ _３ＳiＯ_１/２で表されるシロキサン単位を導入するための原料である。式中、Ｒ^１は同じかまたは異なる、炭素数１〜１２のアルキル基もしくは炭素数２〜１２のアルケニル基である。Ｒ^１のアルキル基としては、前記と同様の基が例示され、好ましくは、メチル基である。また、Ｒ^１のアルケニル基としては、前記と同様の基が例示され、好ましくは、ビニル基である。

このようなジシロキサンとしては、１,１,１,３,３,３−ヘキサメチルジシロキサン、１,１,１,３,３,３−ヘキサエチルジシロキサン、１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン、１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラエチルジシロキサン、１,１,３,３−テトラビニル−１,３−ジメチルジシロキサン、１,１,１,３,３,３−ヘキサビニルジシロキサンが例示される。このようなジシロキサンを２種以上組合せて使用することもできるが、少なくとも１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン、１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラエチルジシロキサン等の１,３−ジアルケニル−１,１,３,３−テトラアルキルジシロキサンを含むことが必要である。

また、一般式（II−２）：
Ｒ^１ _３ＳiＸ
で表されるシラン化合物も、オルガノポリシロキサンに、式：Ｒ^１ _３ＳiＯ_１/２で表されるシロキサン単位を導入するための原料である。式中、Ｒ^１は同じかまたは異なる、炭素数１〜１２のアルキル基もしくは炭素数２〜１２のアルケニル基である。Ｒ^１のアルキル基としては、前記と同様の基が例示され、好ましくは、メチル基である。また、Ｒ^１のアルケニル基としては、前記と同様の基が例示され、好ましくは、ビニル基である。また、式中、Ｘはアルコキシ基、アシロキシ基、ハロゲン原子、または水酸基であり、前記と同様の基が例示される。

このようなシラン化合物としては、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、ジメチルビニルメトキシシラン、ジエチルビニルメトキシシラン、ジメチルビニルエトキシシラン、ジエチルビニルエトキシシラン、ジビニルメチルメトキシシラン、トリビニルメトキシシラン等のアルコキシシラン；ジメチルビニルアセトキシシラン、ジエチルビニルアセトキシシラン、ジビニルメチルアセトキシシラン、トリビニルアセトキシシラン等のアシロキシシラン；トリメチルクロロシラン、ジメチルビニルクロロシラン、ジエチルビニルクロロシラン、ジビニルメチルクロロシラン、トリビニルクロロシラン等のハロシラン；ジメチルビニルヒドロキシシラン、ジエチルビニルヒドロキシシラン、ジビニルメチルヒドロキシシラン、トリビニルヒドロキシシラン等のヒドロキシシランが例示される。このようなシラン化合物を２種以上組合せて使用することもできるが、少なくともジビニルメチルメトキシシラン、ジビニルメチルアセトキシシラン、ジビニルメチルクロロシラン、ジビニルメチルヒドロキシシラン等のアルケニルジアルキルシラン化合物を含むことが必要である。

一般式（III−１）：
Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４ＳｉＯＳｉＲ^２Ｒ^３Ｒ^４
で表されるジシロキサンは、オルガノポリシロキサンに、式：Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４ＳｉＯ_１/２で表されるシロキサン単位を導入するための原料である。式中、Ｒ^２は炭素数１〜１２のアルキル基であり、前記と同様の基が例示され、好ましくは、メチル基である。式中、Ｒ^３は炭素数６〜２０のアリール基または炭素数７〜２０のアラルキル基であり、前記と同様の基が例示され、好ましくは、フェニル基またはナフチル基である。また、式中、Ｒ^４は炭素数２〜１２のアルケニル基であり、前記と同様の基が例示され、好ましくは、ビニル基である。

このようなジシロキサンとしては、１,３−ジビニル−１,３−ジフェニル−１,３−ジメチルジシロキサンが挙げられる。

一般式（III−２）：
Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４ＳｉＸ
で表されるシラン化合物も、オルガノポリシロキサンに、式：Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４ＳｉＯ_１/２で表されるシロキサン単位を導入するための原料である。式中、Ｒ^２は炭素数１〜１２のアルキル基であり、前記と同様の基が例示され、好ましくは、メチル基である。式中、Ｒ^３は炭素数６〜２０のアリール基または炭素数７〜２０のアラルキル基であり、前記と同様の基が例示され、好ましくは、フェニル基またはナフチル基である。式中、Ｒ^４は炭素数２〜１２のアルケニル基であり、前記と同様の基が例示され、好ましくは、ビニル基である。また、式中、Ｘはアルコキシ基、アシロキシ基、ハロゲン原子、または水酸基であり、前記と同様の基が例示される。

このようなシラン化合物としては、メチルフェニルビニルメトキシシラン、メチルフェニルビニルエトキシシラン等のアルコキシシラン；メチルフェニルビニルアセトキシシラン等のアセトキシシラン；メチルフェニルビニルクロロシラン等のクロロシラン；メチルフェニルビニルヒドロキシシラン等のヒドロキシシランが例示される。

上記の調製方法では、必要に応じて、オルガノポリシロキサンに、式：Ｒ^５ _２ＳiＯ_２/２で表されるシロキサン単位を導入するためのシラン化合物もしくは環状シリコーン化合物、または、式：ＳiＯ_４/２で表されるシロキサン単位を導入するためのシラン化合物もしくはシランオリゴマーを反応させることができる。式中、Ｒ^５は同じかまたは異なる、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、もしくはフェニル基である。Ｒ^５のアルキル基としては、前記Ｒ^１と同様のアルキル基が例示される。Ｒ^５のアルケニル基としては、前記Ｒ^１と同様のアルケニル基が例示される。

このようなシラン化合物としては、ジメチルジメトキシシラン、メチルエチルジメトキシシラン、メチルフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、テトラメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルエチルジエトキシシラン、メチルフェニルジエトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン等のアルコキシシラン；ジメチルジアセトキシシラン、メチルフェニルジアセトキシシラン、ジフェニルジアセトキシシラン、テトラアセトキシシラン等のアセトキシシラン；ジメチルジクロロシラン、メチルフェニルジクロロシラン、ジフェニルジクロロシラン、テトラクロロシラン等のハロシラン；ジメチルジヒドロキシシラン、メチルフェニルジヒドロキシシラン、ジフェニルジヒドロキシシラン等のヒドロキシシランが例示される。また、このような環状シリコーン化合物としては、環状ジメチルシロキサンオリゴマー、環状フェニルメチルシロキサンオリゴマー、環状ジフェニルシロキサンオリゴマーが例示される。さらに、シランオリゴマーとしては、テトラメトキシシランの部分加水分解物、テトラエトキシシランの部分加水分解物が例示される。

上記の調製方法では、シラン化合物（Ｉ）、ジシロキサン（II−１）および／またはシラン化合物（II−２）、およびジシロキサン（III−１）および／またはシラン化合物（III−２）、さらに必要に応じて、その他のシラン化合物、環状シリコーン化合物、あるいはシランオリゴマーを、酸もしくはアルカリの存在下、加水分解・縮合反応させることを特徴とする。

使用できる酸としては、塩酸、酢酸、蟻酸、硝酸、シュウ酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸、多価カルボン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、イオン交換樹脂が例示される。また、使用できるアルカリとしては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等の無機アルカリ；トリエチルアミン、ジエチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、アンモニア水、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、アミノ基を有するアルコキシラン、アミノプロピルトリメトキシシラン等の有機塩基化合物が例示される。

また、上記の調製方法において、有機溶剤を使用することができる。使用できる有機溶剤としては、エーテル類、ケトン類、アセテート類、芳香族あるいは脂肪族炭化水素、γ−ブチロラクトン、およびこれらの２種以上の混合物が例示される。好ましい有機溶剤としては、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノ−ｔ−ブチルエーテル、γ−ブチロラクトン、トルエン、キシレンが例示される。

上記の調製方法では、上記各成分の加水分解・縮合反応を促進するため、水、あるいは水とアルコールの混合液を添加することが好ましい。このアルコールとしては、メタノール、エタノールが好ましい。この反応は、加熱により促進され、有機溶媒を使用する場合には、その還流温度で反応を行うことが好ましい。

このような本発明のオルガノポリシロキサンは、ヒドロシリル化反応性が良好であるので、これを主剤とし、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、およびヒドロシリル化反応用触媒を添加することによりヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物を調製することができる。

次に、本発明の硬化性シリコーン組成物を詳細に説明する。
本発明の硬化性シリコーン組成物は、上記（Ａ）成分〜（Ｄ）成分から少なくともなることを特徴とする。上記（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンは上記の通りである。

（Ｂ）成分は、硬化物に柔軟性、伸張性、可撓性を付与するための任意の成分であり、一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有し、ケイ素原子結合水素原子を有さない直鎖状のオルガノポリシロキサンである。（Ｂ）成分中のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基等の炭素数２〜１２のアルケニル基が例示され、好ましくは、ビニル基である。（Ｂ）成分中のアルケニル基以外のケイ素原子に結合する基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等の炭素数１〜１２のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ピレニル基、およびこれらのアリール基の水素原子をメチル基、エチル基等のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子で置換した基等の炭素数６〜２０のアリール基；ベンジル基、フェネチル基、ナフチルエチル基、ナフチルプロピル基、アントラセニルエチル基、フェナントリルエチル基、ピレニルエチル基、およびこれらのアラルキル基の水素原子をメチル基、エチル基等のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子で置換した基等の炭素数７〜２０のアラルキル基；またはクロロメチル基、３,３,３−トリフルオロプロピル基等の炭素数１〜１２のハロゲン化アルキル基が例示され、それぞれ前記と同様の基が例示され、好ましくは、メチル基、フェニル基である。

このような（Ｂ）成分としては、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルビニルポリシロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルビニルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、およびこれらのオルガノポリシロキサンの二種以上の混合物が例示される。

本組成物において、（Ｂ）成分の含有量は、本組成物に対して、０〜７０質量％の範囲内であり、好ましくは、０〜５０質量％の範囲内であり、特に好ましくは、０〜４０質量％の範囲内である。これは、（Ｂ）成分の含有量が上記範囲の上限以下であると、硬化物のガス透過性を高めることなく、硬化物に柔軟性、伸張性、可撓性を付与することができ、ひいては、本組成物を用いて作製した光半導体装置の信頼性を向上できるからである。

（Ｃ）成分は、本組成物の架橋剤であり、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサンである。（Ｃ）成分中のケイ素原子結合水素原子の結合位置としては、分子鎖末端および／または分子鎖側鎖が例示される。（Ｃ）成分中のケイ素原子に結合するその他の基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等の炭素数１〜１２のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ピレニル基、およびこれらのアリール基の水素原子をメチル基、エチル基等のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子で置換した基等の炭素数６〜２０のアリール基；ベンジル基、フェネチル基、ナフチルエチル基、ナフチルプロピル基、アントラセニルエチル基、フェナントリルエチル基、ピレニルエチル基、およびこれらのアラルキル基の水素原子をメチル基、エチル基等のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子で置換した基等の炭素数７〜２０のアラルキル基；またはクロロメチル基、３,３,３−トリフルオロプロピル基等の炭素数１〜１２のハロゲン化アルキル基が例示され、それぞれ前記と同様の基が例示され、好ましくは、メチル基、フェニル基である。このような（Ｃ）成分の分子構造としては、直鎖状、分岐状、環状、網状、一部分岐を有する直鎖状が例示される。

このような（Ｃ）成分としては、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン、一般式：Ｒ'_３ＳｉＯ_１/２で表されるシロキサン単位と一般式：Ｒ'_２ＨＳｉＯ_１/２で表されるシロキサン単位と式：ＳｉＯ_４/２で表されるシロキサン単位からなるオルガノポリシロキサン共重合体、一般式：Ｒ'_２ＨＳｉＯ_１/２で表されるシロキサン単位と式：ＳｉＯ_４/２で表されるシロキサン単位からなるオルガノポリシロキサン共重合体、一般式：Ｒ'ＨＳｉＯ_２/２で表されるシロキサン単位と一般式：Ｒ'ＳｉＯ_３/２で表されるシロキサン単位または式：ＨＳｉＯ_３/２で表されるシロキサン単位からなるオルガノポリシロキサン共重合体、およびこれらのオルガノポリシロキサンの二種以上の混合物が例示される。なお、式中のＲ'は炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、または炭素数１〜１２のハロゲン化アルキル基であり、それぞれ前記と同様の基が例示される。

本組成物において、（Ｃ）成分の含有量は、（Ａ）成分中および（Ｂ）成分中のアルケニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０.１〜５モルの範囲内となる量であり、好ましくは、０.５〜２モルの範囲内となる量である。これは、（Ｃ）成分の含有量が上記範囲の下限以上であると、組成物が十分に硬化するからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、硬化物の耐熱性が向上し、ひいては、本組成物を用いて作製した光半導体装置の信頼性が向上するからである。

また、（Ｄ）成分は、本組成物の硬化を促進するためのヒドロシリル化反応用触媒であり、白金系触媒、ロジウム系触媒、パラジウム系触媒が例示される。特に、本組成物の硬化を著しく促進できることから、（Ｄ）成分は白金系触媒であることが好ましい。この白金系触媒としては、白金微粉末、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、白金−アルケニルシロキサン錯体、白金−オレフィン錯体、白金−カルボニル錯体が例示され、好ましくは、白金−アルケニルシロキサン錯体である。

また、本組成物において、（Ｄ）成分の含有量は、本組成物の硬化を促進するために有効な量である。具体的には、（Ｄ）成分の含有量は、本組成物の硬化反応を十分に促進できることから、本組成物に対して、質量単位で、（Ｄ）成分中の触媒金属が０.０１〜５００ｐｐｍの範囲内となる量であることが好ましく、さらには、０.０１〜１００ｐｐｍの範囲内となる量であることが好ましく、特には、０.０１〜５０ｐｐｍの範囲内となる量であることが好ましい。

本組成物には、硬化途上で接触している基材に対する硬化物の接着性を向上させるため、（Ｅ）接着付与剤を含有してもよい。この（Ｅ）成分としては、ケイ素原子に結合したアルコキシ基を一分子中に少なくとも１個有する有機ケイ素化合物が好ましい。このアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、メトキシエトキシ基が例示され、特に、メトキシ基が好ましい。また、この有機ケイ素化合物のケイ素原子に結合するアルコキシ基以外の基としては、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基；３−グリシドキシプロピル基、４−グリシドキシブチル基等のグリシドキシアルキル基；２−(３,４−エポキシシクロヘキシル)エチル基、３−(３,４−エポキシシクロヘキシル)プロピル基等のエポキシシクロヘキシルアルキル基；４−オキシラニルブチル基、８−オキシラニルオクチル基等のオキシラニルアルキル基等のエポキシ基含有一価有機基；３−メタクリロキシプロピル基等のアクリル基含有一価有機基；水素原子が例示される。この有機ケイ素化合物はケイ素原子結合アルケニル基またはケイ素原子結合水素原子を有することが好ましい。また、各種の基材に対して良好な接着性を付与できることから、この有機ケイ素化合物は一分子中に少なくとも１個のエポキシ基含有一価有機基を有するものであることが好ましい。このような有機ケイ素化合物としては、オルガノシラン化合物、オルガノシロキサンオリゴマー、アルキルシリケートが例示される。このオルガノシロキサンオリゴマーあるいはアルキルシリケートの分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環状、網状が例示され、特に、直鎖状、分枝鎖状、網状であることが好ましい。このような有機ケイ素化合物としては、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−(３,４−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のシラン化合物；一分子中にケイ素原子結合アルケニル基もしくはケイ素原子結合水素原子、およびケイ素原子結合アルコキシ基をそれぞれ少なくとも１個ずつ有するシロキサン化合物、ケイ素原子結合アルコキシ基を少なくとも１個有するシラン化合物またはシロキサン化合物と一分子中にケイ素原子結合ヒドロキシ基とケイ素原子結合アルケニル基をそれぞれ少なくとも１個ずつ有するシロキサン化合物との混合物、メチルポリシリケート、エチルポリシリケート、エポキシ基含有エチルポリシリケートが例示される。

本組成物において、（Ｅ）成分の含有量は限定されないが、硬化途上で接触している基材に対して良好に接着することから、上記（Ａ）成分〜（Ｄ）成分の合計１００質量部に対して、０.０１〜１０質量部の範囲内であることが好ましい。

また、本組成物には、その他任意の成分として、２−メチル−３−ブチン−２−オール、３,５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、２−フェニル−３−ブチン−２−オール等のアルキンアルコール；３−メチル−３−ペンテン−１−イン、３,５−ジメチル−３−ヘキセン−１−イン等のエンイン化合物；１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサン、１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラヘキセニルシクロテトラシロキサン、ベンゾトリアゾール等の反応抑制剤を含有してもよい。本組成物において、この反応抑制剤の含有量は限定されないが、上記（Ａ）成分〜（Ｄ）成分の合計１００質量部に対して、０.０００１〜５質量部の範囲内であることが好ましい。

また、本組成物には、その他任意の成分として、蛍光材を含有することができる。この蛍光体としては、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）に広く利用されている、酸化物系蛍光体、酸窒化物系蛍光体、窒化物系蛍光体、硫化物系蛍光体、酸硫化物系蛍光体等からなる黄色、赤色、緑色、青色発光蛍光体が挙げられる。酸化物系蛍光体としては、セリウムイオンを包含するイットリウム、アルミニウム、ガーネット系のＹＡＧ系緑色〜黄色発光蛍光体、セリウムイオンを包含するテルビウム、アルミニウム、ガーネット系のＴＡＧ系黄色発光蛍光体、および、セリウムやユーロピウムイオンを包含するシリケート系緑色〜黄色発光蛍光体が例示される。酸窒化物蛍光体としては、ユーロピウムイオンを包含するケイ素、アルミニウム、酸素、窒素系のサイアロン系赤色〜緑色発光蛍光体が例示される。窒化物系蛍光体としては、ユーロピウムイオンを包含するカルシウム、ストロンチウム、アルミニウム、ケイ素、窒素系のカズン系赤色発光蛍光体が例示される。硫化物系としては、銅イオンやアルミニウムイオンを包含するＺｎＳ系緑色発色蛍光体が例示される。酸硫化物系蛍光体としては、ユーロピウムイオンを包含するＹ_２Ｏ_２Ｓ系赤色発光蛍光体が例示される。これらの蛍光材は、１種もしくは２種以上の混合物を用いてもよい。本組成物において、この蛍光材の含有量は特に限定されないが、本組成物中、０.１〜７０質量％の範囲内であり、さらには、１〜２０質量％の範囲内であることが好ましい。

また、本組成物には、本発明の目的を損なわない限り、その他任意の成分として、シリカ、ガラス、アルミナ、酸化亜鉛等の無機質充填剤；ポリメタクリレート樹脂等の有機樹脂微粉末；耐熱剤、染料、顔料、難燃性付与剤、溶剤等を含有してもよい。

本組成物は室温もしくは加熱により硬化が進行するが、迅速に硬化させるためには加熱することが好ましい。この加熱温度としては、５０〜２００℃の範囲内であることが好ましい。

次に、本発明の硬化物について詳細に説明する。
本発明の硬化物は、上記の硬化性シリコーン組成物を硬化してなることを特徴とする。硬化物の形状は特に限定されず、例えば、シート状、フィルム状が挙げられる。硬化物は、これを単体で取り扱うこともできるが、光半導体素子等を被覆もしくは封止した状態で取り扱うことも可能である。

次に、本発明の光半導体装置について詳細に説明する。
本発明の光半導体装置は、上記の硬化性シリコーン組成物の硬化物により光半導体素子を封止してなることを特徴とする。このような本発明の光半導体装置としては、発光ダイオード（ＬＥＤ）、フォトカプラー、ＣＣＤが例示される。また、光半導体素子としては、発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ、固体撮像素子が例示される。

本発明の光半導体装置の一例である単体の表面実装型ＬＥＤの断面図を図１に示した。図１で示されるＬＥＤは、ＬＥＤチップ１がリードフレーム２上にダイボンドされ、このＬＥＤチップ１とリードフレーム３とがボンディングワイヤ４によりワイヤボンディングされている。このＬＥＤチップ１の周囲には枠材５が設けられており、この枠材５の内側のＬＥＤチップ１が、本発明の硬化性シリコーン組成物の硬化物６により封止されている。

図１で示される表面実装型ＬＥＤを製造する方法としては、ＬＥＤチップ１をリードフレーム２にダイボンドし、このＬＥＤチップ１とリードフレーム３とを金製のボンディングワイヤ４によりワイヤボンドし、次いで、ＬＥＤチップ１の周囲に設けられた枠材５の内側に本発明の硬化性シリコーン組成物を充填した後、５０〜２００℃で加熱することにより硬化させる方法が例示される。

本発明のオルガノポリシロキサン、硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置を実施例により詳細に説明する。粘度は２５℃における値である。なお、実施例中、Ｍe、Ｖi、Ｐh、Ｎaph、Ｅpは、それぞれメチル基、ビニル基、フェニル基、ナフチル基、３−グリシドキシプロピル基を示す。また、硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置の特性を次のようにして測定した。

［硬化性の評価］
硬化性シリコーン組成物約０.５ｇをアルミカップに入れ、１５０℃の熱風循環式オーブン中で２分間加熱し、硬化物を作製した。その後、直ちに硬化物を室温まで冷却し、その表面を指で触り、表面のタック性の有無で硬化性を評価した。また、キュラストメータ（ＳＩＩナノテクノロジー社製のＤＳＣ７０００）を用いて、加熱速度１０℃／分で測定したときの硬化性シリコーン組成物の発熱ピーク温度から、その硬化速度を評価した。

［硬化物の透湿度］
硬化性シリコーン組成物をプレスを用いて１５０℃、２時間で硬化させ、厚み１ｍｍの硬化フィルムを作製した。その硬化フィルムの水蒸気透過率をＪＩＳ Ｚ０２０８のカップ法に準拠して、温度４０℃、相対湿度９０％の条件で測定した。

［光半導体装置の信頼性］
硬化性シリコーン組成物を用いて、１５０℃、２時間加熱して、図１で示される光半導体装置を作製した。この光半導体装置を、５０℃、相対湿度７５％、硫化水素ガス濃度２０ｐｐｍの条件下で２４時間暴露試験した。暴露試験前後での光半導体装置の発光効率の変化を測定し、光半導体装置の信頼性を評価した。

［参考例１］
攪拌機、還流冷却管、温度計付きの四口フラスコに、１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン ８２.２ｇ、水 １４３ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸 ０.３８ｇ、およびトルエン ５００ｇを投入し、攪拌下、フェニルトリメトキシシラン ５２４.７ｇを１時間かけて滴下した。滴下終了後、１時間加熱還流した。その後、冷却し、下層を分離し、トルエン溶液層を３回水洗した。水洗したトルエン溶液層にメチルグリシドキシプロピルジメトキシシラン ３１４ｇと水 １３０ｇと水酸化カリウム ０.５０ｇとを投入し、１時間加熱還流した。続いて、メタノールを留去し、過剰の水を共沸脱水で除いた。４時間加熱還流した後、トルエン溶液を冷却し、酢酸 ０.５５ｇで中和した後、３回水洗した。水を除去した後、トルエンを減圧下に留去して、粘度８,５００ｍＰa・ｓの平均単位式：
(ＶiＭe_２ＳiＯ_１/２)_０.１８(ＰhＳiＯ_３/２)_０.５３(ＥpＭeＳiＯ_２/２)_０.２９
で表される接着付与剤を調製した。

［実施例１］
反応容器に、フェニルトリメトキシシラン ４００ｇ（２.０２ｍｏｌ）、１,３−ジビニル−１,３−ジフェニルジメチルジシロキサン ８４.８６ｇ（０.２７ｍｏｌ）、および１,３−ジビニルテトラメチルジシロキサン ３.６４ｇ（０.０２ｍｏｌ）を投入し、予め混合した後、トリフルオロメタンスルホン酸 ３.４７ｇ（２３ｍｍｏｌ）を投入し、撹拌下、水 １２０ｇ（６.６ｍｏｌ）を投入し、２時間加熱還流を行った。その後、８５℃になるまで加熱常圧留去を行った。次いで、トルエン ８７.６ｇおよび水酸化カリウム １.８２ｇ（３２.５ｍｍｏｌ）を投入し、反応温度が１２０℃になるまで加熱常圧留去を行い、この温度で８時間反応させた。その後、室温まで冷却し、酢酸 ０.６７ｇ（１１.２ｍｍｏｌ）を投入し、中和反応を行った。生成した塩を濾別した後、得られた透明な溶液から低沸点物を加熱減圧除去し、無色透明なガム状粘稠液体 ３４３ｇ（収率：９８％）を得た。

核磁気共鳴スペクトル分析（以下、ＮＭＲ分析）の結果、この液体は、平均単位式：
(ＭeＰhＶiＳiＯ_１/２)_{０.２１０}(ＭeＶiＳiＯ_１/２)_{０.０１５}(ＰhＳiＯ_３/２)_{０.７７５}
で表されるオルガノポリシロキサンであることがわかった。このオルガノポリシロキサンの質量平均分子量（Ｍｗ）は１,４３９であり、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１.２２であった。

［実施例２］
反応容器に、フェニルトリメトキシシラン ４７０ｇ（２.３７ｍｏｌ）、１,３−ジビニル−１,３−ジフェニルジメチルジシロキサン ８７.９３ｇ（０.２８ｍｏｌ）、および１,３−ジビニルテトラメチルジシロキサン １３.２０ｇ（０.０７ｍｏｌ）を投入し、予め混合した後、トリフルオロメタンスルホン酸 ４.０９ｇ（２７ｍｍｏｌ）を投入し、撹拌下、水 １４０.８ｇ（７.８ｍｏｌ）を投入し、２時間加熱還流を行った。その後、８５℃になるまで加熱常圧留去を行った。次いで、トルエン １０２ｇおよび水酸化カリウム ２.１４ｇ（３８.１ｍｍｏｌ）を投入し、反応温度が１２０℃になるまで加熱常圧留去を行い、この温度で８時間反応させた。その後、室温まで冷却し、酢酸 ０.７８ｇ（１３.１ｍｍｏｌ）を投入し、中和反応を行った。生成した塩を濾別した後、得られた透明な溶液から低沸点物を加熱減圧除去し、無色透明なガム状粘稠液体 ４００ｇ（収率：９８％）を得た。

ＮＭＲ分析の結果、この液体は、平均単位式：
(ＭeＰhＶiＳiＯ_１/２)_{０.１８４}(ＭeＶiＳiＯ_１/２)_{０.０４６}(ＰhＳiＯ_３/２)_０.７７
で表されるオルガノポリシロキサンであることがわかった。このオルガノポリシロキサンの質量平均分子量（Ｍｗ）は１,３７６であり、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１.１６であった。

［実施例３］
反応容器に、フェニルトリメトキシシラン ４７０ｇ（２.３７ｍｏｌ）、１,３−ジビニル−１,３−ジフェニルジメチルジシロキサン ６５.９５ｇ（０.２１ｍｏｌ）、および１,３−ジビニルテトラメチルジシロキサン ２６.３９ｇ（０.１４ｍｏｌ）を投入し、予め混合した後、トリフルオロメタンスルホン酸 ４.０９ｇ（２７ｍｍｏｌ）を投入し、撹拌下、水 １４０.８ｇ（７.８ｍｏｌ）を投入し、２時間加熱還流を行った。その後、８５℃になるまで加熱常圧留去を行った。次いで、トルエン １００ｇおよび水酸化カリウム ２.１３ｇ（３７.９ｍｍｏｌ）を投入し、反応温度が１２０℃になるまで加熱常圧留去を行い、この温度で１０時間反応させた。その後、室温まで冷却し、酢酸 ０.７７ｇ（１２.８ｍｍｏｌ）を投入し、中和反応を行った。生成した塩を濾別した後、得られた透明な溶液から低沸点物を加熱減圧除去し、無色透明なガム状粘稠液体 ３９１ｇ（収率：９８％）を得た。

ＮＭＲ分析の結果、この液体は、平均単位式：
(ＭeＰhＶiＳiＯ_１/２)_{０.１３８}(ＭeＶiＳiＯ_１/２)_{０.０９２}(ＰhＳiＯ_３/２)_０.７７
で表されるオルガノポリシロキサンであることがわかった。このオルガノポリシロキサンの質量平均分子量（Ｍｗ）は１,７８６であり、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１.１５であった。

［実施例４］
反応容器に、１−ナフチルトリメトキシシラン １４８.８ｇ（０.６ｍｏｌ）、１,３−ジビニル−１,３−ジフェニルジメチルジシロキサン ４９.６ｇ（０.１６ｍｏｌ）、１,３−ジビニルテトラメチルジシロキサン ７.４４ｇ（０.０４ｍｏｌ）を投入し、予め混合した後、トリフルオロメタンスルホン酸 １.００２ｇ（６.７ｍｍｏｌ）を投入し、撹拌下、水 ３２.４ｇ（１.８ｍｏｌ）を投入し、２時間加熱還流を行った。その後、８５℃になるまで加熱常圧留去を行った。次いで、トルエン ７０.５ｇ、水酸化カリウム ０.５３８ｇ（９.６ｍｍｏｌ）を投入し、反応温度が１２０℃になるまで加熱常圧留去を行い、この温度で６時間反応させた。その後、室温まで冷却し、酢酸 ０.５７７ｇ（９.６ｍｍｏｌ）を投入し、中和反応を行った。生成した塩を濾別した後、得られた透明な溶液から低沸点物を加熱減圧除去し、無色透明なガム状粘稠液体 １５２.４ｇ（収率：９２.７％）を得た。

ＮＭＲ分析の結果、この液体は、平均単位式：
(ＭeＰhＶiＳiＯ_１/２)_０.３２(ＭeＶiＳiＯ_１/２)_０.０８(ＮaphＳiＯ_３/２)_０.６０
で表されるオルガノポリシロキサンであることがわかった。このオルガノポリシロキサンの質量平均分子量（Ｍｗ）は９６０であり、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１.０２であり、屈折率は１.６１９であった。

［実施例５］
反応容器に、１−ナフチルトリメトキシシラン １４８.８ｇ（０.６ｍｏｌ）、１,３−ジビニル−１,３−ジフェニルジメチルジシロキサン ３７.２ｇ（０.１２ｍｏｌ）、および１,３−ジビニルテトラメチルジシロキサン １４.９ｇ（０.０８ｍｏｌ）を投入し、予め混合した後、トリフルオロメタンスルホン酸 ０.９７８ｇ（６.５ｍｍｏｌ）を投入し、撹拌下、水 ３５.６ｇ（１.９８ｍｏｌ）を投入し、２時間加熱還流を行った。その後、８５℃になるまで加熱常圧留去を行った。次いで、トルエン ６９.１ｇ、水酸化カリウム ０.５２５ｇ（９.４ｍｍｏｌ）を投入し、反応温度が１２０℃になるまで加熱常圧留去を行い、この温度で６時間反応させた。その後、室温まで冷却し、酢酸 ０.５７ｇ（９.５ｍｍｏｌ）を投入し、中和反応を行った。生成した塩を濾別した後、得られた透明な溶液から低沸点物を加熱減圧除去し、無色透明なガム状粘稠液体 １４１.９ｇ（収率：８９.０％）を得た。

ＮＭＲ分析の結果、この液体は、平均単位式：
(ＭeＰhＶiＳiＯ_１/２)_０.２４(ＭeＶiＳiＯ_１/２)_０.１６(ＮaphＳiＯ_３/２)_０.６０
で表されるオルガノポリシロキサンであることがわかった。このオルガノポリシロキサンの質量平均分子量（Ｍｗ）は９８０であり、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１.０２であり、屈折率は１.６１７であった。

［実施例６］
反応容器に、フェニルトリメトキシシラン １５０ｇ（０.７６ｍｏｌ）、１,３−ジビニル−１,３−ジフェニルジメチルジシロキサン ５２.４７ｇ（０.１７ｍｏｌ）、１,３−ジビニルテトラメチルジシロキサン ３.０ｇ（０.０１６ｍｏｌ）、およびジフェニルジメトキシシラン １４６.７８ｇ（０.４８ｍｏｌ）を投入し、予め混合した後、トリフルオロメタンスルホン酸 ２.１４ｇ（１９ｍｍｏｌ）を投入し、撹拌下、水 ６４.１ｇ（３.６ｍｏｌ）を投入し、２時間加熱還流を行った。その後、８５℃になるまで加熱常圧留去を行った。次いで、トルエン ２８ｇおよび水酸化カリウム １.１７ｇ（２０.９ｍｍｏｌ）を投入し、反応温度が１２０℃になるまで加熱常圧留去を行い、この温度で8時間反応させた。その後、室温まで冷却し、酢酸 ０.４８ｇ（８.０ｍｍｏｌ）を投入し、中和反応を行った。生成した塩を濾別した後、得られた透明な溶液から低沸点物を加熱減圧除去し、無色透明なガム状粘稠液体 ２４４ｇ（収率：９８％）を得た。

ＮＭＲ分析の結果、この液体は、平均単位式：
(ＭeＰhＶiＳiＯ_１/２)_０.２１(ＭeＶiＳiＯ_１/２)_０.０２(Ｐh_２ＳiＯ_１/２)_０.３０(ＰhＳiＯ_３/２)_０.４７
で表されるオルガノポリシロキサンであることがわかった。このオルガノポリシロキサンの質量平均分子量（Ｍｗ）は１,１０３であり、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１.１８であった。

［比較例１］
反応容器に、フェニルトリメトキシシラン ４００ｇ（２.０２ｍｏｌ）および１,３−ジビニル−１,３−ジフェニルジメチルジシロキサン ９３.５ｇ（０.３０ｍｏｌ）を投入し、予め混合した後、トリフルオロメタンスルホン酸 １.７４ｇ（１１.６ｍｍｏｌ）を投入し、撹拌下、水 １１０ｇ（６.１ｍｏｌ）を投入し、２時間加熱還流を行った。その後、８５℃になるまで加熱常圧留去を行った。次いで、トルエン ８９gおよび水酸化カリウム １.１８ｇ（２１.１ｍｍｏｌ）を投入し、反応温度が１２０℃になるまで加熱常圧留去を行い、この温度で６時間反応させた。その後、室温まで冷却し、酢酸 ０.６８ｇ（１１.４ｍｍｏｌ）を投入し、中和反応を行った。生成した塩を濾別した後、得られた透明な溶液から低沸点物を加熱減圧除去し、無色透明なガム状粘稠液体 ３４７ｇ（収率：９８％）を得た。

ＮＭＲ分析の結果、この液体は、平均単位式：
(ＭeＰhＶiＳiＯ_１/２)_０.２３(ＰhＳiＯ_３/２)_０.７７
で表されるオルガノポリシロキサンであることがわかった。このオルガノポリシロキサンの質量平均分子量（Ｍｗ）は１,６１７であり、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１.１６であった。

［比較例２］
反応容器に、フェニルトリメトキシシラン ４００ｇ（２.０２ｍｍｏｌ）および１,３−ジビニル−テトラメチルジシロキサン ５６.２ｇ（０.３０ｍｏｌ）を投入し、予め混合した後、トリフルオロメタンスルホン酸 ０.３５ｇ（２.３ｍｍｏｌ）を投入し、撹拌下、水 １２０ｇ（６.６５ｍｏｌ）を投入し、２時間加熱還流を行った。その後、８５℃になるまで加熱常圧留去を行った。次いで、トルエン ８０ｇおよび水酸化カリウム ０.６１ｇ（１０.８ｍｍｏｌ）を投入し、反応温度が１２０℃になるまで加熱常圧留去を行い、この温度で６時間反応させた。その後、室温まで冷却し、酢酸 ０.６１ｇ（１０.２ｍｍｏｌ）を投入し、中和反応を行った。生成した塩を濾別した後、得られた透明な溶液から低沸点物を加熱減圧除去し、無色透明なガム状粘稠液体 ３１０ｇ（収率：９８％）を得た。

ＮＭＲ分析の結果、この液体は、平均単位式：
(Ｍe₂ＶiＳiＯ_１/２)_０.２３(ＰhＳiＯ_３/２)_０.７７
で表されるオルガノポリシロキサンであることがわかった。このオルガノポリシロキサンの質量平均分子量（Ｍｗ）は１,３７５であり、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１.１７であった。

［比較例３］
反応容器に、１−ナフチルトリメトキシシラン ８９２.８ｇ（３.６ｍｏｌ）および１,３−ジビニル−１,３−ジフェニルジメチルジシロキサン ３７２.０ｇ（１.２ｍｏｌ）を投入し、予め混合した後、トリフルオロメタンスルホン酸 ６.１５ｇ（４１ｍｍｏｌ）を投入し、撹拌下、水 ２１３.８４ｇ（１１.８８ｍｏｌ）を投入し、２時間加熱還流を行った。その後、８５℃になるまで加熱常圧留去を行った。次いで、トルエン ４３５.６ｇ、水酸化カリウム ３.２８ｇ（５８.６ｍｍｏｌ）を投入し、反応温度が１２０℃になるまで加熱常圧留去を行い、この温度で６時間反応させた。その後、室温まで冷却し、酢酸 ３.５２４ｇ（５８.７ｍｍｏｌ）を投入し、中和反応を行った。生成した塩を濾別した後、得られた透明な溶液から低沸点物を加熱減圧除去し、無色透明なガム状粘稠液体 ９５７.４ｇ（収率：９４.２％）を得た。

ＮＭＲ分析の結果、この液体は、平均単位式：
(ＭeＰhＶiＳiＯ_１/２)_０.４０(ＮaphＳiＯ_３/２)_０.６０
で表されるオルガノポリシロキサンであることがわかった。このオルガノポリシロキサンの質量平均分子量（Ｍｗ）は１,０００であり、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１.０２であり、屈折率は１.６２１であった。

［実施例７］
実施例１で調製したオルガノポリシロキサン ７８.２質量部、式：
ＨＭe_２ＳiＯＰh_２ＳiＯＳiＭe_２Ｈ
で表されるオルガノトリシロキサン ２１.８質量部（上記オルガノポリシロキサン中のビニル基１モルに対し、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１モルとなる量）、参考例１で調製した接着付与剤 ２質量部、および白金−１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサン溶液（白金を０.１質量％含有） ０.２質量部を混合して、硬化性シリコーン組成物を調製した。

この硬化性シリコーン組成物を１５０℃、２分間加熱して得られた硬化物は、表面のタックが無く、十分に硬化していた。なお、この硬化性シリコーン組成物のＤＳＣの発熱ピーク温度は１１４℃であった。また、硬化物の透湿度は８.１ｇ／ｍ^２・２４ｈであった。

［実施例８］
実施例２で調製したオルガノポリシロキサン ７７.７質量部、式：
ＨＭe_２ＳiＯＰh_２ＳiＯＳiＭe_２Ｈ
で表されるオルガノトリシロキサン ２２.３質量部（上記オルガノポリシロキサン中のビニル基１モルに対し、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１モルとなる量）、参考例１で調製した接着付与剤 ２質量部、および白金−１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサン溶液（白金を０.１質量％含有） ０.２質量部を混合して、粘度８,０００ｍＰa・ｓの硬化性シリコーン組成物を調製した。

この硬化性シリコーン組成物を１５０℃、２分間加熱して得られた硬化物は、表面のタックが無く、十分に硬化していた。なお、この硬化性シリコーン組成物のＤＳＣの発熱ピーク温度は１０９℃であった。また、硬化物の透湿度は９.４ｇ／ｍ^２・２４ｈであった。

［実施例９］
実施例２で調製したオルガノポリシロキサン ６３.７質量部、粘度３,０００ｍＰa・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン １５.２質量部、式：
ＨＭe_２ＳiＯＰh_２ＳiＯＳiＭe_２Ｈ
で表されるオルガノトリシロキサン ２１.１質量部（上記オルガノポリシロキサン中と上記メチルフェニルポリシロキサン中のビニル基の合計１モルに対し、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１モルとなる量）、および白金−１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサン溶液（白金を０.１質量％含有） ０.２質量部を混合して、粘度４,５００ｍＰa・ｓの硬化性シリコーン組成物を調製した。

この硬化性シリコーン組成物を１５０℃、２分間加熱して得られた硬化物は、表面のタックが無く、十分に硬化していた。なお、この硬化性シリコーン組成物のＤＳＣの発熱ピーク温度は１０７℃であった。また、硬化物の透湿度は１１ｇ／ｍ^２・２４ｈであった。

［実施例１０］
実施例２で調製したオルガノポリシロキサン ６４.６質量部、粘度３,０００ｍＰa・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン １５.２質量部、式：
ＨＭe_２ＳiＯＰh_２ＳiＯＳiＭe_２Ｈ
で表されるオルガノトリシロキサン １８.４質量部（上記オルガノポリシロキサン中と上記メチルフェニルポリシロキサン中のビニル基の合計１モルに対し、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０.５モルとなる量）、平均単位式：
(ＨＭe_２ＳiＯ_１/２)_０.６０(ＰhＳiＯ_３/２)_０.４０
で表されるオルガノポリシロキサン １.８質量部（上記オルガノポリシロキサン中と上記メチルフェニルポリシロキサン中のビニル基の合計１モルに対し、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０.５モルとなる量）、および白金−１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサン溶液（白金を０.１質量％含有） ０.２質量部を混合して、硬化性シリコーン組成物を調製した。

この硬化性シリコーン組成物を１５０℃、２分間加熱して得られた硬化物は、表面のタックが無く、十分に硬化していた。また、硬化物の透湿度は１０.５ｇ／ｍ^２・２４ｈであった。

［実施例１１］
実施例３で調製したオルガノポリシロキサン ６４.２質量部、粘度３,０００ｍＰa・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン １５.２質量部、式：
ＨＭe_２ＳiＯＰh_２ＳiＯＳiＭe_２Ｈ
で表されるオルガノトリシロキサン ２０.６質量部（上記オルガノポリシロキサン中と上記メチルフェニルポリシロキサン中のビニル基の合計１モルに対し、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１となる量）、および白金−１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサン溶液（白金を０.１質量％含有） ０.２質量部を混合して、硬化性シリコーン組成物を調製した。

この硬化性シリコーン組成物を１５０℃、２分間加熱して得られた硬化物は、表面のタックが無く、十分に硬化していた。なお、この硬化性シリコーン組成物のＤＳＣの発熱ピーク温度は１１１℃であった。また、硬化物の透湿度は１３ｇ／ｍ^２・２４ｈであった。

［実施例１２］
実施例６で調製したオルガノポリシロキサン ８０.７質量部、式：
ＨＭe_２ＳiＯＰh_２ＳiＯＳiＭe_２Ｈ
で表されるオルガノトリシロキサン １９.３質量部（上記オルガノポリシロキサン中のビニル基１モルに対し、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１となる量）、および白金−１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサン溶液（白金を０.１質量％含有） ０.２質量部を混合して、粘度５,２００ｍＰa・ｓの硬化性シリコーン組成物を調製した。

この硬化性シリコーン組成物を１５０℃、２分間加熱して得られた硬化物は、表面のタックが無く、十分に硬化していた。なお、この硬化性シリコーン組成物のＤＳＣの発熱ピーク温度は１１４℃であった。また、硬化物の透湿度は７.４ｇ／ｍ^２・２４ｈであった。

［比較例４］
比較例１で調製したオルガノポリシロキサン ７８.１質量部、式：
ＨＭe_２ＳiＯＰh_２ＳiＯＳiＭe_２Ｈ
で表されるオルガノトリシロキサン ２１.９質量部（上記オルガノポリシロキサン中のビニル基１モルに対し、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１となる量）、参考例１で調製した接着付与剤 ２質量部、および白金−１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサン溶液（白金を０.１質量％含有） ０.２質量部を混合して、粘度７,６００mPa・sの硬化性シリコーン組成物を調製した。

この硬化性シリコーン組成物を１５０℃、２分間加熱して得られた硬化物は、表面にタックがあり、硬化が十分ではなかった。なお、この硬化性シリコーン組成物のＤＳＣの発熱ピーク温度は１２２℃であった。また、硬化物の透湿度は６.７ｇ／ｍ^２・２４ｈであった。

実施例７，８，１２と比較例４を対比することにより、実施例７，８，１２の硬化性シリコーン組成物は、比較例４の硬化性シリコーン組成物より、硬化性が良好であることがわかった。

［比較例５］
比較例１で調製したオルガノポリシロキサン ６３.９質量部、粘度３,０００ｍＰa・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン １５.６質量部、式：
ＨＭe_２ＳiＯＰh_２ＳiＯＳiＭe_２Ｈ
で表されるオルガノトリシロキサン ２０.５質量部（上記オルガノポリシロキサン中と上記メチルフェニルポリシロキサン中のビニル基の合計１モルに対し、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１となる量）、および白金−１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサン溶液（白金を０.１質量％含有） ０.２質量部を混合して、粘度５,４００ｍＰa・ｓの硬化性シリコーン組成物を調製した。

この硬化性シリコーン組成物を１５０℃、２分間加熱して得られた硬化物は、表面にタックがあり、硬化が十分ではなかった。なお、この硬化性シリコーン組成物のＤＳＣの発熱ピーク温度は１２０℃であった。また、硬化物の透湿度は１２ｇ／ｍ^２・２４ｈであった。

実施例９，１０，１１と比較例５を対比することにより、実施例９，１０，１１の硬化性シリコーン組成物は、比較例５の硬化性シリコーン組成物より、硬化性が良好であることがわかった。

［比較例６］
比較例２で調製したオルガノポリシロキサン ７３.５質量部、式：
ＨＭe_２ＳiＯＰh_２ＳiＯＳiＭe_２Ｈ
で表されるオルガノトリシロキサン ２６.５質量部（上記オルガノポリシロキサン中のビニル基１モルに対し、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１となる量）、および白金−１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサン溶液（白金を０.１質量％含有） ０.２質量部を混合して、粘度４,０００ｍＰa・ｓの硬化性シリコーン組成物を調製した。

この硬化性シリコーン組成物を１５０℃、２分間加熱して得られた硬化物は、表面のタックが無く、十分に硬化していた。なお、この硬化性シリコーン組成物のＤＳＣの発熱ピーク温度は９２.５℃であった。また、硬化物の透湿度は１１.４ｇ／ｍ^２・２４ｈであった。

実施例７，８，１２と比較例６を対比することにより、実施例７，８，１２の硬化性シリコーン組成物は、比較例６の硬化性シリコーン組成物より、硬化性が良好であることがわかった。

［比較例７］
比較例２で調製したオルガノポリシロキサン ６１.８質量部、粘度３,０００ｍＰa・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン １５.２質量部、式：
ＨＭe_２ＳiＯＰh_２ＳiＯＳiＭe_２Ｈ
で表されるオルガノトリシロキサン ２３.０質量部（上記オルガノポリシロキサン中と上記メチルフェニルポリシロキサン中のビニル基の合計１モルに対し、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１となる量）、および白金−１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサン溶液（白金を０.１質量％含有） ０.２質量部を混合して、粘度３,０００ｍＰa・ｓの硬化性シリコーン組成物を調製した。

この硬化性シリコーン組成物を１５０℃、２分間加熱して得られた硬化物は、表面のタックが無く、十分に硬化していた。なお、この硬化性シリコーン組成物のＤＳＣの発熱ピーク温度は９３℃であった。また、硬化物の透湿度は１５ｇ／ｍ^２・２４ｈであった。

実施例９，１０，１１と比較例７を対比することにより、実施例９，１０，１１の硬化性シリコーン組成物は、比較例７の硬化性シリコーン組成物より、硬化性が良好であることがわかった。

［実施例１３］
実施例４で調製したオルガノポリシロキサン ６０.６質量部、粘度３,０００ｍＰa・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン １４.０質量部、式：
ＨＭe_２ＳiＯＰh_２ＳiＯＳiＭe_２Ｈ
で表されるオルガノトリシロキサン ２５.４質量部（上記オルガノポリシロキサン中と上記メチルフェニルポリシロキサン中のビニル基の合計１モルに対し、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１となる量）、および白金−１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサン溶液（白金を０.１質量％含有） ０.２質量部を混合して、粘度４,５００ｍＰa・ｓの硬化性シリコーン組成物を調製した。

この硬化性シリコーン組成物を１５０℃、２分間加熱して得られた硬化物は、表面のタックが無く、十分に硬化していた。なお、この硬化性シリコーン組成物のＤＳＣの発熱ピーク温度は１３１.２℃であった。また、硬化物の透湿度は３.４ｇ／ｍ^２・２４ｈであった。

［実施例１４］
実施例５で調製したオルガノポリシロキサン ５９.８質量部、粘度３,０００ｍＰa・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン １４.０質量部、式：
ＨＭe_２ＳiＯＰh_２ＳiＯＳiＭe_２Ｈ
で表されるオルガノトリシロキサン ２６.２質量部（上記オルガノポリシロキサン中と上記メチルフェニルポリシロキサン中のビニル基の合計１モルに対し、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１となる量）、および白金−１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサン溶液（白金を０.１質量％含有） ０.２質量部を混合して、粘度４,１００ｍＰa・ｓの硬化性シリコーン組成物を調製した。

この硬化性シリコーン組成物を１５０℃、２分間加熱して得られた硬化物は、表面のタックが無く、十分に硬化していた。なお、この硬化性シリコーン組成物のＤＳＣの発熱ピーク温度は１２８.５℃であった。また、硬化物の透湿度は３.６ｇ／ｍ^２・２４ｈであった。

［比較例８］
比較例３で調製したオルガノポリシロキサン ６０.７質量部、粘度３,０００ｍＰa・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン １４.０質量部、式：
ＨＭe_２ＳiＯＰh_２ＳiＯＳiＭe_２Ｈ
で表されるオルガノトリシロキサン ２５.３質量部（上記オルガノポリシロキサン中と上記メチルフェニルポリシロキサン中のビニル基の合計１モルに対し、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１となる量）、および白金−１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサン溶液（白金を０.１質量％含有） ０.２質量部を混合して、粘度３,６００ｍＰa・ｓの硬化性シリコーン組成物を調製した。

この硬化性シリコーン組成物を１５０℃、２分間加熱して得られた硬化物は、表面にタックがあり、硬化が十分ではなかった。なお、この硬化性シリコーン組成物のＤＳＣの発熱ピーク温度は１３３.７℃であった。また、硬化物の透湿度は３.７ｇ／ｍ^２・２４ｈであった。

実施例１３，１４と比較例８を対比することにより、実施例１３、１４の硬化性シリコーン組成物は、比較例８と同程度の透湿度を有する硬化物を形成することができ、比較例８の硬化性シリコーン組成物より、硬化性が良好であることがわかった。

［実施例１５］
実施例８で調製した硬化性シリコーン組成物を用いて光半導体装置を作製した。この光半導体装置の信頼性を評価したところ、暴露試験前後での発光効率の変化は観察されなかった。

［比較例９］
比較例６で調製した硬化性シリコーン組成物を用いて光半導体装置を作製した。この光半導体装置の信頼性を評価したところ、暴露試験後で発光効率が暴露試験前より約６％低下した。

本発明の硬化性シリコーン組成物は、電気・電子用の接着剤、ポッティング剤、保護剤、コーティング剤、アンダーフィル剤として使用することができ、特に、高い反応性を有し、ガス透過性の低い硬化物を形成できるので、発光ダイオード（ＬＥＤ）等の光半導体装置における光半導体素子の封止材あるいは保護コーティング材として好適である。

１ 光半導体素子
２ リードフレーム
３ リードフレーム
４ ボンディングワイヤ
５ 枠材
６ 硬化性シリコーン組成物の硬化物

Claims (7)

1. 平均単位式：
   (Ｒ^１ _３ＳiＯ_１/２)_ａ(Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４ＳiＯ_１/２)_ｂ(Ｒ^５ _２ＳiＯ_２/２)_ｃ(Ｒ^３ＳiＯ_３/２)_ｄ
   （式中、Ｒ^１は同じかまたは異なる、炭素数１〜１２のアルキル基もしくは炭素数２〜１２のアルケニル基、但し、一分子中の少なくとも一つのＲ^１は炭素数２〜１２のアルケニル基；Ｒ^２は炭素数１〜１２のアルキル基；Ｒ^３は同じかまたは異なる、炭素数６〜２０のアリール基もしくは炭素数６〜２０のアラルキル基；Ｒ^４は炭素数２〜１２のアルケニル基；Ｒ^５は同じかまたは異なる、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、もしくはフェニル基；ａ、ｂ、ｃ、およびｄは、それぞれ、０.０１≦ａ≦０.４５、０.０１≦ｂ≦０.４５、０≦ｃ≦０.７、０.１≦ｄ＜０.９、かつａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１を満たす数である。）
   で表されるオルガノポリシロキサン。
2. 式中、Ｒ^３がフェニル基またはナフチル基である、請求項１記載のオルガノポリシロキサン。
3. （Ａ）平均単位式：
   (Ｒ^１ _３ＳiＯ_１/２)_ａ(Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４ＳiＯ_１/２)_ｂ(Ｒ^５ _２ＳiＯ_２/２)_ｃ(Ｒ^３ＳiＯ_３/２)_ｄ
   （式中、Ｒ^１は同じかまたは異なる、炭素数１〜１２のアルキル基もしくは炭素数２〜１２のアルケニル基、但し、一分子中の少なくとも一つのＲ^１は炭素数２〜１２のアルケニル基；Ｒ^２は炭素数１〜１２のアルキル基；Ｒ^３は同じかまたは異なる、炭素数６〜２０のアリール基もしくは炭素数６〜２０のアラルキル基；Ｒ^４は炭素数２〜１２のアルケニル基；Ｒ^５は同じかまたは異なる、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、もしくはフェニル基；ａ、ｂ、ｃ、およびｄは、それぞれ、０.０１≦ａ≦０.４５、０.０１≦ｂ≦０.４５、０≦ｃ≦０.７、０.１≦ｄ＜０.９、かつａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１を満たす数である。）
   で表されるオルガノポリシロキサン、
   （Ｂ）一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有し、ケイ素原子結合水素原子を有さない直鎖状オルガノポリシロキサン（本組成物に対して、０〜７０質量％）、
   （Ｃ）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン｛（Ａ）成分と（Ｂ）成分中のアルケニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０.１〜５モルとなる量｝、および
   （Ｄ）有効量のヒドロシリル化反応用触媒
   から少なくともなる硬化性シリコーン組成物。
4. （Ａ）成分中、Ｒ^３がフェニル基またはナフチル基である、請求項３記載の硬化性シリコーン組成物。
5. 更に、（Ｅ）接着付与剤｛上記（Ａ）成分〜（Ｄ）成分の合計１００質量部に対して、０.０１〜１０質量部｝を含む、請求項３または４記載の硬化性シリコーン組成物。
6. 請求項３乃至５のいずれか１項記載の硬化性シリコーン組成物を硬化してなる硬化物。
7. 請求項３乃至５のいずれか１項記載の硬化性シリコーン組成物の硬化物で光半導体素子が封止された光半導体装置。

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