JP2014045066A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】アルゴン(Ar)ガスを流して、Tiペースト処理を行い、このTiペースト処理後、窒素ガスの流量比が75%以上となるようにアルゴンガスと窒素ガスを流してターゲットの窒化を促進し、その後アルゴン(Ar)ガスと窒素(N2)ガスを流してTiN膜の成膜を行う。
【選択図】図2
Description
段落0011に、「プラズマ処理によるTiNの成膜プロセスにおいて、防着シールド板からの剥離異物抑制のためにTiを数μmペーストする必要がある」旨の記載がある。
段落0064と段落0065に、「TiNが連続的にシールドに付着していくとTiN膜の応力が高く且つシールドとの密着性が弱いため膜ハガレが発生してパーティクルとなるためにTiスパッタを行い膜ハガレを防止する」、「Ti膜はシールド、TiN膜との密着性が高くTiN膜のハガレ防止の効果(壁塗り効果)がある」旨の記載がある。
特許文献2においても、前記特許文献1と同様に、Tiペースト後のTiN膜成膜処理特にTiペースト直後の1〜2ロットの製品ウエハへのTiN膜スパッタ時に、TiN膜の膜厚が目標とする膜厚以上に成膜されてしまう場合がある。
その他の課題と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
すなわち、Tiペースト処理後の製品ウエハへのTiN膜成膜工程で目標とする膜厚を有するTiN膜の成膜処理を達成することができる。
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明する。しかし、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、応用例、詳細説明、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等(個数、数値、量、範囲等を含む)に言及する場合、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。ただし、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除く。
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素(要素ステップ等も含む)は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。ただし、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除く。このことは、上記数等(個数、数値、量、範囲等を含む)についても同様である。
なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一または関連する符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
図1は、実施の形態1に係わるスパッタ処理工程を示す概略図面であり、(a)はTiペースト処理工程を示し、(b)はTiN膜処理工程を示す概略図である。
図1に示すように、陰極7とそれと対向する陽極8とこれらを囲むシールド板3を有するチャンバーを有し、前記陰極7に高圧電源2が接続されるスパッタ装置を用いてスパッタ処理が成される。
次に図1(b)に示すように陽極8上からダミーウエハ6を除いた後、製品ウエハ11を陽極8上に設置し、チャンバー内にはアルゴン、窒素ガスを導入し、このガスをプラズマ化9して、プラズマ化されたアルゴンイオンをTiターゲット1にぶつけて製品ウエハ11上にTiN膜10を成膜する。
図7は、実施の形態2に係わるスパッタ処理工程でのTiペースト処理工程のスパッタ処理条件を示す図である。図7に示すように、ステップ(STEP)1〜6工程を有し、ステップ(STEP)1、2で95sccmのアルゴン(Ar)ガスを流して、Tiペースト処理を行う、この時の時間とパワーは図7に示す通りである。そして、ステップ(STEP)3で真空引きを行う。
2:高圧電源
3:シールド板
4:アルゴンガスプラズマ
5:Ti薄膜
6:ダミーウエハ
7:陰極
8:陽極
9:アルゴン、窒素ガスプラズマ
10:TiN膜
11:製品ウエハ
41、43、62:アルミニウム配線
42、44、61:反射防止膜(TiN膜)
63:埋め込み金属
64:層間絶縁膜
65:Nウエル
66:高融点金属のシリサイド層
67:素子分離領域(STI)
68:ソース領域
69:ドレイン領域
70:Pウエル
71:ゲート領域
72:バリアメタル
73:シリコン基板
Claims (8)
- チャンバー内のシールド板にTiペースト処理を行なうステップを有するスパッタ処理工程により半導体ウエハ上に絶縁膜を成膜する半導体装置の製造方法であって、前記Tiペースト後チャンバー内に多量の窒素ガスを導入して、ターゲットの窒化を促進し、その後アルゴンガス、窒素ガスをチャンバー内に導入してそれらをプラズマ化してTiN膜を前記半導体ウエハ上に成膜する半導体装置の製造方法。
- 前記Tiペースト後チャンバー内に導入する多量の窒素ガスはTiN膜成膜時の窒素ガス流量よりも多い請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記多量の窒素ガスを導入して、ターゲットの窒化を促進した後チャンバー内を真空引きする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記Tiペースト後チャンバー内を真空引きしその後チャンバー内に多量の窒素ガスを導入して、ターゲットの窒化を促進する請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記Tiペースト後チャンバー内にはアルゴンガスも導入する請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記Tiペースト後チャンバー内に導入される窒素ガスとアルゴンガスの比は、窒素が70%以上である請求項5記載の半導体装置の製造方法。
- 前記TiN膜は、金属配線の反射防止膜として形成される請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記TiN膜は、埋め込み金属63のバリアメタルとして形成される請求項1記載の半導体装置の製造方法。
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Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0536633A (ja) * | 1991-07-29 | 1993-02-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH05121358A (ja) * | 1991-10-28 | 1993-05-18 | Matsushita Electron Corp | 高融点金属膜の製造方法 |
JPH05299376A (ja) * | 1992-04-17 | 1993-11-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH08144057A (ja) * | 1994-11-21 | 1996-06-04 | Mitsubishi Electric Corp | TiN薄膜の形成方法 |
JPH0967671A (ja) * | 1995-08-29 | 1997-03-11 | Ulvac Japan Ltd | TiN膜製造方法 |
JPH09268367A (ja) * | 1996-04-01 | 1997-10-14 | Hitachi Ltd | プラズマ処理による薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
JPH11150085A (ja) * | 1997-11-14 | 1999-06-02 | Nec Corp | 成膜装置および成膜方法 |
JPH11162873A (ja) * | 1997-11-21 | 1999-06-18 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2002302763A (ja) * | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Anelva Corp | スパッタリング装置 |
WO2011117916A1 (ja) * | 2010-03-24 | 2011-09-29 | キヤノンアネルバ株式会社 | 電子デバイスの製造方法およびスパッタリング方法 |
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0536633A (ja) * | 1991-07-29 | 1993-02-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH05121358A (ja) * | 1991-10-28 | 1993-05-18 | Matsushita Electron Corp | 高融点金属膜の製造方法 |
JPH05299376A (ja) * | 1992-04-17 | 1993-11-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH08144057A (ja) * | 1994-11-21 | 1996-06-04 | Mitsubishi Electric Corp | TiN薄膜の形成方法 |
JPH0967671A (ja) * | 1995-08-29 | 1997-03-11 | Ulvac Japan Ltd | TiN膜製造方法 |
JPH09268367A (ja) * | 1996-04-01 | 1997-10-14 | Hitachi Ltd | プラズマ処理による薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
JPH11150085A (ja) * | 1997-11-14 | 1999-06-02 | Nec Corp | 成膜装置および成膜方法 |
JPH11162873A (ja) * | 1997-11-21 | 1999-06-18 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2002302763A (ja) * | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Anelva Corp | スパッタリング装置 |
WO2011117916A1 (ja) * | 2010-03-24 | 2011-09-29 | キヤノンアネルバ株式会社 | 電子デバイスの製造方法およびスパッタリング方法 |
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