JP2014082353A - 電子部品内蔵基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】高性能化を実現可能な電子部品内蔵基板を提供する。
【解決手段】基板配線層121〜123を有する樹脂基板110と、樹脂基板110に埋め込まれた半導体IC200とを備える。樹脂基板110は、半導体IC200に設けられた複数の外部電極230を露出させる複数のビアホール143aと、複数のビアホール143a内に埋め込まれ、基板配線層123と外部電極130とを接続する複数のビア導体143とを有する。複数のビアホール143aの少なくとも一部は、互いに異なる形状又はサイズを有している。本発明によれば、例えば所定のビア導体143を低抵抗化することが可能となることから、より高性能な電子部品内蔵基板を提供することが可能となる。
【選択図】図1
【解決手段】基板配線層121〜123を有する樹脂基板110と、樹脂基板110に埋め込まれた半導体IC200とを備える。樹脂基板110は、半導体IC200に設けられた複数の外部電極230を露出させる複数のビアホール143aと、複数のビアホール143a内に埋め込まれ、基板配線層123と外部電極130とを接続する複数のビア導体143とを有する。複数のビアホール143aの少なくとも一部は、互いに異なる形状又はサイズを有している。本発明によれば、例えば所定のビア導体143を低抵抗化することが可能となることから、より高性能な電子部品内蔵基板を提供することが可能となる。
【選択図】図1
Description
本発明は電子部品内蔵基板及びその製造方法に関し、特に、低コスト化、薄型化及び高性能化を実現可能な電子部品内蔵基板及びその製造方法に関する。
一般的なプリント基板においては、基板の表面に半導体ICなどの電子デバイスが複数実装され、基板内部の配線層を介してこれら電子デバイス間の接続が行われる。しかしながら、このようなタイプのプリント基板は全体の厚みを薄くすることが困難であるため、スマートフォンなど薄型化が要求される機器向けのプリント基板としては、半導体ICなどの電子部品を樹脂層に埋め込んだタイプの電子部品内蔵基板が用いられることがある。
例えば、特許文献1には、樹脂基板に設けられた凹部に半導体ICを嵌め込み、その後、半導体ICに設けられたスタッドバンプを露出させる半導体IC内蔵基板の製造方法が記載されている。また、特許文献2には、半導体ICが埋め込まれた樹脂基板にレーザービームを照射することによって半導体ICに設けられた外部電極を露出させ、これにより半導体ICのパッド電極と樹脂基板の配線層とを接続する方法が記載されている。
しかしながら、特許文献1,2に記載された半導体IC内蔵基板は、半導体ICのパッド電極にあらかじめスタッドバンプやトランジッション層などを形成しておく必要があり、製造コストが高くなると言う問題がある。しかも、特許文献1,2に記載された半導体IC内蔵基板は、スタッドバンプやトランジッション層などの存在により、基板全体の厚みを薄くすることが困難であるという問題もあった。さらに、特許文献1,2に記載された半導体IC内蔵基板では、半導体ICのパッド電極に接続されるビア導体の径や形状が全て同じであるため、例えば特定の電源配線を低抵抗化するといった特性の改善が困難であった。このような問題は、半導体IC内蔵基板のみならず、半導体IC以外の電子部品が埋め込まれた電子部品内蔵基板において全般的に生じる問題である。
したがって、本発明は、低コスト化、薄型化及び高性能化を実現可能な電子部品内蔵基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明による電子部品内蔵基板は、基板配線層を有する樹脂基板と、前記樹脂基板に埋め込まれた電子部品と、を備え、前記樹脂基板は、前記電子部品に設けられた複数の外部電極を露出させる複数のビアホールと、前記複数のビアホール内に埋め込まれ、前記基板配線層と前記外部電極とを接続する複数のビア導体とを有し、前記複数のビアホールの少なくとも一部は、互いに異なる形状又はサイズを有していることを特徴とする。
本発明によれば、複数のビアホールの少なくとも一部が互いに異なる形状又はサイズを有していることから、例えば所定のビア導体を低抵抗化することが可能となる。これにより、より高性能な電子部品内蔵基板を提供することが可能となる。
本発明においては、前記電子部品が半導体ICであることが好ましい。半導体ICは、電源用の外部電極や信号用の外部電極など種類の異なる多数の外部電極を有していることから、外部電極の種類や形状に応じてビアホールの形状やサイズを選択することにより、電子部品内蔵基板をより高性能化することができる。
この場合、前記半導体ICは複数のチップ配線層を有し、前記複数のチップ配線層のうち最上層のチップ配線層には、前記複数の外部電極と、少なくとも前記最上層のチップ配線層において前記複数の外部電極のいずれにも接続されない内部配線とが設けられていることが好ましい。このような半導体ICはいわゆるパッド層が設けられていないことから、パッド層を形成するためのコストを削減することができるとともに、パッド層が存在しない分、より薄型化することが可能となる。
本発明においては、前記複数の外部電極のうち、相対的に面積の大きい第1の外部電極には相対的に開口面積の大きい第1のビアホールが割り当てられ、相対的に面積の小さい第2の外部電極には相対的に開口面積の小さい第2のビアホールが割り当てられていることが好ましい。これによれば、外部電極のサイズに合わせてビア導体のサイズを最大化することが可能となる。
この場合、前記第1の外部電極は電源用の電極であり、前記第2の外部電極は信号用の電極であることが好ましい。これによれば、電源用のビア導体を低抵抗化することが可能となる。
本発明において、前記複数のビアホールの少なくとも一部は、対応する外部電極の外形に沿った平面形状を有していることが好ましい。これによれば、ビア導体のサイズを最大化することが可能となる。
この場合、前記複数の外部電極の少なくとも一部は、第1の方向に延在する第1電極部分と、前記第1の方向と交差する第2の方向に延在する第2電極部分とを有し、前記複数の外部電極の前記少なくとも一部に割り当てられたビアホールは、前記第1電極部分を露出させる第1開口部と、前記第2電極部分を露出させる第2開口部とを有することが好ましい。これによれば、外部電極がL字型、U字型、H字型など、整形されていない異形状であっても、ビア導体のサイズを最大化することが可能となる。
また、本発明による電子部品内蔵基板の製造方法は、樹脂基板に電子部品を埋め込む第1の工程と、前記樹脂基板に複数のビアホールを形成することにより、前記電子部品に設けられた複数の外部電極を露出させる第2の工程と、前記複数のビアホールを埋める複数のビア導体を形成することにより、前記樹脂基板に設けられた基板配線層と前記電子部品に設けられた前記外部電極とを接続する第3の工程と、を有し、前記第2の工程においては、前記複数のビアホールの少なくとも一部を互いに異なる径又は形状とすることを特徴とする。
本発明によれば、複数のビアホールの少なくとも一部を互いに異なる形状又はサイズとしていることから、例えば所定のビア導体を低抵抗化することが可能となる。これにより、より高性能な電子部品内蔵基板を提供することが可能となる。
本発明において、前記第2の工程は、前記基板配線層の一部を除去する工程と、前記一部が除去された前記基板配線層をマスクとしたブラスト加工によって前記複数のビアホールを形成する工程とを含むことが好ましい。これによれば、異なる形状又はサイズを有する複数のビアホールを一括して形成することが可能となる。
本発明においては、前記電子部品が半導体ICであることが好ましい。上述の通り、半導体ICは、電源用の外部電極や信号用の外部電極など種類の異なる多数の外部電極を有していることから、外部電極の種類や形状に応じてビアホールの形状やサイズを選択することにより、電子部品内蔵基板をより高性能化することができる。
この場合、前記半導体ICは複数のチップ配線層を有し、前記複数のチップ配線層のうち最上層のチップ配線層には、前記複数の外部電極と、少なくとも前記最上層のチップ配線層において前記複数の外部電極のいずれにも接続されない内部配線とが設けられていることが好ましい。このような半導体ICはいわゆるパッド層が設けられていないことから、パッド層を形成するためのコストを削減することができるとともに、パッド層が存在しない分、より薄型化することが可能となる。
このように、本発明によれば、低コスト化、薄型化及び高性能化を実現可能な電子部品内蔵基板及びその製造方法を提供することが可能となる。
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
図1は、本発明の好ましい実施形態による電子部品内蔵基板100の構造を示す模式的な断面図である。尚、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。また、図面の寸法比率は、図示の比率に限定されるものではない。さらに、以下の実施形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明をその実施形態のみに限定する趣旨ではない。またさらに、本発明は、その要旨を逸脱しない限り、さまざまな変形が可能である。
図1に示すように、本実施形態による電子部品内蔵基板100は、樹脂基板110と、樹脂基板110に埋め込まれたベアチップ状態の半導体IC200とを備えている。特に限定されるものではないが、半導体IC200の厚みは、例えば200μm以下、より好ましくは50〜100μm程度に薄型化されている。半導体IC200の種類については特に限定されず、CPU(Central Processing Unit)やDSP(Digital Signal Processor)のように動作周波数が非常に高いデジタルIC、F−RomやSDRAM等のメモリ系IC、高周波増幅器やアンテナスイッチ、高周波発振回路といったアナログIC等が挙げられる。
樹脂基板110には、3つの基板配線層121,122,123が設けられている。基板配線層121,122間には樹脂層131が設けられ、基板配線層122,123間には樹脂層132,133が設けられている。基板配線層121は樹脂基板110の一方の表面(下面)に露出する配線層であり、基板配線層123は樹脂基板110の他方の表面(上面)に露出する配線層である。これに対し、基板配線層122は樹脂基板110の内部に埋め込まれた配線層である。基板配線層121,122は、樹脂層131を貫通して設けられたビア導体141を介して接続され、基板配線層122,123は、樹脂層132,133を貫通して設けられたビア導体142を介して接続されている。
半導体IC200は樹脂層132にフェースアップ方式で載置されるとともに、樹脂層133に埋め込まれている。半導体IC200の主面側における表面200aには、複数の外部電極230を有するチップ配線層が設けられている。詳細については後述するが、本実施形態において用いる半導体IC200は、一般的な半導体ICとは異なり、いわゆるパッド電極として定義された電極が設けられておらず、最上層のチップ配線層に形成された配線がそのまま外部電極230として用いられる。外部電極230は、樹脂層133に設けられた複数のビアホール143aによって露出されるとともに、これらビアホール143aを埋める複数のビア導体143を介して基板配線層123に接続されている。
図2は、半導体IC200の構造を説明するための模式的な断面図である。
図2に示すように、半導体IC200は、シリコン(Si)やガリウムヒ素化合物(GaAs)などからなる半導体基板210と、半導体基板210の表面に形成された複数のチップ配線層GL,M1,M2,M3と、これらチップ配線層間を分離する層間絶縁膜221,222,223とを備えている。最下層に位置するチップ配線層GLは、MOSトランジスタのゲート電極Gなどが形成される配線層である。ゲート電極Gに覆われた半導体基板210の両側にはソース領域S及びドレイン領域Dが形成されており、これらゲート電極G、ソース領域S及びドレイン領域DによってMOSトランジスタが形成される。
チップ配線層M1,M2,M3は、チップ配線層GLよりも上層に位置する配線層であり、本実施形態ではチップ配線層M3が最上層に位置している。最上層に位置するチップ配線層M3は、そのまま露出していても構わないし、パッシベーション膜224によって覆われていても構わない。チップ配線層M3がそのまま露出している場合には、外部電極230と樹脂層133が直接接することになり、パッシベーション膜224によって覆われている場合には、外部電極230と樹脂層133との間にパッシベーション膜224が介在することになる。
図3は、チップ配線層M3に形成された配線パターンの一例を示す平面図である。
図3に示すように、チップ配線層M3には、種々の形状及び大きさを有する複数の配線パターンが形成されている。例えば、配線パターン231はX方向に延在する配線パターンであり、その一端には幅広の矩形状領域231aが設けられ、他端には幅広の矩形状領域231bが設けられている。同様に、配線パターン232はY方向に延在する配線パターンであり、その一端には幅広の矩形状領域232aが設けられ、他端には幅広の矩形状領域232bが設けられている。さらに、配線パターン233はX方向に延在する第1電極部分とY方向に延在する第2電極部分とを有するJ字型の配線パターンであり、その一端には幅広の矩形状領域233aが設けられ、他端には幅広の矩形状領域233bが設けられている。
ここで、矩形状領域231a,232a,233aは、矩形状領域231b,232b,233bよりも面積が大きい。矩形状領域231a,232a,233aは図1に示した外部電極230として用いられる領域であり、矩形状領域231b,232b,233bは下層に位置する配線層M2と接続するためのビア導体が形成される領域である。これら配線パターン231,232,233は比較的配線幅が細く、信号用の配線パターンとして用いられる。
チップ配線層M3には、より大面積の配線パターンも多数設けられている。例えば、配線パターン234は、X方向に延在する直線部分と、これらの一端に設けられた大面積の矩形状領域234aと、他端に設けられた矩形状領域234bとを備える。また、配線パターン235は、X方向に延在する直線部分と、これらの一端に設けられY方向に延在する直線的な幅広領域235aと、他端に設けられた矩形状領域235bとを備える。さらに、配線パターン236はX方向に延在する幅広の第1電極部分とY方向に延在する幅広の第2電極部分とを有するL字型の配線パターンである。配線パターン237は、X方向に延在する幅広の第1電極部分237aと、Y方向に延在する2つの幅広の第2電極部分237bとを有するU字型の配線パターンである。配線パターン238,239は、X方向に延在する複数の複数の第1電極部分とY方向に延在する複数の幅広の第2電極部分とを有する複雑な形状を有する配線パターンである。配線パターン239には、斜めの部分も存在する。
これら配線パターン234〜239はいずれも比較的大面積であり、電源用の配線パターンとして用いられる。これら配線パターン234〜239のうち、大面積の部分や幅広の部分は、図1に示した外部電極230として用いられる領域である。矩形状領域234b,235bなどは下層に位置する配線層M2と接続するためのビア導体が形成される領域である。
図3に示すように、最上層に位置するチップ配線層M3には、いわゆるパッド電極として定義されたパターンは存在せず、通常の配線が多数形成されているに過ぎない。このため、配線層M3には、該配線層内において外部電極に接続されない内部配線240も設けられている。
一般的な半導体ICであれば、略断面図である図4(a)及び略平面図である図4(b)に示すように、最上層には互いに同じ形状及びサイズを有する複数のパッド電極Pが規則的に配列され、これらパッド電極Pが外部電極として用いられる。これに対し、本実施形態にて用いる半導体IC200には、そのようなパッド電極Pは存在しない。パッド電極Pが存在する一般的な半導体ICであれば、図4(a)に示すように、配線層M3のさらに上層にパッド層M4を形成する必要があるが、本実施形態ではこのようなパッド層M4は不要である。このため、パッド層M4及びこれを覆うパッシベーション膜225の膜厚分だけ、半導体IC200をより薄型化することが可能となる。しかも、パッド層M4及びパッシベーション膜225を形成する工程が不要であることから、その分、半導体IC200の製造コストを削減することも可能となる。
図5は、チップ配線層M3を露出させるビアホール143aの位置、形状及びサイズを説明するための平面図である。
図5に示すように、本実施形態ではビアホール143aが種々の形状及びサイズを有している。より具体的に説明すると、矩形状領域231a,232a,233aを露出させるビアホール143a1〜143a3は略円形であり、そのサイズも比較的小さい。これに対し、大面積の矩形状領域234aを露出させるビアホール143a4は、矩形状領域234aの形状に合わせて楕円形であり、そのサイズはビアホール143a1〜143a3よりも大きい。また、直線的な幅広領域235aを露出させるビアホール143a5は、幅広領域235aの形状に合わせて直線的であり、そのサイズはビアホール143a1〜143a3よりも大きい。さらに、配線パターン236を露出させるビアホール143a6は、X方向に延在する幅広の第1電極部分に対応する位置に設けられ、そのサイズもビアホール143a1〜143a3よりも大きい。
配線パターン237を露出させるビアホール143a7は、U字状である配線パターン237の形状に合わせ、U字状の形状を有しており、そのサイズもビアホール143a1〜143a3よりも大きい。より具体的に説明すると、ビアホール143a7は、第1電極部分237aを露出させる第1開口部と、第2電極部分237bを露出させる第2開口部とを有し、これらが繋がったU字状の形状を有している。配線パターン238を露出させるビアホール143a8は、配線パターン238の一部の形状に合わせてE字状の形状を有しており、そのサイズもビアホール143a1〜143a3よりも大きい。そして、配線パターン239を露出させるビアホール143a9は、配線パターン239の形状に合わせ、2つの楕円を繋いだ形状を有しており、そのサイズもビアホール143a1〜143a3よりも大きい。
このように、通常の半導体ICではパッド層M4の下層に位置する配線層M3が本実施形態では最上層に位置していることから、配線層M3に形成された配線パターンの外形に沿って、ビアホール143aの平面形状を任意に設定することができる。これにより、例えば、電源用のビア導体のように低抵抗化したいビア導体を信号用のビア導体よりも大型化することが可能となる。尚、言うまでもないが、全てのビアホール143aの形状及びサイズを互いに異ならせる必要はなく、複数のビアホール143aの少なくとも一部について、形状又はサイズを互いに異なるものとすれば足りる。
尚、ビア導体143の平面形状は、矩形とするよりも円形や楕円形のように角を落とした形状とする方が好ましい。これは、図6(a)に示すように、ビア導体143を矩形とした場合、符号Aで示すように、ビア導体143から引き出される配線124が隣接するビア導体143と干渉しやすくなってしまうのに対し、図6(b)に示すように、ビア導体143の形状として角を落としたラウンド形状とした場合、このような干渉が生じにくくなるため、配線の設計自由度が向上するからである。但し、図6(a)に示すように角を落とす前の矩形状の方がビア導体143のサイズが大きく低抵抗化に有利であることから、配線の干渉が生じない位置のビア導体143、特に電源用のビア導体143については、図6(a)に示すような矩形状であっても構わない。
次に、本実施形態による電子部品内蔵基板100の製造方法について説明する。
図7〜図13は、本実施形態による電子部品内蔵基板100の製造方法を説明するための工程図である。
まず、図7に示すように、ガラスエポキシなどからなる樹脂層131の両面に銅箔等の金属膜が貼合されてなる基材(ワークボード)、すなわち両面CCL(Copper Clad Laminate)を準備する。次に、ドリル又はレーザによって樹脂層131を穿孔することによりビアホールを開口し、さらに、無電解メッキ及び電解メッキによってビアホールの内部にビア導体141を形成した後、公知の手法によって金属膜をパターニングすることにより、基板配線層121,122を形成する。
なお、基板配線層121,122は上述したCuに限定されず、他の金属、例えば、Au、Ag、Ni、Pd、Sn、Cr、Al、W、Fe、Ti、SUS材等の金属導電材料を用いることができるが、導電率やコストの観点からCuを用いることが好ましい。後述する基板配線層123についても同様である。
また、樹脂層131に用いる材料は、シート状又はフィルム状に成形可能なものであれば特に制限されず使用可能であり、上述したガラスエポキシの他、例えば、ビニルベンジル樹脂、ポリビニルベンジルエーテル化合物樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BTレジン)、ポリフェニレエーテル(ポリフェニレンエーテルオキサイド)樹脂(PPE,PPO)、シアネートエステル樹脂、エポキシ+活性エステル硬化樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂(ポリフェニレンオキサオド樹脂)、硬化性ポリオレフィン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリイミド樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、若しくはベンゾオキサジン樹脂の単体、又は、これらの樹脂に、シリカ、タルク、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ホウ酸アルミウイスカ、チタン酸カリウム繊維、アルミナ、ガラスフレーク、ガラス繊維、窒化タンタル、窒化アルミニウム等を添加した材料、さらに、これらの樹脂に、マグネシウム、ケイ素、チタン、亜鉛、カルシウム、ストロンチウム、ジルコニウム、錫、ネオジウム、サマリウム、アルミニウム、ビスマス、鉛、ランタン、リチウム及びタンタルのうち少なくとも1種の金属を含む金属酸化物粉末を添加した材料、またさらには、これらの樹脂に、ガラス繊維、アラミド繊維等の樹脂繊維等を配合した材料、或いは、これらの樹脂をガラスクロス、アラミド繊維、不織布等に含浸させた材料、等を挙げることができ、電気特性、機械特性、吸水性、リフロー耐性等の観点から、適宜選択して用いることができる。
次に、図8に示すように、樹脂層131の表面に例えば樹脂シート等を真空圧着等によって積層することにより、樹脂層132を形成する。これにより、いわゆるRCC(Resin Coated Copper)構造が得られる。
次に、図9に示すように、例えば200μm以下、より好ましくは50〜100μm程度まで薄型化された半導体IC200を樹脂層132の表面にフェースアップ方式で載置する。上述の通り、半導体IC200はベアチップ状態の半導体ICであり、最上層のチップ配線層M3が露出し、或いは、チップ配線層M3がパッシベーション膜で覆われた状態である。半導体IC200の薄型化加工は、ウエハー状態で多数の半導体IC200に対して一括して行うことが好ましい。加工順序としては、まずウエハーの裏面を研削し、その後ダイシングにより複数の半導体IC200に個片化することが好ましい。その他の方法として、研削処理によって薄くする前にダイシングによって複数の半導体IC200に個片化するか、ウエハーをハーフカットしても構わない。この場合には、熱硬化性樹脂等によって半導体IC200の主面を覆った状態で裏面を研削することが好ましい。このように、半導体IC200の薄型化加工の方法については特に限定されず、種々の方法を用いることができる。半導体IC200の裏面を研削した後は、エッチング、プラズマ処理、レーザ処理、ブラスト加工、グラインダーによる研磨、バフ研磨、薬品処理等によって粗面化することが好ましい。これによれば、樹脂層132との密着性を向上させることが可能となる。
次に、図10に示すように、金属膜123aが形成された未硬化又は半硬化状態の熱硬化性樹脂133aを樹脂層132に重ね合わせることによって、半導体IC200を熱硬化性樹脂133aに埋め込む。そして、プレス手段を用いて熱プレスを行うことにより、未硬化又は半硬化状態の熱硬化性樹脂133aを硬化させ、樹脂層133を形成する。これにより、半導体IC200及び金属膜123aが樹脂層133に強固に密着する。尚、未硬化又は半硬化状態の熱硬化性樹脂133aを樹脂層132に重ね合わせた後、無電解メッキ及び電解メッキによって金属膜123aを形成しても構わない。
次に、図11に示すように、半導体IC200の外部電極の直上に位置する金属膜123aをパターニングにより除去した後、図12に示すように、残存した金属膜123aをマスクとして樹脂層133にビアホール142a,143aを形成する。これにより、ビアホール142aを介して基板配線層122の一部が露出するとともに、ビアホール143aを介して半導体IC200の外部電極230の一部が露出する。ビアホール142a,143aの形成方法については特に限定されないが、ブラスト処理やレーザ処理を用いることが好ましく、ブラスト処理を用いることが特に好ましい。ブラスト処理を用いれば、形状、サイズ及び深さの異なる多数のビアホール142a,143aを一括して形成することができるからである。また、本実施形態においては種々の形状及びサイズを有するビアホール143aを形成する必要があることから、レーザ処理の場合、重複してレーザ照射されるエリアが生じ、半導体IC200が損傷するおそれがあるとともに、製造リードタイムが増えるからである。また、ブラスト処理の中でも、ウエットブラスト処理を選択することが特に好ましい。ウエットブラスト処理を用いれば、ビアホール142a,143aを穿孔する際に発生し得る静電気に起因する帯電が防止されるため、半導体IC200が静電破壊から保護されるためである。
次に、図13に示すように、無電解メッキによってビアホール143aの内壁に金属膜を形成した後、電解メッキを施すことにより、ビア導体143及び基板配線層123を形成する。そして、基板配線層123を所望の形状にパターニングすれば、図1に示した電子部品内蔵基板100が完成する。尚、基板配線層123のパターニングにおいては、ビア導体142,143をエッチングしないよう、ビア導体142,143の上部をマスクすることが好ましい。換言すれば、ビア導体142,143を覆う部分における基板配線層123のサイズは、ビア導体142,143よりも大きいことが好ましい。これは、基板配線層123のサイズがビア導体142,143よりも小さいと、基板配線層123をパターニングする際のエッチング液がビア内部まで混入してしまい、ビア接続抵抗が大きくなってしまうからである。したがって、ビア導体142,143を覆う部分における基板配線層123のサイズは、当該ビア導体142,143に対して一定以上大きく設計することが好ましい。
以上説明したように、本実施形態によれば、パッド層の設けられていない半導体IC200を樹脂基板に埋め込んでいることから、外部電極230の形状やサイズに合わせてビア導体143の形状及びサイズを任意に設計することができる。これにより、例えば電源用のビア導体143を信号用のビア導体143よりも大型化することができるため、電源を低抵抗化することが可能となる。しかも、パッド層が省略されていることから、半導体IC200の製造コストを下げることが可能となるだけでなく、電子部品内蔵基板100の全体の厚みをより薄くすることも可能となる。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
例えば、上記実施形態では、樹脂基板110に1個の半導体IC200を内蔵しているが、内蔵する半導体ICの数についてはこれに限定されず、2個以上であっても構わない。2個以上の半導体ICを内蔵する場合、これら2個以上の半導体ICを同一の樹脂層内に埋め込んでも構わないし、異なる樹脂層内にそれぞれ埋め込んでも構わない。異なる樹脂層内に半導体ICをそれぞれ埋め込む場合、図9〜図13の工程を繰り返せばよい。
また、上記実施形態では樹脂基板110に半導体IC200を埋め込んでいるが、樹脂基板に埋め込む電子部品が半導体ICに限定されるものではなく、他の電子部品、例えば、バリスタ、抵抗、キャパシタなどの受動部品であっても構わない。但し、半導体ICは、電源用の外部電極や信号用の外部電極など種類の異なる多数の外部電極を有していることから、半導体ICを埋め込むことが本発明において最も効果的である。
100 電子部品内蔵基板
110 樹脂基板
121〜123 基板配線層
123a 金属膜
124 配線
131〜133 樹脂層
133a 熱硬化性樹脂
141〜143 ビア導体
142a,143a,143a1〜143a9 ビアホール
200 半導体IC
200a 半導体ICの表面
210 半導体基板
221〜223 層間絶縁膜
224,225 パッシベーション膜
230 外部電極
231〜239 配線パターン
231a〜234a,231b〜235b 矩形状領域
235a 幅広領域
237a 第1電極部分
237b 第2電極部分
240 内部配線
D ドレイン領域
G ゲート電極
GL,M1,M2,M3 チップ配線層
M4 パッド層
P パッド電極
S ソース領域
110 樹脂基板
121〜123 基板配線層
123a 金属膜
124 配線
131〜133 樹脂層
133a 熱硬化性樹脂
141〜143 ビア導体
142a,143a,143a1〜143a9 ビアホール
200 半導体IC
200a 半導体ICの表面
210 半導体基板
221〜223 層間絶縁膜
224,225 パッシベーション膜
230 外部電極
231〜239 配線パターン
231a〜234a,231b〜235b 矩形状領域
235a 幅広領域
237a 第1電極部分
237b 第2電極部分
240 内部配線
D ドレイン領域
G ゲート電極
GL,M1,M2,M3 チップ配線層
M4 パッド層
P パッド電極
S ソース領域
Claims (12)
- 基板配線層を有する樹脂基板と、
前記樹脂基板に埋め込まれた電子部品と、を備え、
前記樹脂基板は、前記電子部品に設けられた複数の外部電極を露出させる複数のビアホールと、前記複数のビアホール内に埋め込まれ、前記基板配線層と前記外部電極とを接続する複数のビア導体とを有し、
前記複数のビアホールの少なくとも一部は、互いに異なる形状又はサイズを有していることを特徴とする電子部品内蔵基板。 - 前記電子部品が半導体ICであることを特徴とする請求項1に記載の電子部品内蔵基板。
- 前記半導体ICは複数のチップ配線層を有し、
前記複数のチップ配線層のうち最上層のチップ配線層には、前記複数の外部電極と、少なくとも前記最上層のチップ配線層において前記複数の外部電極のいずれにも接続されない内部配線とが設けられていることを特徴とする請求項2に記載の電子部品内蔵基板。 - 前記最上層のチップ配線層と前記樹脂基板を構成する樹脂層とが接触していることを特徴とする請求項3に記載の電子部品内蔵基板。
- 前記複数の外部電極のうち、相対的に面積の大きい第1の外部電極には相対的に開口面積の大きい第1のビアホールが割り当てられ、相対的に面積の小さい第2の外部電極には相対的に開口面積の小さい第2のビアホールが割り当てられていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板。
- 前記第1の外部電極は電源用の電極であり、前記第2の外部電極は信号用の電極であることを特徴とする請求項5に記載の電子部品内蔵基板。
- 前記複数のビアホールの少なくとも一部は、対応する外部電極の外形に沿った平面形状を有していることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板。
- 前記複数の外部電極の少なくとも一部は、第1の方向に延在する第1電極部分と、前記第1の方向と交差する第2の方向に延在する第2電極部分とを有し、
前記複数の外部電極の前記少なくとも一部に割り当てられたビアホールは、前記第1電極部分を露出させる第1開口部と、前記第2電極部分を露出させる第2開口部とを有することを特徴とする請求項7に記載の電子部品内蔵基板。 - 樹脂基板に電子部品を埋め込む第1の工程と、
前記樹脂基板に複数のビアホールを形成することにより、前記電子部品に設けられた複数の外部電極を露出させる第2の工程と、
前記複数のビアホールを埋める複数のビア導体を形成することにより、前記樹脂基板に設けられた基板配線層と前記電子部品に設けられた前記外部電極とを接続する第3の工程と、を有し、
前記第2の工程においては、前記複数のビアホールの少なくとも一部を互いに異なる径又は形状とすることを特徴とする電子部品内蔵基板の製造方法。 - 前記第2の工程は、前記基板配線層の一部を除去する工程と、前記一部が除去された前記基板配線層をマスクとしたブラスト加工によって前記複数のビアホールを形成する工程とを含むことを特徴とする請求項9に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
- 前記電子部品が半導体ICであることを特徴とする請求項9又は10に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
- 前記半導体ICは複数のチップ配線層を有し、
前記複数のチップ配線層のうち最上層のチップ配線層には、前記複数の外部電極と、少なくとも前記最上層のチップ配線層において前記複数の外部電極のいずれにも接続されない内部配線とが設けられていることを特徴とする請求項11に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
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