JP2003124237A - ダイアタッチペースト及び半導体装置 - Google Patents
ダイアタッチペースト及び半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐半田クラック性に優れた半導体接着用ダイ
アタッチペーストを提供する。 【解決手段】 （Ａ）（メタ）アクリル変性水素添加型
ポリブタジエン、（Ｂ）１分子内に少なくとも１つのメ
タクリル基或いはアクリル基を有する化合物、（Ｃ）ラ
ジカル重合触媒及び（Ｄ）充填材よりなるダイアタッチ
ペーストであり、（Ａ）と（Ｂ）との重量比が９０／１
０から１０／９０であるダイアタッチペーストである。
また、前記の半導体接着用ダイアタッチペーストを用い
て制作された半導体装置である。
アタッチペーストを提供する。 【解決手段】 （Ａ）（メタ）アクリル変性水素添加型
ポリブタジエン、（Ｂ）１分子内に少なくとも１つのメ
タクリル基或いはアクリル基を有する化合物、（Ｃ）ラ
ジカル重合触媒及び（Ｄ）充填材よりなるダイアタッチ
ペーストであり、（Ａ）と（Ｂ）との重量比が９０／１
０から１０／９０であるダイアタッチペーストである。
また、前記の半導体接着用ダイアタッチペーストを用い
て制作された半導体装置である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体接着用ダイ
アタッチペースト及び半導体装置に関するものである。
アタッチペースト及び半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年半導体装置の生産量は増加の一途を
たどっており、これに伴い製造コストの削減は重要な課
題となっている。半導体素子とリードフレームの接合方
法として、金−シリコン共晶体等の無機材料を接着剤と
して用いる方法があるが、コストが高く、また熱応力に
より半導体素子の破壊が起こることもあるため、有機材
料等に充填剤を分散させたダイアタッチペースト（ペー
スト状の接着剤）を使用する方法が主流となっている。
たどっており、これに伴い製造コストの削減は重要な課
題となっている。半導体素子とリードフレームの接合方
法として、金−シリコン共晶体等の無機材料を接着剤と
して用いる方法があるが、コストが高く、また熱応力に
より半導体素子の破壊が起こることもあるため、有機材
料等に充填剤を分散させたダイアタッチペースト（ペー
スト状の接着剤）を使用する方法が主流となっている。
【０００３】一方、半導体装置としての信頼性は、特に
耐半田クラック性が重要であるが、半導体素子とリード
フレームの接着に用いられるダイアタッチペーストに
も、半導体装置の耐半田クラック性を向上させるため、
半導体素子とリードフレームとの線膨張率の差を緩和す
るために低弾性率化が求められている。従来から、ゴム
等の低応力物質を使用したダイアタッチペーストが知ら
れているが、半導体装置の耐半田クラック性を向上させ
るため、更に低弾性率化したダイアタッチペーストが求
められている。
耐半田クラック性が重要であるが、半導体素子とリード
フレームの接着に用いられるダイアタッチペーストに
も、半導体装置の耐半田クラック性を向上させるため、
半導体素子とリードフレームとの線膨張率の差を緩和す
るために低弾性率化が求められている。従来から、ゴム
等の低応力物質を使用したダイアタッチペーストが知ら
れているが、半導体装置の耐半田クラック性を向上させ
るため、更に低弾性率化したダイアタッチペーストが求
められている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、低弾性率の
半導体接着用ダイアタッチペースト及び耐半田クラック
性に優れた半導体装置を提供するものである。
半導体接着用ダイアタッチペースト及び耐半田クラック
性に優れた半導体装置を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）（メ
タ）アクリル変性水素添加型ポリブタジエン、（Ｂ）１
分子内に少なくとも１つのメタクリル基或いはアクリル
基を有する化合物、（Ｃ） ラジカル重合触媒、（Ｄ）
充填剤を必須条件とするダイアタッチペーストである。
更に好ましい形態としては、（Ａ）と（Ｂ）との重量比
が９０／１０から１０／９０であるダイアタッチペース
トである。また、上記のダイアタッチペーストを用いて
製作された半導体装置である。
タ）アクリル変性水素添加型ポリブタジエン、（Ｂ）１
分子内に少なくとも１つのメタクリル基或いはアクリル
基を有する化合物、（Ｃ） ラジカル重合触媒、（Ｄ）
充填剤を必須条件とするダイアタッチペーストである。
更に好ましい形態としては、（Ａ）と（Ｂ）との重量比
が９０／１０から１０／９０であるダイアタッチペース
トである。また、上記のダイアタッチペーストを用いて
製作された半導体装置である。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明に用いられる（メタ）アク
リル変性水素添加型ポリブタジエン（Ａ）は、ダイアタ
ッチペーストの硬化物に柔軟性を付与するもので、柔軟
性のある硬化物は広い温度領域で良好な接着性を発現す
ることを見出した。例えば、架橋密度を高めた柔軟性の
ない硬化物では、硬化物の凝集力は高いが、リードフレ
ーム或いはダイとの界面での良好な接着力を発現するこ
とは難しい。
リル変性水素添加型ポリブタジエン（Ａ）は、ダイアタ
ッチペーストの硬化物に柔軟性を付与するもので、柔軟
性のある硬化物は広い温度領域で良好な接着性を発現す
ることを見出した。例えば、架橋密度を高めた柔軟性の
ない硬化物では、硬化物の凝集力は高いが、リードフレ
ーム或いはダイとの界面での良好な接着力を発現するこ
とは難しい。
【０００７】本発明に用いられる１分子内に少なくとも
１つのメタクリル基或いはアクリル基を有する化合物
（Ｂ）は、（Ａ）成分のみであると粘度が上昇してダイ
アタッチペーストとしての作業性が悪くなるため、
（Ｂ）成分を添加するとダイアタッチペーストの粘度が
調整され、作業性を改善できることを見出した。またメ
タクリル基或いはアクリル基を有することで（Ａ）成分
との相溶性が増し、更に硬化性の向上が望めることを見
出した。
１つのメタクリル基或いはアクリル基を有する化合物
（Ｂ）は、（Ａ）成分のみであると粘度が上昇してダイ
アタッチペーストとしての作業性が悪くなるため、
（Ｂ）成分を添加するとダイアタッチペーストの粘度が
調整され、作業性を改善できることを見出した。またメ
タクリル基或いはアクリル基を有することで（Ａ）成分
との相溶性が増し、更に硬化性の向上が望めることを見
出した。
【０００８】（Ｂ）成分としては、例えば、脂環式（メ
タ）アクリル酸エステル、脂肪族（メタ）アクリル酸エ
ステル、芳香族（メタ）アクリル酸エステル等が挙げら
れ、具体的には、１、６−ヘキサンジオールジメタクリ
レート、１、９−ノナンジオールジメタクリレート、ラ
ウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、フェノ
キシエチルメタクリレート等があるが、これらに限定さ
れるものではない。これらのものは、単独でも混合して
も用いることが出来る。
タ）アクリル酸エステル、脂肪族（メタ）アクリル酸エ
ステル、芳香族（メタ）アクリル酸エステル等が挙げら
れ、具体的には、１、６−ヘキサンジオールジメタクリ
レート、１、９−ノナンジオールジメタクリレート、ラ
ウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、フェノ
キシエチルメタクリレート等があるが、これらに限定さ
れるものではない。これらのものは、単独でも混合して
も用いることが出来る。
【０００９】本発明に用いられる（Ａ）成分の配合量
は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計重量中に１０〜９０
重量％含まれるものが好ましく、より好ましくは３０〜
８０重量％である。１０重量％未満であると接着性が悪
くなり、９０重量％を越えるとダイアタッチペーストの
粘度が高くなり、作業性に問題を生じるので好ましくな
い。本発明に用いられる（Ｂ）成分の配合量は、（Ａ）
成分と（Ｂ）成分の合計重量中に１０〜９０重量％含ま
れるものが好ましい。１０重量％未満であるとダイアタ
ッチペーストの粘度が高く作業性が悪くなり、９０重量
％を越えると接着性に問題が生じるので好ましくない。
は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計重量中に１０〜９０
重量％含まれるものが好ましく、より好ましくは３０〜
８０重量％である。１０重量％未満であると接着性が悪
くなり、９０重量％を越えるとダイアタッチペーストの
粘度が高くなり、作業性に問題を生じるので好ましくな
い。本発明に用いられる（Ｂ）成分の配合量は、（Ａ）
成分と（Ｂ）成分の合計重量中に１０〜９０重量％含ま
れるものが好ましい。１０重量％未満であるとダイアタ
ッチペーストの粘度が高く作業性が悪くなり、９０重量
％を越えると接着性に問題が生じるので好ましくない。
【００１０】本発明に用いられるラジカル重合触媒
（Ｃ）は、通常ラジカル重合に用いられている触媒であ
れば特に限定しないが、望ましいものとしては、急速加
熱試験（試料１ｇを電熱板の上に乗せ、４℃／分で昇温
したときの分解開始温度）における分解温度が４０〜１
４０℃となるものが望ましい。分解温度が４０℃未満だ
と、ダイアタッチペーストの常温における保存性が悪く
なり、１４０℃を越えると硬化時間が極端に長くなるた
め好ましくない。
（Ｃ）は、通常ラジカル重合に用いられている触媒であ
れば特に限定しないが、望ましいものとしては、急速加
熱試験（試料１ｇを電熱板の上に乗せ、４℃／分で昇温
したときの分解開始温度）における分解温度が４０〜１
４０℃となるものが望ましい。分解温度が４０℃未満だ
と、ダイアタッチペーストの常温における保存性が悪く
なり、１４０℃を越えると硬化時間が極端に長くなるた
め好ましくない。
【００１１】これを満たす触媒の具体例としては、例え
ば、1，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−２−メチ
ルシクロヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシネオデカノエ
ート、ジクミルパーオキサイド等が挙げられるが、これ
らは単独でも或いは硬化性を制御するために２種類以上
を混合して用いてもよい。更に、ダイアタッチペースト
の保存性を向上するために各種の重合禁止剤を予め添加
しておくことも可能である。ラジカル重合触媒（Ｃ）の
配合量は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計重量１００重
量部に対して、0．１〜１０重量部が好ましい。１０重
量部を越えるとダイアタッチペーストの粘度の経時変化
が大きくなり作業性に問題を生じ、0．１重量部未満で
あると硬化性が著しく低下するので好ましくない。
ば、1，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−２−メチ
ルシクロヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシネオデカノエ
ート、ジクミルパーオキサイド等が挙げられるが、これ
らは単独でも或いは硬化性を制御するために２種類以上
を混合して用いてもよい。更に、ダイアタッチペースト
の保存性を向上するために各種の重合禁止剤を予め添加
しておくことも可能である。ラジカル重合触媒（Ｃ）の
配合量は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計重量１００重
量部に対して、0．１〜１０重量部が好ましい。１０重
量部を越えるとダイアタッチペーストの粘度の経時変化
が大きくなり作業性に問題を生じ、0．１重量部未満で
あると硬化性が著しく低下するので好ましくない。
【００１２】本発明に用いられる充填剤（Ｄ）として
は、例えば、銀粉、金粉、ニッケル粉、銅粉等の導電性
フィラー、窒化アルミニウム、炭酸カルシウム、シリ
カ、アルミナ等の絶縁フィラーが挙げられ、導電性フィ
ラーとしては銀粉、絶縁フィラーとしてはシリカが好ま
しい。これらの充填剤の配合量は、特に限定されない
が、全ダイアタッチペースト中２０〜９５重量％が好ま
しい。２０重量％未満であると接着強度が低下する傾向
があり、９５重量％を越えるとダイアタッチペーストの
粘度が増大し、ダイアタッチペーストの作業性が低下す
る傾向にあるので好ましくない。
は、例えば、銀粉、金粉、ニッケル粉、銅粉等の導電性
フィラー、窒化アルミニウム、炭酸カルシウム、シリ
カ、アルミナ等の絶縁フィラーが挙げられ、導電性フィ
ラーとしては銀粉、絶縁フィラーとしてはシリカが好ま
しい。これらの充填剤の配合量は、特に限定されない
が、全ダイアタッチペースト中２０〜９５重量％が好ま
しい。２０重量％未満であると接着強度が低下する傾向
があり、９５重量％を越えるとダイアタッチペーストの
粘度が増大し、ダイアタッチペーストの作業性が低下す
る傾向にあるので好ましくない。
【００１３】銀粉は、導電性を付与するために用いら
れ、ハロゲンイオン、アルカリ金属イオン等のイオン性
不純物の含有量は１０ｐｐｍ以下であることが好まし
い。又銀粉の形状としては、フレーク状、樹枝状、球状
等が用いられる。必要とするダイアタッチペーストの粘
度により、使用する銀粉の形状は異なるが、通常平均粒
径は２〜１０μｍ、最大粒径は５０μｍ以下のものが好
ましい。平均粒径が２μｍ以下であるとダイアタッチペ
ーストの粘度が高くなり、１０μｍを越えると塗布又は
硬化時に樹脂分が流出するのでブリードが発生するため
好ましくない。最大粒径が５０μｍを越えるとディスペ
ンサーでダイアタッチペーストを塗布するときに、ニー
ドル詰まりを起こすため好ましくない。又比較的粗い銀
粉と細かい銀粉とを混合して用いることもでき、形状に
ついても各種のものを便宜混合してもよい。
れ、ハロゲンイオン、アルカリ金属イオン等のイオン性
不純物の含有量は１０ｐｐｍ以下であることが好まし
い。又銀粉の形状としては、フレーク状、樹枝状、球状
等が用いられる。必要とするダイアタッチペーストの粘
度により、使用する銀粉の形状は異なるが、通常平均粒
径は２〜１０μｍ、最大粒径は５０μｍ以下のものが好
ましい。平均粒径が２μｍ以下であるとダイアタッチペ
ーストの粘度が高くなり、１０μｍを越えると塗布又は
硬化時に樹脂分が流出するのでブリードが発生するため
好ましくない。最大粒径が５０μｍを越えるとディスペ
ンサーでダイアタッチペーストを塗布するときに、ニー
ドル詰まりを起こすため好ましくない。又比較的粗い銀
粉と細かい銀粉とを混合して用いることもでき、形状に
ついても各種のものを便宜混合してもよい。
【００１４】絶縁フィラーの一つであるシリカは、平均
粒径１〜２０μｍで最大粒径５０μｍ以下のものが好ま
しい。２０μｍを越えると、塗布又は硬化時に樹脂分が
流出するのでブリードが発生するため好ましくない。最
大粒径が５０μｍを越えるとディスペンサーでダイアタ
ッチペーストを塗布するときに、ニードル詰まりを起こ
すために好ましくない。更に、比較的粗いシリカと細か
いシリカを混合して用いることもでき、形状についても
各種のものを適宜混合してもよい。
粒径１〜２０μｍで最大粒径５０μｍ以下のものが好ま
しい。２０μｍを越えると、塗布又は硬化時に樹脂分が
流出するのでブリードが発生するため好ましくない。最
大粒径が５０μｍを越えるとディスペンサーでダイアタ
ッチペーストを塗布するときに、ニードル詰まりを起こ
すために好ましくない。更に、比較的粗いシリカと細か
いシリカを混合して用いることもでき、形状についても
各種のものを適宜混合してもよい。
【００１５】本発明におけるダイアタッチペーストに
は、必要によりカップリング剤、消泡剤、界面活性剤、
エラストマー等の添加剤を用いることができる。本発明
のダイアタッチペーストの製造方法としては、例えば、
各原料を予備混合し、三本ロール等を用いて混練した
後、真空下脱泡することによって、ダイアタッチペース
トを得る方法がある。本発明のダイアタッチペーストを
用いて半導体装置を製作する方法は、公知の方法を用い
ることができる。
は、必要によりカップリング剤、消泡剤、界面活性剤、
エラストマー等の添加剤を用いることができる。本発明
のダイアタッチペーストの製造方法としては、例えば、
各原料を予備混合し、三本ロール等を用いて混練した
後、真空下脱泡することによって、ダイアタッチペース
トを得る方法がある。本発明のダイアタッチペーストを
用いて半導体装置を製作する方法は、公知の方法を用い
ることができる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明を実施例で具体的に説明する。
＜実施例１、２及び比較例１、２＞（Ａ）成分として、
アクリル変性水素添加型ポリブタジエン（数平均分子
量：約２２５０、日本曹達（株）製、ＴＥＡＩ−１００
０）、（Ｂ）成分として、１、６−ヘキサンジオールジ
メタクリレート（共栄社化学（株）製、ライトエステル
１，６ＨＸ）、（Ｃ）成分として、１、１−ビス（ｔ−
ブチルパーオキシ）３、３、５−トリメチルシクロヘキ
サン（急速加熱試験における分解温度：１０９℃、日本
油脂（株）製、パーヘキサ３Ｍ）、（Ｄ）成分としてフ
レーク状銀粉（平均粒径３μｍ、最大粒径２０μｍ）、
カップリング剤としてアルコキシシラン（信越化学工業
（株）製、ＫＢＭ−４０３Ｅ）、粉砕シリカ（平均粒径
３μｍ、最大粒径２０μｍ）を表１の割合で混合し、三
本ロールを用いて混練し、脱泡後ダイアタッチペースト
を得た。得られたダイアタッチペーストを以下の方法に
より評価した。なお比較例では、ビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂（エポキシ当量１８０、室温で液状）、クレ
ジルグリシジルエーテル（エポキシ当量１８５、以下Ｃ
ＧＥ）、フェノールノボラック樹脂（水酸基当量１０
４、軟化点８５℃、以下ＰＮ）、２−フェニル２、５−
ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業（株）
製、キュアゾール２ＰＨＺ）、アクリル変性ポリブタジ
エン（数平均分子量：約１０００、日本石油化学（株）
製、ＭＭ−１０００−８０）を使用した。
アクリル変性水素添加型ポリブタジエン（数平均分子
量：約２２５０、日本曹達（株）製、ＴＥＡＩ−１００
０）、（Ｂ）成分として、１、６−ヘキサンジオールジ
メタクリレート（共栄社化学（株）製、ライトエステル
１，６ＨＸ）、（Ｃ）成分として、１、１−ビス（ｔ−
ブチルパーオキシ）３、３、５−トリメチルシクロヘキ
サン（急速加熱試験における分解温度：１０９℃、日本
油脂（株）製、パーヘキサ３Ｍ）、（Ｄ）成分としてフ
レーク状銀粉（平均粒径３μｍ、最大粒径２０μｍ）、
カップリング剤としてアルコキシシラン（信越化学工業
（株）製、ＫＢＭ−４０３Ｅ）、粉砕シリカ（平均粒径
３μｍ、最大粒径２０μｍ）を表１の割合で混合し、三
本ロールを用いて混練し、脱泡後ダイアタッチペースト
を得た。得られたダイアタッチペーストを以下の方法に
より評価した。なお比較例では、ビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂（エポキシ当量１８０、室温で液状）、クレ
ジルグリシジルエーテル（エポキシ当量１８５、以下Ｃ
ＧＥ）、フェノールノボラック樹脂（水酸基当量１０
４、軟化点８５℃、以下ＰＮ）、２−フェニル２、５−
ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業（株）
製、キュアゾール２ＰＨＺ）、アクリル変性ポリブタジ
エン（数平均分子量：約１０００、日本石油化学（株）
製、ＭＭ−１０００−８０）を使用した。
【００１７】＜評価方法＞
・粘度：Ｅ型粘度計（３°コーン）を用い２５℃、２．
５ｒｐｍでの値を測定し粘度とした。 ・接着強度：６×６ｍｍのシリコンチップをペーストを
用いて銅フレームにマウントし、１７５℃中３０分間オ
ーブン中で硬化した。硬化後、ポストキュア(１７５
℃、８時間)を行い、更に８５℃、相対湿度８５％、７
２時間吸湿処理した後、マウント強度測定装置を用いて
２６０℃での熱時ダイシェア強度を測定した。 ・弾性率：フッ素樹脂系シート上に半導体用樹脂ペース
トを幅１０ｍｍ、長さ約１５０ｍｍ、厚さ１００μｍに
塗布し、１７５℃のオーブン中で３０分間硬化した後、
引っ張り試験機を用いて２５℃及び２６０℃、試験長１
００ｍｍ、引っ張り速度１ｍｍ／６０秒（２５℃）、１
０ｍｍ／６０秒（２６０℃）で測定し、得られた応力−
ひずみ曲線の初期勾配から弾性率を算出した。 ・耐パッケージクラック性：６×６ｍｍのシリコンチッ
プをペーストを用いて銅フレームにマウントし、１７５
℃中３０分間オーブン中で硬化した。これをエポキシ樹
脂封止材料を用い、下記の条件で成形したパッケージを
８５℃、相対湿度８５％、１６８時間吸湿処理した後、
ＩＲリフロー処理（２６０℃、１０秒）を行い、パッケ
ージの断面観察により内部クラックの数を測定して耐パ
ッケージクラック性の指標とした。 パッケージ：８０ｐＱＦＰ（１４ｘ２０ｘ２ｍｍ厚さ） チップサイズ：６ｘ６ｍｍ（表面アルミ配線のみ） リードフレーム：銅 封止材の成形：１７５℃、２分間 ポストモールドキュアー：１７５℃、８時間 全パッケージ数：１２個
５ｒｐｍでの値を測定し粘度とした。 ・接着強度：６×６ｍｍのシリコンチップをペーストを
用いて銅フレームにマウントし、１７５℃中３０分間オ
ーブン中で硬化した。硬化後、ポストキュア(１７５
℃、８時間)を行い、更に８５℃、相対湿度８５％、７
２時間吸湿処理した後、マウント強度測定装置を用いて
２６０℃での熱時ダイシェア強度を測定した。 ・弾性率：フッ素樹脂系シート上に半導体用樹脂ペース
トを幅１０ｍｍ、長さ約１５０ｍｍ、厚さ１００μｍに
塗布し、１７５℃のオーブン中で３０分間硬化した後、
引っ張り試験機を用いて２５℃及び２６０℃、試験長１
００ｍｍ、引っ張り速度１ｍｍ／６０秒（２５℃）、１
０ｍｍ／６０秒（２６０℃）で測定し、得られた応力−
ひずみ曲線の初期勾配から弾性率を算出した。 ・耐パッケージクラック性：６×６ｍｍのシリコンチッ
プをペーストを用いて銅フレームにマウントし、１７５
℃中３０分間オーブン中で硬化した。これをエポキシ樹
脂封止材料を用い、下記の条件で成形したパッケージを
８５℃、相対湿度８５％、１６８時間吸湿処理した後、
ＩＲリフロー処理（２６０℃、１０秒）を行い、パッケ
ージの断面観察により内部クラックの数を測定して耐パ
ッケージクラック性の指標とした。 パッケージ：８０ｐＱＦＰ（１４ｘ２０ｘ２ｍｍ厚さ） チップサイズ：６ｘ６ｍｍ（表面アルミ配線のみ） リードフレーム：銅 封止材の成形：１７５℃、２分間 ポストモールドキュアー：１７５℃、８時間 全パッケージ数：１２個
【００１８】評価結果を表１に示す。
【表１】
【００１９】
【発明の効果】本発明のダイアタッチペーストは、低弾
性率の特性を有しており、これを用いた半導体装置は、
耐半田クラック性が優れているので、信頼性の優れた半
導体装置を得ることができる。
性率の特性を有しており、これを用いた半導体装置は、
耐半田クラック性が優れているので、信頼性の優れた半
導体装置を得ることができる。
Claims (3)
- 【請求項１】 （Ａ）（メタ）アクリル変性水素添加型
ポリブタジエン、（Ｂ） 1分子内に少なくとも１つのメ
タクリル基或いはアクリル基を有する化合物、（Ｃ）
ラジカル重合触媒、及び（Ｄ）充填材を必須成分とする
ことを特徴とするダイアタッチペースト。 - 【請求項２】 （Ａ）（メタ）アクリル変性水素添加型
ポリブタジエンと（Ｂ）1分子内に少なくとも１つのメ
タクリル基或いはアクリル基を有する化合物との重量比
が９０／１０から１０／９０である請求項１記載のダイ
アタッチペースト。 - 【請求項３】 請求項１または２記載のダイアタッチペ
ーストを用いて製作された半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001312164A JP2003124237A (ja) | 2001-10-10 | 2001-10-10 | ダイアタッチペースト及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001312164A JP2003124237A (ja) | 2001-10-10 | 2001-10-10 | ダイアタッチペースト及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003124237A true JP2003124237A (ja) | 2003-04-25 |
Family
ID=19130868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001312164A Pending JP2003124237A (ja) | 2001-10-10 | 2001-10-10 | ダイアタッチペースト及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003124237A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006225460A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
| JP2012188622A (ja) * | 2011-03-14 | 2012-10-04 | Hitachi Chemical Co Ltd | 半導体素子接着用樹脂ペースト組成物及び半導体装置 |
-
2001
- 2001-10-10 JP JP2001312164A patent/JP2003124237A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006225460A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
| JP2012188622A (ja) * | 2011-03-14 | 2012-10-04 | Hitachi Chemical Co Ltd | 半導体素子接着用樹脂ペースト組成物及び半導体装置 |
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