JP2011527830A5 - - Google Patents

Claims (18)

1. 基準平面内に延在する幅および長さをもつ下方表面と、前記基準表面から離れている上方表面と、前記上方表面と下方表面との間に延在するエッジとを第１の金属線毎に有し、この第１の金属線の前記上方表面と前記下方表面との間の第１の距離がこの第１の金属線の厚さを画定する複数の第１の金属線と、
   前記第１の金属線の前記幅の方向に前記第１の金属線とインターリーブされる複数の第２の金属線であって、前記基準平面内に延在する幅および長さをもつ上方表面と、前記基準平面から離れている下方表面とを第２の金属線毎に有し、この第２の金属線の前記上方表面と前記下方表面との間の第２の距離がこの第２の金属線の厚さを画定する複数の第２の金属線と、
   前記第１の金属線のうちの金属線を前記第２の金属線のうちの隣接する金属線から分離する誘電体層と、
   を備え、前記第２の金属線のそれぞれが、当該第２の金属線の上方表面と下方表面との間に延在するエッジを有し、前記第１の金属線のうちの１つの金属線のエッジの１つと、前記第２の金属線のうちの１つの金属線の隣接するエッジの１つとの間隙が、隣接する前記第１の金属線の幅および前記第２の金属線の幅より小さい、超小型電子相互接続素子。
2. 前記第１の金属線と該第１の金属線に隣接する前記第２の金属線との間のピッチが前記第１の金属線のうちの隣接する金属線の間の第１のピッチより小さく、前記第２の金属線のうちの隣接する金属線の間の第２のピッチより小さくされている、請求項１に記載の超小型電子相互接続素子。
3. 前記第１のピッチは前記第１の金属線のうちの１つの金属線の幅の少なくとも約２倍に等しく、前記第２のピッチは前記第２の金属線のうちの１つの金属線の幅の少なくとも約２倍に等しく、前記第１の金属線の前記幅の方向で、前記第１の金属線のうちの少なくとも一部は、前記第２の金属線のうちの少なくとも一部から絶縁され、前記第１の金属線のうちの１つの前記幅より遙かに小さい幅で離間されている、請求項２に記載の超小型電子相互接続素子。
4. 前記第１の金属線および前記第２の金属線は、エッチングによって画定されている、請求項１に記載の超小型電子相互接続素子。
5. 前記第１の金属線および前記第２の金属線のうちの少なくとも一部は、めっきによって画定されている、請求項１に記載の超小型電子相互接続素子。
6. 前記第１の金属線の前記幅および前記第２の金属線の前記幅は、約６０ミクロン未満である、請求項１に記載の超小型電子相互接続素子。
7. 前記第１の金属線の前記幅および前記第２の金属線の前記幅は、最大で約２０ミクロンである、請求項１に記載の超小型電子相互接続素子。
8. 前記第１の金属線の前記幅および前記第２の金属線の前記幅は、最大で約１０ミクロンである、請求項１に記載の超小型電子相互接続素子。
9. 前記第１の金属線のうちの少なくとも一部が、前記第２の金属線のうちの少なくとも一部から分離され、前記第１の金属線のうちの１つの金属線の幅の１０％未満の間隔をおいている、請求項３に記載の超小型電子相互接続素子。
10. 前記基準平面の方向に延在する導電性パッドと、前記導電性パッドから前記誘電体層を通って延在する導電性ビアとをさらに備える、請求項１に記載の超小型電子相互接続素子。
11. 前記導電性ビアは中実金属バンプを含み、前記導電性パッドは、前記第１の金属線のうちの少なくとも１つに接続されている金属リングと、前記金属リング内部の導電性接合剤とを含み、前記中実金属バンプは、前記導電性接合剤に接合されている、請求項１０に記載の超小型電子相互接続素子。
12. 前記中実金属バンプは、エッチングされた金属バンプである、請求項１１に記載の超小型電子相互接続素子。
13. 前記金属リングおよび前記第１の金属線は、同じ金属層から形成されている、請求項１１に記載の超小型電子相互接続素子。
14. （ａ）第１の露出金属層および第２の露出金属層と、前記第１の金属層と前記第２の金属層との間に挟まれたエッチングバリア層とを含む積層素子を提供するステップと、
    （ｂ）前記第１の金属線を覆う誘電体層を形成するステップと、
    （ｃ）前記第２の露出金属層をエッチングすることを含むプロセスによって第２の金属線を画定するステップと、
    を含む、超小型電子相互接続素子を形成する方法。
15. エッチングバリア層は導電性であり、ステップ（ｂ）の前に前記第１の金属線の間の前記エッチングバリア層の一部分を除去するステップと、ステップ（ｃ）の後に前記第２の金属線の間の前記エッチングバリア層の一部分を除去するステップとをさらに含む、請求項１４に記載の超小型電子相互接続素子を形成する方法。
16. 前記第１の金属線のうちの金属線と前記第２の金属線のうちの隣接する金属線との間のピッチが、前記第１の露出金属層をエッチングすることにより得られる前記第１の金属線の間の第１のピッチより小さく、前記第２の露出金属層をエッチングすることにより得られる前記第２の金属線の間のピッチより小さくされる、請求項１４に記載の超小型電子相互接続素子を形成する方法。
17. （ａ）第１の厚さを有する第１の露出金属薄層と、前記第１の厚さより実質的に大きい第２の厚さを有する第２の露出金属層と、前記第１の金属層と前記第２の金属層との間に挟まれた剥離可能層と含む積層素子が与えられ、複数の第１の金属線を前記第１の金属層の第１の表面にめっきするステップと、
    （ｂ）前記第１の金属線を覆う誘電体層を形成するステップと、
    （ｃ）前記第１の金属層の第２の表面を露出させるため少なくとも前記第２の金属層および前記剥離可能層を除去するステップと、
    （ｄ）複数の第２の金属線を前記第１の金属層の前記第２の表面にめっきするステップと、
    （ｅ）前記第１の金属線と前記第２の金属線との間で露出した前記第１の金属層の少なくとも一部分を除去するステップと、
    を含む、超小型電子相互接続素子を形成する方法。
18. 前記第１の金属線のうちの金属線と前記第２の金属線のうちの隣接する金属線との間のピッチが、めっきすることにより得られる前記第１の金属線の間のピッチより小さく、めっきにより得られる前記第２の金属線の間のピッチより小さくされる、請求項１７に記載の超小型電子相互接続素子を形成する方法。