JP2014074183A - ポリシロキサン - Google Patents
ポリシロキサン Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014074183A JP2014074183A JP2014012162A JP2014012162A JP2014074183A JP 2014074183 A JP2014074183 A JP 2014074183A JP 2014012162 A JP2014012162 A JP 2014012162A JP 2014012162 A JP2014012162 A JP 2014012162A JP 2014074183 A JP2014074183 A JP 2014074183A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polysiloxane
- group
- mol
- cured product
- curable composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
【効果】本発明の硬化性組成物は、基板や金属配線などに対する高い接着性とLEDなどの高い初期輝度とが両立した硬化物を形成できるヒドロシリル系ポリシロキサン組成物である。したがって、この硬化性組成物から得られる硬化物で半導体発光素子を被覆して得られた光半導体装置においては、初期輝度が高く、さらにヒートサイクルを受けた場合でも硬化物がパッケージから剥がれないなど、硬化物の接着性が高い。
【選択図】なし
Description
前記ポリシロキサン中に含まれるSi原子の数を100モル%とするとき、前記ポリシロキサンのアルケニル基の含有量が3〜50モル%であり、前記ポリシロキサンのエポキシ基の含有量が0.01〜10モル%であり、前記ポリシロキサンのアリール基の含有量が30〜120モル%であるポリシロキサンである。
したがって、この硬化性組成物から得られる硬化物で半導体発光素子を被覆して得られた光半導体装置は、信頼性に優れた光半導体装置となる。
本発明の硬化性組成物は、アルケニル基および密着性基を有するポリシロキサン(A)と、1分子当たり少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有するポリシロキサン(B)(ただし、ポリシロキサン(A)を除く)と、ヒドロシリル化反応用触媒(C)とを含有する硬化性組成物であって、該硬化性組成物中に含まれる全成分の含有量の合計を100質量%とするとき、ポリシロキサン(A)の含有割合が40〜90質量%であることを特徴とする。
なお、本発明において「ポリシロキサン」とは、シロキサン単位 (Si−O)が2個以上結合した分子骨格を有するシロキサンを意味する。
ポリシロキサン(A)は、アルケニル基および密着性基を有するポリシロキサンである。ポリシロキサン(A)は本組成物の主成分であり、ポリシロキサン(B)とのヒドロシリル化反応により硬化し、硬化物の主体となる。また、ポリシロキサン(A)は、密着性基を有することから、硬化物とLEDパッケージ等との接着性を高める機能も有する。
ポリシロキサン(A)が有する密着性基としては、たとえば、エポキシ基、チオニル基、イソシアネート基、トリアリルイソシアネート基等を有する基を挙げることができる。
構造式(2)で表される基としては、具体的には、グリシジル基等が挙げられる。
構造式(3)で表される基としては、具体的には、3−グリシドキシプロピル基等が挙げられる。
構造式(4)で表される基としては、具体的には、2−(4−メチル−3、4−エポキシシクロへキシル)エチル基等が挙げられる。
ポリシロキサン(A)としては、下記化学式(1):
ポリシロキサン(B)は、1分子当たり少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有するポリシロキサンである(ただし、ポリシロキサン(A)を除く)。すなわちポリシロキサン(B)は、1分子当たり少なくとも2個のSi−H基(ヒドロシリル基)を有する。ポリシロキサン(B)はポリシロキサン(A)に対する架橋剤であり、ポリシロキサン(A)とのヒドロシリル化反応により硬化物を形成する。
ポリシロキサン(B)は、たとえば、フェニルトリメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシランなどのアルコキシシランと、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサンなどのハイドロジェンシロキサンとを公知の方法により反応させることにより得ることができる。
ヒドロシリル化反応用触媒(C)は、ポリシロキサン(A)とポリシロキサン(B)とのヒドロシリル化反応の触媒である。
本発明の硬化性組成物は、本発明の目的が達成されるかぎり、前記成分以外にも、必要に応じて、たとえば、フュームドシリカ、石英粉末等の微粒子状シリカ、酸化チタン、酸化亜鉛等の無機充填剤、シクロ−テトラメチルテトラビニルテトラシロキサン等の遅延剤、ジフェニルビス(ジメチルビニルシロキシ)シラン、フェニルトリス(ジメチルビニルシロキシ)シラン等の希釈剤、顔料、難燃剤、耐熱剤、酸化防止剤等を含有することができる。
本発明の硬化性組成物の25℃における粘度としては、好ましくは1〜1000000mPa・sであり、より好ましくは10〜10000mPa・sである。粘度がこの範囲内であると、本組成物の操作性が向上する。
本発明の硬化性組成物を硬化させることにより硬化物が得られる。本発明の硬化性組成物により半導体素子を封止し、これを硬化させれば、封止材である硬化物が得られる。
前述のとおり、本発明の硬化性組成物を硬化して得られる硬化物は、基板や金属配線などに対する接着性が高く、かつLEDなどの高い初期輝度を実現する。
本発明の光半導体装置は、半導体発光素子と、該半導体発光素子を被覆する前記硬化物とを有する。本発明の光半導体装置は、半導体発光素子に前記硬化性組成物を被覆し、その組成物を硬化させることによって得られる。硬化性組成物を硬化させる方法は上述のとおりである。
光半導体装置としては、LED(Light Emitting Diode、発光ダイオード)およびLD(Laser Diode)等が挙げられる。
(1−1)ポリシロキサンの合成
[合成例1]ポリシロキサン(AR1)の合成
攪拌機、還流冷却管、投入口、温度計付き四口フラスコに1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン82g、フェニルトリメトキシシラン525g、水143g、トリフルオロメタンスルホン酸0.4gおよびトルエン500gを投入して混合し、1時間加熱還流した。冷却後、下層を分離除去し、上層であるトルエン溶液層を水洗した。水洗したトルエン溶液層に水酸化カリウム0.4gを加え、水分離管から水を除去しながら還流した。水の除去完了後、固形分濃度が75質量%となるまで濃縮し、さらに5時間還流した。冷却後、酢酸0.6gを投入して中和した後、ろ過して得られたトルエン溶液を水洗した。その後、減圧濃縮してポリシロキサン(AR1)を得た。ゲルパーミエーションクロマトグラフィーでポリシロキサン(AR1)のポリスチレン換算重量平均分子量を測定したところ、2000であった。ポリシロキサン(AR1)の化学式は(ViMe2SiO1/2)25(PhSiO3/2)75(Viはビニル基、Meはメチル基、Phはフェニル基を示す。添え字はmol%を示す)であった。
攪拌機、還流冷却管、投入口、温度計付き四口フラスコに1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン82g、水143g、フェニルトリメトキシシラン521g、トリフルオロメタンスルホン酸0.4gおよびトルエン500gを投入して混合し、1時間加熱還流した。冷却後、下層を分離除去し、上層であるトルエン溶液層を水洗した。水洗したトルエン溶液層に3−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン4gと水酸化カリウム0.5gとを加え1時間加熱還流した。続いて、メタノールを留去し、過剰の水を共沸脱水で除いた。続いて4時間加熱還流した。反応後のトルエン溶液は冷却後、酢酸0.6gで中和し水洗した。水除去後、トルエンを減圧下に留去濃縮してアルケニル基25モル%及びエポキシ基0.5モル%を有する(ポリシロキサン中に含まれる全Si原子の数を100モル%とする)ポリシロキサン(A1)を得た。ゲルパーミエーションクロマトグラフィーでポリシロキサン(A1)のポリスチレン換算重量平均分子量を測定したところ、2000であった。ポリシロキサン(A1)の化学式は(ViMe2SiO1/2)25(PhSiO3/2)74.5(EpMeSiO2/2)0.5(Viはビニル基、Meはメチル基、Phはフェニル基、Epはグリシドキシプロピル基を示す。添え字はmol%を示す)であった。ポリシロキサン(A1)中に含まれる全Si原子の数を100モル%とするとき、アルケニル基の含有割合は25mol%、エポキシ基の含有割合は0.5mol%、アリール基の含有割合は74.5mol%であった。
攪拌機、還流冷却管、投入口、温度計付き四口フラスコに1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン82g、フェニルトリメトキシシラン518g、水143g、トリフルオロメタンスルホン酸0.4gおよびトルエン500gを投入して混合し、1時間加熱還流した。冷却後、下層を分離除去し、上層であるトルエン溶液層を水洗した。水洗したトルエン溶液層に3−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン8gと水酸化カリウム0.5gとを加え1時間加熱還流した。続いて、メタノールを留去し、過剰の水を共沸脱水で除いた。続いて4時間加熱還流した。反応後のトルエン溶液は冷却後、酢酸0.6gで中和し水洗した。水除去後、トルエンを減圧下に留去濃縮してアルケニル基25モル%及びエポキシ基1モル%を有する(ポリシロキサン中に含まれる全Si原子の数を100モル%とする)ポリシロキサン(A2)を得た。ゲルパーミエーションクロマトグラフィーでポリシロキサン(A2)のポリスチレン換算重量平均分子量を測定したところ、2000であった。ポリシロキサン(A2)の化学式は(ViMe2SiO1/2)25(PhSiO3/2)74(EpMeSiO2/2)1(Viはビニル基、Meはメチル基、Phはフェニル基、Epはグリシドキシプロピル基を示す。添え字はmol%を示す)であった。ポリシロキサン(A2)中に含まれる全Si原子の数を100モル%とするとき、アルケニル基の含有割合は25mol%、エポキシ基の含有割合は1mol%、アリール基の含有割合は74mol%であった。
攪拌機、還流冷却管、投入口、温度計付き四口フラスコに1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン82g、フェニルトリメトキシシラン511g、水143g、トリフルオロメタンスルホン酸0.4gおよびトルエン500gを投入して混合し、1時間加熱還流した。冷却後、下層を分離除去し、上層であるトルエン溶液層を水洗した。水洗したトルエン溶液層に3−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン16gと水酸化カリウム0.5gとを加え1時間加熱還流した。続いて、メタノールを留去し、過剰の水を共沸脱水で除いた。続いて4時間加熱還流した。反応後のトルエン溶液は冷却後、酢酸0.6gで中和し水洗した。水除去後、トルエンを減圧下に留去濃縮して、アルケニル基25モル%及びエポキシ基2モル%を有する(ポリシロキサン中に含まれる全Si原子の数を100モル%とする)ポリシロキサン(A3)を得た。ゲルパーミエーションクロマトグラフィーでポリシロキサン(A3)のポリスチレン換算重量平均分子量を測定したところ、2000であった。ポリシロキサン(A3)の化学式は(ViMe2SiO1/2)25(PhSiO3/2)73(EpMeSiO2/2)2(Viはビニル基、Meはメチル基、Phはフェニル基、Epはグリシドキシプロピル基を示す。添え字はmol%を示す)であった。ポリシロキサン(A3)中に含まれる全Si原子の数を100モル%とするとき、アルケニル基の含有割合は25mol%、エポキシ基の含有割合は2mol%、アリール基の含有割合は73mol%であった。
攪拌機、還流冷却管、投入口、温度計付き四口フラスコに1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン49g、フェニルトリメトキシシラン442g、ジメチルジメトキシシラン85g、水143g、トリフルオロメタンスルホン酸0.4gおよびトルエン500gを投入して混合し、1時間加熱還流した。冷却後、下層を分離除去し、上層であるトルエン溶液層を水洗した。水洗したトルエン溶液層に3−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン8gと水酸化カリウム0.5gとを加え1時間加熱還流した。続いて、メタノールを留去し、過剰の水を共沸脱水で除いた。続いて4時間加熱還流した。反応後のトルエン溶液は冷却後、酢酸0.6gで中和し水洗した。水除去後、トルエンを減圧下に留去濃縮して、アルケニル基15モル%及びエポキシ基1モル%を有する(ポリシロキサン中に含まれる全Si原子の数を100モル%とする)ポリシロキサン(A4)を得た。ゲルパーミエーションクロマトグラフィーでポリシロキサン(A4)のポリスチレン換算重量平均分子量を測定したところ、1800であった。ポリシロキサン(A4)の化学式は(ViMe2SiO1/2)15(PhSiO3/2)64(Me2SiO2/2)20(EpMeSiO2/2)1(Viはビニル基、Meはメチル基、Phはフェニル基、Epはグリシドキシプロピル基を示す。添え字はmol%を示す)であった。ポリシロキサン(A4)中に含まれる全Si原子の数を100モル%とするとき、アルケニル基の含有割合は15mol%、エポキシ基の含有割合は1mol%、アリール基の含有割合は64mol%であった。
攪拌機、還流冷却管、投入口、温度計付き四口フラスコに1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン82g、フェニルトリメトキシシラン525g、水143g、トリフルオロメタンスルホン酸0.4gおよびトルエン500gを投入して混合し、1時間加熱還流した。冷却後、下層を分離除去し、上層であるトルエン溶液層を水洗した。水洗したトルエン溶液層に3−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン314gと水130gと水酸化カリウム0.5gとを加え1時間加熱還流した。続いて、メタノールを留去し、過剰の水を共沸脱水で除いた。続いて4時間加熱還流した。反応後のトルエン溶液は冷却後、酢酸0.6gで中和し水洗した。水除去後、トルエンを減圧下に留去濃縮して、アルケニル基25モル%及びエポキシ基40モル%を有する(ポリシロキサン中に含まれる全Si原子の数を100モル%とする)ポリシロキサン(A5)を得た。ゲルパーミエーションクロマトグラフィーでポリシロキサン(A5)のポリスチレン換算重量平均分子量を測定したところ、1600であった。ポリシロキサン(A5)の化学式は(ViMe2SiO1/2)25(PhSiO3/2)75(EpMeSiO2/2)40(Viはビニル基、Meはメチル基、Phはフェニル基、Epはグリシドキシプロピル基を示す。添え字はmol%を示す)であった。ポリシロキサン(A5)中に含まれる全Si原子の数を100モル%とするとき、アルケニル基の含有割合は25mol%、エポキシ基の含有割合は40mol%、アリール基の含有割合は35mol%であった。
攪拌機、還流冷却管、投入口、温度計付き四口フラスコに1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン33g、フェニルトリメトキシシラン442g、ジメチルジメトキシシラン85g、ジフェニルジメトキシシラン43g、水155g、トリフルオロメタンスルホン酸0.4gおよびトルエン500gを投入して混合し、1時間加熱還流した。冷却後、下層を分離除去し、上層であるトルエン溶液層を水洗した。水洗したトルエン溶液層に3−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン8gと水酸化カリウム0.5gとを加え1時間加熱還流した。続いて、メタノールを留去し、過剰の水を共沸脱水で除いた。続いて4時間加熱還流した。反応後のトルエン溶液は冷却後、酢酸0.6gで中和し水洗した。水除去後、トルエンを減圧下に留去濃縮して、アルケニル基10モル%及びエポキシ基1モル%を有する(ポリシロキサン中に含まれる全Si原子の数を100モル%とする)ポリシロキサン(A6)を得た。ゲルパーミエーションクロマトグラフィーでポリシロキサン(A6)のポリスチレン換算重量平均分子量を測定したところ、1800であった。ポリシロキサン(A6)の化学式は(ViMe2SiO1/2)10(PhSiO3/2)64(Ph2SiO2/2)5(Me2SiO2/2)20(EpMeSiO2/2)1(Viはビニル基、Meはメチル基、Phはフェニル基、Epはグリシドキシプロピル基を示す。添え字はmol%を示す)であった。ポリシロキサン(A6)中に含まれる全Si原子の数を100モル%とするとき、アルケニル基の含有割合は10mol%、エポキシ基の含有割合は1mol%、アリール基の含有割合は74mol%であった。
攪拌機、還流冷却管、投入口、温度計付き四口フラスコにフェニルトリメトキシシラン195gとトリフルオロメタンスルホン酸0.2gを投入して混合し、攪拌しつつ水13gを15分間で滴下し、滴下終了後、1時間加熱還流した。室温まで冷却した後、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン119gを加え、攪拌しつつ、酢酸88gを滴下した。滴下終了後、混合液を攪拌しつつ50℃に昇温し、3時間反応させた。室温まで冷却した後、トルエンと水を加え、良く混合して静置し、水層を分離除去した。上層であるトルエン溶液層を水洗した後、減圧濃縮して、メチルフェニルハイドロジェンポリシロキサン(B1)を得た。ポリシロキサン(B1)の化学式は(HMe2SiO1/2)60(PhSiO3/2)40(Meはメチル基、Phはフェニル基を示す。添え字はmol%を示す)であった。
攪拌機、還流冷却管、投入口、温度計付き四口フラスコにジフェニルジメトキシシラン220gとトリフルオロメタンスルホン酸0.6gを投入して混合し、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン147gを加え、攪拌しつつ酢酸108gを30分間かけて滴下した。滴下終了後、混合液を攪拌しつつ50℃に昇温して3時間反応させた。室温まで冷却した後、トルエンと水を加え、良く混合して静置し、水層を分離除去した。上層であるトルエン溶液層を3回水洗した後、減圧濃縮して、ジフェニルハイドロジェンポリシロキサン(B2)を得た。ポリシロキサン(B2)の化学式は(HMe2SiO1/2)50(Ph2SiO2/2)50(Meはメチル基、Phはフェニル基を示す。添え字はmol%を示す)
であった。
得られたポリシロキサンの重量平均分子量(Mw)は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により下記条件で測定し、ポリスチレン換算値として求めた。
装置:HLC−8120C(東ソー社製)
カラム:TSK−gel MultiporeHXL−M(東ソー社製)
溶離液:THF、流量0.5mL/min、負荷量5.0%、100μL
得られたポリシロキサン中に含まれるアルケニル基、エポキシ基およびアリール基の含有割合(ポリシロキサン中に含まれる全Si原子の数を100モル%とする)、ならびにポリシロキサンの化学式は、29Si NMRおよび13C NMRにて算出した。
[実施例1〜5ならびに比較例1および2]
常圧下95℃で、下記表1に示す成分を、表1に示す配合量で混合し、実施例1〜4および比較例1および2の硬化性組成物を得た。表1中の数値は質量部を示す。なお、表1中の各成分の詳細は以下の通りである。
D1:シクロ−テトラメチルテトラビニルテトラシロキサン
D2:ジフェニルビス(ジメチルビニルシロキシ)シラン
D3:フェニルトリス(ジメチルビニルシロキシ)シラン
実施例1〜4および比較例1および2の硬化性組成物について、下記、(3−1)〜(3−6)の手法にて、評価した。評価結果を表2に示す。
(3−1)粘度
硬化性組成物の粘度は、E型粘度計を用いて25℃において測定した。
硬化性組成物をテフロン(登録商標)の平板に2mm厚の枠をはめ枠の高さになるように塗布して、150℃の熱風循環式オーブンで5時間加熱することにより50mm×50mm×1mmの硬化物を作製した。この硬化物の硬さをJIS K6253に規定されたタイプDデュロメータにより測定した。
硬化性組成物を硬度測定用に作製した硬化物を使用して、25℃における屈折率をMetricon社製Model2010全反射式屈折率計で測定した。なお、測定波長は408nmである。
1mmの石英板上に円形(直径2cm、厚さ1mm)の枠をおき、この枠内に硬化性組成物を充填して、150℃の熱風循環式オーブンで5時間加熱することにより硬化して作製した硬化物(光路長1.0mm)の25℃における波長460nmの光透過率を測定した。次に、加速劣化試験後の着色の程度を調べるために、上記硬化物を150℃の熱循環式オーブンで1000時間加熱エージングした後の25℃における波長460nmの光透過率を同様に測定した。加熱エージング前の光透過率に対する加熱エージング後の光透過率の比から、下記の基準で光透過率変化を評価した。
A:前記比が98%以上
B:前記比が90%以上98%未満
C:前記比が90%未満
直径5mm高さ5mmのアルミ円の底面に硬化性組成物を塗り各種テストパネルに張付け、150℃の熱風循環式オーブン中で1時間放置することで、直径5mm高さ5mmのアルミ円柱を硬化性組成物にてテストパネルに密着させた試験片を得た。各種テストパネル上に密着したアルミ円柱を、測定装置にDage社製series-4000PXYを用い50μm/秒の速度で剥離させ、そのときの荷重を測定して接着強度とし、下記の基準で評価した。
A:接着強度が10kg重以上
B:接着強度が5kg重以上10kg重未満
C:接着強度が5kg重未満
硬化性組成物を乾燥膜厚が1mmになるように石英ガラス上に塗布した後、100℃で1時間乾燥硬化させ、次いで150℃で5時間乾燥硬化させて硬化物を作製した。この硬化物を150℃で500時間保管し、保管後の硬化物の外観を目視で観察し、下記の基準で耐熱性を評価した。
(色変化)
A:色変化なし
B:わずかに黄色化した
C:明らかに黄色化した
硬化性組成物を光学用半導体の表面実装型(トップビュータイプ、図1の光半導体2、電極6、ワイヤー7およびリフレクター3により構成される部分からなる)パッケージに塗布を行い、150℃で1時間加熱することで評価用サンプルの作成を行った。
A:前記比率が110%以上
B:前記比率が110%未満100%以上
C:前記比率が100%未満
2 半導体発光素子
3 リフレクター
4 封止材
5 粒子
6 電極
7 ワイヤー
Claims (2)
- 下記化学式(2):
前記ポリシロキサン中に含まれるSi原子の数を100モル%とするとき、前記ポリシロキサンのアルケニル基の含有量が3〜50モル%であり、前記ポリシロキサンのエポキシ基の含有量が0.01〜10モル%であり、前記ポリシロキサンのアリール基の含有量が30〜120モル%であるポリシロキサン。 - 前記化学式(2)において、a,b,c,d,e,f,g,hおよびiの合計に対するfの割合が20〜90%である請求項1に記載のポリシロキサン。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014012162A JP5696798B2 (ja) | 2011-04-21 | 2014-01-27 | ポリシロキサン |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011094922 | 2011-04-21 | ||
JP2011094922 | 2011-04-21 | ||
JP2014012162A JP5696798B2 (ja) | 2011-04-21 | 2014-01-27 | ポリシロキサン |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012034100A Division JP5505436B2 (ja) | 2011-04-21 | 2012-02-20 | 硬化性組成物、硬化物、光半導体装置およびポリシロキサン |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014074183A true JP2014074183A (ja) | 2014-04-24 |
JP5696798B2 JP5696798B2 (ja) | 2015-04-08 |
Family
ID=47433784
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012034100A Active JP5505436B2 (ja) | 2011-04-21 | 2012-02-20 | 硬化性組成物、硬化物、光半導体装置およびポリシロキサン |
JP2014012162A Active JP5696798B2 (ja) | 2011-04-21 | 2014-01-27 | ポリシロキサン |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012034100A Active JP5505436B2 (ja) | 2011-04-21 | 2012-02-20 | 硬化性組成物、硬化物、光半導体装置およびポリシロキサン |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP5505436B2 (ja) |
TW (2) | TW201525073A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101556274B1 (ko) * | 2012-12-28 | 2015-09-30 | 제일모직 주식회사 | 봉지재 조성물, 봉지재 및 전자 소자 |
JP2019524959A (ja) * | 2016-08-12 | 2019-09-05 | ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフトWacker Chemie AG | 硬化性有機ポリシロキサン組成物、封止剤、および半導体デバイス |
CN111051434B (zh) * | 2017-07-24 | 2022-03-29 | 陶氏东丽株式会社 | 多成分硬化型导热性硅酮凝胶组合物、导热性部件及散热构造体 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03167228A (ja) * | 1989-11-28 | 1991-07-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ基含有シリコーンエラストマー微粉末の製造方法及びその方法により製造された微粉末 |
JPH0848779A (ja) * | 1994-08-03 | 1996-02-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | オルガノポリシロキサンの製造方法 |
JP2003192790A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-09 | Dow Corning Toray Silicone Co Ltd | ラジカル重合性オルガノポリシロキサン混合物およびその製造方法 |
JP2007327019A (ja) * | 2006-05-11 | 2007-12-20 | Dow Corning Toray Co Ltd | 接着促進剤、硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および半導体装置 |
JP2011057755A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | シリコーン組成物及びその硬化物 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4862032B2 (ja) * | 2008-12-05 | 2012-01-25 | 信越化学工業株式会社 | 高屈折率を有する硬化物を与える付加硬化型シリコーン組成物、及び該組成物からなる光学素子封止材 |
JP4913858B2 (ja) * | 2009-04-14 | 2012-04-11 | 日東電工株式会社 | 熱硬化性シリコーン樹脂用組成物 |
-
2012
- 2012-02-20 JP JP2012034100A patent/JP5505436B2/ja active Active
- 2012-04-20 TW TW104108949A patent/TW201525073A/zh unknown
- 2012-04-20 TW TW101114054A patent/TWI499644B/zh active
-
2014
- 2014-01-27 JP JP2014012162A patent/JP5696798B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03167228A (ja) * | 1989-11-28 | 1991-07-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ基含有シリコーンエラストマー微粉末の製造方法及びその方法により製造された微粉末 |
JPH0848779A (ja) * | 1994-08-03 | 1996-02-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | オルガノポリシロキサンの製造方法 |
JP2003192790A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-09 | Dow Corning Toray Silicone Co Ltd | ラジカル重合性オルガノポリシロキサン混合物およびその製造方法 |
JP2007327019A (ja) * | 2006-05-11 | 2007-12-20 | Dow Corning Toray Co Ltd | 接着促進剤、硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および半導体装置 |
JP2011057755A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | シリコーン組成物及びその硬化物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5696798B2 (ja) | 2015-04-08 |
TW201525073A (zh) | 2015-07-01 |
JP5505436B2 (ja) | 2014-05-28 |
TWI499644B (zh) | 2015-09-11 |
JP2012233153A (ja) | 2012-11-29 |
TW201247785A (en) | 2012-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101472829B1 (ko) | 경화성 조성물, 경화물, 광반도체 장치 및 폴리실록산 | |
KR101589936B1 (ko) | 경화성 오가노폴리실록산 조성물 및 반도체 장치 | |
US9346954B2 (en) | Curable resin composition | |
JP2013139547A (ja) | 硬化性組成物、硬化物および光半導体装置 | |
JP6607644B2 (ja) | 硬化性シリコーン組成物、硬化性ホットメルトシリコーン、および光デバイス | |
JP5793824B2 (ja) | 有機ケイ素化合物、該有機ケイ素化合物を含む熱硬化性組成物、および光半導体用封止材料 | |
JP2006335857A (ja) | 透明な硬化物を与えるポリオルガノシロキサン組成物 | |
JP5858027B2 (ja) | 硬化性組成物、硬化物および光半導体装置 | |
JP5696798B2 (ja) | ポリシロキサン | |
JP6324206B2 (ja) | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び半導体装置 | |
JP5660145B2 (ja) | 硬化性組成物、硬化物および光半導体装置 | |
JP5621819B2 (ja) | 硬化性組成物、硬化物および光半導体装置 | |
KR20150119882A (ko) | 경화성 수지 조성물 | |
JP2012233153A5 (ja) | ||
KR20130062869A (ko) | 경화성 조성물, 경화물 및 광반도체 장치 | |
JP6766334B2 (ja) | 有機ケイ素化合物、該有機ケイ素化合物を含む熱硬化性組成物、および光半導体用封止材料 | |
KR101594343B1 (ko) | 경화성 조성물 및 그의 제조 방법, 경화물, 및 광반도체 장치 | |
TW202024236A (zh) | 加成硬化型聚矽氧組成物及半導體裝置 | |
JP5943104B2 (ja) | 硬化性組成物、硬化膜、ポリシロキサンおよび光半導体装置 | |
JP6905486B2 (ja) | 付加硬化型シリコーン組成物、シリコーン硬化物、及び半導体装置 | |
KR101733960B1 (ko) | 경화성 조성물, 경화물 및 광반도체 장치 | |
WO2021167052A1 (ja) | 硬化性液状シリコーン組成物、その硬化物、それを含む光学充填剤、およびその硬化物からなる層を含む表示装置 | |
JP5807427B2 (ja) | 硬化性組成物、硬化膜、ポリシロキサンおよび光半導体装置 | |
JP2017036391A (ja) | 硬化性組成物、硬化物、ポリシロキサン、及び光半導体装置 | |
KR20130112761A (ko) | 경화성 조성물, 경화물 및 광반도체 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140127 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141118 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141215 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150113 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150126 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5696798 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |