JP2014049145A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. 垂直磁気記録媒体に情報を記録するための記録磁界を発生する記録磁極と、
   前記記録磁極と隣接して設けられた高周波磁界発振素子とを備え、
   前記高周波磁界発振素子は、下地層と、前記下地層の上に設けられた第１の磁性層と、前記第１の磁性層の上に設けられた非磁性中間層と、前記非磁性中間層の上に設けられた第２の磁性層とを有し、
   前記非磁性中間層は、Ｃｕ，Ａｇ及びＡｕからなる第１の群から選ばれた少なくとも１種の元素を５０ａｔ％以上含み、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｉｒからなる第２の群から選ばれ、前記第１の群の元素とは重複しない少なくとも１種の元素を合計で０．１ａｔ％以上含む非磁性合金からなることを特徴とするマイクロ波アシスト磁気記録ヘッド。
2. 請求項１記載のマイクロ波アシスト磁気記録ヘッドにおいて、
   前記非磁性中間層は、前記第１の群から選ばれた元素を２種以上含むことを特徴とするマイクロ波アシスト磁気記録ヘッド。
3. 請求項１記載のマイクロ波アシスト磁気記録ヘッドにおいて、
   前記第１の磁性層と前記第２の磁性層の少なくとも一層がホイスラー合金からなることを特徴とするマイクロ波アシスト磁気記録ヘッド。
4. 請求項１記載のマイクロ波アシスト磁気記録ヘッドにおいて、
   前記第１の磁性層と前記第２の磁性層の少なくとも一層が、下記(a)の磁性薄膜と下記(b)の磁性薄膜を少なくともそれぞれ２層積層した磁性人工格子薄膜であることを特徴とするマイクロ波アシスト磁気記録ヘッド。
   (a)Ｃｏに０．１ａｔ％以上２０ａｔ％以下のＦｅを添加したＣｏＦｅ磁性合金薄膜、もしくは当該ＣｏＦｅ磁性合金を少なくとも５０％以上と、Ｃｕを除いた前記第２の群から選ばれた少なくとも１種の元素を合計で０．１ａｔ％以上、単独で２５ａｔ％以下含む磁性合金薄膜
   (b)Ｆｅに０．１ａｔ％以上７０ａｔ％以下のＣｏを添加したＦｅＣｏ磁性合金薄膜、もしくは当該ＦｅＣｏ磁性合金を少なくとも５０ａｔ％以上含み、Ｃｕを除いた前記第２の群から選ばれた少なくとも１種の元素を合計で０．１ａｔ％以上、単独で２５ａｔ％以下含む磁性合金薄膜
5. 請求項１記載のマイクロ波アシスト磁気記録ヘッドにおいて、
   前記下地層が、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｉｒからなる第２の群から選ばれた少なくとも１種の元素を５０ａｔ％以上含み、それと重複しない少なくとも１元素を０．１ａｔ％以上含むことを特徴とするマイクロ波アシスト磁気記録ヘッド。
6. 請求項１記載のマイクロ波アシスト磁気記録ヘッドにおいて、
   前記第２の磁性層に接し、非磁性中間層と反対側にキャップ層を有し、
   前記キャップ層は、前記第２の群から選ばれた少なくとも１種の元素を５０ａｔ％以上含み、それと重複しない少なくとも１元素を更に０．１ａｔ％以上含む薄膜であることを特徴とするマイクロ波アシスト磁気記録ヘッド。
7. 請求項１記載のマイクロ波アシスト磁気記録ヘッドにおいて、
   前記第１の磁性層と第２の磁性層の一方は膜面に垂直方向に磁気異方性軸を有するスピン注入層、他方は実効的に膜面内に磁化容易面を有する高周波磁界発生層であり、
   前記高周波磁界発生層から前記スピン注入層側に電流を流すことを特徴とするマイクロ波アシスト磁気記録ヘッド。
8. 請求項１記載のマイクロ波アシスト磁気記録ヘッドにおいて、
   前記非磁性中間層は、それに隣接する前記第１の磁性層及び前記第２の磁性層との格子定数のミスマッチが４％以下であることを特徴とするマイクロ波アシスト磁気記録ヘッド。
9. 請求項８記載のマイクロ波アシスト磁気記録ヘッドにおいて、
   前記格子定数のミスマッチが１．５％以下であることを特徴とするマイクロ波アシスト磁気記録ヘッド。
10. 請求項８記載のマイクロ波アシスト磁気記録ヘッドにおいて、
    前記下地層と前記第１の磁性層との格子定数のミスマッチが４％以下であることを特徴とするマイクロ波アシスト磁気記録ヘッド。
11. 垂直磁気記録媒体に情報を記録するための記録ヘッドと、一対の磁気シールド層の間に配置された磁気再生素子を備える再生ヘッドとを有し、
    前記磁気再生素子は、下地層と、前記下地層の上に設けられた第１の磁性層と、前記第１の磁性層の上に設けられた非磁性中間層と、前記非磁性中間層の上に設けられた第２の磁性層とを有し、
    前記非磁性中間層は、Ｃｕ，Ａｇ及びＡｕからなる第１の群から選ばれた少なくとも１種の元素を５０ａｔ％以上含み、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｉｒからなる第２の群から選ばれ、前記第１の群の元素とは重複しない少なくとも１種の元素を合計で０．１ａｔ％以上含む非磁性合金からなることを特徴とするマイクロ波アシスト磁気記録再生ヘッド。
12. 請求項１１記載のマイクロ波アシスト磁気記録再生ヘッドにおいて、
    前記非磁性中間層は、前記第１の群から選ばれた元素を２種以上含むことを特徴とするマイクロ波アシスト磁気記録再生ヘッド。
13. 請求項１１記載のマイクロ波アシスト磁気記録再生ヘッドにおいて、
    前記非磁性中間層は、それに隣接する前記第１の磁性層及び前記第２の磁性層との格子定数のミスマッチが４％以下であることを特徴とするマイクロ波アシスト磁気記録再生ヘッド。
14. 請求項１１記載のマイクロ波アシスト磁気記録再生ヘッドにおいて、
    前記第１の磁性層及び第２の磁性層の少なくとも一層がホイスラー合金であること、又は下記(1)の磁性薄膜と下記(2)の磁性薄膜を少なくともそれぞれ２層積層した磁性人工格子薄膜であることを特徴とするマイクロ波アシスト磁気記録再生ヘッド。
    (1)Ｃｏに０．１ａｔ％以上２０ａｔ％以下のＦｅを添加したＣｏＦｅ磁性合金薄膜、もしくは当該ＣｏＦｅ磁性合金を少なくとも５０％以上とＣｕを除いた前記第２の群から選ばれた少なくとも１種の元素を合計で０．１ａｔ％以上、単独で２５ａｔ％以下含む磁性合金薄膜
    (2)Ｆｅに０.１ａｔ％以上７０ａｔ％以下のＣｏを添加したＦｅＣｏ磁性合金薄膜、もしくは当該ＦｅＣｏ磁性合金を少なくとも５０ａｔ％以上含み、Ｃｕを除いた前記第２の群から選ばれた少なくとも１種の元素を合計で０．１ａｔ％以上、単独で２５ａｔ％以下含む磁性合金薄膜
15. 請求項１１記載のマイクロ波アシスト磁気記録再生ヘッドにおいて、
    前記非磁性中間層が、トンネルバリア層と非磁性合金層とで構成されていることを特徴とするマイクロ波アシスト磁気記録再生ヘッド。
16. 請求項１１記載のマイクロ波アシスト磁気記録再生ヘッドにおいて、
    前記磁気再生素子は、前記一対の磁気シールド層の素子高さ方向奥側に配置されていることを特徴とするマイクロ波アシスト磁気記録再生ヘッド。
17. 垂直磁気記録媒体と、
    前記垂直磁気記録媒体を駆動する媒体駆動部と、
    前記垂直磁気記録媒体に対して情報の記録再生を行う磁気ヘッドと、
    前記磁気ヘッドを前記垂直磁気記録媒体に対して位置決めするヘッド駆動部と、
    前記磁気ヘッドの動作を制御・処理する処理部とを備え、
    前記磁気ヘッドは、
    記録磁界を発生する記録磁極と、
    前記記録磁極と隣接して設けられた高周波磁界発振素子とを備え、
    前記高周波磁界発振素子は、下地層と、前記下地層の上に設けられた第１の磁性層と、前記第１の磁性層の上に設けられた非磁性中間層と、前記非磁性中間層の上に設けられた第２の磁性層とを有し、
    前記非磁性中間層は、Ｃｕ，Ａｇ及びＡｕからなる第１の群から選ばれた少なくとも１種の元素を５０ａｔ％以上含み、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｉｒからなる第２の群から選ばれ、前記第１の群の元素とは重複しない少なくとも１種の元素を合計で０．１ａｔ％以上含む非磁性合金からなる
    ことを特徴とする磁気記憶装置。
18. 請求項１７記載の磁気記憶装置において、
    前記下地層が、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｉｒからなる第２の群から選ばれた少なくとも１種の元素を５０ａｔ％以上含み、それと重複しない少なくとも１元素を０．１ａｔ％以上含むことを特徴とする磁気記憶装置。
19. 請求項１７記載の磁気記憶装置において、
    前記非磁性中間層は、それに隣接する前記第１の磁性層及び前記第２の磁性層との格子定数のミスマッチが４％以下であることを特徴とする磁気記憶装置。
20. 請求項１７記載の磁気記憶装置において、
    前記第１の磁性層及び第２の磁性層の少なくとも一層がホイスラー合金であること、又は下記(1)の磁性薄膜と下記(2)の磁性薄膜を少なくともそれぞれ２層積層した磁性人工格子薄膜であることを特徴とする磁気記憶装置。
    (1)Ｃｏに０．１ａｔ％以上２０ａｔ％以下のＦｅを添加したＣｏＦｅ磁性合金薄膜、もしくは当該ＣｏＦｅ磁性合金を少なくとも５０％以上とＣｕを除いた前記第２の群から選ばれた少なくとも１種の元素を合計で０．１ａｔ％以上、単独で２５ａｔ％以下含む磁性合金薄膜
    (2)Ｆｅに０.１ａｔ％以上７０ａｔ％以下のＣｏを添加したＦｅＣｏ磁性合金薄膜、もしくは当該ＦｅＣｏ磁性合金を少なくとも５０ａｔ％以上含み、Ｃｕを除いた前記第２の群から選ばれた少なくとも１種の元素を合計で０．１ａｔ％以上、単独で２５ａｔ％以下含む磁性合金薄膜