JP2014024984A - 半導体接着用熱硬化型樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】(A)数平均分子量500以上30000以下で、かつ分子骨格中に二重結合を有する炭化水素化合物又はその誘導体からなるオリゴマーと、(B)エチレン性不飽和基を有する重合性モノマーと、(C)ラジカル重合触媒と、(D)リビングラジカル重合で形成された主鎖を有している数平均分子量(Mn)が5000以上40000以下の液状テレケリックアクリルポリマーと、(E)充填材と、を必須成分とする半導体接着用熱硬化型樹脂組成物、及び該熱硬化型樹脂組成物を用いて得られた半導体装置。
【選択図】なし
Description
本発明の半導体装置は、本発明の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を用いて公知の方法により製造でき、例えば、半導体素子と基板との間に上記樹脂組成物を介して接着、固定することにより行われる。例えば、本発明の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を介して半導体素子をその支持部材であるリードフレームにマウントし、半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を加熱硬化させた後、リードフレームのリード部と半導体素子上の電極とをワイヤボンディングにより接続し、次いで、これらを封止樹脂を用いて封止することにより製造することができる。ボンディングワイヤとしては、例えば、銅、金、アルミ、金合金、アルミ−シリコン等からなるワイヤが例示される。また、導電性ペーストを硬化させる際の温度は、通常、150〜250℃であり、0.5〜2間程度加熱することが好ましい。
表1の配合に従って各成分を混合し、ロールで混練し、半導体接着用の樹脂ペーストを得た。得られた半導体接着用樹脂ペーストを以下の方法で評価した。その結果を表1に示す。なお、この実施例及び比較例で用いた材料は、下記の通りである。
(B)成分:2−メタクリロイロキシエチルコハク酸(共栄社化学(株)製、商品名:ライトエステルHO−MS)
(C)成分:ジクミルパーオキサイド(日本油脂(株)製、商品名:パークミルD)
(D)成分:テレケリックポリアクリレート((株)カネカ製、商品名:カネカXMAP RC100C;一般式(1)で表される化合物のR1がC4H9基、R2が水素原子、Xが(C)で表されるアクリロイル基である。)
(E)成分:銀粉(粒径 0.1〜30μm、平均粒径 3μm、フレーク状)
シリカ粉(平均粒径 3μm、最大粒径 20μm、球状)
(その他):カップリング剤(信越化学工業(株)製、商品名:KBM−403;アルコキシシラン)
[粘度]:E型粘度計(3°コーン)を用いて、25℃、2.5rpmでの値を測定した。
測定条件は以下の通りである。
・測定温度:−100〜300℃
・昇温速度:5℃/分
・周波数:10Hz
・荷重:100mN
ここで、25℃における貯蔵弾性率を弾性率とし5000MPa以下の場合を合格とした。弾性率の単位はMPaである。
・チップサイズ:6mm×6mm(表面アルミ配線のみ)
・リードフレーム:銅
・封止材の成形:175℃、2分間
・ポストモールドキュアー:175℃、8時間
Claims (5)
- (A)数平均分子量500以上30000以下で、かつ分子骨格中に二重結合を有する炭化水素化合物またはその誘導体からなるオリゴマーと、
(B)エチレン性不飽和基を有する重合性モノマーと、
(C)ラジカル重合触媒と、
(D)リビングラジカル重合で形成された主鎖を有している数平均分子量(Mn)が5000以上40000以下の液状テレケリックアクリルポリマーと、
(E)充填剤と、
を含有することを特徴とする半導体接着用熱硬化型樹脂組成物。 - 前記(A)成分が室温で液状であり、かつ1分子内に少なくとも1つのアクリル基またはメタクリル基を有することを特徴とする請求項1記載の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物。
- 前記(A)成分と(B)成分との質量比が10/90〜90/10であることを特徴とする請求項1または2記載の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物。
- 前記(A)成分と(B)成分の合計量100質量部に対し、前記(D)成分を1〜200質量部含有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物。
- 請求項1乃至4のいずれか1項記載の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物により、半導体素子を半導体素子支持部材上に接着してなることを特徴とする半導体装置。
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