JP2014049580A

JP2014049580A - 配線基板

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Publication number: JP2014049580A
Application number: JP2012190774A
Authority: JP
Inventors: Yoichi Moriya; 要一守屋; Satoshi Ito; 悟志伊藤; Yuki Yamamoto; 祐樹山本; Yukihiro Yagi; 幸弘八木
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2012-08-31
Filing date: 2012-08-31
Publication date: 2014-03-17

Abstract

【課題】大電流化に対応することができる層間接続導体を有し、かつ層間接続導体と配線回路層の接合信頼性の高い配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板１０は絶縁層１２を含み、絶縁層１２を挟んで配線回路層としての第１の導電パターン１４および第２の導電パターン１８が形成される。第１の導電パターン１４および第２の導電パターン１８は、層間接続導体１６で接続される。第１および第２の導電パターン１４、１８および層間接続導体１６は、銅で形成される。層間接続導体１６は第１の導電パターン１４と一体的に形成され、層間接続導体１６の先端部と第２の導電パターン１８とが塑性変形を伴わずに接触する。銅と前記絶縁層の−４５℃〜１２５℃における平均熱膨張係数差が２ｐｐｍ／Ｋ以下である。
【選択図】図３

Description

この発明は、配線基板に関し、特にたとえば、絶縁層に配線パターンが形成された配線基板に関する。

配線基板は、絶縁層を挟んで配線パターンが形成され、絶縁層の両面の配線パターンが層間接続導体（ビアホール導体）で接続された構成を有する。このような配線基板において、層間接続導体は、一般的には、配線基板に貫通孔を設けて、貫通孔の内壁にメッキを施すことで形成される。この形成方法は、メッキ処理にかかる化学薬品が高価なこと、または、処理時間が長いことなどから生産性および経済性等に問題がある。

そこで、たとえば、配線基板の絶縁層に形成された貫通孔に金属粉末を含む導体ペーストを充填して層間接続導体を形成する方法がある。この方法では、層間接続導体を形成するために、貫通孔に導体ペーストを充填したのち、金属箔からなる配線回路層を押し付けることによって緻密化される。このとき、配線回路層の押し付けにより、絶縁層と配線回路層との隙間に層間接続導体用の導体ペーストが浸み出し、配線回路層と絶縁層との密着性が損なわれ、その結果、配線基板における導通不良が生じる恐れがある。

特許文献１には、層間接続導体用の導体ペーストが層間接続導体周辺に浸み出すことを防止し、配線回路層と絶縁層との密着不良を防止することができる配線基板が開示されている。図１０は、そのような配線基板の模式的な断面図である。図１０に示す配線基板１は、熱硬化性樹脂を含む絶縁層２ａ，２ｂが積層され、その表面に配線回路層３が埋設されている。

絶縁層２ａ，２ｂには、配線回路層３間を接続するための貫通孔が形成され、貫通孔には金属粉末を含む導体成分が充填されてなる層間接続導体４が形成されている。そして、配線回路層３には、層間接続導体４が埋設される窪み５が設けられている。この窪み５により、層間接続導体４のための導体ペーストが層間接続導体４周辺に浸み出すことが防止される。

また、電力変換用の配線基板おいては、大電流化に伴い、電力変換素子（パワー半導体）や電力配線から発生する熱の放熱性が要求されるため、熱伝導率の高い絶縁層からなる熱抵抗の低い配線基板が用いられる場合がある。絶縁層が樹脂材料で形成されている場合、絶縁樹脂に高熱伝導無機フィラーを配合、分散した樹脂材料が用いられる。高熱伝導フィラーとしては、たとえば、アルミナ、窒化アルミニウム、炭化ケイ素などが挙げられるが、いずれも熱膨張係数が小さいため、これらの高熱伝導無機フィラーを配合、分散して熱伝導率を高くした樹脂材料は、−４５〜１２５℃の平均熱膨張係数が８〜１４ｐｐｍ／Ｋと小さくなる。

このように絶縁層の熱膨張係数が小さくなると、配線として用いられる銅（−４５〜１２５℃の平均熱膨張係数：１６ｐｐｍ／Ｋ）との熱膨張係数差が生じ、配線基板の温度変化（加熱・冷却）に伴う膨張収縮により層間接続導体と配線回路層との接合部のような接合度の弱い部位が破断するという問題が生じる。

特開２００３−８２２５号公報

特許文献１の配線基板では、絶縁層に形成された貫通孔に導体ペーストを充填して層間接続導体を形成しているが、導体ペーストは金属粉末を含む樹脂であるため、層間接続導体中の金属成分が少なく、層間接続導体の抵抗値が大きくなる。そのため、配線基板として大電流化に対応することができないという問題がある。また、配線基板に温度変化が生じた場合においても、層間接続導体と配線回路層との接合部が破断しない配線基板が求められる。

それゆえに、この発明の主たる目的は、大電流化に対応することができる層間接続導体を有し、かつ層間接続導体と配線回路層の接合信頼性の高い配線基板を提供することである。

この発明は、絶縁層を挟んで配置される銅からなる第１の導電パターンおよび第２の導電パターンと、絶縁層を厚み方向に貫通して第１の導電パターンおよび第２の導電パターンを導通する銅からなる層間接続導体とを備え、層間接続導体が第１の導電パターンと一体的に形成されているとともに、層間接続導体の先端部が、層間接続導体および第２の導電パターンの塑性変形を伴わずに第２の導電パターンと接している配線基板において、銅と絶縁層の−４５℃〜１２５℃における平均熱膨張係数差が２ｐｐｍ／Ｋ以下であることを特徴とする、配線基板である。

配線回路層としての第１の導電パターンおよび第２の導電パターンを導通する層間接続導体が第１の導電パターンに一体形成され、層間接続導体の先端部が、層間接続導体および第２の導電パターンの塑性変形を伴わずに第２の導電パターンと接している。つまり、層間接続導体の先端部は、第２の導電パターンに単に接している状態となっている。

図１は、第１の導電パターン、第２の導電パターンおよび層間接続導体の構成の概略を示す図解図である。図１からわかるように、配線基板１０は、絶縁層１２を含む。絶縁層１２の一方主面には、板状の第１の導電パターン１４が形成される。第１の導電パターン１４から絶縁層１２を貫通するように、たとえば円柱状の層間接続導体１６が形成される。第１の導電パターン１４と層間接続導体１６とは、一体的に形成される。さらに、絶縁層１２の他方主面には、板状の第２の導電パターン１８が形成される。そして、層間接続導体１６の先端部が第２の導電パターン１８に接している。ここで、層間接続導体１６と第２の導電パターン１８との接触部に、塑性変形は生じていない。絶縁層１２は、たとえば絶縁樹脂で形成され、第１の導電パターン１４、層間接続導体１６および第２の導電パターン１８は、それぞれ銅で形成される。

配線基板１０に温度変化が生じると、絶縁樹脂からなる絶縁層１２、および銅からなる第１の導電パターン１４、層間接続導体１６、第２の導電パターン１８は膨張収縮する。このとき、絶縁樹脂と銅の熱膨張係数が同一であれば、層間接続導体１６の先端部と第２の導電パターン１８との接合部に応力は発生せず、配線基板１０の温度変化によって前記接合部の剥離、およびそれによる導通抵抗の上昇が生じることはない。しかしながら、絶縁樹脂と銅との間に熱膨張係数の差がある場合、層間接続導体１６の先端部と第２の導電パターン１８との接合部に応力が発生する。そのため、配線基板１０の温度変化により、前記接合部が剥離し、導通抵抗が上昇する。

図１に示す構成では、層間接続導体１６と第２の導電パターン１８とは接しているだけであり、これらの接合度は低い。しかしながら、絶縁層１２と銅との間において、−４５〜１２５℃における平均熱膨張係数の差が２ｐｐｍ／Ｋ以下であれば、配線基板１０の温度変化によって、層間接続導体１６の先端部と第２の導電パターン１８との接合部に発生する応力は小さく、前記接合部の剥離を防止することができる。

また、この発明は、絶縁層を挟んで配置される銅からなる第１の導電パターンおよび第２の導電パターンと、絶縁層を厚み方向に貫通して第１の導電パターンおよび第２の導電パターンを導通する銅からなる層間接続導体とを備え、層間接続導体が第１の導電パターンと一体的に形成されているとともに、層間接続導体の先端部が、層間接続導体および第２の導電パターンの塑性変形を伴って第２の導電パターンと接している配線基板において、銅と絶縁層の−４５℃〜１２５℃における平均熱膨張係数差が８ｐｐｍ／Ｋ以下であることを特徴とする、配線基板である。

この配線基板では、配線回路層としての第１の導電パターンおよび第２の導電パターンを導通する層間接続導体が第１の導電パターンに一体形成され、層間接続導体の先端部が、層間接続導体および第２の導電パターンの塑性変形を伴って第２の導電パターンと接している。つまり、層間接続導体の先端部は、第２の導電パターンにめり込んだ状態で接している。

図２は、第１の導電パターン、第２の導電パターンおよび層間接続導体の構成の概略を示す図解図である。図２からわかるように、配線基板３０は、絶縁層３２を含む。絶縁層３２の一方主面には、板状の第１の導電パターン３４が形成される。第１の導電パターン３４から絶縁層３２を貫通するように、たとえば円柱状の層間接続導体３６が形成される。第１の導電パターン３４と層間接続導体３６とは、一体的に形成される。さらに、絶縁層３２の他方主面には、板状の第２の導電パターン３８が形成される。そして、層間接続導体３６の先端部が第２の導電パターン３８に接している。ここで、層間接続導体３６と第２の導電パターン３８との接触部に塑性変形が生じており、層間接続導体３６の先端部が第２の導電パターン３８にめり込んだ状態で接している。絶縁層３２は、たとえば絶縁樹脂で形成され、第１の導電パターン３４、層間接続導体３６および第２の導電パターン３８は、それぞれ銅で形成される。

このような配線基板３０においても、図１に示す配線基板１０と同様に、絶縁層３２と銅との間で熱膨張係数が同一であれば、配線基板３０に温度変化が生じても、層間接続導体３６の先端部と第２の導電パターン３８との接合部に応力は発生せず、配線基板３０の温度変化によって前記接合部の剥離、およびそれによる導通抵抗の上昇が生じることはない。しかしながら、絶縁樹脂と銅との間に熱膨張係数の差がある場合、層間接続導体３６の先端部と第２の導電パターン３８との接合部に応力が発生する。この応力が大きい場合、配線基板３０の温度変化により、前記接合部が剥離し、導通抵抗が上昇する。

図２のような構成の場合、層間接続導体３６と第２の導電パターン３８との接合部に塑性変形が生じているため、前記接合部における接合度が高い。そのため、図１の構造に比べて、配線基板３０の温度変化によって層間接続導体３６の先端部と第２の導電パターン３８との接合部に発生する応力が多少大きくなっても、接合部に剥離が発生しにくい。図２のような構成の場合、絶縁層２２と銅との間において、−４５〜１２５℃における平均熱膨張係数の差が８ｐｐｍ／Ｋ以下であれば、配線基板３０の温度変化によって、層間接続導体３６の先端部と第２の導電パターン３８との接合部の剥離を防止することができる。

この発明によれば、銅を用いた層間接続導体で第１の導電パターンと第２の導電パターンとを接続しているため、大電流に対応することができる配線基板を得ることができる。また、導電パターンや層間接続導体を形成する銅と、絶縁層を形成する樹脂との間における平均熱膨張係数差を所定の範囲内とすることにより、配線基板の温度変化に対して、導電パターンと層間接続導体との間の接合信頼性の高い配線基板を得ることができる。

この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。

この発明の配線基板に用いられる第１の導電パターン、層間接続導体および第２の導電パターンの構造の一例を示す図解図である。この発明の配線基板に用いられる第１の導電パターン、層間接続導体および第２の導電パターンの構造の他の例を示す図解図である。図１に示す構造を有する配線基板を示す図解図である。図３に示す配線基板の製造方法を示す図解図である。表１に示す絶縁樹脂板を用いた絶縁層を有する配線基板の熱衝撃試験の結果を示すグラフである。図２に示す構造を有する配線基板を示す図解図である。図６に示す配線基板の製造方法を示す図解図である。表１に示す絶縁樹脂板を用いた絶縁層を有する配線基板の熱衝撃試験の結果を示すグラフである。表２に示す絶縁樹脂板を用いた絶縁層を有する配線基板の熱衝撃試験の結果を示すグラフである。従来の配線基板の一例を示す図解図である。

図３は、この発明の配線基板の一例を示す図解図である。配線基板１０は、板状の絶縁層１２を含む。絶縁層１２の材料としては、たとえば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂などが用いられるが、特に、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂は、硬化後の耐熱性に優れている点で好ましい。

絶縁層１２の一方主面には、配線回路層として、第１の導電パターン１４が形成される。第１の導電パターン１４から絶縁層１２を貫通するように、層間接続導体１６が形成される。層間接続導体１６は、第１の導電パターン１４と一体的に形成される。層間接続導体１６は、たとえば円柱状に形成されるが、角柱状などの他の形状に形成されてもよい。層間接続導体１６は、その先端部と絶縁層１２の他方主面とが同一面となるような高さに形成される。

また、絶縁層１２の他方主面には、配線回路層として、第２の導電パターン１８が形成される。第２の導電パターン１８は、絶縁層１２の他方主面上において、層間接続導体１６の先端部に接するように形成される。したがって、層間接続導体１６によって、第１の導電パターン１４と第２の導電パターン１８とが電気的に接続される。第１の導電パターン１４、層間接続導体１６および第２の導電パターン１８は、銅で形成される。

このような配線基板１０において、第１の導電パターン１４、層間接続導体１６および第２の導電パターン１８を形成している銅と、絶縁層１２との間において、−４５〜１２５℃における平均熱膨張係数差が２ｐｐｍ／Ｋ以下となるように形成される。

このような配線基板１０を作製するために、図４（ａ）に示すように、例えば厚さ０．４０ｍｍの銅板２０が準備される。銅板２０の両面には、厚さ１５μｍのレジスト膜２２が貼り付けられている。次に、図４（ｂ）に示すように、レジスト膜２２を貼り付けた銅板２０の片面に、直径が１．００ｍｍ、高さが０．２０ｍｍとなる円柱状の層間接続導体１６が残るようにして、エッチングが施される。なお、図４（ｂ）以降においては、レジスト膜２２は省略されている。

次に、厚さ０．２０ｍｍの絶縁樹脂板２４が準備され、図４（ｂ）で形成された層間接続導体１６の形成位置に合わせて、直径１．００ｍｍの孔が形成され、図４（ｃ）に示すように、層間接続導体１６が形成された銅板２０に積層配置される。この絶縁樹脂板２４が、図３の絶縁層１２になる。

次に、図４（ｄ）に示すように、絶縁樹脂板２４（絶縁層１２）の上面に、厚さ０．２０ｍｍの銅板２６を置き、その状態で、１８０℃で１時間積層形成される。これにより、銅板２０の被エッチング面および銅板２６と絶縁樹脂板２４とが接着されると同時に、層間接続導体１６の先端部と銅板２６とが接合される。

次に、図４（ｅ）に示すように、図４（ｄ）で得られた積層体の両面をサブトラクティブ法（銅板２０，２６の不要な部分を取り除いて回路を残す方法）によりパターン形成することにより、銅板２０部分に第１の導電パターン１４が形成され、銅板２６部分に第２の導電パターン１８が形成される。このように形成された第１の導電パターン１４、層間接続導体１６および第２の導電パターン１８は、図１に示すような構造を有している。このようにして、図３に示す配線基板１０が作製される。

なお、上述の例における各部の寸法等は一例であり、配線基板１０の用途に応じて、自由に設計変更することができる。また、銅板のエッチング、絶縁樹脂板の積層、銅板の積層、サブトラクティブ法によるパターン形成などの工程を繰り返すことにより、多層の配線基板を得ることができる。

上述のような作製方法を用いて、９００個の層間接続導体１６が直列に連結された配線基板１０を形成した。ここで、絶縁層１２に用いた絶縁樹脂板２４について、−４５〜１２５℃の平均熱膨張係数を表１に示した。また、銅板２０および銅板２６として、−４５〜１２５℃の平均熱膨張係数が１６．０ｐｐｍ／Ｋのものを用いた。

表１に示す平均熱膨張係数を有する絶縁樹脂板２４を用いて作製した配線基板について熱衝撃試験を行い、その結果を図５に示した。図５に示すグラフの縦軸は配線基板の電気抵抗値の変化率（％）を示し、横軸は熱衝撃試験におけるヒートサイクル数を示している。熱衝撃試験は、低温側保持温度を−４５℃、低温側保持時間を３０分とし、高温側保持温度を１２５℃、高温側保持時間を３０分とする、１サイクル６０分の条件で実施した。

図５からわかるように、銅板２０，２６との平均熱膨張係数差が２ｐｐｍ／Ｋ以下の絶縁樹脂板２４を用いて絶縁層１２を形成した配線基板１０の電気抵抗値は、ヒートサイクルに関係なく変化が認められない。それに対して、銅板２０，２６との平均熱膨張係数差が２ｐｐｍ／Ｋを超える絶縁樹脂板２４を用いて絶縁層１２を形成した配線基板１０の電気抵抗値は、ヒートサイクル数が大きくなると上昇する。

図３に示す配線基板１０は、層間接続導体１６と第２の導電パターン１８とが、塑性変形を伴わずに、接触のみによって接続されている。そのため、層間接続導体１６と第２の導電パターン１８との接合度が低く、層間接続導体１６と第２の導電パターン１８との接合部に発生する応力が大きくなると、前記接合部が剥離し、電気抵抗値が大きくなる。しかしながら、銅板２０，２６との平均熱膨張係数差が２ｐｐｍ／Ｋ以下の絶縁樹脂板２４を用いて絶縁層１２を形成した場合、層間接続導体１６と第２の導電パターン１８との接合部に発生する応力が小さく、前記接合部に剥離が生じないため、電気抵抗値の上昇がないものと考えられる。

また、図６は、この発明の配線基板の他の例を示す図解図である。配線基板３０は、板状の絶縁層３２を含む。絶縁層３２の一方主面には、第１の導電パターン３４が形成される。第１の導電パターン３４から絶縁層３２を貫通するように、層間接続導体３６が形成される。層間接続導体３６は、第１の導電パターン３４と一体的に形成される。層間接続導体３６は、たとえば円柱状に形成されるが、角柱状などの他の形状に形成されてもよい。

また、絶縁層３２の他方主面には、第２の導電パターン３８が形成される。第２の導電パターン３８は、絶縁層３２の他方主面上において、層間接続導体３６の先端部に接続される。ここで、層間接続導体３６と第２の導電パターン３８とは、塑性変形を伴って接合されている。つまり、第２の導電パターン３８に層間接続導体３６の先端部がめり込むように接合されている。この配線基板３０についても、図３に示す配線基板１０と同様に、第１の導電パターン３４、層間接続導体３６および第２の導電パターン３８は、銅で形成される。

このような配線基板３０において、第１の導電パターン３４、層間接続導体３６および第２の導電パターン３８を形成している銅と、絶縁層３２との間において、−４５〜１２５℃における平均熱膨張係数差が８ｐｐｍ／Ｋ以下となるように形成される。

このような配線基板３０を作製するために、例えば図７（ａ）に示すように、例えば厚さ０．５５ｍｍの銅板４０が準備される。銅板４０の両面には、厚さ１５μｍのレジスト膜４２が貼り付けられている。次に、図７（ｂ）に示すように、レジスト膜４２を貼り付けた銅板４０の片面に、直径が１．００ｍｍ、高さが０．３５ｍｍとなる円柱状の層間接続導体３６が残るようにして、エッチングが施される。なお、図７（ｂ）以降においては、レジスト膜４２は省略されている。

次に、厚さ０．２０ｍｍの絶縁樹脂板４４が準備され、図７（ｂ）で形成された層間接続導体３６の形成位置に合わせて、直径１．００ｍｍの孔が形成され、図７（ｃ）に示すように、層間接続導体３６が形成された銅板４０に積層配置される。この絶縁樹脂板４４が、図６の絶縁層３２になる。

次に、図７（ｄ）に示すように、絶縁樹脂板４４（絶縁層３２）の上面に、厚さ０．２０ｍｍの銅板４６を置き、その状態で、１８０℃、１００ＭＰａで１時間積層形成される。これにより、銅板４０の被エッチング面および銅板４６と絶縁樹脂板４４とが接着されると同時に、層間接続導体３６の先端部と銅板４６とが塑性変形を伴って接合される。

次に、図７（ｅ）に示すように、図７（ｄ）で得られた積層体の両面をサブトラクティブ法によりパターン形成することにより、銅板４０部分に第１の導電パターン３４が形成され、銅板４６部分に第２の導電パターン３８が形成される。このように形成された第１の導電パターン３４、層間接続導体３６および第２の導電パターン３８は、図２に示すような構造を有している。このようにして、図６に示す配線基板３０が作製される。

なお、上述の例における各部の寸法等は一例であり、配線基板３０の用途に応じて、自由に設計変更することができる。また、銅板のエッチング、絶縁樹脂板の積層、銅板の積層、サブトラクティブ法によるパターン形成などの工程を繰り返すことにより、多層の配線基板を得ることができる。

上述のような方法で作製された配線基板３０において、絶縁層３２として、表１に示されている平均熱膨張係数を有する絶縁樹脂板に加えて、表２に示されている平均熱膨張係数を有する絶縁樹脂板を使用して、熱衝撃試験を行った。

表１に示される平均熱膨張係数を有する絶縁樹脂板を用いた場合の結果を図８に示し、表２に示される平均熱膨張係数を有する絶縁樹脂板を用いた場合の結果を図９に示した。

図８および図９からわかるように、銅板４０，４６との平均熱膨張係数差が８ｐｐｍ／Ｋ以下の絶縁樹脂板４４を用いて絶縁層３２を形成した配線基板３０の電気抵抗値は、ヒートサイクルに関係なく変化が認められない。それに対して、銅板４０，４６との平均熱膨張係数差が８ｐｐｍ／Ｋを超える絶縁樹脂板４４を用いて絶縁層３２を形成した配線基板３０の電気抵抗値は、ヒートサイクル数が大きくなると上昇する。

図６に示す配線基板３０は、層間接続導体３６と第２の導電パターン３８とが、塑性変形を伴って接続されている。そのため、層間接続導体３６と第２の導電パターン３８との接合度が高く、図３に示す層間接続導体１６と第２の導電パターン１８とが接しているだけの配線基板１０に比べて、層間接続導体３６と第２の導電パターン３８との接合部に発生する応力が大きくなっても、前記接合部が剥離しにくい。図９からわかるように、銅板４０，４６との平均熱膨張係数差が８ｐｐｍ／Ｋ以下の絶縁樹脂板４４を用いて絶縁層３２を形成した場合、層間接続導体３６と第２の導電パターン３８との間に剥離が発生せず、電気抵抗値の上昇も認められない。

また、これらの配線基板１０，３０では、層間接続導体１６，３６が銅で形成されているため、導体ペーストなどのような金属成分の少ない材料を用いて層間接続導体を形成した場合に比べて、層間接続導体１６，３６の抵抗値が小さい。そのため、大電流化に対応することができる層間接続導体１６，３６を有する配線基板１０，３０を得ることができる。

１０、３０配線基板
１２、３２絶縁層
１４、３４第１の導電パターン
１６、３６層間接続導体
１８、３８第２の導電パターン

Claims

絶縁層を挟んで配置される銅からなる第１の導電パターンおよび第２の導電パターンと、前記絶縁層を厚み方向に貫通して前記第１の導電パターンおよび前記第２の導電パターンを導通する銅からなる層間接続導体とを備え、
前記層間接続導体が前記第１の導電パターンと一体的に形成されているとともに、前記層間接続導体の先端部が、前記層間接続導体および前記第２の導電パターンの塑性変形を伴わずに前記第２の導電パターンと接している配線基板において、
銅と前記絶縁層の−４５℃〜１２５℃における平均熱膨張係数差が２ｐｐｍ／Ｋ以下であることを特徴とする、配線基板。
絶縁層を挟んで配置される銅からなる第１の導電パターンおよび第２の導電パターンと、前記絶縁層を厚み方向に貫通して前記第１の導電パターンおよび前記第２の導電パターンを導通する銅からなる層間接続導体とを備え、
前記層間接続導体が前記第１の導電パターンと一体的に形成されているとともに、前記層間接続導体の先端部が、前記層間接続導体および前記第２の導電パターンの塑性変形を伴って前記第２の導電パターンと接している配線基板において、
銅と前記絶縁層の−４５℃〜１２５℃における平均熱膨張係数差が８ｐｐｍ／Ｋ以下であることを特徴とする、配線基板。