JP2014079168A - 電源装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】瞬低補償による損失の増加を最低限にしつつ電源装置の高効率化を実現可能な電源装置を提供する。
【解決手段】交流を直流に変換するコンバータと、このコンバータが変換した直流を昇圧して出力するチョッパとを備え、前記コンバータは、順に直列接続されるリアクトル,スイッチング素子を備えるとともに、前記リアクトルとスイッチング素子との接続点と前記チョッパの出力点との間にバイパスダイオードを備える。
【選択図】図1
【解決手段】交流を直流に変換するコンバータと、このコンバータが変換した直流を昇圧して出力するチョッパとを備え、前記コンバータは、順に直列接続されるリアクトル,スイッチング素子を備えるとともに、前記リアクトルとスイッチング素子との接続点と前記チョッパの出力点との間にバイパスダイオードを備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、電源装置に係り、特に高効率化、小形化するに好適な交流‐直流変換電源装置に関する。
図10は、従来の交流‐直流変換電源装置(以下、単に電源装置と称する)の要部概略構成を示す回路図であり、図11,12は、その動作を示す波形図である。図10に示す電源装置は、入力された交流電圧を整流して直流電圧に変換する第1のコンバータ(昇圧形チョッパ方式アクティブコンバータ:以下、昇圧コンバータと称する。)と、この昇圧コンバータが出力する直流電圧を受けて高周波の交流電圧を出力するインバータと、このインバータが出力する交流電圧を変圧する変圧器と、この変圧器により変圧された交流電圧を再び直流電圧に変換する第2のコンバータ(以下、整流コンバータと称する。)を備えて構成される。
詳しくは図10においてD1〜D4は整流用ダイオードであって、整流用ダイオードD1のアノードおよび整流用ダイオードD2のカソードを接続した第1の接続点aを有する直列回路と、整流用ダイオードD3のアノードおよび整流用ダイオードD4のカソードを接続した第2の接続点bを有する直列回路とを並列に接続した第1のブリッジ整流回路を構成している。この第1のブリッジ整流回路における第1の接続点aと第2の接続点bとの間には交流電源1が接続される。
第1のブリッジ整流回路における直流出力端(整流用ダイオードD1,D3のカソードおよび整流用ダイオードD2,D4のアノード)には、第1の平滑リアクトルL1の一端と半導体スイッチング素子(例えば、MOSFET(Q1)のドレイン)とを直列に接続した直列回路が並列に接続される。そしてMOSFET(Q1)のドレインとソースとの間には、逆流防止用ダイオードD5と第1の平滑コンデンサC1とを直列に接続した直列回路が並列に接続されて、昇圧コンバータを構成している。
昇圧コンバータの直流出力、すなわち平滑コンデンサC1の両端に生じる直流電圧Ed1は、半導体スイッチング素子(例えば、MOSFET(Q2〜Q5))によって構成されるインバータに与えられる。このインバータは、MOSFET(Q2)のソースとMOSFET(Q3)のドレインとを第3の接続点cで接続した直列回路と、MOSFET(Q4)のソースとMOSFET(Q5)のドレインとを第4の接続点dで接続した直列回路とを並列に接続して構成される。このインバータの第3の接続点cと第4の接続点dとの間には、所定の変圧器(巻数比)を有する変圧器Tの一次巻線が接続される(この図においては、変圧比をn:1としている)。
変圧器Tの二次巻線には、インバータが出力する高周波交流を[n:1]に変圧した交流が出力され、整流用ダイオード(D6〜D9)によって構成される第2のブリッジ整流回路に与えられる。この第2のブリッジ整流回路は、整流用ダイオードD6のアノードおよび整流用ダイオードD7のカソードを接続した第5の接続点eを有する直列回路と、整流用ダイオードD8のアノードおよび整流用ダイオードD9のカソードを接続した第6の接続点fを有する直列回路とが並列に接続されて構成される。そして、この第2のブリッジ整流回路の第5の接続点eと第6の接続点fとの間には、変圧器Tの二次巻線が接続されている。
第2のブリッジ整流回路における直流出力端には、第2の平滑リアクトルL2と第2の平滑コンデンサC2の直列回路からなる平滑回路が並列に接続されて整流コンバータを構成する。そして第2の平滑コンデンサC2の両端には、負荷RLが接続される。
このように構成された電源装置の機能は、次のとおりである。
(1)交流入力を所望の電圧の直流出力に変換し、かつ入力電圧や負荷電流の変動にかかわらず一定の出力電圧を維持する。
(2)交流入力側と直流出力側とを絶縁する。
(3)交流入力電流をほぼ力率[1]の正弦波とする。
(1)交流入力を所望の電圧の直流出力に変換し、かつ入力電圧や負荷電流の変動にかかわらず一定の出力電圧を維持する。
(2)交流入力側と直流出力側とを絶縁する。
(3)交流入力電流をほぼ力率[1]の正弦波とする。
更に電源装置に接続される負荷が情報・通信機器などの高信頼性を要求されるものである場合には、次の機能も必要とされる。
(4)商用交流電源の数ms〜数サイクル程度の期間における電圧低下、いわゆる瞬時電圧低下(以下、瞬低と称する)においても所定の出力電圧を確保すること(以下、この機
能を瞬低補償と称する)。
(4)商用交流電源の数ms〜数サイクル程度の期間における電圧低下、いわゆる瞬時電圧低下(以下、瞬低と称する)においても所定の出力電圧を確保すること(以下、この機
能を瞬低補償と称する)。
これらの機能を実現するための電源装置の作動について、図11を参照して説明する。
電源装置に入力される商用交流の入力電圧Vinの波形は、正弦波状に変化する。この入力電圧Vinは、整流用ダイオードD1〜D4により構成された第1のダイオードブリッジによって整流され、その整流電圧Vr1の整流波形は、図示したような全波整流波形となる。
ここで、例えば入力電圧Vinが正極性の場合(第1の接続点aが正)、MOSFET(Q1)をオンすると、交流電源1→整流用ダイオードD1→リアクトルL1→MOSFET(Q1)→整流用ダイオードD4→交流電源1の経路で電流が流れ、交流電源1の電圧がリアクトルL1の両端に印加され、電流ILが増加する。次いでMOSFET(Q1)をオフすると交流電源1→整流用ダイオードD1→リアクトルL1→逆流防止用ダイオードD5→平滑コンデンサC1→整流用ダイオードD4→交流電源1の経路で電流が流れる。このときリアクトルL1には平滑コンデンサC1両端の直流電圧Ed1と交流電源1両端の入力電圧Vinとの差電圧が加わるが、回路の動作により直流電圧Ed1は、入力電圧Vinのピーク値より高く保たれている。このためリアクトルL1を流れる電流ILは、減少する。
入力電圧Vinが負極性(第2の接続点bが正)の場合でも同様に考えることができるが、その説明は省略する。
この電源装置は、MOSFET(Q1)のオンとオフの時比率を制御することにより、電流ILの波形と大きさを任意に制御することが可能である。電流ILを図11に示したような正弦波整流波形(簡単化のためリプル分は無視している)とすれば、入力電流Iinは正弦波状の波形となる。またこの電源装置は、負荷電力に応じて電流ILの振幅を制御することで直流電圧Ed1を一定に保つことができる。
一方、MOSFET(Q2〜Q5)からなるインバータは、直流電圧Ed1を高周波の交流電圧に変換する。つまりMOSFET(Q2)およびMOSFET(Q5)をオンし、MOSFET(Q3)およびMOSFET(Q4)をオフするとMOSFET(Q4)に正の電圧が、MOSFET(Q3)およびMOSFET(Q4)をオンし、MOSFET(Q2)およびMOSFET(Q5)をオフするとMOSFET(Q4)に負の電圧がそれぞれ印加される。
このようにしてインバータは、正負の電圧を交互に生成し、高周波の交流電圧(一次電圧Vt)を得て変圧器Tに与えている。(図12では見易さの都合上、入力電圧Vinと変圧器の一次電圧Vtの周期を同程度で表現しているが、一般的には入力電圧Vinが50Hzまたは60Hzの商用周波数であるのに対し、変圧器の一次電圧Vtは変圧器を小形化するためインバータのスイッチング周波数を数kHz以上とする)。
インバータから出力される高周波の交流電圧は、変圧器Tによって変圧、絶縁された後、整流コンバータを構成する整流用ダイオードD6〜D9によって整流され、第2のリアクトル(平滑リアクトル)L2および第2の平滑コンデンサC2の直列回路からなる平滑回路によって平滑される。そして、リプル成分を抑制した直流電圧が平滑コンデンサC2の両端から得られ、この直流電圧は負荷RLに供給される。
負荷RLに印加される電圧は、MOSFET(Q2,Q5)またはMOSFET(Q3,Q4)をオンする時比率(以下、インバータ時比率と称する)によって制御できる。
概略的には上述したように構成された電源装置において瞬低が発生した場合には入力電力の供給が断たれるので直流電圧Ed1が低下する。しかしこの電源装置は、ある範囲内であればMOSFET(Q2,Q5)またはMOSFET(Q3,Q4)をオンする時比率を大きくすることによって変圧器の一次電圧Vtの平均値を一定に保ち、出力電圧を維持することができる。
ところで瞬低時であっても安定した直流出力電圧を得ることができる機能を電源装置にもたせると効率は低下する。次にこの理由を説明する。
直流電圧Ed1がある程度低下しても安定した直流出力電圧を維持するためには、変圧器Tの変圧比(ここではn:1のnの値)を本来の最適値より小さくする必要がある。例えば通常時の直流電圧Ed1が上記動作により400V一定に保たれており、直流出力電圧Voutが10Vであるならば、インバータを最大時比率で運転するために必要な変圧器Tの変圧比は[400:10]、すなわち変圧比nは[40]となる(ここでは簡単化のため回路内の電圧降下は無視する)。
一方、直流電圧Ed1が200Vまで低下しても直流出力電圧Voutを一定に維持するために必要な変圧器Tの変圧比は[200:10]、すなわち変圧比nは[20]となる。この条件で変圧比を設定すると、通常時、すなわち直流電圧Ed1が400Vのときは、直流出力電圧Voutを10Vに保つためにインバータ時比率をおよそ[0.5]にして運転することになる。この場合、次の理由から電源装置内で生ずる損失が大きくなる。
(1)変圧器Tの一次巻線に流れる電流の振幅は平滑リアクトルL2に流れる電流の[1/n]であるが、変圧比nが小さくなるにつれてこの電流値が大きくなる。このためインバータを構成するMOSFET(Q2〜Q5)および変圧器Tの一次巻線で発生する損失が増大する。
(2)整流コンバータから出力される整流電圧Vr2は、およそ[Ed1/n]であるが、変圧比nが小さくなることで、通常時に整流コンバータを構成する整流用ダイオードD6〜D9に印加される電圧が高くなる。このため整流用ダイオードD6〜D9には、より耐圧の高い部品を用いる必要があるが一般に半導体素子における同一条件での損失は耐圧が高くなるほど大きくなる傾向がある。
(3)整流電圧Vr2の電圧が印加されない期間が長くなるので、これを平滑するために必要な平滑リアクトルL2のインダクタンス値を大きくする必要がある。例えば図12において瞬低補償なしの場合、整流電圧Vr2が[0V]まで低下する期間は、変圧器Tの一次電圧Vtの極性切換え時におけるわずかな時間であるものの、瞬低補償ありの場合、通常時では全体の約1/2の期間は電圧が印加されず、この期間は平滑リアクトルL2に蓄えられたエネルギーを負荷RLに供給する必要がある。しかし平滑リアクトルL2を大形化することは、電源装置が大きくなるだけでなく、平滑リアクトルL2における損失も増加するという新たな問題が生ずる。
(1)変圧器Tの一次巻線に流れる電流の振幅は平滑リアクトルL2に流れる電流の[1/n]であるが、変圧比nが小さくなるにつれてこの電流値が大きくなる。このためインバータを構成するMOSFET(Q2〜Q5)および変圧器Tの一次巻線で発生する損失が増大する。
(2)整流コンバータから出力される整流電圧Vr2は、およそ[Ed1/n]であるが、変圧比nが小さくなることで、通常時に整流コンバータを構成する整流用ダイオードD6〜D9に印加される電圧が高くなる。このため整流用ダイオードD6〜D9には、より耐圧の高い部品を用いる必要があるが一般に半導体素子における同一条件での損失は耐圧が高くなるほど大きくなる傾向がある。
(3)整流電圧Vr2の電圧が印加されない期間が長くなるので、これを平滑するために必要な平滑リアクトルL2のインダクタンス値を大きくする必要がある。例えば図12において瞬低補償なしの場合、整流電圧Vr2が[0V]まで低下する期間は、変圧器Tの一次電圧Vtの極性切換え時におけるわずかな時間であるものの、瞬低補償ありの場合、通常時では全体の約1/2の期間は電圧が印加されず、この期間は平滑リアクトルL2に蓄えられたエネルギーを負荷RLに供給する必要がある。しかし平滑リアクトルL2を大形化することは、電源装置が大きくなるだけでなく、平滑リアクトルL2における損失も増加するという新たな問題が生ずる。
このようなインバータ以降における損失増加を回避する電圧形インバータが知られている(例えば、特許文献1を参照)。この電圧形インバータは、原理的には図13に示すように構成されている。この図に示す電源装置が前述した図10に示した電源装置と異なるところは、昇圧コンバータとインバータとの間に直流電圧を昇圧する昇圧チョッパを介装した点にある。即ち、昇圧コンバータの出力側に設けられた第1の平滑コンデンサC1の両端には、リアクトルL3の一端と半導体スイッチング素子(例えば、MOSFET(Q6のドレイン)とが接続された直列回路が接続される。そしてMOSFET(Q6)のドレインとソース間には、ダイオードD10と第3の平滑コンデンサC3とで構成した直列回路が接続されて、昇圧チョッパを構成している。この昇圧チョッパも前述した図10に示す電源装置と同様の動作によりリアクトルL3に流れる電流を制御することができ、結果として入力電圧よりも高い出力電圧を得ることができる。
このため瞬低時に直流電圧Ed1が低下(例えば400Vから200Vに低下)しても昇圧チョッパによって昇圧することで電圧Ed2を一定(例えば400V)に保つことができる。したがって、上述した例では変圧器Tにおいて変圧比nを[40]とする設計が可能となる。
あるいは図14に示すように上述した図10の電源装置における平滑コンデンサC1と並列に充放電可能な二次電池BATを接続し、交流電源1からの電力供給が断たれても電圧Ed2をほぼ一定に保ちつつ、二次電池BATに蓄えた電力を負荷RLに供給する無停電電源装置もある。
しかしながら、上述した特許文献1に記載の電圧形インバータは、次のような問題点がある。
(1)昇圧チョッパにおける損失が生ずる。
(1)昇圧チョッパにおける損失が生ずる。
これは図13に示す回路においてMOSFET(Q6)がオン/オフ動作をしている場合はもちろん、第1の平滑コンデンサC1両端の直流電圧Ed1が十分高く、MOSFET(Q6)が停止している場合においてもリアクトルL3の巻線抵抗成分およびダイオードD10の順電圧降下による損失が生ずる。このためインバータ以降の回路損失を抑制した分が相殺されてしまう。更にリアクトルL3には常時電流が流れるため、昇圧動作する時間が極めて短いにも関わらず、電流容量の大きなものが必要となる。
(2)第3の平滑コンデンサC3は、インバータが発生するリプル電流を吸収するため、大きな静電容量を有する必要がある。
(2)第3の平滑コンデンサC3は、インバータが発生するリプル電流を吸収するため、大きな静電容量を有する必要がある。
元々第1の平滑コンデンサC1は、瞬低時のエネルギー供給のため静電容量を十分大きくしてあるので図10に示した回路では第1の平滑リアクトルL1、MOSFET(Q1)およびダイオードD5の回路において発生するリプル電流とインバータのリプル電流の両方を吸収する役割を担うことができる。しかしながら図13の回路ではインバータと第1の平滑コンデンサC1との間にリアクトルL3が挿入されているため、高周波リプル電流が通過できない。このため昇圧チョッパの出力段には、別途第3の平滑コンデンサC3が必要となる。これによって電源装置が大形化する。
この種の問題を解決するべくなされた電源装置が特開平8‐185993号公報に示されている。この電源装置は、瞬低時にあらかじめ充電しておいた別のコンデンサからエネルギーを供給するものである。しかしこの電源装置は、通常時にリプルを吸収するコンデンサと、瞬低時にエネルギーを供給するコンデンサとが分離されてしまうため、装置の大形化を避けられないという問題が依然として残っている。
あるいは図14に示した無停電電源装置には、二次電池の充放電による電圧変動が生ずる。この電圧変動に対応するには、上述したように変圧器Tの変圧比を設定しなければならず効率低下が避けられない。
本発明は、このような問題を解決するべくなされたもので、その目的とするところは、瞬低補償あるいは停電中の電力供給(停電補償)機能を有することに起因した損失の増加を抑制可能な電源装置を提供しようとするものである。
上述した課題を解決するため本発明の電源装置は、交流電源の交流電圧を整流して第1の直流電圧を出力するコンバータと、前記第1の直流電圧を第2の直流電圧に昇圧して出力するチョッパと、を備え、前記コンバータは、直列に接続されるリアクトル,スイッチング素子を備えるとともに、前記リアクトルと前記スイッチング素子との接続点と前記チョッパの出力点との間に接続されるバイパスダイオードを備えていることを特徴とする。
そして、前記コンバータは、前記交流電源に交流入力端子が接続されるダイオードブリッジ回路と、前記ダイオードブリッジ回路の直流出力端子間に、順に直列接続されるリアクトル,スイッチング素子と、前記スイッチング素子の両端に、順に直列接続される逆流防止用ダイオード,平滑コンデンサと、前記リアクトルと前記スイッチング素子との接続点と前記チョッパの出力点との間に接続される前記バイパスダイオードと、を備えていることを特徴とする。
または、前記コンバータは、前記交流電源の両端に順に直列接続されるリアクトル,第1のスイッチング素子,第2のスイッチング素子と、前記リアクトルと前記第1のスイッチング素子との接続点に一端が接続される第1の整流用ダイオードと、前記交流電源と前記第2のスイッチング素子との接続点に一端が接続される第2の整流用ダイオードと、前記第1の整流用ダイオードの他端と前記整流用ダイオードの他端との接続点と前記第1のスイッチング素子と前記第2のスイッチング素子との接続点との間に接続される平滑コンデンサと、前記リアクトルと前記第1のスイッチング素子との接続点と前記チョッパの出力点との間に接続される第1のバイパスダイオードと、前記交流電源と前記第2のスイッチング素子との接続点と前記チョッパの出力点との間に接続される第2のバイパスダイオードと、を備えていることを特徴とする。
または、前記コンバータは、平滑コンデンサを備えるとともに、前記交流電源の一端と前記平滑コンデンサの一端との間に順に直列接続されるリアクトル,第1のスイッチング素子と、前記交流電源の一端と前記平滑コンデンサの他端との間に、前記リアクトルを介して接続される第2のスイッチング素子と、前記平滑コンデンサの両端に順に直列接続され、その接続点が前記交流電源の他端に接続される第1の整流ダイオード,第2の整流ダイオードと、前記リアクトルと前記第1のスイッチング素子との接続点と前記チョッパの出力点との間に接続される第1のバイパスダイオードと、前記第1の整流ダイオードと前記第2の整流ダイオ―ドとの前記接続点と前記チョッパの出力点との間に接続される第2のバイパスダイオードと、を備えていることを特徴とする。
さらに、本発明の電源装置は、二次電池とこの二次電池を充放電する充放電制御部とを直列接続してなり前記平滑コンデンサと並列接続される直列回路を備え、前記充放電制御部は、前記交流電源の交流電圧が所定の電圧値を超えたとき、前記二次電池を充電して電力を蓄え、前記交流電圧が所定の電圧値を下回ったとき、前記二次電池に蓄えた電力を前記平滑コンデンサに供給する、ことを特徴とする。
この発明によれば、電源装置に瞬低補償機能を付加しながら、損失の増加を抑制することができる。
以下、本発明の一実施形態に係る電源装置について添付図面を参照しながら説明する。なお、図1〜図4および8,9は、本発明における実施形態の一例を示すものであって、これらの図面によって本発明が限定されるものではない。また図中、図10,13,14と同一の符号を付した部分は同一物を表わし、基本的な構成はこれらの図に示す従来のものと同様であるのでその説明を略述する。
図1は、本発明の実施例1に係る電源装置の要部概略構成を示した回路図である。この実施例1に係る電源装置が、従来の電源装置と異なるところは、第1のコンバータ(昇圧コンバータ)の直流出力、すなわち昇圧チョッパ回路に与えられた直流をバイパスさせてインバータの入力に与えるバイパスダイオードD20を設けた点にある。すなわち第1の平滑コンデンサC1の正極側に第1のバイパスダイオードD20のアノードを接続する一方、この第1のバイパスダイオードD20のカソードをダイオードD10と平滑コンデンサC3との接続点に接続する。なお、第1の平滑コンデンサC1は、Vinの2倍周波数成分に対して十分に低いインピーダンスを有するものを用いる。
このように構成した本発明の実施例1に係る電源装置において、通常時はMOSFET(Q6)をスイッチングしない。このため昇圧チョッパに与えられる直流は、第1のバイパスダイオードD20によりバイパスされてインバータに与えられる。ここで第1および第3の平滑コンデンサC1,C3におけるそれぞれ両端の直流電圧Ed1,Ed2は、通常時、瞬低時とも平滑された直流電圧である。このため第1のバイパスダイオードD20は高周波を整流する性能が不要であり、低速のダイオードで済む。低速のダイオードの順電圧は高速のものに比べて低く(1/2程度)、またリアクトルL3に電流が流れないため、従来の電源回路に比べて損失を大幅に低減することができる。
更に第1のバイパスダイオードD10に電流が流れる時間は、瞬低時の数10ms以下である。したがって昇圧チョッパが稼動する時間も数10ms以下の時間であるため、リアクトルL3には巻線を細くした短時間定格のものを用いることができる。よって、従来の電源回路に比べリアクトルL3を大幅に小形化できる。また通常時の電流は、第1のバイパスダイオードD20によってバイパスされるので第1の平滑コンデンサC1とインバータとの間にリアクトルL3が介在しない。このため通常時、第1の平滑コンデンサC1はインバータのリプル電流をも担うことができる。このため第3の平滑コンデンサC3は、瞬低期間中の昇圧チョッパおよびインバータのリプルだけに耐えれば良く、短時間定格対応の細い巻線を用いたリアクトルが適用でき、電源装置を小形化できる。
より好ましくは昇圧コンバータが有する第1の平滑リアクトルL1と逆流防止用ダイオードD5との接続点に第2のバイパスダイオードD21のアノードを接続する一方、この第2のバイパスダイオードD21のカソードをダイオードD10と平滑コンデンサC3との接続点に接続するとよい。
この第2のバイパスダイオードD21は、第1の平滑リアクトルL1→逆流防止用ダイオードD5→第1の平滑コンデンサC1→第1のバイパスダイオードD20の経路で流れていた電流の一部を、直接第3の平滑コンデンサC3に導くためのものである。このように構成することで本発明の実施例1に係る電源装置は、逆流防止用ダイオードD5および第1のバイパスダイオードD20の2個のダイオードを通過していた電流が第2のバイパスダイオードD21だけを通過することになるため更に損失を低減することができ好ましい。
なお、本発明の実施例1に係る電源装置において、負荷RL側に設けた平滑リアクトルL2には上述したように最小限のインダクタンス値のものを用いることができるが、電源装置の起動時においては第2のコンデンサ両端の直流出力電圧Voutを徐々に立ち上げる、いわゆるソフトスタートを行う必要がある。これは第2の平滑コンデンサC2および負荷RLに含まれるコンデンサ成分への突入電流を抑制するためである。
したがって、このときに限ってはインバータ時比率を絞って運転する必要があるため第2の平滑リアクトルに流れるリプル電流が大きくなる懸念がある。これが問題となる場合には起動時に限ってインバータを通常の運転周波数より高い周波数で動作させるとよい。つまりリプル電流の振幅は、周波数に反比例するためこれによってリプルを抑制することができる。しかしながらこのときは、周波数に比例するスイッチング損失等の損失増加があるものの起動中のごく短い時間に限られるので効率、部品サイズの両方の面において問題にはならない。
なお、瞬低時においても交流入力電圧が残っている(0Vでない)場合には、継続して昇圧コンバータを動作させ、電力の一部を交流入力から取ることで、昇圧チョッパの運転時間を短縮するか、あるいは瞬低補償時間を延長することが可能である。
次に図2を参照しながら本発明の実施例2に係る電源装置について説明する。この実施例2の電源装置が、前述した実施例1の電源装置と異なるところは、第1のバイパスダイオードD20と並列にコンデンサC20を接続した点にある。
このように構成した本発明の実施例2に係る電源装置は、並列コンデンサC20を介して第1の平滑コンデンサC1と第3の平滑コンデンサC3とが交流的に接続され、あたかも第1の平滑コンデンサC1と第3の平滑コンデンサC3とが並列に接続されたことと等価と見なすことができる。更にリプル電流の影響等により第1のバイパスダイオードD20が一瞬オフすることがあっても、このバイパスダイオードD20と並列に接続されたコンデンサC20によって第1の平滑コンデンサC1と第3の平滑コンデンサC3とが交流的に短絡される。
したがって本発明の実施例2に係る電源装置は、2つの平滑コンデンサC1,C3の合成静電容量が、前述した実施例1の電源装置における平滑コンデンサC3の静電容量を下回らなければ、リプル除去率を低下させることなく第1および第3の平滑コンデンサC1,C3の静電容量をそれぞれ小さくすることができ、全体として電源装置の小形化を図ることができる。
なお、本実施例2に係る電源装置も上述した実施例1と同様に瞬低時においても交流入力電圧が残っている場合には、継続して昇圧コンバータを動作させ、電力の一部を交流入力から取ることで、昇圧チョッパの運転時間を短縮するか、あるいは瞬低補償時間を延長することができる。
次に図3を参照しながら本発明の実施例3に係る電源装置について説明する。この実施例3の電源装置が、前述した実施例1,2の電源装置と異なるところは、昇圧コンバータを構成する回路を変形した点にある。即ち、この図3においてL10は、交流電源側に介装したリアクトルである。またこの実施例3においては、図1,2に示した電源装置における整流用ダイオードD2,D4をそれぞれMOSFET(Q7,Q8)に置き換えたものとしている。
また図1,2に示した第2のバイパスダイオードD21に代えて、整流ダイオードD1のアノードとMOSFET(Q7)のドレインが接続された接続点gとインバータの入力側との間に第3のバイパスダイオードD30を接続し、整流用ダイオードD3のアノードとMOSFET(Q8)のドレインが接続された接続点hとインバータの入力側との間に第4のバイパスダイオードD31を接続する。
このように構成した本発明の実施例3に係る電源装置は、交流電源1の正および負の半サイクルにおいて整流用ダイオードD1およびMOSFET(Q7)の直列回路と、整流用ダイオードD3およびMOSFET(Q8)の直列回路とが交代で図1,2に示したMOSFET(Q1)と逆流防止用ダイオードD5とで構成した直列回路と同等の動作を行う。このため各直列回路にバイパスダイオードD30,D31を設けた構成としている。その他、本実施例3の動作・作用効果等は、実施例1と同等であるのでその説明を省略する。
次に図4を参照しながら本発明の実施例4に係る電源装置について説明する。この実施例4の電源装置が、前述した実施例1〜3の電源装置と異なるところは、昇圧コンバータの構成を変えた点にある。具体的には2つのMOSFET(Q9,Q10)を直列に接続した直列回路と、2つの整流用ダイオードD3,D4とを直列に接続した直列回路とを並列に接続する。そして、2つのMOSFET(Q9,Q10)の接続点j、および2つの整流用ダイオード(D3,D4)との接続点kからそれぞれインバータの入力に至るバイパスダイオード(D30,D31)を設けて構成される。
このように構成された本発明の実施例4に係る電源装置は、交流電源1の電圧極性が反転する半サイクルごとにMOSFET(Q9)をオンし、整流用ダイオードD4を経由して交流電源1に戻る電流経路と、残る半サイクルごとにMOSFET(Q10)をオンし、整流用ダイオードD3を経由して交流電源1に戻る電流経路となるように制御する。このように制御することで前述した実施例3の昇圧コンバータと同様の直流電圧を得ることができる。
更にこの実施例4に係る電源装置は、リアクトルL10の両端に生ずる逆起電力が交流電源1の電圧と重畳されて瞬低を補償する。この補償された電圧は、バイパスダイオードD30,D31を経由して直接、インバータに与えられる。このため実施例4に係る電源装置は、昇圧コンバータを構成する半導体素子(整流用ダイオードD3,D4およびMOSFET(Q9,Q10))を経由することなく直接、インバータに与えられるので、より効果的に損失を低減することができる。
なお本実施例4に係る電源装置は、上述した実施例1〜3と同様に瞬低時においても交流入力電圧が残っている場合には、継続して昇圧コンバータを動作させ、電力の一部を交流入力から取ることで、昇圧チョッパの運転時間を短縮するか、あるいは瞬低補償時間を延長することが可能である。
次に図5を参照しながら参考例1に係る電源装置について説明する。この参考例1の電源装置が、前述した実施例1〜4の電源装置と異なるところは、昇圧コンバータの構成を更に変えた点にある。つまり参考例1に係る電源装置は、昇圧コンバータを構成する2つの整流用ダイオードD1,D2および整流用ダイオードD3,D4からなる2つの直列回路における各整流用ダイオードの接続点m,nからソースが接地されたMOSFET(Q20)のドレインに至る経路にそれぞれダイオードD40,D41を設けて構成される。
このように構成された参考例1に係る電源装置であっても上述した実施例1〜4と同様の効果を得ることができる。
次に図6を参照しながら参考例2に係る電源装置について説明する。この参考例2の電源装置が、前述した実施例1〜4の電源装置と異なるところは、昇圧コンバータの交流入力側における電源ラインに、この電源ラインを短絡するスイッチSWを設けた点にある。
ここにスイッチSWは、例えば図7に示すような双方向スイッチを適用すればよい。図7(a)は、2つの半導体スイッチ(例えば、MOSFET(Q30,Q31))を互いの導通方向が逆方向になるように直列に接続したスイッチである。このスイッチは、端子aの電位が端子bの電位より高いとき、MOSFET(Q30)をオンにする。すると電流は、端子a→MOSFET(Q30)→MOSFET(Q31)の寄生ダイオード(D41)→端子bと流れる。逆に端子bの電位が端子aの電位より高いとき、MOSFET(Q31)をオンにすると電流は、端子a→MOSFET(Q31)→MOSFET(Q30)の寄生ダイオード(D40)→端子aと流れる。
MOSFET(Q30,Q31)に代えてIGBTを用いる場合、図7(b)に示すように二つのIGBT(Q32,Q33)を互いの導通方向が逆方向になるように直列に接続するとともに、各IGBTに逆並列にダイオード(D42,D43)を接続すればよい。
また、図7(c)のように4つの整流用ダイオード(D50〜D53)でブリッジ回路を構成し、整流用ダイオードD50,D52の(カソード)接続点とIGBT(Q40)のコレクタと、整流用ダイオードD51,D53の(アノード)接続点とIGBT(Q40)のエミッタとをそれぞれ接続してスイッチを構成し、IGBT(Q40)のオン/オフを制御する。
つまりこのスイッチは、IGBT(Q30)をオンにすると端子aの電位が端子bの電位より高いときは、整流用ダイオードD50→IGBT(Q40)→整流用ダイオードD53→端子bと流れる。逆に端子bの電位が端子aの電位より高いとき、IGBT(Q30)をオンにすると電流は、端子b→整流用ダイオードD52→IGBT(Q40)→整流用ダイオードD51→端子aと流れる。
あるいは図7(d)のように逆阻止型のスイッチング素子(例えば、IGBT)を逆並列に接続してスイッチを構成してもよい。このスイッチにおいて端子aの電位が端子bの電位より高いとき、IGBT(Q50)をオンにすると電流は、端子a→IGBT(Q50)→端子bと流れる。逆に端子bの電位が端子aの電位より高いとき、IGBT(Q51)をオンにすると電流は、端子b→IGBT(Q51)→端子aと流れる。
このように構成した参考例2に係る電源装置であっても上述した実施例1〜4と同様の効果を得ることができる。即ち、瞬低時においても交流入力電圧が残っている場合には、継続して昇圧コンバータを動作させ、電力の一部を交流入力から取ることで、昇圧チョッパの運転時間を短縮するか、あるいは瞬低補償時間を延長することが可能である。
次に図8を参照しながら本発明の実施例5に係る電源装置について説明する。この実施例5の電源装置が前述した実施例1の電源装置を異なるところは、直流中間回路に設けられている平滑コンデンサC1と並列に、二次電池BATと充電回路部10との直列回路を接続して無停電電源装置を構成した点にある。
本実施例における充電回路部10には、二次電池BATに蓄えられた電力を負荷に供給するバイパスダイオードDdが並列に接続されて充放電制御部を構成している。この二次電池BATは、例えば鉛蓄電池、アルカリ蓄電池またはリチウムイオン二次電池あるいは電気二重層コンデンサ等、充放電可能なデバイスが適用される。
このように構成された実施例5に係る電源装置は、交流電源1から電力が供給されているとき(通常時)、充電回路部10は、二次電池BATを充電して電力を蓄える。この充電回路部10は、具体的にはチョッパ等の回路が適用される。通常時における二次電池BATの充電電流が小さいため、充電回路部10は小規模の回路で構成してよい。
そして交流電源1からの電力供給が断たれとき、バッテリBATに蓄えられた電力は、バイパスダイオードDdを介して平滑コンデンサC1に、すなわち直流中間回路に供給される。そして直流中間回路に供給された直流は、上述した昇圧チョッパ回路によって昇圧されて、直流電圧Ed2の値を維持する。
なお、実施例5における二次電池BATの電圧は、平滑コンデンサC1両端の電圧Ed1より低くてもかまわない。例えば直流電圧Ed1より二次電池BATの電圧が低いときは、それぞれ充電回路部10によって直流電圧Ed1を降圧して二次電池BATを充電する。そして二次電池BATの放電時には、上述した昇圧チョッパによって二次電池BATの出力電圧を昇圧して出力電圧Ed2が所望の値になるように制御すればよい。
上述した実施例5における電源装置は、通常時にMOSFET(Q6)をスイッチングしない。このため昇圧チョッパに与えられる直流は、第1のバイパスダイオードD20によりバイパスされてインバータに与えられる。ここで二次電池BATおよび第3の平滑コンデンサC3におけるそれぞれ両端の直流電圧Ed1,Ed2は、通常時、停電時とも平滑された直流電圧である。このため第1のバイパスダイオードD20は高周波を整流する性能が不要であり、低速ダイオードで済む。低速ダイオードの順電圧は高速ダイオードに比べて低く(1/2程度)、またリアクトルL3に電流が流れないため、従来の電源回路に比べて損失を大幅に低減することができる。その他、実施例5は、停電補償時であっても上述した実施例1と同様の効果を得ることができるが、その説明は実施例1に記載したとおりであるので省略する。
あるいは図8に示した実施例5は、本発明の実施例1に係る電源装置を示す図1の平滑コンデンサC1と並列に、二次電池BATと充電回路部10との直列回路を接続したものであるが、この直列回路を実施例2〜4を示す図2〜図4に記載の平滑コンデンサC1と並列に接続した構成としてもかまわない。
この実施例5に係る電源装置は、図9に示すように負荷として例えば複数の電力変換部(DC/DCコンバータ)20を並列に接続してもかまわない。この電力変換部20は、上述したように四つのMOSFET(Q2〜Q5)で構成されるインバータ、このインバータの出力に接続されて電圧を変圧する変圧器T、この変圧器Tの出力側に接続された四つの整流用ダイオード(D6〜D9)で構成されるブリッジ整流回路(コンバータ)、このコンバータの出力を平滑するリアクトルL2および平滑コンデンサC2からなる平滑回路を備えている。そして平滑コンデンサC2と並列に負荷RLが接続されるようになっている。なお、電力変換部20は、インバータだけ、あるいはインバータと変圧器Tを組み合わせて交流を出力するように構成してもよい。
このように構成され、多数の電力変換部20が並列に接続された負荷に電力を供給する電源装置は、二次電池BATを複数の電力変換部20で共有しているので、電力変換部のそれぞれに二次電池を有する従来の方式に比べ、二次電池BATの保守・管理が容易になる。また複数の電力変換部として、例えばDC/DCコンバータがそれぞれ入力側に交流電圧を直流電圧に変換するコンバータを有する従来の構成において、二次電池を共有する場合は、各コンバータの出力にアンバランス(横流)が生ずることがあった。しかし本発明の実施例5に係る電源装置は、第1のコンバータだけが二次電池BATを充電するように構成しているのでコンバータ間に横流が生ずることがない等、本発明の電源装置は実用上極めて効果的である。
かくして本発明の電源装置は、瞬低補償機能あるいは停電中の電力供給機能(停電補償機能)を有することに起因した通常運転時における損失の増加を抑制することができる。
なお、本発明の電源装置は、上記した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加えてもかまわない。
1 交流電源
C1 平滑コンデンサ
C1,C2,C3 平滑コンデンサ
C20 並列コンデンサ
D1-D4,D6-D9,D40-D43 整流用ダイオード
D5,D10 逆流防止用ダイオード
D20D21,D30,D31 バイパスダイオード
D40,D41 ダイオード
L1,L2 平滑リアクトル
L3,L10 リアクトル
RL 負荷
SW スイッチ
T 変圧器
C1 平滑コンデンサ
C1,C2,C3 平滑コンデンサ
C20 並列コンデンサ
D1-D4,D6-D9,D40-D43 整流用ダイオード
D5,D10 逆流防止用ダイオード
D20D21,D30,D31 バイパスダイオード
D40,D41 ダイオード
L1,L2 平滑リアクトル
L3,L10 リアクトル
RL 負荷
SW スイッチ
T 変圧器
Claims (5)
- 交流電源の交流電圧を整流して第1の直流電圧を出力するコンバータと、
前記第1の直流電圧を第2の直流電圧に昇圧して出力するチョッパと、
を備え、
前記コンバータは、直列に接続されるリアクトル,スイッチング素子を備えるとともに、前記リアクトルと前記スイッチング素子との接続点と前記チョッパの出力点との間に接続されるバイパスダイオードを備えていることを特徴とする電源装置。 - 前記コンバータは、
前記交流電源に交流入力端子が接続されるダイオードブリッジ回路と、
前記ダイオードブリッジ回路の直流出力端子間に、順に直列接続されるリアクトル,スイッチング素子と、
前記スイッチング素子の両端に、順に直列接続される逆流防止用ダイオード,平滑コンデンサと、
前記リアクトルと前記スイッチング素子との接続点と前記チョッパの出力点との間に接続される前記バイパスダイオードと、
を備えていることを特徴とする請求項1に記載の電源装置。 - 前記コンバータは、
前記交流電源の両端に順に直列接続されるリアクトル,第1のスイッチング素子,第2のスイッチング素子と、
前記リアクトルと前記第1のスイッチング素子との接続点に一端が接続される第1の整流用ダイオードと、
前記交流電源と前記第2のスイッチング素子との接続点に一端が接続される第2の整流用ダイオードと、
前記第1の整流用ダイオードの他端と前記整流用ダイオードの他端との接続点と前記第1のスイッチング素子と前記第2のスイッチング素子との接続点との間に接続される平滑コンデンサと、
前記リアクトルと前記第1のスイッチング素子との接続点と前記チョッパの出力点との間に接続される第1のバイパスダイオードと、
前記交流電源と前記第2のスイッチング素子との接続点と前記チョッパの出力点との間に接続される第2のバイパスダイオードと、
を備えていることを特徴とする請求項1に記載の電源装置。 - 前記コンバータは、平滑コンデンサを備えるとともに、
前記交流電源の一端と前記平滑コンデンサの一端との間に順に直列接続されるリアクトル,第1のスイッチング素子と、
前記交流電源の一端と前記平滑コンデンサの他端との間に、前記リアクトルを介して接続される第2のスイッチング素子と、
前記平滑コンデンサの両端に順に直列接続され、その接続点が前記交流電源の他端に接続される第1の整流ダイオード,第2の整流ダイオードと、
前記リアクトルと前記第1のスイッチング素子との接続点と前記チョッパの出力点との間に接続される第1のバイパスダイオードと、
前記第1の整流ダイオードと前記第2の整流ダイオ―ドとの前記接続点と前記チョッパの出力点との間に接続される第2のバイパスダイオードと、
を備えていることを特徴とする請求項1に記載の電源装置。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の電源装置であって、
二次電池とこの二次電池を充放電する充放電制御部とを直列接続してなり、前記平滑コンデンサと並列接続される直列回路を備え、
前記充放電制御部は、前記交流電源の交流電圧が所定の電圧値を超えたとき、前記二次電池を充電して電力を蓄え、
前記交流電圧が所定の電圧値を下回ったとき、前記二次電池に蓄えた電力を前記平滑コンデンサに供給する、
ことを特徴とする電源装置。
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