JP2014060330A5 - - Google Patents
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- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 description 1
- 230000002999 depolarising Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Description
<従来の構成との比較>
(従来方法)
図6は従来の圧電体膜(真性PZT)のPr−Eヒステリシス特性を示す図である。横軸は電界(単位は[kV/cm])、縦軸は残留分極(単位は[μC/cm2])を示す。図6に示すように、従来のPZT膜のPr−Eヒステリシス特性は、原点に対して概ね対称である。
(従来方法)
図6は従来の圧電体膜(真性PZT)のPr−Eヒステリシス特性を示す図である。横軸は電界(単位は[kV/cm])、縦軸は残留分極(単位は[μC/cm2])を示す。図6に示すように、従来のPZT膜のPr−Eヒステリシス特性は、原点に対して概ね対称である。
図7及び図8は、従来の圧電膜(PZT)を用いた電子機器の製造プロセスの手順を示したフローチャートである。図7はシリコン(Si)デバイス加工後に分極処理を実施するフロー、図8はPZT膜形成直後に分極処理を実施するフローである。
その一方、ジャイロセンサなどのセンサ用途の場合は、負極側の抗電界よりも小さい微小な電圧(例えば、1V以下又は0.5V以下といった小さい電圧)で駆動される。脱分極した際に、この微小な電圧の駆動電圧の印加では分極状態を元に戻すことはできないが、従来のPZTと比較して抗電界の絶対値が非常に小さいため、1Vから数V程度の比較的低い電圧印加での分極処理(分極状態の回復を行う処理であり、「リフレッシュ処理」という。)が可能である。一般的なデバイス駆動用のASICの電源は、5V或いは3V程度であるため、デバイス駆動用のASICの出力電圧程度で十分に分極(分極状態の回復)処理が可能である。
(工程3):その後、下部電極の上にNbドープPZT膜(圧電体膜42)を形成する(ステップS214、「圧電体膜形成工程」)。例えば、下部電極の上に、NbをドープしたPZT薄膜(符号42)を500℃の成膜温度にてスパッタ法により、2μmの膜厚で形成する。
最終商品が出来上がるまでのプロセス中に、分極処理(図7のステップS220、図8のステップS215に相当する処理)は不要となっている。
このように偏り率が大きい圧電体を使用することで、最終製品になった後からも、低い電圧(例えば、5V以下)で分極処理することが可能である。本実施形態によれば、デバイスの長期間使用後にリフレッシュ処理を行い、デバイスの感度を安定させることができる。また、高温下などの厳しい環境において使用した後に脱分極した場合に、リフレッシュ処理を行い、分極状態を元に戻すことができる。
すなわち、圧電デバイス10は、駆動用の圧電素子20、22を所定の駆動電圧で駆動したときに検出用の圧電素子26から出力される検出電圧が基準値よりも低い場合にリフレッシュ電圧印加回路36からセンサ素子部28に電圧を印加する制御回路38を備える。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012205691A JP5756786B2 (ja) | 2012-09-19 | 2012-09-19 | 圧電デバイス及びその使用方法 |
PCT/JP2013/074215 WO2014045914A1 (ja) | 2012-09-19 | 2013-09-09 | 圧電デバイス及びその使用方法 |
EP13840021.3A EP2899766B1 (en) | 2012-09-19 | 2013-09-09 | Piezoelectric device and method for using same |
TW102133380A TW201414026A (zh) | 2012-09-19 | 2013-09-14 | 壓電元件及其使用方法 |
US14/661,114 US9437801B2 (en) | 2012-09-19 | 2015-03-18 | Piezoelectric device and method for using same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012205691A JP5756786B2 (ja) | 2012-09-19 | 2012-09-19 | 圧電デバイス及びその使用方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014060330A JP2014060330A (ja) | 2014-04-03 |
JP2014060330A5 true JP2014060330A5 (ja) | 2015-04-16 |
JP5756786B2 JP5756786B2 (ja) | 2015-07-29 |
Family
ID=50341229
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012205691A Expired - Fee Related JP5756786B2 (ja) | 2012-09-19 | 2012-09-19 | 圧電デバイス及びその使用方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9437801B2 (ja) |
EP (1) | EP2899766B1 (ja) |
JP (1) | JP5756786B2 (ja) |
TW (1) | TW201414026A (ja) |
WO (1) | WO2014045914A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012111972A1 (de) * | 2012-12-07 | 2014-06-12 | Epcos Ag | Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils |
JP6258241B2 (ja) * | 2015-02-27 | 2018-01-10 | 富士フイルム株式会社 | 圧電アクチュエータ |
WO2016190110A1 (ja) * | 2015-05-25 | 2016-12-01 | コニカミノルタ株式会社 | 圧電薄膜、圧電アクチュエータ、インクジェットヘッド、インクジェットプリンタおよび圧電アクチュエータの製造方法 |
JP2017094615A (ja) | 2015-11-25 | 2017-06-01 | 株式会社リコー | 液体吐出ヘッド、液体吐出ユニット及び液体を吐出する装置 |
KR101823628B1 (ko) * | 2016-11-17 | 2018-01-31 | 한국과학기술원 | 압전체 편극 장치 및 이를 이용한 편극 방법 |
JP6972768B2 (ja) * | 2017-08-22 | 2021-11-24 | 株式会社デンソー | 可変焦点ミラーシステム |
JP7201603B2 (ja) * | 2017-09-12 | 2023-01-10 | 日本碍子株式会社 | 圧電素子の製造方法 |
US11730058B2 (en) * | 2018-09-20 | 2023-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Integrated heater (and related method) to recover degraded piezoelectric device performance |
US11456330B2 (en) * | 2019-08-07 | 2022-09-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Fatigue-free bipolar loop treatment to reduce imprint effect in piezoelectric device |
US11439015B2 (en) * | 2019-10-10 | 2022-09-06 | International Business Machines Corporation | Surface mount device placement to control a signal path in a printed circuit board |
JP7316927B2 (ja) * | 2019-12-05 | 2023-07-28 | 富士フイルム株式会社 | 圧電memsデバイス、製造方法および駆動方法 |
JP7316926B2 (ja) * | 2019-12-05 | 2023-07-28 | 富士フイルム株式会社 | 圧電memsデバイス、製造方法および駆動方法 |
JP2022040711A (ja) | 2020-08-31 | 2022-03-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 圧力センサ |
JP2023038732A (ja) * | 2021-09-07 | 2023-03-17 | 株式会社東芝 | 磁気ディスク装置及びマイクロアクチュエータのバイアス電圧及び駆動電圧の切り替え方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0482309A (ja) | 1990-07-24 | 1992-03-16 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電体の分極方法 |
JPH082309A (ja) | 1994-06-20 | 1996-01-09 | Kyokuto Kaihatsu Kogyo Co Ltd | 貨物自動車における牽引装置 |
JP3805837B2 (ja) * | 1996-08-12 | 2006-08-09 | トヨタ自動車株式会社 | 角速度検出装置 |
KR100883374B1 (ko) * | 2001-04-06 | 2009-02-11 | 리코 프린팅 시스템즈 가부시키가이샤 | 예비분사장치 및 예비분사장치를 갖추는 잉크젯 기록장치 |
US7230597B2 (en) * | 2001-07-13 | 2007-06-12 | Tpo Hong Kong Holding Limited | Active matrix array devices |
JP3788759B2 (ja) * | 2001-11-02 | 2006-06-21 | リコープリンティングシステムズ株式会社 | インクジェットプリンタ用ライン型記録ヘッド |
JP4288908B2 (ja) * | 2002-07-26 | 2009-07-01 | リコープリンティングシステムズ株式会社 | インクジェット記録装置 |
US7141911B2 (en) * | 2002-11-15 | 2006-11-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Driving method of piezoelectric actuator, piezoelectric actuator, and disk recording and reproducing apparatus using the same |
JP4487536B2 (ja) * | 2002-11-15 | 2010-06-23 | パナソニック株式会社 | 圧電体アクチュエータの駆動方法および圧電体アクチュエータ並びにこれを用いたディスク記録再生装置 |
JP4403707B2 (ja) * | 2003-03-25 | 2010-01-27 | リコープリンティングシステムズ株式会社 | インク滴吐出状態検知装置及びインクジェット記録装置 |
JP2004338326A (ja) * | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Kyocera Corp | インクジェット記録装置およびその制御方法 |
JP2005340631A (ja) | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Sony Corp | 圧電素子部品及び電子装置 |
JP2007040879A (ja) | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Nec Tokin Corp | 圧電振動ジャイロ用振動子の分極方法 |
JPWO2009157189A1 (ja) * | 2008-06-27 | 2011-12-08 | パナソニック株式会社 | 圧電体素子とその製造方法 |
JP5497394B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2014-05-21 | 富士フイルム株式会社 | 圧電アクチュエータとその駆動方法、液体吐出装置、圧電型超音波振動子 |
JP5506031B2 (ja) | 2009-12-28 | 2014-05-28 | 富士フイルム株式会社 | アクチュエータ素子の駆動方法、及びデバイス検査方法 |
JP5506035B2 (ja) * | 2010-02-23 | 2014-05-28 | 富士フイルム株式会社 | アクチュエータの製造方法 |
JP4775502B2 (ja) | 2010-10-28 | 2011-09-21 | パナソニック株式会社 | 角速度センサ素子 |
-
2012
- 2012-09-19 JP JP2012205691A patent/JP5756786B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-09-09 WO PCT/JP2013/074215 patent/WO2014045914A1/ja active Application Filing
- 2013-09-09 EP EP13840021.3A patent/EP2899766B1/en not_active Not-in-force
- 2013-09-14 TW TW102133380A patent/TW201414026A/zh unknown
-
2015
- 2015-03-18 US US14/661,114 patent/US9437801B2/en active Active
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