JP5176603B2 - 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
2 櫛形電極
4 励振空間
5 外部電極
6 柱状電極
7 パッド電極
8 樹脂カバー
14 無機フィラー
Claims (6)
- 圧電基板と、この圧電基板上に設けられた櫛形電極およびパッド電極と、前記圧電基板上において前記櫛形電極上の励振空間を覆う樹脂カバーと、前記樹脂カバーの表面に設けられた外部電極と、前記樹脂カバーを貫通し前記パッド電極と前記外部電極を接続する柱状電極を備え、前記樹脂カバーを形成する樹脂は無機フィラーを含有し、前記樹脂カバーの表面は前記無機フィラーが脱落した凹部を有し、前記外部電極は前記樹脂カバーの表面において前記凹部を埋めるように形成した弾性表面波デバイス。
- 前記外部電極はチタンからなる下地層と、前記下地層の表面に形成した銅電極層とを有する請求項1に記載の弾性表面波デバイス。
- 前記チタンからなる下地層および前記銅電極層はスパッタリングにより形成した請求項2に記載の弾性表面波デバイス。
- 圧電基板上に櫛形電極およびパッド電極を形成する工程と、前記パッド電極から上方に伸びる柱状電極を形成する工程と、前記圧電基板上において前記櫛形電極上の励振空間を覆う樹脂カバーを形成する工程と、前記樹脂カバーの上面を研削して前記柱状電極の上端面を露出させる工程と、前記柱状電極に接続される外部電極を前記樹脂カバーを研削した上面に設ける工程とを有する弾性表面波デバイスの製造方法において、前記樹脂カバーを構成する樹脂は無機フィラーを含有し、前記樹脂カバーの研削した上面は前記無機フィラーが脱落した凹部を有し、前記外部電極を形成する工程は、前記樹脂カバーの研削した上面にチタンからなる下地層をスパッタリングにより形成する工程と、前記下地層の表面に銅電極層をスパッタリングにより形成する工程とを含む弾性表面波デバイスの製造方法。
- 圧電基板上に櫛形電極およびパッド電極を形成する工程と、前記パッド電極から上方に伸びる柱状電極を形成する工程と、前記圧電基板上において前記櫛形電極上の励振空間を覆う樹脂カバーを形成する工程と、前記柱状電極に接続される外部電極を前記樹脂カバーの表面に設ける工程と、ダイヤモンド粒子を含有するダイシングブレードを用いて前記圧電基板を前記樹脂カバーとともにダイシングする工程とを有する弾性表面波デバイスの製造方法において、前記樹脂カバーを構成する樹脂は酸化ケイ素からなる無機フィラーを含有し、前記無機フィラーの平均粒径を前記ダイヤモンド粒子の平均粒径の半分より大きくした弾性表面波デバイスの製造方法。
- 前記樹脂カバーにおける前記無機フィラーの含有量を85〜95重量パーセントとした請求項5に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
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