KR101556274B1 - 봉지재 조성물, 봉지재 및 전자 소자 - Google Patents

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Abstract

하기 화학식 1로 표현되고 2.0 내지 5.0 mmol/g 의 에폭시 기를 가지는 접착촉진제, 말단에 규소 결합된 수소(Si-H)를 가지는 적어도 1종의 제1 폴리실록산, 그리고 말단에 규소 결합된 알케닐 기(Si-Vi)를 가지는 적어도 1종의 제2 폴리실록산을 포함하는 봉지재 조성물, 상기 봉지재 조성물을 경화하여 얻은 봉지재 및 상기 봉지재를 포함하는 전자 소자에 관한 것이다.
[화학식 1]
(R1R2R3SiO1 /2)M1(R4R5SiO2 /2)D1(R6SiO3 /2)T1(R7SiO3 /2)T2(SiO4 /2)Q1
상기 화학식 1에서, R1 내지 R7, M1, D1, T1, T2 및 Q1은 명세서에서 정의한 바와 같다.

Description

봉지재 조성물, 봉지재 및 전자 소자{COMPOSITION FOR ENCAPSULANT AND ENCAPSULANT AND ELECTRONIC DEVICE}
봉지재 조성물, 봉지재 및 상기 봉지재를 포함하는 전자 소자에 관한 것이다.
발광 다이오드(light emitting diode, LED), 유기 발광 장치(organic light emitting diode device, OLED device) 및 광 루미네선스 소자(photoluminescence device, PL device) 등의 발광 소자는 가정용 가전 제품, 조명 장치, 표시 장치 및 각종 자동화 기기 등의 다양한 분야에서 응용되고 있다. 　
이들 발광 소자는 발광부에서 청색, 적색 및 녹색과 같은 발광 물질의 고유의 색을 표시할 수 있으며, 서로 다른 색을 표시하는 발광부를 조합하여 백색을 표시할 수　있다.
이러한 발광 소자는 일반적으로 패키징(packaging) 또는 밀봉(encapsulation)된 구조의 봉지재(encapsulant)를 포함한다. 　 이러한 봉지재는 발광부로부터 방출된 빛이 외부로 통과할 수 있는 투광성 수지인 봉지재 조성물로부터 만들어질 수 있다.
일 구현예는 하부 기재와의 접착력을 높이는 동시에 신뢰성을 개선할 수 있는 봉지재 조성물을 제공한다.
다른 구현예는 상기 봉지재 조성물을 경화하여 얻어진 봉지재를 제공한다.
또 다른 구현예는 상기 봉지재를 포함하는 전자 소자를 제공한다.
일 구현예에 따르면, 하기 화학식 1로 표현되고 2.0 내지 5.0 mmol/g의 에폭시 기를 가지는 접착촉진제, 말단에 규소 결합된 수소(Si-H)를 가지는 적어도 1종의 제1 폴리실록산, 그리고 말단에 규소 결합된 알케닐 기(Si-Vi)를 가지는 적어도 1종의 제2 폴리실록산을 포함하는 봉지재 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
(R1R2R3SiO1 /2)M1(R4R5SiO2 /2)D1(R6SiO3 /2)T1(R7SiO3 /2)T2(SiO4 /2)Q1
상기 화학식 1에서,
R1　내지 R7은 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 에폭시기 함유 유기기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 카르보닐기 또는 이들의 조합이고,
R1　내지 R7 중 적어도 하나는 에폭시기 함유 유기기이고,
0≤M1<1, 0<D1<1, 0≤T1<1, 0≤T2<1, 0≤Q1<1이고,
M1+D1+T1+T2+Q1=1이다.
상기 R4　및 R5 중 적어도 하나는 에폭시기 함유 유기기일 수 있다.
상기 R1　내지 R7 중 적어도 하나는 수소 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기를 포함할 수 있다.
상기 봉지재 조성물은 약 0.100 내지 0.250 mmol/g의 에폭시 기를 가질 수 있다.
상기 접착촉진제는 상기 봉지재 조성물의 총 함량에 대하여 약 0.5 내지 10중량%로 포함될 수 있다.
상기 제1 폴리실록산은 하기 화학식 2로 표현될 수 있다.
[화학식 2]
(R8R9R10SiO1 /2)M2(R11R12SiO2 /2)D2(R13SiO3 /2)T3(SiO3 /2-Y1-SiO3 /2)T4(SiO4 /2)Q2
상기 화학식 2에서,
R8　내지 R13은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 카르보닐기, 히드록시기 또는 이들의 조합이고,
R8　내지 R13 중 적어도 하나는 수소를 포함하고,
Y1은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐렌기 또는 이들의 조합이고,
0<M2<1, 0≤D2<1, 0≤T3<1, 0≤T4<1, 0≤Q2<1이고,
M2+D2+T3+T4+Q2=1이다.
상기 제2 폴리실록산은 하기 화학식 3으로 표현될 수 있다.
[화학식 3]
(R14R15R16SiO1 /2)M3(R17R18SiO2 /2)D3(R19SiO3 /2)T5(SiO3 /2-Y2-SiO3 /2)T6(SiO4 /2)Q3
상기 화학식 3에서,
R14　내지 R19는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 카르보닐기, 히드록시기 또는 이들의 조합이고,
R14 내지 R19　중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기를 포함하고,
Y2는 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐렌기 또는 이들의 조합이고,
0<M3<1, 0≤D3<1, 0≤T5<1, 0≤T6<1, 0≤Q3<1이고,
M3+D3+T5+T6+Q3=1이다.
상기 제1 폴리실록산 및 제2 폴리실록산은 상기 봉지재 조성물의 총 함량에 대하여 각각 약 10 내지 40 중량%와 약 60 내지 90 중량%로 포함될 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 1로 표현되는 접착촉진제, 말단에 규소 결합된 수소(Si-H)를 가지는 적어도 1종의 제1 폴리실록산, 그리고 말단에 규소 결합된 알케닐 기(Si-Vi)를 가지는 적어도 1종의 제2 폴리실록산을 포함하고, 0.100 내지 0.250 mmol/g의 에폭시 기를 가지는 봉지재 조성물을 제공한다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 봉지재 조성물을 경화하여 얻은 봉지재를 제공한다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 봉지재를 포함하는 전자 소자를 제공한다.
하부 기재와의 접착력을 개선하여 봉지재가 들뜨거나 박리되는 것을 방지하는 동시에 내열성을 높이고 투습도 및 산소투과도를 낮추어 봉지재의 신뢰성을 개선할 수 있다.
도 1은 일 구현예에 따른 발광 다이오드를 개략적으로 도시한 단면도이다.
이하, 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.
본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '치환된'이란, 화합물 중의 수소 원자가 할로겐 원자(F, Br, Cl, 또는 I), 히드록시기, 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, C1 내지 C20 알킬기, C2 내지 C20 알케닐기, C2 내지 C20 알키닐기, C6 내지 C30 아릴기, C7 내지 C30 아릴알킬기, C1 내지 C30 알콕시기, C1 내지 C20 헤테로알킬기, C3 내지 C20 헤테로아릴알킬기, C3 내지 C30 사이클로알킬기, C3 내지 C15의 사이클로알케닐기, C6 내지 C15 사이클로알키닐기, C3 내지 C30 헤테로사이클로알킬기 및 이들의 조합에서 선택된 치환기로 치환된 것을 의미한다.
또한, 본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '헤테로'란, N, O, S 및 P에서 선택된 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유한 것을 의미한다.
이하 일 구현예에 따른 봉지재 조성물에 대하여 설명한다.
일 구현예에 따른 봉지재 조성물은 하기 화학식 1로 표현되는 접착촉진제, 말단에 규소 결합된 수소(Si-H)를 가지는 적어도 1종의 제1 폴리실록산, 그리고 말단에 규소 결합된 알케닐 기(Si-Vi)를 가지는 적어도 1종의 제2 폴리실록산을 포함한다.
[화학식 1]
(R1R2R3SiO1 /2)M1(R4R5SiO2 /2)D1(R6SiO3 /2)T1(R7SiO3 /2)T2(SiO4 /2)Q1
상기 화학식 1에서,
R1　내지 R7은 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 에폭시기 함유 유기기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 카르보닐기 또는 이들의 조합이고,
R1　내지 R7 중 적어도 하나는 에폭시기 함유 유기기이고,
0≤M1<1, 0<D1<1, 0≤T1<1, 0≤T2<1, 0≤Q1<1이고,
M1+D1+T1+T2+Q1=1이다.
상기 에폭시기 함유 유기기는 예컨대 에폭시기 함유 C1 내지 C30 알킬기, 에폭시기 함유 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 에폭시기 함유 C6 내지 C30 아릴기, 에폭시기 함유 C7 내지 C30 아릴알킬기, 에폭시기 함유 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 에폭시기 함유 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기 또는 이들의 조합일 수 있다. 상기 에폭시기 함유 유기기는 예컨대 글리시독시프로필기(glycidoxypropyl group)와 같은 글리시독시알킬기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 에폭시기 함유 유기기는 상기 화학식 1에서 사슬 구조의 실록산 부에 위치할 수 있으며, 이에 따라 상기 화학식 1의 R4　및 R5 중 적어도 하나에 위치할 수 있다.
상기 화학식 1로 표현되는 상기 접착촉진제는 구조 중에 약 2.0 내지 5.0 mmol/g 의 에폭시 기를 가질 수 있다. 상기 범위의 에폭시 기를 가짐으로써 하부 기재와의 접착력을 높이고 광 투과도를 확보하는 동시에 봉지재의 막 밀도를 높여 내열성, 투습도 및 산소투과도를 만족할 수 있다. 예컨대 상기 접착촉진제가 약 2.0 mmol/g 보다 낮은 함량의 에폭시기를 함유하는 경우 하부 기재와의 접착력이 약하여 봉지재가 들뜨거나 또는 박리되기 쉽고 내열성, 투습도 및 산소투과도가 열화되는 한편, 상기 접착촉진제가 약 5.0 mmol/g 보다 과도한 함량의 에폭시기를 함유하는 경우 경화 전 및 후의 투과도가 현저하게 떨어져 발광 소자에 적용시 광 효율을 크게 저하시킬 수 있다.
상기 에폭시기의 함유량은 상기 봉지재 조성물의 총 함량을 기준으로 하면 약 0.100 내지 0.250 mmol/g일 수 있다.
상기 화학식 1에서, 말단에 위치하는 R1　내지 R7 중 적어도 하나는 수소 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기를 포함할 수 있다. 상기 말단에 위치하는 수소 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기는 후술하는 제1 폴리실록산 또는 제2 폴리실록산과 반응할 수 있다.
상기 화학식 1에서, 상기 R4　내지 R7　중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기를 포함할 수 있다. 상기 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기를 포함함으로써 굴절률을 더욱 높일 수 있다.
상기 접착촉진제는 상기 봉지재 조성물의 총 함량에 대하여 약 0.5 내지 10중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위로 포함됨으로써 하부 기재와의 접착성을 효과적으로 개선하면서도 내열성, 투습도 및 산소투과도를 효과적으로 개선할 수 있다. 바람직하게는 상기 범위 내에서 약 1 내지 10중량%로 포함될 수 있다.
상기 접착촉진제는 1종 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.
상기 제1 폴리실록산은 하기 화학식 2로 표현될 수 있다.
[화학식 2]
(R8R9R10SiO1 /2)M2(R11R12SiO2 /2)D2(R13SiO3 /2)T3(SiO3 /2-Y1-SiO3 /2)T4(SiO4 /2)Q2
상기 화학식 2에서,
R8　내지 R13은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 카르보닐기, 히드록시기 또는 이들의 조합이고,
R8　내지 R13　중 적어도 하나는 수소를 포함하고,
Y1은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐렌기 또는 이들의 조합이고,
0<M2<1, 0≤D2<1, 0≤T3<1, 0≤T4<1, 0≤Q2<1이고,
M2+D2+T3+T4+Q2=1이다.
상기 제1 폴리실록산은 말단에 규소 결합된 수소(Si-H)을 가지는 화합물로, 예컨대 분자당 평균 2개 이상의 규소 결합된 수소(Si-H)를 가질 수 있다. 상기 규소 결합된 수소(Si-H)는 후술하는 제2 폴리실록산의 말단에 위치하는 알케닐기 및/또는 상기 접착촉진제의 말단에 위치하는 알케닐기와 반응할 수 있다.
상기 제1 폴리실록산은 예컨대 R8R9R10SiZ1으로 표현되는 모노머와 R11R12SiZ2Z3으로 표현되는 모노머, R13SiZ4Z5Z6으로 표현되는 모노머, Z7Z8Z9Si-Y1-SiZ10Z11Z12로 표현되는 모노머 및 SiZ13Z14Z15Z16으로 표현되는 모노머에서 선택된 적어도 하나를 가수분해 및 축중합하여 얻을 수 있다. 여기서 R8 내지 R13의 정의는 전술한 바와 같고, Z1 내지 Z16은 각각 독립적으로 C1 내지 C6 알콕시기, 히드록시기, 할로겐기, 카르복실기 또는 이들의 조합이다.
상기 제1 폴리실록산은 1종 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.
상기 제2 폴리실록산은 하기 화학식 3으로 표현될 수 있다.
[화학식 3]
(R14R15R16SiO1 /2)M3(R17R18SiO2 /2)D3(R19SiO3 /2)T5(SiO3 /2-Y2-SiO3 /2)T6(SiO4 /2)Q3
상기 화학식 3에서,
R14　내지 R19는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 카르보닐기, 히드록시기 또는 이들의 조합이고,
R14 내지 R19　중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기를 포함하고,
Y2는 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐렌기 또는 이들의 조합이고,
0<M3<1, 0≤D3<1, 0≤T5<1, 0≤T6<1, 0≤Q3<1이고,
M3+D3+T5+T6+Q3=1이다.
상기 제2 폴리실록산은 말단에 규소 결합된 알케닐기(Si-Vi)을 가지는 화합물로, 예컨대 분자당 평균 2개 이상의 규소 결합된 알케닐기(Si-Vi)를 가질 수 있다. 상기 규소 결합된 알케닐기(Si-Vi)는 상기 제1 폴리실록산의 말단에 위치하는 수소 및/또는 상기 접착촉진제의 말단에 위치하는 수소와 반응할 수 있다.
상기 제2 폴리실록산은 예컨대 R14R15R16SiZ17 로 표현되는 모노머와 R17R18SiZ18Z19으로 표현되는 모노머, R19SiZ20Z21Z22으로 표현되는 모노머, Z23Z24Z25Si-Y2-SiZ26Z27Z28로 표현되는 모노머 및 SiZ29Z30Z31Z32으로 표현되는 모노머에서 선택된 적어도 하나를 가수분해 및 축중합하여 얻을 수 있다. 여기서 R14 내지 R19의 정의는 전술한 바와 같고, Z17 내지 Z32는 각각 독립적으로 C1 내지 C6 알콕시기, 히드록시기, 할로겐기, 카르복실기 또는 이들의 조합이다.
상기 제2 폴리실록산은 1종 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.
상기 제1 폴리실록산 및 상기 제2 폴리실록산의 중량평균분자량은 각각 약 100 내지 30,000　g/mol 일 수 있으며, 그 중에서 약 100　내지 10,000　g/mol 일 수 있다.
상기 제1 폴리실록산 및 제2 폴리실록산은 상기 봉지재 조성물의 총 함량에 대하여 각각 약 10 내지 40 중량%와 약 60 내지 90 중량%로 포함될 수 있다.
상기 봉지재 조성물은 충전재(filler)를 더 포함할 수 있다.
상기 충전재는 예컨대 무기 산화물로 만들어질 수 있으며, 예컨대 실리카, 알루미나, 산화티탄, 산화아연 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 봉지재 조성물은 수소규소화 촉매를 더 포함할 수 있다.
상기 수소규소화 촉매는 상기 제1 폴리실록산, 상기 제2 폴리실록산 및 상기 접착촉진제의 수소규소화 반응을 촉진시킬 수 있으며,　예컨대 백금, 로듐, 팔라듐, 루테늄, 이리듐 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 수소규소화 촉매는　상기 봉지재 조성물의 총 함량에 대하여 약 0.1 ppm 내지 1000ppm 으로 포함될 수 있다.
상기 봉지재 조성물은 소정 온도에서 열처리하여 경화함으로써 봉지재(encapsulant)로 사용될 수 있다. 상기 봉지재는 예컨대 발광 다이오드 및 유기 발광 장치와 같은 전자 소자에 적용될 수 있다.
이하 봉지재를 적용한 전자 소자의 일 예로서 일 구현예에 따른 발광 다이오드를 도 1을 참고하여 설명한다.
도 1은 일 구현예에 따른 발광 다이오드를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 1을 참고하면, 발광 다이오드는 몰드(110); 몰드(110) 내에 배치된 리드 프레임(120); 리드 프레임(120) 상에 실장되어 있는 발광 다이오드 칩(140); 리드 프레임(120)과 발광 다이오드 칩(140)을 연결하는 본딩 와이어(150); 발광 다이오드 칩(140)을 덮고 있는 봉지재(200)를 포함한다.
봉지재(200)는 전술한 봉지재 조성물을 경화하여 얻어진다. 봉지재(200)는 전술한 봉지재 조성물로부터 형성됨으로써 몰드(110), 리드 프레임(120) 및 발광 다이오드 칩(140)과의 접착력을 개선하여 들뜸 또는 박리를 줄일 수 있다.
봉지재(200)에는 형광체(190)가 분산되어 있을 수 있다. 형광체(190)는 빛에 의해 자극되어 스스로 고유한 파장 범위의 빛을 내는 물질을 포함하며, 넓은 의미로 반도체 나노결정(semiconductor nanocrystal)과 같은 양자점(quantum dot)도 포함한다. 형광체(190)는 예컨대 청색 형광체, 녹색 형광체 또는 적색 형광체일 수 있으며, 두 종류 이상이 혼합되어 있을 수 있다.
형광체(190)는 발광부인 발광 다이오드 칩(140)에서 공급하는 빛에 의해 소정 파장 영역의 색을 표시할 수 있으며, 이 때 발광 다이오드 칩(140)은 형광체(190)에서 표시하는 색보다 단파장 영역의 색을 표시할 수 있다. 　예컨대 형광체(190)가 적색을 표시하는 경우, 발광 다이오드 칩(140)은 상기 적색보다 단파장 영역인 청색 또는 녹색의 빛을 공급할 수 있다.
또한 발광 다이오드 칩(140)에서 내는 색 및 형광체(190)에서 내는 색을 조합하여 백색을 표시할 수 있다. 　예컨대 발광 다이오드 칩(140)은 청색의 빛을 공급하고 형광체(190)는 적색 형광체 및 녹색 형광체를 포함하는 경우, 상기 전자 소자는 청색, 적색 및 녹색을 조합하여 백색을 표시할 수 있다.
형광체(190)는 생략될 수 있다.
이하 실시예를 통하여 상술한 본 발명의 구현예를 보다 상세하게 설명한다. 　다만 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.
접착촉진제의 합성
합성예 1
물과 톨루엔을 중량비 5:5로 혼합한 혼합용매 1kg을 3구 플라스크에 투입한 후 23℃로 유지하면서 글리시독시프로필메틸디에톡시실란(glycidoxypropylmethyldiethoxysilane), 페닐트리메톡시실란(phenyltrimethoxy silane) 및 비닐트리메톡시실란(vinyltrimethoxysilane)을 30:45:25의 몰비로 포함한 혼합물 1kg을 촉매 CsOH와 함께 적하하였다. 적하가 완료된 후 90℃로 1시간 가열하면서 축중합 반응을 실시하였다. 이어서 실온으로 냉각한 후 물층을 제거하여 톨루엔에 용해된 고분자 용액을 제조하였다. 이어서 얻어진 고분자 용액을 물로 세정하여 촉매를 제거하였다. 이어서 상기 고분자 용액을 감압증류하여 톨루엔을 제거하여 하기 화학식 4로 표현되는 화합물을 얻었다.
NMR 측정 결과, 상기 화학식 4로 표현되는 화합물에서 에폭시기 함량은 2.17mmol/g 이었다.
[화학식 4]
[(HOGPMeSiO1 /2)a((HO)2ViSiO1 /2)b((HO)2PhSiO1 /2)c](GPMeSiO2 /2)0.217(ViSiO3 /2)0.277(PhSiO3 /2)0.493
(OH: 히드록실기, GP: 글리시독시프로필기, Me: 메틸기, Vi: 비닐기, Ph: 페닐기, a≥0, b≥0, c≥0, a+b+c=0.013)
합성예 2
글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 페닐트리메톡시실란 및 비닐트리메톡시실란을 40:35:25의 몰비로 포함한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일한 방법으로 합성하여 하기 화학식 5로 표현되는 화합물을 얻었다.
NMR 측정 결과, 상기 화학식 5로 표현되는 화합물에서 에폭시기 함량은 3.05mmol/g 이었다.
[화학식 5]
[(HOGPMeSiO1 /2)a((HO)2ViSiO1 /2)b((HO)2PhSiO1 /2)c] (GPMeSiO2 /2)0.305(ViSiO3 /2)0.286(PhSiO3 /2)0.394
(OH: 히드록실기, GP: 글리시독시프로필기, Me: 메틸기, Vi: 비닐기, Ph: 페닐기, a≥0, b≥0, c≥0, a+b+c=0.015)
합성예 3
글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 페닐트리메톡시실란 및 비닐트리메톡시실란을 50:25:25의 몰비로 포함한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일한 방법으로 합성하여 하기 화학식 6으로 표현되는 화합물을 얻었다.
NMR 측정 결과, 상기 화학식 6으로 표현되는 화합물에서 에폭시기 함량은 3.87mmol/g 이었다.
[화학식 6]
[(HOGPMeSiO1 /2)a((HO)2ViSiO1 /2)b((HO)2PhSiO1 /2)c] (GPMeSiO2 /2)0.387(ViSiO3 /2)0.288(PhSiO3 /2)0.308
(OH: 히드록실기, GP: 글리시독시프로필기, Me: 메틸기, Vi: 비닐기, Ph: 페닐기, a≥0, b≥0, c≥0, a+b+c=0.017)
합성예 4
글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 페닐트리메톡시실란 및 비닐트리메톡시실란을 60:15:25의 몰비로 포함한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일한 방법으로 합성하여 하기 화학식 7로 표현되는 화합물을 얻었다.
NMR 측정 결과, 상기 화학식 7로 표현되는 화합물에서 에폭시기 함량은 4.56mmol/g 이었다.
[화학식 7]
[(HOGPMeSiO1 /2)a((HO)2ViSiO1 /2)b((HO)2PhSiO1 /2)c]0.017 (GPMeSiO2 /2)0.456(ViSiO3 /2)0.295(PhSiO3 /2)0.232
(OH: 히드록실기, GP: 글리시독시프로필기, Me: 메틸기, Vi: 비닐기, Ph: 페닐기, a≥0, b≥0, c≥0, a+b+c=0.017)
합성예 5
글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 페닐트리메톡시실란 및 비닐트리메톡시실란을 70:5:25의 몰비로 포함한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일한 방법으로 합성하여 하기 화학식 8로 표현되는 화합물을 얻었다.
NMR 측정 결과, 상기 화학식 8로 표현되는 화합물에서 에폭시기 함량은 4.91mmol/g 이었다.
[화학식 8]
[(HOGPMeSiO1 /2)a((HO)2ViSiO1 /2)b((HO)2PhSiO1 /2)c] (GPMeSiO2 /2)0.491(ViSiO3 /2)0.291(PhSiO3 /2)0.199
(OH: 히드록실기, GP: 글리시독시프로필기, Me: 메틸기, Vi: 비닐기, Ph: 페닐기, a≥0, b≥0, c≥0, a+b+c=0.019)
비교합성예 1
글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 페닐트리메톡시실란 및 비닐트리메톡시실란을 20:55:25의 몰비로 포함한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일한 방법으로 합성하여 하기 화학식 9로 표현되는 화합물을 얻었다.
NMR 측정 결과, 상기 화학식 9로 표현되는 화합물에서 에폭시기 함량은 1.60mmol/g 이었다.
[화학식 9]
[(HOGPMeSiO1 /2)a((HO)2ViSiO1 /2)b((HO)2PhSiO1 /2)c] (GPMeSiO2 /2)0.16(ViSiO3 /2)0.281(PhSiO3 /2)0.542
(OH: 히드록실기, GP: 글리시독시프로필기, Me: 메틸기, Vi: 비닐기, Ph: 페닐기, a≥0, b≥0, c≥0, a+b+c=0.017)
비교합성예 2
글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 페닐트리메톡시실란 및 비닐트리메톡시실란을 75:0:25의 몰비로 포함한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일한 방법으로 합성하여 하기 화학식 10으로 표현되는 화합물을 얻었다.
NMR 측정 결과, 상기 화학식 10으로 표현되는 화합물에서 에폭시기 함량은 5.16mmol/g 이었다.
[화학식 10]
[(HOGPMeSiO1 /2)a((HO)2ViSiO1 /2)b((HO)2PhSiO1 /2)c] (GPMeSiO2 /2)0.516(ViSiO3 /2)0.463
(OH: 히드록실기, GP: 글리시독시프로필기, Me: 메틸기, Vi: 비닐기, Ph: 페닐기, a≥0, b≥0, c≥0, a+b+c=0.021)
제1 및 제2 폴리실록산의 합성
합성예 6
물과 톨루엔을 5:5 중량비로 혼합한 혼합용매 1kg을 3구 플라스크에 투입한 후 23℃로 유지하면서 모노머로 페닐디클로로실란 159.39g 및 테트라메틸디실록산 6.72g을 혼합한 혼합물 166.11g을 2시간에 걸쳐 적하하였다. 　적하가 완료된 후 90℃로 3시간 가열 환류하면서 축중합 반응을 수행하였다. 　이어서 실온으로 냉각한 후 물층을 제거하여 톨루엔에 용해된 고분자 용액을 제조하였다. 　얻어진 고분자 용액을 물로 세정하여 반응 부산물인 염소를 제거하였다. 　이어서 중성인 고분자 용액을 감압증류하여 톨루엔을 제거하여 액체 폴리실록산을 얻었다.
얻어진 폴리실록산을 겔 투과 크로마토그래피(gel permeation chromatography)를 사용하여 분자량을 측정한 결과 폴리스티렌 환산 분자량이 950 g/mol 이었고, H-NMR, Si-NMR 및 원소분석기를 사용하여 화학식 2a의 구조를 확인하였다. 　
[화학식 2a]
　(Me2HSiO1 /2)0.243(PhHSiO2 /2)0.757
합성예 7
물과 톨루엔을 5:5 중량비로 혼합한 혼합용매 1kg을 3구 플라스크에 투입한 후 23℃로 유지하면서 모노머로 페닐메틸디클로로실란(phenylmethyldichlorosilane), 페닐트리클로로실란(phenyltrichlorosilane) 및 비닐디메틸클로로실란(vinyldimethylchlorosilane)을 각각 10몰%, 80몰% 및 10몰%로 혼합한 혼합물 300 g을 2시간에 걸쳐 적하하였다. 　적하가 완료된 후 90℃로 3시간 가열 환류하면서 축중합 반응을 수행하였다. 　이어서 실온으로 냉각한 후 물층을 제거하여 톨루엔에 용해된 고분자 용액을 제조하였다. 　얻어진 고분자 용액을 물로 세정하여 반응 부산물인 염소를 제거하였다. 　이어서 중성인 고분자 용액을 감압증류하여 톨루엔을 제거하여 액상 폴리실록산을 얻었다.
얻어진 액상 폴리실록산을 겔 투과 크로마토그래피(gel permeation chromatography)를 사용하여 분자량을 측정한 결과 폴리스티렌 환산 분자량이 1050 g/mol 이었고, H-NMR, Si-NMR 및 원소분석기를 사용하여 화학식 3a의 구조를 확인하였다. 　여기서 Me는 메틸기, Vi은 비닐기, Ph는 페닐기, Si는 실리콘을 가리킨다.
[화학식 3a]
(Me2ViSiO1 /2)0.152(PhMeSiO2 /2)0.332(PhSiO3 /2)0.516
봉지재 조성물의 제조
실시예 1
합성예 1에서 얻은 화합물 5중량%, 합성예 6에서 얻은 폴리실록산 25중량% 및 합성예 7에서 얻은 화합물 70중량%과 수소규소화 촉매 Pt-CS 1.8(Umicore 사 제조)(Pt의 함량이 5ppm이 되도록 첨가)을 혼합한 후 진공으로 탈포하여 봉지재 조성물을 제조하였다.
NMR 측정 결과, 실시예 1에 따른 봉지재 조성물에 포함되어 있는 에폭시기 함량은 0.1085 mmol/g 이었다.
실시예 2
합성예 1에서 얻은 화합물 대신 합성예 2에서 얻은 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 봉지재 조성물을 제조하였다.
NMR 측정 결과, 실시예 2에 따른 봉지재 조성물에 포함되어 있는 에폭시기 함량은 0.1525 mmol/g 이었다.
실시예 3
합성예 1에서 얻은 화합물 대신 합성예 3에서 얻은 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 봉지재 조성물을 제조하였다.
NMR 측정 결과, 실시예 3에 따른 봉지재 조성물에 포함되어 있는 에폭시기 함량은 0.1935 mmol/g 이었다.
실시예 4
합성예 1에서 얻은 화합물 대신 합성예 4에서 얻은 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 봉지재 조성물을 제조하였다.
NMR 측정 결과, 실시예 4에 따른 봉지재 조성물에 포함되어 있는 에폭시기 함량은 0.228 mmol/g 이었다.
실시예 5
합성예 1에서 얻은 화합물 대신 합성예 5에서 얻은 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 봉지재 조성물을 제조하였다.
NMR 측정 결과, 실시예 5에 따른 봉지재 조성물에 포함되어 있는 에폭시기 함량은 0.2455 mmol/g 이었다.
비교예 1
합성예 1에서 얻은 화합물 대신 비교합성예 1에서 얻은 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 봉지재 조성물을 제조하였다.
NMR 측정 결과, 비교예 1에 따른 봉지재 조성물에 포함되어 있는 에폭시기 함량은 0.08 mmol/g 이었다.
비교예 2
합성예 1에서 얻은 화합물 대신 비교합성예 2에서 얻은 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 봉지재 조성물을 제조하였다.
NMR 측정 결과, 비교예 2에 따른 봉지재 조성물에 포함되어 있는 에폭시기 함량은 0.258 mmol/g 이었다.
평가
실시예 1 내지 5와 비교예 1, 2에 따른 봉지재 조성물의 투과도, 접착력, 휘도 변화율, 투습률 및 산소투과도를 측정하였다.
투과도는 실시예 1 내지 5와 비교예 1, 2에 따른 봉지재 조성물로 4mm 두께의 경화물 시편을 준비하고 150℃에서 2시간 동안 열경화한 후 UV-spectrophotometer(시마즈사 UV-3600)를 사용하여 측정하였다.
접착력은 다음과 같은 방법으로 평가하였다.
2장의 은 시편(폭 25mm, 길이 50mm, 두께 1mm) 사이에 폴리테트라플루오로에틸렌 스페이서(폭 10mm, 길이 20mm, 두께 1mm)를 삽입하고, 상기 은 시편 사이의 남은 공간에 실시예 1 내지 5와 비교예 1, 2에 따른 봉지재 조성물을 충전시키고 상기 은 시편들을 클립으로 고정하였다. 이어서 상기 은 시편들을 150℃ 오븐에서 2시간 동안 방치하여 상기 봉지재 조성물을 경화하였다. 이어서 실온으로 냉각한 후 클립과 스페이서를 제거하고 상기 은 시편을 인장 시험기(Instron社, 3367)에 넣고 반대쪽 수평 방향으로 잡아당겨서 파열되는 순간의 응력을 측정하였다.
박리율은 LED 패키지 내에 상기 봉지재 조성물을 디스펜싱(dispensing)하여 조립하고, 조립된 LED 패키지에 85℃, 85RH% 조건에서 72시간 보관하고 IR 리플로우(IR reflow) (260℃)를 통해 패키지 내부에 투과된 수분을 기화시켜서 그때 발생되는 크랙 및 탈착되는 수량을 확인한다. 탈착 발생시 잉크에 담가 보면 봉지재 내부에 착색됨을 확인할 수 있다.
휘도 변화율은 LED 패키지 내에 상기 봉지재 조성물을 디스펜싱(dispensing)하여 조립하고, 조립된 LED 패키지에 85℃, 85RH%, 정격전류의 1.5배 가속 조건에서 전류를 공급하면서 적분구(spectroradiometers)를 사용하여 휘도를 측정하고 초기 휘도와 비교한다.
투습률과 산소투과도는 실시예 1 내지 5와 비교예 1, 2에 따른 봉지재 조성물을 몰드 내에 주사기를 사용하여 주입하고 130℃에서 5분 동안 경화 및 170℃에서 4시간 동안 추가 경화하여 경화물을 형성한 후 이를 MOCON 사의 투습도 장비(ASTM F-1249, ASTM D-3985)를 사용하여 측정하였다.
그 결과는 표 1과 같다.
실시예1 실시예2 실시예3 실시예4 실시예5 비교예1 비교예2
경화후 투과도(%) 99 99 99 99 83 99 52
Die shear 3.9 4.5 6.6 7.2 7.2 1.8 7.0
박리율(개수) 3/100 0/100 0/100 0/100 0/100 13/100 0/100
휘도열화율 77 92 95 98 95 50 95
투습률
(gm/㎡day)		 6.1 5.4 4.0 3.8 3.6 7.5 3.5
산소투과도
(cc/㎡day)		 382 336 250 244 241 393 237
표 1을 참고하면, 실시예 1 내지 5에 따른 봉지재 조성물은 경화 후 투과도가 우수할 뿐만 아니라 접착력(Die shear 및 박리율), 휘도열화율, 투습률 및 산소투과도 모두 비교예 1, 2에 따른 봉지재 조성물과 비교하여 현저하게 개선된 것을 확인할 수 있다. 반면, 비교예 1에 따른 봉지재 조성물은 Die shear 및 박리율이 낮은 것으로 확인되어 접착력이 크게 떨어지는 것을 확인할 수 있고 휘도 열화율, 투습률 및 산소투과도 또한 낮은 것을 확인할 수 있다. 비교예 2에 따른 봉지재 조성물은 접착력 등은 개선된 것으로 보이지만 경화 후의 투과도가 극히 낮아 봉지재로 사용하기에 적합하지 않은 것을 확인할 수 있다.
이로부터 접착촉진제에서 에폭시기의 함유량이 봉지재의 물리적 특성에 영향을 미치는 것을 확인할 수 있고, 약 2.0 내지 5.0 mmol/g의 에폭시기를 가지는 접착촉진제를 사용한 경우, 봉지재의 투과도, 접착력, 휘도 변화율, 투습률 및 산소투과도를 동시에 만족하는 현저한 효과가 있음을 확인할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.
110: 몰드 120: 프레임
140: 발광 다이오드 칩 150: 본딩 와이어
190: 형광체 200: 봉지재

Claims (17)

  1. 하기 화학식 1로 표현되고 2.0 내지 5.0 mmol/g의 에폭시 기를 가지는 접착촉진제,
    말단에 규소 결합된 수소(Si-H)를 가지는 적어도 1종의 제1 폴리실록산, 그리고
    말단에 규소 결합된 알케닐 기(Si-Vi)를 가지는 적어도 1종의 제2 폴리실록산
    을 포함하는 봉지재 조성물:
    [화학식 1]
    (R1R2R3SiO1 /2)M1(R4R5SiO2 /2)D1(R6SiO3 /2)T1(R7SiO3 /2)T2(SiO4 /2)Q1
    상기 화학식 1에서,
    R1　내지 R7은 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 에폭시기 함유 유기기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 카르보닐기 또는 이들의 조합이고,
    R1　내지 R7 중 적어도 하나는 에폭시기 함유 유기기이고,
    0≤M1<1, 0<D1<1, 0≤T1<1, 0≤T2<1, 0≤Q1<1이고,
    M1+D1+T1+T2+Q1=1이다.
  2. 제1항에서,
    상기 R4　및 R5 중 적어도 하나는 에폭시기 함유 유기기인 봉지재 조성물.
  3. 제1항에서,
    상기 R1　내지 R7 중 적어도 하나는 수소 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기를 포함하는 봉지재 조성물.
  4. 제1항에서,
    상기 봉지재 조성물은 0.100 내지 0.250 mmol/g의 에폭시 기를 가지는 봉지재 조성물.
  5. 제1항에서,
    상기 접착촉진제는 상기 봉지재 조성물의 총 함량에 대하여 0.5 내지 10 중량%로 포함되어 있는 봉지재 조성물.
  6. 제1항에서,
    제1 폴리실록산은 하기 화학식 2로 표현되는 봉지재 조성물:
    [화학식 2]
    (R8R9R10SiO1 /2)M2(R11R12SiO2 /2)D2(R13SiO3 /2)T3(SiO3 /2-Y1-SiO3 /2)T4(SiO4 /2)Q2
    상기 화학식 2에서,
    R8　내지 R13은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 카르보닐기, 히드록시기 또는 이들의 조합이고,
    R8　내지 R13　중 적어도 하나는 수소를 포함하고,
    Y1은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐렌기 또는 이들의 조합이고,
    0<M2<1, 0≤D2<1, 0≤T3<1, 0≤T4<1, 0≤Q2<1이고,
    M2+D2+T3+T4+Q2=1이다.
  7. 제1항에서,
    상기 제2 폴리실록산은 하기 화학식 3으로 표현되는 봉지재 조성물:
    [화학식 3]
    (R14R15R16SiO1 /2)M3(R17R18SiO2 /2)D3(R19SiO3 /2)T5(SiO3 /2-Y2-SiO3 /2)T6(SiO4 /2)Q3
    상기 화학식 3에서,
    R14　내지 R19는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 카르보닐기, 히드록시기 또는 이들의 조합이고,
    R14 내지 R19　중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기를 포함하고,
    Y2는 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐렌기 또는 이들의 조합이고,
    0<M3<1, 0≤D3<1, 0≤T5<1, 0≤T6<1, 0≤Q3<1이고,
    M3+D3+T5+T6+Q3=1이다.
  8. 제1항에서,
    상기 제1 폴리실록산 및 제2 폴리실록산은 상기 봉지재 조성물의 총 함량에 대하여 각각 10 내지 40 중량%와 60 내지 90 중량%로 포함되어 있는 봉지재 조성물.
  9. 하기 화학식 1로 표현되는 접착촉진제,
    말단에 규소 결합된 수소(Si-H)를 가지는 적어도 1종의 제1 폴리실록산, 그리고
    말단에 규소 결합된 알케닐 기(Si-Vi)를 가지는 적어도 1종의 제2 폴리실록산
    을 포함하고,
    0.100 내지 0.250 mmol/g의 에폭시 기를 가지는 봉지재 조성물:
    [화학식 1]
    (R1R2R3SiO1 /2)M1(R4R5SiO2 /2)D1(R6SiO3 /2)T1(R7SiO3 /2)T2 (SiO4 /2)Q1
    상기 화학식 1에서,
    R1　내지 R7은 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 에폭시기 함유 유기기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 카르보닐기 또는 이들의 조합이고,
    R1　내지 R7 중 적어도 하나는 에폭시기 함유 유기기이고,
    0≤M1<1, 0<D1<1, 0≤T1<1, 0≤T2<1, 0≤Q1<1이고,
    M1+D1+T1+T2+Q1=1이다.
  10. 제9항에서,
    상기 R4　및 R5 중 적어도 하나는 에폭시기 함유 유기기인 봉지재 조성물.
  11. 제9항에서,
    상기 R1　내지 R7 중 적어도 하나는 수소 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기를 포함하는 봉지재 조성물.
  12. 제9항에서,
    상기 접착촉진제는 상기 봉지재 조성물의 총 함량에 대하여 0.5 내지 10 중량%로 포함되어 있는 봉지재 조성물.
  13. 제9항에서,
    제1 폴리실록산은 하기 화학식 2로 표현되는 봉지재 조성물:
    [화학식 2]
    (R8R9R10SiO1 /2)M2(R11R12SiO2 /2)D2(R13SiO3 /2)T3(SiO3 /2-Y1-SiO3 /2)T4(SiO4 /2)Q2
    상기 화학식 2에서,
    R8　내지 R13은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 카르보닐기, 히드록시기 또는 이들의 조합이고,
    R8　내지 R13　중 적어도 하나는 수소를 포함하고,
    Y1은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐렌기 또는 이들의 조합이고,
    0<M2<1, 0≤D2<1, 0≤T3<1, 0≤T4<1, 0≤Q2<1이고,
    M2+D2+T3+T4+Q2=1이다.
  14. 제9항에서,
    상기 제2 폴리실록산은 하기 화학식 3으로 표현되는 봉지재 조성물:
    [화학식 3]
    (R14R15R16SiO1 /2)M3(R17R18SiO2 /2)D3(R19SiO3 /2)T5(SiO3 /2-Y2-SiO3 /2)T6(SiO4 /2)Q3
    상기 화학식 3에서,
    R14　내지 R19는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 카르보닐기, 히드록시기 또는 이들의 조합이고,
    R14 내지 R19　중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기를 포함하고,
    Y2는 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐렌기 또는 이들의 조합이고,
    0<M3<1, 0≤D3<1, 0≤T5<1, 0≤T6<1, 0≤Q3<1이고,
    M3+D3+T5+T6+Q3=1이다.
  15. 제9항에서,
    상기 제1 폴리실록산 및 제2 폴리실록산은 상기 봉지재 조성물의 총 함량에 대하여 각각 10 내지 40중량%와 60 내지 90중량%로 포함되어 있는 봉지재 조성물.
  16. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 따른 봉지재 조성물을 경화하여 얻은 봉지재.
  17. 제16항에 따른 봉지재를 포함하는 전자 소자.




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