JP2014057124A5 - - Google Patents

Claims (25)

1. 単結晶からなる圧電基板と、
   それぞれが前記圧電基板の素子面に設けられた素子及び配線電極と、
   前記素子面において空間を介して前記素子を覆うカバー体と、
   前記圧電基板の背面と側面及び前記カバー体の側面を覆う第１の絶縁体と、
   前記カバー体の上面と前記第１の絶縁体の上面を覆う第２の絶縁体と、
   前記第２の絶縁体を貫通して前記配線電極に接続された接続電極と、
   前記接続電極に接続された端子電極と
   を備えた弾性表面波デバイス。
2. 前記カバー体は、前記配線電極に電気的に接続された金属層を含む請求項１記載の弾性表面波デバイス。
3. 前記接続電極は前記金属層を介して前記配線電極に接続される請求項２記載の弾性表面波デバイス。
4. 前記第１及び第２の絶縁体はそれぞれ、無機フィラー及び熱硬化性の樹脂成分を含有する請求項１記載の弾性表面波デバイス。
5. 前記無機フィラーの含有率は、前記第２の絶縁体の方が前記第１の絶縁体よりも低い請求項４記載の弾性表面波デバイス。
6. 前記第１の絶縁体の熱膨張係数を前記第２の絶縁体の熱膨張係数よりも前記圧電基板の熱膨張係数に近づけた請求項１記載の弾性表面波デバイス。
7. 前記第１の絶縁体を前記カバー体の側面よりも上方に突出させた請求項１記載の弾性表面波デバイス。
8. 前記第１の絶縁体は前記カバー体の上面の一部を覆った請求項１記載の弾性表面波デバイス。
9. 前記カバー体は、
   第１面が前記空間に面しかつ第２面が前記金属層に接する箔体と、
   前記素子を囲む枠体と
   をさらに含む請求項２に記載の弾性表面波デバイス。
10. 前記枠体は、
    前記箔体に接する第１上面部分と、
    前記第２絶縁体に接する第２上面部分と、
    前記金属層に接する第１側面部分と、
    前記第１絶縁体に接する第２側面部分と
    を含む請求項９に記載の弾性表面波デバイス。
11. 前記枠体は、前記配線電極に接する第１下面部分をさらに含む請求項１０に記載の弾性表面波デバイス。
12. 前記枠体は、前記圧電基板に接する第２下面部分をさらに含む請求項１１に記載の弾性表面波デバイス。
13. 前記枠体は、前記第１絶縁体に接する第３上面部分をさらに含む請求項１０に記載の弾性表面波デバイス。
14. 圧電体単結晶からなるウエハの素子面上に素子と配線電極を複数個形成する工程と、
    前記素子面上に前記素子を囲む枠体を形成する工程と、
    第１の金属層を有する箔体と補強材とが接合された補強材付き箔体を準備する工程と、
    前記補強材付き箔体の箔体側の面を前記枠体の上面に接着して補強材付きウエハを形成する工程と、
    前記補強材付きウエハを前記ウエハの背面からダイシングすることにより前記ウエハを個片に切断するとともに前記補強材に非貫通の溝を形成する第１のダイシングを行う工程と、
    前記ウエハの背面及び前記第１のダイシングにより形成されたダイシング溝を覆う第１の絶縁体を形成する工程と、
    前記第１の絶縁体を設けた補強材付きウエハから前記補強材を剥離する工程と、
    前記補強材を剥離したウエハの前記第１の金属層をパターニングする工程と、
    前記パターニングした第１の金属層の上に第２の金属層を形成する工程と、
    前記ウエハの前記第２の金属層を形成した面を覆うように第２の絶縁体を形成する工程と、
    前記第２の絶縁体を貫通して前記配線電極に接続される接続電極を形成する工程と、
    前記接続電極に接続される端子電極を形成する工程と、
    前記第１のダイシング溝を前記第１のダイシング溝の幅よりも狭い幅でダイシングして前記ウエハを、側面に第１の絶縁体を有する個片に分割する第２のダイシングを行う工程と、
    を有する弾性表面波デバイスの製造方法。
15. 前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体はそれぞれ無機フィラーを含む請求項１４記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
16. 前記無機フィラーの含有率は、前記第２の絶縁体の方が前記第１の絶縁体よりを低い請求項１５記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
17. 前記第２の絶縁体を貫通して前記配線電極に接続される接続電極を形成する工程は、レーザー加工法を用いて前記第２の絶縁体に貫通穴を形成する請求項１４記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
18. 前記枠体の上面に箔体を接着する工程は、前記枠体の上面の接着性を用いて箔体と接着する請求項１４記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
19. 前記第１の絶縁体を形成する工程の前に、前記第１のダイシングによるダイシング溝の底部をエッチングする工程を設けた請求項１４記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
20. 前記第１のダイシングは、前記ダイシング溝の内面に前記枠体が露出するように行われる請求項１４記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
21. 前記第１の絶縁体の、前記ウエハの背面側の表面を平坦化する工程をさらに含む請求項１４記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
22. 前記平坦化は研磨処理によって達成される請求項２１記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
23. 前記補強材は金属箔を含む請求項１４記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
24. 前記補強材及び前記箔体は双方とも銅箔を含む請求項２３記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
25. 前記補強材はフッ素系樹脂を含む請求項１４記載の弾性表面波デバイスの製造方法。