JP2014024942A - 硬化性組成物、硬化物、及びプリント配線基板 - Google Patents
硬化性組成物、硬化物、及びプリント配線基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014024942A JP2014024942A JP2012165776A JP2012165776A JP2014024942A JP 2014024942 A JP2014024942 A JP 2014024942A JP 2012165776 A JP2012165776 A JP 2012165776A JP 2012165776 A JP2012165776 A JP 2012165776A JP 2014024942 A JP2014024942 A JP 2014024942A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- curable composition
- resin
- naphthol
- epoxy resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Epoxy Resins (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
Abstract
Description
本発明は、得られる硬化物の誘電率と誘電正接が低く、かつ、耐熱性や難燃性にも優れる硬化性組成物、これを硬化させてなる硬化物及びプリント配線基板に関する。
エポキシ基含有化合物及びその硬化剤からなる組成物は、その硬化物が耐熱性や耐湿性、絶縁性などに優れることから、半導体封止剤やプリント配線基板用の絶縁材料として幅広く用いられている。
このうちプリント配線基板用途においては、電子機器の小型化や高性能化の流れに伴い、配線ピッチの狭小化による高密度な配線の実現が求められており、これに対応した半導体実装方式として、従来のワイヤボンディング方式に替えて、はんだボールにより半導体装置と配線基板とを接合させるフリップチップ接続方式が主流となっている。このフリップチップ接続方式では、配線基板と半導体との間にはんだボールを配置し、全体を加熱することによりはんだをリフローさせて接合するため、配線基板用絶縁材料にはこれまで以上に高い耐熱性が要求されている。
この他、電子機器の信号の高速化や高周波数化に伴い、絶縁材料の誘電率や誘電正接を更に低下させること、ダイオキシン問題などの環境問題へ対応するために、ハロゲン系難燃剤を用いずとも高い難燃性を発現することなど、様々な性能を全て兼備する配線基板用絶縁材料の開発が期待されている。
これらの要求性能のうち、はんだ耐熱性と誘電特性とに優れる絶縁材料として、例えば、フェノールノボラック樹脂中のフェノール性水酸基をアリールエステル化して得られる活性エステル樹脂をエポキシ樹脂用硬化剤として用いる技術が知られている(特許文献1参照)。この方法によれば、従来の絶縁材料と比較して誘電率や誘電正接が低く、はんだ耐熱性にも優れる硬化物を得ることが出来るが、しかしながら、昨今益々高まる耐熱性及び誘電特性への要求レベルを満たすものではなかった。また、該活性エステル樹脂はその分子構造内に燃焼しやすいペンダント状の芳香族炭化水素基を多く含むことから、硬化物の難燃性に劣るものであった。
従って、本発明が解決しようとする課題は得られる硬化物の誘電率と誘電正接が低く、かつ、耐熱性や難燃性にも優れる硬化性組成物、これを硬化させてなる硬化物及びプリント配線基板を提供することにある。
本発明者らは、上記の課題を解決するため鋭意検討した結果、ナフトール化合物とホルムアルデヒドとを所定の条件下で反応させて得られるカリックスアレーン型ナフトール化合物をエポキシ化したエポキシ化合物を主剤とし、これの硬化剤として活性エステル化合物を用いることにより、誘電率と誘電正接が低く、かつ、耐熱性や難燃性にも優れる硬化物が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、下記構造式1
(式中、R1はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基アルコキシ基を表し、nは繰り返し単位であり、2〜10の整数である。)
で表される樹脂構造を有するエポキシ化合物(A)と、活性エステル化合物(B)とを含有することを特徴とする硬化性組成物に関する。
で表される樹脂構造を有するエポキシ化合物(A)と、活性エステル化合物(B)とを含有することを特徴とする硬化性組成物に関する。
本発明は、更に、前記硬化性組成物を硬化させてなる硬化物に関する。
本発明は、更に、前記硬化性組成物に、更に有機溶剤を配合したワニス組成物を、補強基材に含浸し銅箔を重ねて加熱圧着させることにより得られるプリント配線基板に関する。
本発明によれば、得られる硬化物の誘電率と誘電正接が低く、かつ、耐熱性や難燃性にも優れる硬化性組成物、これを硬化させてなる硬化物及びプリント配線基板を提供することができる。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明で用いるエポキシ化合物(A)は、前記した通り、下記構造式1
(式中、R1はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基アルコキシ基を表し、nは繰り返し単位であり、2〜10の整数である。)
で表される樹脂構造を有するものである。
で表される樹脂構造を有するものである。
このように本発明で用いるエポキシ化合物(A)は、所謂、カリックスアレーン型の環状構造を有しており、このような剛直な構造により該エポキシ化合物(A)の硬化物における分子運動が抑制される結果、優れた耐熱性を発現し、更に、硬化物の誘電率や誘電正接を下げる効果にも寄与する。また、このようにナフタレン骨格が密に並ぶ構造は燃焼時のチャーの形成に有利であることから、分子構造中に燃焼しやすい部位を有する硬化剤と組み合わせた場合にも、誘電特性や耐熱性等の他の性能を活かしながら、難燃性にも優れる硬化物を得ることが出来る。
上記構造式1において、ナフタレン環上のメチレン基の結合位置が任意の部位は、同一環上に2つの結合部位を有するものであることが該エポキシ化合物(A)の製造が容易なものとなる点から好ましく、特に該ナフタレン環の2,4−位においてメチレン基が結合しているものであることが、規則的な分子構造が形成され硬化物の耐熱性や誘電特性に優れる点から好ましい。
また、前記構造式1中のnは2〜10の整数であるが、化学構造の対象性に優れ耐熱性の向上効果が顕著に現れる点から2,4,6,又は8であることが好ましく、特に4であることが最も好ましい。
かかるエポキシ化合物(A)は、MSスペクトルにおいて理論構造の分子量を確認することにより構造を同定することができる。
前記構造式1中のR1は、前述の通り、水素原子、アルキル基、又はアルコキシ基である。ここで、前記アルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基等の炭素原子数1〜4のアルキル基が、前記アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、イソプロピルオキシ基、ターシャリーブチルオキシ基等の炭素原子数1〜4のアルコキシ基が挙げられる。本発明では、R1が水素原子、メチル基、エチル基、メトキシ基であるものがより好ましく、中でも、耐熱性により優れる硬化物が得られることから水素原子であるものが特に好ましい。
また、構造式1中のナフトール骨格は、α−ナフトール骨格及びβ−ナフトール骨格の何れであっても良いが、最終的に得られるエポキシ化合物の硬化物における耐熱性に優れることから、α−ナフトール骨格であることが好ましい。更に、本発明では前記ナフトール骨格として、α−ナフトール骨格と、β−ナフトール骨格とが共存していても良く、この場合、より耐熱性に優れる硬化物が得られることから、両者の存在比率は、α−ナフトール化合物1モルに対してβ−ナフトール化合物が1.2モル以下となる割合であることが好ましい。
上記したエポキシ化合物(A)は、以下の方法により製造することができる。
即ち、ナフトール化合物とホルムアルデヒドとを両者のモル比(ナフトール/ホルムアルデヒド)が1.0/1.0〜1.0/2.0となる割合で、塩基性触媒の存在下に反応させてカリックスアレーン型のナフトール化合物を得(工程1)、次いで、これにエピハロヒドリンを塩基性触媒存在下に反応させてエポキシ化する(工程2)方法により製造することができる。
即ち、ナフトール化合物とホルムアルデヒドとを両者のモル比(ナフトール/ホルムアルデヒド)が1.0/1.0〜1.0/2.0となる割合で、塩基性触媒の存在下に反応させてカリックスアレーン型のナフトール化合物を得(工程1)、次いで、これにエピハロヒドリンを塩基性触媒存在下に反応させてエポキシ化する(工程2)方法により製造することができる。
ここで、前記工程1の反応は、具体的には20〜100℃の温度条件で行うことができる。
工程1で用いられるナフトール化合物は、具体的には、α−ナフトール、1−ヒドロキシ−3−メチルナフタレン、1−ヒドロキシ−5−メチルナフタレン、1−ヒドロキシ−6−メチルナフタレン、1−ヒドロキシ−5−エチルナフタレン、1−ヒドロキシ−6−エチルナフタレン、1−ヒドロキシ−5−プロピルナフタレン、1−ヒドロキシ−6−プロピルナフタレン、1−ヒドロキシ−5−ブチルナフタレン、1−ヒドロキシ−6−ブチルナフタレン、1−ヒドロキシ−5−メトキシナフタレン、1−ヒドロキシ−6−メトキシナフタレン、1−ヒドロキシ−5−エトキシナフタレン、1−ヒドロキシ−6−エトキシナフタレン、1−ヒドロキシ−5−プロピルオキシナフタレン、1−ヒドロキシ−6−プロピルオキシナフタレン、1−ヒドロキシ−5−ブチルオキシナフタレン、1−ヒドロキシ−6−ブチルオキシナフタレン等のα−ナフトール化合物;β−ナフトール、2−ヒドロキシ−3−メチルナフタレン、2−ヒドロキシ−5−メチルナフタレン、2−ヒドロキシ−6−メチルナフタレン、2−ヒドロキシ−5−エチルナフタレン、2−ヒドロキシ−6−エチルナフタレン、2−ヒドロキシ−5−プロピルナフタレン、2−ヒドロキシ−6−プロピルナフタレン、2−ヒドロキシ−5−ブチルナフタレン、2−ヒドロキシ−6−ブチルナフタレン、2−ヒドロキシ−5−メトキシナフタレン、2−ヒドロキシ−6−メトキシナフタレン、2−ヒドロキシ−5−エトキシナフタレン、2−ヒドロキシ−6−エトキシナフタレン、2−ヒドロキシ−5−プロピルオキシナフタレン、2−ヒドロキシ−6−プロピルオキシナフタレン、2−ヒドロキシ−5−ブチルオキシナフタレン、2−ヒドロキシ−6−ブチルオキシナフタレン等のβ−ナフトール化合物が挙げられるが、中でも、最終的に得られるエポキシ化合物の硬化物における耐熱性に優れることから、α−ナフトール化合物であることが好ましく、α−ナフトールであることが特に好ましい。
また、本発明では、前記α−ナフトール化合物とβ−ナフトール化合物とを併用しても良く、その場合、α−ナフトール化合物1モルに対してβ−ナフトール化合物が1.2モル以下となる割合で用いることが耐熱性の観点から好ましい。
一方、工程1で用いられるホルムアルデヒド源としては、例えば、ホルマリン、パラホルムアルデヒド、トリオキサン等が挙げられる。ここで、ホルマリンは水希釈性や製造時の作業性の点から30〜60質量%のホルマリンであることが好ましい。
工程1で用いられる塩基性触媒は、具体的には、アルカリ土類金属水酸化物、アルカリ金属炭酸塩及びアルカリ金属水酸化物等が挙げられる。特に触媒活性に優れる点から水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物が好ましい。使用に際しては、これらの塩基性触媒を10〜55質量%程度の水溶液の形態で使用してもよいし、固形の形態で使用しても構わない。
また、工程1における塩基性触媒の使用量は、前記ナフトール化合物1モルに対して0.02モル以上となる割合であることが、カリックスアレーン構造の形成が容易となることから好ましい。更に、最も好ましい分子構造であるナフトール型カリックス(4)アレーン化合物の選択制を高めることが出来ることから、前記モル比(ナフトール化合物/ホルムアルデヒド)は1.0以下であることが好ましい。ここで、ナフトール型カリックス(4)アレーン化合物とは、α−ナフトール化合物の4分子がメチレン結合を介して結合し、環状構造を形成している化合物である。
次に、工程2として、工程1で得られたカリックスアレーン型ナフトール化合物を、エピハロヒドリンと反応させることにより、目的とするエポキシ化合物(A)とすることができる。
斯かる工程2は、具体的には、前記カリックスアレーン型ナフトール化合物中のフェノール性水酸基のモル数に対し、エピハロヒドリンを2〜10倍量(モル基準)となる割合で添加し、更に、フェノール性水酸基のモル数に対し0.9〜2.0倍量(モル基準)の塩基性触媒を一括添加または徐々に添加しながら20〜120℃の温度で0.5〜10時間反応させる方法が挙げられる。この塩基性触媒は固形でもその水溶液を使用してもよく、水溶液を使用する場合は、連続的に添加すると共に、反応混合物中から減圧下、または常圧下、連続的に水及びエピハロヒドリン類を留出せしめ、更に分液して水は除去しエピハロヒドリンは反応混合物中に連続的に戻す方法でもよい。
なお、工業生産を行う際、エポキシ化合物生産の初バッチでは仕込みに用いるエピハロヒドリン類の全てが新しいものであるが、次バッチ以降は、粗反応生成物から回収されたエピハロヒドリン類と、反応で消費される分で消失する分に相当する新しいエピハロヒドリン類とを併用することが好ましい。この時、使用するエピハロヒドリンは特に限定されないが、例えばエピクロルヒドリン、エピブロモヒドリン、β−メチルエピクロルヒドリン等が挙げられる。なかでも工業的入手が容易なことからエピクロルヒドリンが好ましい。
また、前記塩基性触媒は、工程1と同様に、アルカリ土類金属水酸化物、アルカリ金属炭酸塩及びアルカリ金属水酸化物等が挙げられる。特にエポキシ化反応の触媒活性に優れる点から水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物が好ましい。使用に際しては、これらの塩基性触媒を10〜55質量%程度の水溶液の形態で使用してもよいし、固形の形態で使用しても構わない。また、有機溶媒を併用することにより、エポキシ化合物の合成における反応速度を高めることができる。このような有機溶媒としては特に限定されないが、例えば、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、メタノール、エタノール、1−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、1−ブタノール、セカンダリーブタノール、ターシャリーブタノール等のアルコール類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ類、テトラヒドロフラン、1、4−ジオキサン、1、3−ジオキサン、ジエトキシエタン等のエーテル類、アセトニトリル、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド等の非プロトン性極性溶媒等が挙げられる。これらの有機溶媒は、それぞれ単独で使用してもよいし、また、極性を調整するために適宜2種以上を併用してもよい。
前述のエポキシ化反応の反応物を水洗後、加熱減圧下、蒸留によって未反応のエピハロヒドリンや併用する有機溶媒を留去する。また更に加水分解性ハロゲンの少ないエポキシ化合物とするために、得られたエポキシ化合物を再びトルエン、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトンなどの有機溶媒に溶解し、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物の水溶液を加えてさらに反応を行うこともできる。この際、反応速度の向上を目的として、4級アンモニウム塩やクラウンエーテル等の相関移動触媒を存在させてもよい。相関移動触媒を使用する場合のその使用量としては、用いるエポキシ樹脂100質量部に対して0.1〜3.0質量部となる割合であることが好ましい。反応終了後、生成した塩を濾過、水洗などにより除去し、更に、加熱減圧下トルエン、メチルイソブチルケトンなどの溶剤を留去することにより目的とするエポキシ化合物(A)を得ることができる。
本発明で用いる活性エステル化合物(B)は、1分子中に2個以上のカルボニルオキシ結合を有し、エポキシ基との反応性を有する化合物乃至は樹脂であり、具体的には、多価カルボン酸とフェノール類とを反応させたエステル化合物(b1)、多価フェノールのポリアリールエステル若しくはポリアルキルエステル(b2)、ビスフェノールのポリアリールエステル若しくはポリアルキルエステル(b3)、ビフェノールのポリアリールエステル若しくはポリアルキルエステル(b4)、フェノール樹脂のポリアリールエステル若しくはポリアルキルエステル(b5)、多価芳香族フェノールと多価カルボン酸と1官能性フェノール若しくは1官能性カルボン酸を反応させて得られる芳香族ポリエステル(b6)が挙げられる。ここで、前記(b2)乃至(b5)におけるアルキルエステル又はアリールエステルを構成するアルキル基又はアリール基としては、具体的には、メチル、エチル、n−プロピル、i−プロピル、t−ブチル等の炭素原子数1〜4のアルキル基、或いは、フェニル基、ビフェニル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基、n−プロピルフェニル基、i−プロピルフェニル基、t−ブチルフェニル基等の炭素原子数1〜4のアルキル基で核置換したフェニル基が挙げられる。これらのなかでも特に耐熱性の点から、アリール基であることが好ましい。
前記した多価カルボン酸とフェノール類とを反応させたエステル化合物(b1)に用いられる多価カルボン酸は、アジピン酸等の脂肪族カルボン酸、フタル酸無水物、テレフタル酸等の芳香族カルボン酸が挙げられ、また、フェノール類としてはフェノール、クレゾール、α−ナフトール、β−ナフトールが挙げられる。前記した多価フェノールのポリアリールエステル若しくはポリアルキルエステル(b2)は、レゾルシノール、ハイドロキノン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、2,7−ジヒドロシキナフタレン等の多価フェノールをアルキルエステル化剤又はアリールエステル化剤と反応させて得られるエステル化合物が挙げられる。
前記したビスフェノールのポリアリールエステル若しくはポリアルキルエステル(b3)は、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS等のビスフェノール類をアルキルエステル化剤又はアリールエステル化剤と反応させてフェノール性水酸基をエステル化した化合物が挙げられ、前記したビフェノールのポリアリールエステル若しくはポリアルキルエステル(b4)は、ビフェノール、テトラメチルビフェノール等のビフェノール類をアルキルエステル化剤又はアリールエステル化剤と反応させてフェノール性水酸基をエステル化した化合物が挙げられる。前記したフェノール樹脂のポリアリールエステル若しくはポリアルキルエステル(b5)は、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂、下記一般式(1)
であらわされるアラルキル型フェノール樹脂、下記一般式(2)
で表されるフェノール樹脂をアルキルエステル化剤又はアリールエステル化剤とを反応させてフェノール性水酸基をエステル化した樹脂が挙げられる。
ここで、前記(b1)〜(b5)の製造に用いられるアルキルエステル化剤としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸等の飽和脂肪酸、並びに、これらの酸フッ化物、酸塩化物、酸臭化物、酸ヨウ化物等の酸ハロゲン化物、及び、これら飽和脂肪酸の2分子脱水縮合物である酸無水物が挙げられ、アリールエステル化剤としては、安息香酸、或いは、フェニル安息香酸、メチル安息香酸、エチル安息香酸、n−プロピル安息香酸、i−プロピル安息香酸及びt−ブチル安息香酸等のアルキル安息香酸、並びにこれらの酸フッ化物、酸塩化物、酸臭化物、酸ヨウ化物等の酸ハロゲン化物、及び、これらアルキル安息香酸の2分子脱水縮合物である酸無水物が挙げられる。
また、前記した多価芳香族フェノールと多価カルボン酸と1官能性フェノール若しくは1官能性カルボン酸を反応させて得られる芳香族ポリエステル(b6)としては、前記した多価フェノール、ビスフェノール又はビフェノールと、芳香族ジカルボン酸又はそのハライドとを反応させて得られるポリアリレート(b6−1)、脂肪族環状炭化水素基を介してフェノール類が結節された分子構造を有するフェノール樹脂、芳香族ジカルボン酸又はそのハライド、及び、芳香族モノヒドロキシ化合物を反応させて得られる構造を有するポリアリレート(b6−2)が挙げられる。
これらのなかでも特に、エポキシ樹脂(A)との反応性に優れる点からフェノール樹脂のポリアリールエステル若しくはポリアルキルエステル(b5)又は多価芳香族フェノールと多価カルボン酸と1官能性フェノール若しくは1官能性カルボン酸を反応させて得られる芳香族ポリエステル(b6)が好ましく、(b6)が最も好ましい。また、前記(b5)のなかでもとりわけフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂等のノボラック樹脂のポリアリールエステル若しくはポリアルキルエステルがそれ自体の耐熱性が低く、本発明による改善効果が顕著なものとなる点から好ましい。
ここで、ノボラック樹脂のポリアリールエステル若しくはポリアルキルエステルは、該ノボラック樹脂のフェノール性水酸基の一部乃至全部がエステル化されているものであり、特にノボラック型フェノール樹脂のフェノール性水酸基の60〜95%をアルキルエステル化又はアリールエステル化した分子構造を有し、かつ、その軟化点が100〜160℃の範囲にある変性フェノール樹脂であるものが銅張積層板用途やビルドアップ用接着フィルム用途における銅箔剥離強度が良好なものとなる点から好ましい。ここで、フェノール樹脂の軟化点は、「JIS K7234−86」に準拠する環球法(昇温速度:5℃/分)によって測定される値である。
また、前記(b6)のなかでもとりわけ脂肪族環状炭化水素基を介してフェノール類が結節された分子構造を有するフェノール樹脂(i)、芳香族ジカルボン酸又はそのハライド(ii)、及び、芳香族モノヒドロキシ化合物(iii)を反応させて得られる構造を有するポリアリレート(b6−2)が、耐熱性に優れる点からから好ましい。
前記ポリアリレート(b6−2)につき、更に詳述すれば、前記芳香族ジカルボン酸又はそのハライド(ii)中のカルボキシル基又は酸ハライド基1モルに対して、前記フェノール樹脂(i)中のフェノール性水酸基が0.05〜0.75モル、前記芳香族モノヒドロキシ化合物(iii)が0.25〜0.95モルとなる割合で反応させて得られる構造を有するものであることが、とりわけ硬化物の誘電正接が低く、かつ有機溶剤へ溶解させた際の粘度が十分に低くなる点から好ましい。
ここでフェノール樹脂(i)において、脂肪族環状炭化水素基を介してフェノール類が結節された分子構造とは、1分子中に二重結合を2個含有する不飽和脂肪族環状炭化水素化合物とフェノール類とを重付加反応させて得られる構造が挙げられる。ここで、フェノール類としては、フェノール、及びアルキル基、アルケニル基、アリル基、アリール基、アラルキル基或いはハロゲン基等が1個または複数個置換した置換フェノール類が挙げられる。具体的には、クレゾール、キシレノール、エチルフェノール、イソプロピルフェノール、ブチルフェノール、オクチルフェノール、ノニルフェノール、ビニルフェノール、イソプロペニルフェノール、アリルフェノール、フェニルフェノール、ベンジルフェノール、クロルフェノール、ブロムフェノール、ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等が挙げられる。またこれらの混合物を用いても構わない。これらの中でも流動性および硬化性が優れる点からフェノールが特に好ましい。
また、不飽和脂環族環状炭化水素化合物としては、具体的には、ジシクロペンタジエン、テトラヒドロインデン、4−ビニルシクロヘキセン、5−ビニルノルボナ−2−エン、α−ピネン、β−ピネン、リモネン等が挙げられる。これらの中でも特性バランス、特に耐熱性、吸湿性の点からジシクロペンタジエンが好ましい。またジシクロペンタジエンは石油留分中に含まれることから、工業用ジシクロペンタジエンには他の脂肪族或いは芳香族性ジエン類等が不純物として含有されることがあるが、耐熱性、硬化性、成形性等を考慮すると、ジシクロペンタジエンの純度90質量%以上の製品であることが望ましい。
次に、前記芳香族ジカルボン酸又はそのハライド(ii)は、イソフタル酸、テレフタル酸、1,4−、2,3−、あるいは2,6−ナフタレンジカルボン酸等の芳香族ジカルボン酸、及びこれらの酸フッ化物、酸塩化物、酸臭化物、酸ヨウ化物等の酸ハロゲン化物が挙げられる。これらのなかでも特に反応性が良好である点から芳香族ジカルボン酸の酸塩化物であること、なかでもイソフタル酸のジクロライド、テレフタル酸のジクロライドが好ましく、特にイソフタル酸のジクロライドが好ましい。
次に、芳香族モノヒドロキシ化合物(iii)としては、例えば、フェノール;o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、3,5−キシレノール等のアルキルフェノール類;o−フェニルフェノール、p−フェニルフェノール、2−ベンジルフェノール、4−ベンジルフェノール、4−(α−クミル)フェノール等のアラルキルフェノール類;α−ナフトール、β−ナフトール等のナフトール類が挙げられる。これらのなかでも、特に硬化物の誘電正接が低くなる点からα−ナフトール、β−ナフトールが好ましい。
上記した活性エステル化合物(b6−2)は、フェノール樹脂(i)、芳香族ジカルボン酸又はそのハライド(ii)、及び、芳香族モノヒドロキシ化合物(iii)を反応させて得られる構造を有するものであるが、特に、下記構造式2
で表される構造のものがとりわけ硬化物の誘電正接が低く、かつ、有機溶剤に溶解させた際の溶液粘度が低くなる点から好ましい。
ここで、上記構造式2の様な化合物は、その分子構造中に燃焼しやすい炭化水素基を有することから、一般的なフェノールノボラック型エポキシ樹脂等と組み合わせて用いた場合、その硬化物は誘電特性に優れる反面、難燃性に劣るものとなる。しかしながら、前述の通り、本願発明で用いるエポキシ化合物は、ナフタレン骨格が密に並ぶカリックスアレーン型の環構造を有することから難燃性に優れるものであり、前記構造式2で表されるような燃焼しやすい構造を有する活性エステル化合物と組み合わせて用いることにより、活性エステル化合物の特長である誘電特性や耐熱性に優れる性能を生かしつつ、更に優れた難燃性を付与することができる。即ち、その硬化物は誘電特性や耐熱性に加え、更に難燃性にも優れるものとなる。
更に、上記構造式2においてnの値、即ち、繰り返し単位の平均値が0.25〜3.0の範囲にあるものが、溶液粘度が低くビルドアップ用接着フィルムへの製造が容易となる点から好ましい。また、上記構造式(2)中、kの値は0であることが、本発明の効果が顕著なものとなる点から好ましい。
ここで上記構造式(2)中のnは以下の様にして求めることができる。
[構造式(2)中のnの求め方]
下記の条件にて行ったGPC測定によりn=1、n=2、n=3、n=4のそれぞれに対応するスチレン換算分子量(α1、α2、α3、α4)と、n=1、n=2、n=3、n=4のそれぞれの理論分子量(β1、β2、β3、β4)との比率(β1/α1、β2/α2、β3/α3、β4/α4)を求め、これら(β1/α1〜β4/α4)の平均値を求める。GPCで求めた数平均分子量(Mn)にこの平均値を掛け合わせた数値を平均分子量とする。次いで、前記構造式aの分子量を前記平均分子量としてnの値を算出する。ここで、上記GPCの条件は前記した条件である。
[構造式(2)中のnの求め方]
下記の条件にて行ったGPC測定によりn=1、n=2、n=3、n=4のそれぞれに対応するスチレン換算分子量(α1、α2、α3、α4)と、n=1、n=2、n=3、n=4のそれぞれの理論分子量(β1、β2、β3、β4)との比率(β1/α1、β2/α2、β3/α3、β4/α4)を求め、これら(β1/α1〜β4/α4)の平均値を求める。GPCで求めた数平均分子量(Mn)にこの平均値を掛け合わせた数値を平均分子量とする。次いで、前記構造式aの分子量を前記平均分子量としてnの値を算出する。ここで、上記GPCの条件は前記した条件である。
フェノール樹脂(ii−1)、芳香族ジカルボン酸又はそのハライド(ii−2)、及び、芳香族モノヒドロキシ化合物(ii−3)を反応させる方法は、具体的には、これらの各成分をアルカリ触媒の存在下に反応させることができる。
ここで使用し得るアルカリ触媒としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、トリエチルアミン、ピリジン等が挙げられる。これらのなかでも特に水酸化ナトリウム、水酸化カリウムが水溶液の状態で使用することができ、生産性が良好となる点から好ましい。また、該反応にはこれらのアルカリ触媒に加え、必要に応じて四級アンモニウム塩や四級ホスホニウム塩などの相関移動触媒を併用してもよい。
このようにして得られる活性エステル化合物(B)は、積層板用ワニスやビルドアップ用接着フィルムとして用いる場合には、そのままで他の配合成分と混合し、更に、適宜、有機溶媒量を調節して目的とする硬化性樹脂組成物を製造することができる。なお、本発明では前記した通り、該活性エステル化合物(B)を有機溶媒に溶解させて樹脂溶液とした際の溶融粘度が低いことを特徴としており、具体的には、不揮発分65%のトルエン溶液の活性エステル樹脂にした場合の溶液粘度が300〜10,000mPa・S(25℃)となる。
本発明の硬化性組成物における前記エポキシ化合物(A)と前記活性エステル(B)の配合割合は、特に制限されるものではないが、得られる硬化物が耐熱性により優れるものとなることから、前記エポキシ化合物(A)が有するエポキシ基の合計1当量に対して、前記活性エステル(B)が含有するエステル基の合計が0.8〜1.1当量の範囲となる割合であることが好ましい。
本発明の硬化性組成物には、活性エステル化合物(B)以外の硬化剤を本発明の硬化を損なわない範囲で加えることもできる。
前記活性エステル化合物(B)以外の硬化剤としては、例えば、アミン系化合物、アミド系化合物、酸無水物系化合物、フェノ−ル系化合物などが挙げられる。具体的には、アミン系化合物としてはジアミノジフェニルメタン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ジアミノジフェニルスルホン、イソホロンジアミン、イミダゾ−ル、BF3−アミン錯体、グアニジン誘導体等が挙げられる。
前記アミド系化合物としては、例えば、ジシアンジアミド、リノレン酸の2量体とエチレンジアミンとより合成されるポリアミド樹脂等が挙げられる。
前記酸無水物系化合物としては、例えば、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、無水マレイン酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。
前記フェノール系化合物としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、芳香族炭化水素ホルムアルデヒド樹脂変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエンフェノール付加型樹脂、フェノールアラルキル樹脂(ザイロック樹脂)、レゾルシンノボラック樹脂に代表される多価ヒドロキシ化合物とホルムアルデヒドから合成される多価フェノールノボラック樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、トリメチロールメタン樹脂、テトラフェニロールエタン樹脂、ナフトールノボラック樹脂、ナフトール−フェノール共縮ノボラック樹脂、ナフトール−クレゾール共縮ノボラック樹脂、ビフェニル変性フェノール樹脂(ビスメチレン基でフェノール核が連結された多価フェノール化合物)、ビフェニル変性ナフトール樹脂(ビスメチレン基でフェノール核が連結された多価ナフトール化合物)、アミノトリアジン変性フェノール樹脂(メラミン、ベンゾグアナミンなどでフェノール核が連結された多価フェノール化合物)やアルコキシ基含有芳香環変性ノボラック樹脂(ホルムアルデヒドでフェノール核及びアルコキシ基含有芳香環が連結された多価フェノール化合物)等の多価フェノール化合物が挙げられる。これらその他の硬化剤成分の中でも、硬化性に優れることから、前記フェノール系化合物が好ましい。
また、本発明の硬化性組成物が前記活性エステル化合物(B)以外の硬化剤を含有する場合には、前記エポキシ化合物(A)が有するエポキシ基の合計1当量に対して、硬化剤成分が含有するフェノール性水酸基や活性エステル基等の活性基の合計が0.7〜1.5当量の範囲となる割合であることが好ましい。このとき、前記活性エステル樹脂(B)と、前記その他の硬化剤との割合は、本願発明が奏する低誘電率・低誘電正接に優れる効果が十分に発揮されることから、全硬化剤成分100質量部中前記活性エステル化合物(B)が30質量部以上であることが好ましく、40質量部以上であることがより好ましい。
本発明の硬化性組成物は、前記エポキシ化合物(A)及び前記活性エステル化合物(B)に加え、更に、前記エポキシ化合物(A)以外のナフタレン系エポキシ樹脂(A’)(以下、これを「ナフタレン系エポキシ樹脂(A’)」と略記する。)を用いることが、組成物の溶剤溶解性が向上し、プリント配線基板用組成物の調整が容易となる点から好ましい。
ここで用いるナフタレン系エポキシ樹脂(A’)は、具体的には、2,7−ジグリシジルオキシナフタレン、α−ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、β−ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、α−ナフトール/β−ナフトール共縮合型ノボラックのポリグリシジルエーテル、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、1,1−ビス(2,7−ジグリシジルオキシ−1−ナフチル)アルカン等が挙げられる。これらのなかでも特に前記エポキシ化合物(A)との相溶性に優れる点から2,7−ジグリシジルオキシナフタレン、α−ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、β−ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、又は、α−ナフトール/β−ナフトール共縮合型ノボラックのポリグリシジルエーテルが好ましい。とりわけ、本発明においてはエポキシ樹脂(A)の前駆体であるカリックスアレーン型ナフトール化合物を製造する際、α−ナフトールと共にβ−ナフトールを併用し、該カリックスアレーン型ナフトール化合物とα−ナフトール/β−ナフトール共縮合型ノボラックとの混合物を得、次いで、これをエポキシ化することにより、エポキシ化合物(A)とα−ナフトール/β−ナフトール共縮合型ノボラックのポリグリシジルエーテルとの混合物を製造したものが溶剤溶解性に優れる点から好ましい。
ここで、前記エポキシ化合物(A)とナフタレン系エポキシ樹脂(A’)との存在割合は、両者の混合物をGPCにより測定した場合におけるナフタレン系エポキシ樹脂(A’)の面積比率基準の含有率が3〜50%となる割合であることが、硬化物の耐熱性と溶剤溶解性とに優れる点から好ましい。
前記エポキシ化合物(A)とナフタレン系エポキシ樹脂(A’)との存在割合を算出する際のGPC測定条件は、具体的には以下の通りである。
<GPC測定条件>
測定装置 :東ソー株式会社製「HLC−8220 GPC」、
カラム:東ソー株式会社製ガードカラム「HXL−L」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G2000HXL」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G2000HXL」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G3000HXL」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G4000HXL」
検出器: RI(示差屈折計)
データ処理:東ソー株式会社製「GPC−8020モデルIIバージョン4.10」
測定条件: カラム温度 40℃
展開溶媒 テトラヒドロフラン
流速 1.0ml/分
標準 : 前記「GPC−8020モデルIIバージョン4.10」の測定マニュアルに準拠して、分子量が既知の下記の単分散ポリスチレンを用いた。
測定装置 :東ソー株式会社製「HLC−8220 GPC」、
カラム:東ソー株式会社製ガードカラム「HXL−L」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G2000HXL」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G2000HXL」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G3000HXL」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G4000HXL」
検出器: RI(示差屈折計)
データ処理:東ソー株式会社製「GPC−8020モデルIIバージョン4.10」
測定条件: カラム温度 40℃
展開溶媒 テトラヒドロフラン
流速 1.0ml/分
標準 : 前記「GPC−8020モデルIIバージョン4.10」の測定マニュアルに準拠して、分子量が既知の下記の単分散ポリスチレンを用いた。
(使用ポリスチレン)
東ソー株式会社製「A−500」
東ソー株式会社製「A−1000」
東ソー株式会社製「A−2500」
東ソー株式会社製「A−5000」
東ソー株式会社製「F−1」
東ソー株式会社製「F−2」
東ソー株式会社製「F−4」
東ソー株式会社製「F−10」
東ソー株式会社製「F−20」
東ソー株式会社製「F−40」
東ソー株式会社製「F−80」
東ソー株式会社製「F−128」
試料 : 樹脂固形分換算で1.0質量%のテトラヒドロフラン溶液をマイクロフィルターでろ過したもの(50μl)。
東ソー株式会社製「A−500」
東ソー株式会社製「A−1000」
東ソー株式会社製「A−2500」
東ソー株式会社製「A−5000」
東ソー株式会社製「F−1」
東ソー株式会社製「F−2」
東ソー株式会社製「F−4」
東ソー株式会社製「F−10」
東ソー株式会社製「F−20」
東ソー株式会社製「F−40」
東ソー株式会社製「F−80」
東ソー株式会社製「F−128」
試料 : 樹脂固形分換算で1.0質量%のテトラヒドロフラン溶液をマイクロフィルターでろ過したもの(50μl)。
本発明の硬化性組成物では、エポキシ化合物(A)と併用し得るエポキシ化合物乃至エポキシ樹脂成分として前記ナフタレン系エポキシ樹脂(A’)に加え、樹脂成分の有機溶剤への溶解性を損なわない範囲でその他のエポキシ樹脂(A”)を使用してもよい。その他のエポキシ樹脂(A”)の使用量は、例えば、全エポキシ成分中、5〜50質量%となる範囲であることが好ましい。
ここで使用され得るその他のエポキシ樹脂(A”)としては、種々のエポキシ樹脂を用いることができるが、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂;ビフェニル型エポキシ樹脂、テトラメチルビフェニル型エポキシ樹脂等のビフェニル型エポキシ樹脂;フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、フェノール系化合物とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂;トリフェニルメタン型エポキシ樹脂;テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂;ジシクロペンタジエン−フェノール付加反応型エポキシ樹脂;フェノールアラルキル型エポキシ樹脂;リン原子含有エポキシ樹脂等が挙げられる。また、これらのエポキシ樹脂は単独で用いてもよく、2種以上を混合してもよい。
ここで、リン原子含有エポキシ樹脂としては、9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイド(以下、「HCA」と略記する。)のエポキシ化物、HCAとキノン類とを反応させて得られるフェノール樹脂のエポキシ化物、フェノールノボラック型エポキシ樹脂をHCAで変性したエポキシ樹脂、クレゾールノボック型エポキシ樹脂をHCAで変性したエポキシ樹脂、また、ビスフェノールA型エポキシ樹脂を及びHCAとキノン類とを反応させて得られるフェノール樹脂で変成して得られるエポキシ樹脂等が挙げられる。
本発明の硬化性組成物が前記エポキシ化合物(A)及び前記活性エステル化合物(B)に加えて、前記したナフタレン系エポキシ樹脂(A’)や、更にその他のエポキシ樹脂(A”)を含有する場合、これらの配合割合は、硬化性組成物中の全エポキシ成分が含有するエポキシ基の合計1当量に対し、前記活性エステル化合物(B)が含有する活性エステル基基の合計が0.7〜1.5当量の範囲となる割合であることが、硬化性が良好となり硬化物の耐熱性に優れる点から好ましい。
また、本発明の硬化性組成物が、更に前記活性エステル化合物(B)以外の硬化剤を含有する場合、これらの配合割合は、硬化性組成物中の全エポキシ成分が含有するエポキシ基の合計1当量に対し、硬化剤成分が含有するフェノール性水酸基や活性エステル基等の活性基の合計が0.7〜1.5当量の範囲となる割合であることが、硬化性が良好となり硬化物の耐熱性に優れる点から好ましい。
本発明では、必要に応じて硬化促進剤を適宜併用することもできる。前記硬化促進剤としては種々のものが使用できるが、例えば、リン系化合物、第3級アミン、イミダゾール、有機酸金属塩、ルイス酸、アミン錯塩等が挙げられる。特に半導体封止材料用途として使用する場合には、硬化性、耐熱性、電気特性、耐湿信頼性等に優れる点から、イミダゾール化合物では2−エチル−4−メチルイミダゾール、リン系化合物ではトリフェニルフォスフィン、第3級アミンでは1,8−ジアザビシクロ−[5.4.0]−ウンデセン(DBU)が好ましい。
以上詳述した本発明の硬化性組成物をプリント配線基板用ワニス等に調整する場合、上記各成分の他に有機溶剤(C)を配合することが好ましい。ここで使用し得る前記有機溶剤としては、メチルエチルケトン、アセトン、ジメチルホルムアミド、メチルイソブチルケトン、メトキシプロパノール、シクロヘキサノン、メチルセロソルブ、エチルジグリコールアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等が挙げられ、その選択や適正な使用量は用途によって適宜選択し得るが、例えば、プリント配線基板用途では、メチルエチルケトン、アセトン、ジメチルホルムアミド等の沸点が160℃以下の極性溶剤であることが好ましく、また、不揮発分40〜80質量%となる割合で使用することが好ましい。一方、ビルドアップ用接着フィルム用途では、有機溶剤として、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン溶剤、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、カルビトールアセテート等のエステル溶剤、セロソルブ、ブチルカルビトール等のカルビトール溶剤、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶剤、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等を用いることが好ましく、また、不揮発分が30〜60質量%となる割合で使用することが好ましい。
また、本発明の硬化性組成物は、難燃性をさらに高めるために、例えばプリント配線基板用途においては、実質的にハロゲン原子を含有しない非ハロゲン系難燃剤を配合してもよい。
前記非ハロゲン系難燃剤としては、例えば、リン系難燃剤、窒素系難燃剤、シリコーン系難燃剤、無機系難燃剤、有機金属塩系難燃剤等が挙げられ、それらの使用に際しても何等制限されるものではなく、単独で使用しても、同一系の難燃剤を複数用いても良く、また、異なる系の難燃剤を組み合わせて用いることも可能である。
前記リン系難燃剤としては、無機系、有機系のいずれも使用することができる。無機系化合物としては、例えば、赤リン、リン酸一アンモニウム、リン酸二アンモニウム、リン酸三アンモニウム、ポリリン酸アンモニウム等のリン酸アンモニウム類、リン酸アミド等の無機系含窒素リン化合物が挙げられる。
また、前記赤リンは、加水分解等の防止を目的として表面処理が施されていることが好ましく、表面処理方法としては、例えば、(i)水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化亜鉛、水酸化チタン、酸化ビスマス、水酸化ビスマス、硝酸ビスマス又はこれらの混合物等の無機化合物で被覆処理する方法、(ii)水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化亜鉛、水酸化チタン等の無機化合物、及びフェノール樹脂等の熱硬化性樹脂の混合物で被覆処理する方法、(iii)水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化亜鉛、水酸化チタン等の無機化合物の被膜の上にフェノール樹脂等の熱硬化性樹脂で二重に被覆処理する方法等が挙げられる。
前記有機リン系化合物としては、例えば、リン酸エステル化合物、ホスホン酸化合物、ホスフィン酸化合物、ホスフィンオキシド化合物、ホスホラン化合物、有機系含窒素リン化合物等の汎用有機リン系化合物の他、9,10−ジヒドロ−9−オキサー10−ホスファフェナントレン=10−オキシド、10−(2,5―ジヒドロオキシフェニル)―10H−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン=10−オキシド、10―(2,7−ジヒドロオキシナフチル)−10H−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン=10−オキシド等の環状有機リン化合物、及びそれをエポキシ樹脂やフェノール樹脂等の化合物と反応させた誘導体等が挙げられる。
それらの配合量としては、リン系難燃剤の種類、硬化性組成物の他の成分、所望の難燃性の程度によって適宜選択されるものであるが、例えば、エポキシ成分、硬化剤、非及びその他の充填材や添加剤等全てを配合した硬化性組成物100質量部中、赤リンを非ハロゲン系難燃剤として使用する場合は0.1〜2.0質量部の範囲で配合することが好ましく、有機リン化合物を使用する場合は同様に0.1〜10.0質量部の範囲で配合することが好ましく、特に0.5〜6.0質量部の範囲で配合することが好ましい。
また前記リン系難燃剤を使用する場合、該リン系難燃剤にハイドロタルサイト、水酸化マグネシウム、ホウ化合物、酸化ジルコニウム、黒色染料、炭酸カルシウム、ゼオライト、モリブデン酸亜鉛、活性炭等を併用してもよい。
前記窒素系難燃剤としては、例えば、トリアジン化合物、シアヌル酸化合物、イソシアヌル酸化合物、フェノチアジン等が挙げられ、トリアジン化合物、シアヌル酸化合物、イソシアヌル酸化合物が好ましい。
前記トリアジン化合物としては、例えば、メラミン、アセトグアナミン、ベンゾグアナミン、メロン、メラム、サクシノグアナミン、エチレンジメラミン、ポリリン酸メラミン、トリグアナミン等の他、例えば、(i)硫酸グアニルメラミン、硫酸メレム、硫酸メラムなどの硫酸アミノトリアジン化合物、(ii)フェノール、クレゾール、キシレノール、ブチルフェノール、ノニルフェノール等のフェノール系化合物と、メラミン、ベンゾグアナミン、アセトグアナミン、ホルムグアナミン等のメラミン類およびホルムアルデヒドとの共縮合物、(iii)前記(ii)の共縮合物とフェノールホルムアルデヒド縮合物等のフェノール樹脂類との混合物、(iv)前記(ii)、(iii)を更に桐油、異性化アマニ油等で変性したもの等が挙げられる。
前記シアヌル酸化合物の具体例としては、例えば、シアヌル酸、シアヌル酸メラミン等を挙げることができる。
前記窒素系難燃剤の配合量としては、窒素系難燃剤の種類、硬化性組成物の他の成分、所望の難燃性の程度によって適宜選択されるものであるが、例えば、エポキシ成分、硬化剤、非ハロゲン系難燃剤及びその他の充填材や添加剤等全てを配合した硬化性組成物100質量部中、0.05〜10質量部の範囲で配合することが好ましく、特に0.1〜5質量部の範囲で配合することが好ましい。
また前記窒素系難燃剤を使用する際、金属水酸化物、モリブデン化合物等を併用してもよい。
前記シリコーン系難燃剤としては、ケイ素原子を含有する有機化合物であれば特に制限がなく使用でき、例えば、シリコーンオイル、シリコーンゴム、シリコーン樹脂等が挙げられる。
前記シリコーン系難燃剤の配合量としては、シリコーン系難燃剤の種類、硬化性樹脂組成物の他の成分、所望の難燃性の程度によって適宜選択されるものであるが、例えば、エポキシ成分、硬化剤、非ハロゲン系難燃剤及びその他の充填材や添加剤等全てを配合した硬化性組成物100質量部中、0.05〜20質量部の範囲で配合することが好ましい。また前記シリコーン系難燃剤を使用する際、モリブデン化合物、アルミナ等を併用してもよい。
前記無機系難燃剤としては、例えば、金属水酸化物、金属酸化物、金属炭酸塩化合物、金属粉、ホウ素化合物、低融点ガラス等が挙げられる。
前記金属水酸化物の具体例としては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ドロマイト、ハイドロタルサイト、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、水酸化ジルコニウム等を挙げることができる。
前記金属酸化物の具体例としては、例えば、モリブデン酸亜鉛、三酸化モリブデン、スズ酸亜鉛、酸化スズ、酸化アルミニウム、酸化鉄、酸化チタン、酸化マンガン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化モリブデン、酸化コバルト、酸化ビスマス、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化銅、酸化タングステン等を挙げることができる。
前記金属炭酸塩化合物の具体例としては、例えば、炭酸亜鉛、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、塩基性炭酸マグネシウム、炭酸アルミニウム、炭酸鉄、炭酸コバルト、炭酸チタン等を挙げることができる。
前記金属粉の具体例としては、例えば、アルミニウム、鉄、チタン、マンガン、亜鉛、モリブデン、コバルト、ビスマス、クロム、ニッケル、銅、タングステン、スズ等を挙げることができる。
前記ホウ素化合物の具体例としては、例えば、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸、ホウ砂等を挙げることができる。
前記低融点ガラスの具体例としては、例えば、シープリー(ボクスイ・ブラウン社)、水和ガラスSiO2−MgO−H2O、PbO−B2O3系、ZnO−P2O5−MgO系、P2O5−B2O3−PbO−MgO系、P−Sn−O−F系、PbO−V2O5−TeO2系、Al2O3−H2O系、ホウ珪酸鉛系等のガラス状化合物を挙げることができる。
前記無機系難燃剤の配合量としては、無機系難燃剤の種類、硬化性組成物の他の成分、所望の難燃性の程度によって適宜選択されるものであるが、例えば、エポキシ成分、硬化剤、非ハロゲン系難燃剤及びその他の充填材や添加剤等全てを配合した硬化性組成物100質量部中、0.5〜50質量部の範囲で配合することが好ましく、特に5〜30質量部の範囲で配合することが好ましい。
前記有機金属塩系難燃剤としては、例えば、フェロセン、アセチルアセトナート金属錯体、有機金属カルボニル化合物、有機コバルト塩化合物、有機スルホン酸金属塩、金属原子と芳香族化合物又は複素環化合物がイオン結合又は配位結合した化合物等が挙げられる。
前記有機金属塩系難燃剤の配合量としては、有機金属塩系難燃剤の種類、硬化性組成物の他の成分、所望の難燃性の程度によって適宜選択されるものであるが、例えば、エポキシ成分、硬化剤、非ハロゲン系難燃剤及びその他の充填材や添加剤等全てを配合した硬化性組成物100質量部中、0.005〜10質量部の範囲で配合することが好ましい。
本発明の硬化性組成物には、必要に応じて無機質充填材を配合することができる。前記無機質充填材としては、例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化珪素、水酸化アルミ等が挙げられる。前記無機充填材の配合量を特に大きくする場合は溶融シリカを用いることが好ましい。前記溶融シリカは破砕状、球状のいずれでも使用可能であるが、溶融シリカの配合量を高め且つ成形材料の溶融粘度の上昇を抑制するためには、球状のものを主に用いる方が好ましい。更に球状シリカの配合量を高めるためには、球状シリカの粒度分布を適当に調整することが好ましい。その充填率は硬化性組成物100質量部中、0.5〜100質量部の範囲で配合することが好ましい。また導電ペーストなどの用途に使用する場合は、銀粉や銅粉等の導電性充填剤を用いることができる。
本発明の硬化性組成物は、必要に応じて、シランカップリング剤、離型剤、顔料、乳化剤等の種々の配合剤を添加することができる。
本発明の硬化性組成物は、上記した各成分を均一に混合することにより得られる。エポキシ成分、硬化剤、更に必要により硬化促進剤の配合された本発明の硬化性組成物は従来知られている方法と同様の方法で容易に硬化物とすることができる。該硬化物としては積層物、注型物、接着層、塗膜、フィルム等の成形硬化物が挙げられる。
本発明の硬化性組成物が用いられる用途としては、プリント配線板材料、樹脂注型材料、接着剤、ビルドアップ基板用層間絶縁材料、ビルドアップ用接着フィルム等が挙げられる。また、これら各種用途のうち、プリント配線板や電子回路基板用絶縁材料、ビルドアップ用接着フィルム用途では、コンデンサ等の受動部品やICチップ等の能動部品を基板内に埋め込んだ所謂電子部品内蔵用基板用の絶縁材料として用いることができる。これらの中でも、高耐熱性及び難燃性といった特性からプリント配線板材料やビルドアップ用接着フィルムに用いることが好ましい。
ここで、本発明の硬化性組成物からプリント回路基板を製造するには、前記有機溶剤(C)を配合してワニス化した樹脂組成物を、補強基材に含浸し銅箔を重ねて加熱圧着させる方法が挙げられる。ここで使用し得る補強基材は、紙、ガラス布、ガラス不織布、アラミド紙、アラミド布、ガラスマット、ガラスロービング布などが挙げられる。かかる方法を更に詳述すれば、先ず、前記したワニス状の硬化性組成物を、用いた溶剤種に応じた加熱温度、好ましくは50〜170℃で加熱することによって、硬化物であるプリプレグを得る。この時用いる硬化性組成物と補強基材の質量割合としては、特に限定されないが、通常、プリプレグ中の樹脂分が20〜60質量%となるように調製することが好ましい。次いで、上記のようにして得られたプリプレグを、常法により積層し、適宜銅箔を重ねて、1〜10MPaの加圧下に170〜250℃で10分〜3時間、加熱圧着させることにより、目的とするプリント回路基板を得ることができる。
本発明の硬化性組成物をレジストインキとして使用する場合には、例えば該硬化性組成物の触媒としてカチオン重合触媒を用い、更に、顔料、タルク、及びフィラーを加えてレジストインキ用組成物とした後、スクリーン印刷方式にてプリント基板上に塗布した後、レジストインキ硬化物とする方法が挙げられる。
本発明の硬化性組成物を導電ペーストとして使用する場合には、例えば、微細導電性粒子を該硬化性組成物中に分散させ異方性導電膜用組成物とする方法、室温で液状である回路接続用ペースト樹脂組成物や異方性導電接着剤とする方法が挙げられる。
本発明の硬化性組成物からビルドアップ基板用層間絶縁材料を得る方法としては、例えば、ゴム、フィラーなどを適宜配合した当該硬化性組成物を、回路を形成した配線基板にスプレーコーティング法、カーテンコーティング法等を用いて塗布した後、硬化させる。その後、必要に応じて所定のスルーホール部等の穴あけを行った後、粗化剤により処理し、その表面を湯洗することによって、凹凸を形成させ、銅などの金属をめっき処理する。前記めっき方法としては、無電解めっき、電解めっき処理が好ましく、また前記粗化剤としては酸化剤、アルカリ、有機溶剤等が挙げられる。このような操作を所望に応じて順次繰り返し、樹脂絶縁層及び所定の回路パターンの導体層を交互にビルドアップして形成することにより、ビルドアップ基盤を得ることができる。但し、スルーホール部の穴あけは、最外層の樹脂絶縁層の形成後に行う。また、銅箔上で当該硬化性組成物を半硬化させた樹脂付き銅箔を、回路を形成した配線基板上に、170〜250℃で加熱圧着することで、粗化面を形成、メッキ処理の工程を省き、ビルドアップ基板を作製することも可能である。
本発明の硬化性組成物からビルドアップ用接着フィルムを製造する方法は、例えば、本発明の硬化性組成物を、支持フィルム上に塗布し樹脂組成物層を形成させて多層プリント配線板用の接着フィルムとする方法が挙げられる。
本発明の硬化性組成物をビルドアップ用接着フィルムに用いる場合、該接着フィルムは、真空ラミネート法におけるラミネートの温度条件(通常70℃〜140℃)で軟化し、回路基板のラミネートと同時に、回路基板に存在するビアホール或いはスルーホール内の樹脂充填が可能な流動性(樹脂流れ)を示すことが肝要であり、このような特性を発現するよう上記各成分を配合することが好ましい。
ここで、多層プリント配線板のスルーホールの直径は通常0.1〜0.5mm、深さは通常0.1〜1.2mmであり、通常この範囲で樹脂充填を可能とするのが好ましい。なお回路基板の両面をラミネートする場合はスルーホールの1/2程度充填されることが望ましい。
上記した接着フィルムを製造する方法は、具体的には、ワニス状の本発明の硬化性組成物を調製した後、支持フィルム(y)の表面に、このワニス状の組成物を塗布し、更に加熱、あるいは熱風吹きつけ等により有機溶剤を乾燥させて硬化性樹脂組成物の層(x)を形成させることにより製造することができる。
形成される層(x)の厚さは、通常、導体層の厚さ以上とする。回路基板が有する導体層の厚さは通常5〜70μmの範囲であるので、樹脂組成物層の厚さは10〜100μmの厚みを有するのが好ましい。
なお、本発明における層(x)は、後述する保護フィルムで保護されていてもよい。保護フィルムで保護することにより、硬化性組成物層表面へのゴミ等の付着やキズを防止することができる。
前記した支持フィルム及び保護フィルムは、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート(以下「PET」と略称することがある。)、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、更には離型紙や銅箔、アルミニウム箔等の金属箔などを挙げることができる。なお、支持フィルム及び保護フィルムはマッド処理、コロナ処理の他、離型処理を施してあってもよい。
支持フィルムの厚さは特に限定されないが、通常10〜150μmであり、好ましくは25〜50μmの範囲で用いられる。また保護フィルムの厚さは1〜40μmとするのが好ましい。
上記した支持フィルム(y)は、回路基板にラミネートした後に、或いは加熱硬化することにより絶縁層を形成した後に、剥離される。接着フィルムを加熱硬化した後に支持フィルム(y)を剥離すれば、硬化工程でのゴミ等の付着を防ぐことができる。硬化後に剥離する場合、通常、支持フィルムには予め離型処理が施される。
次に、上記のようして得られた接着フィルムを用いて多層プリント配線板を製造する方法は、例えば、層(x)が保護フィルムで保護されている場合はこれらを剥離した後、層(x)を回路基板に直接接するように、回路基板の片面又は両面に、例えば真空ラミネート法によりラミネートする。ラミネートの方法はバッチ式であってもロールでの連続式であってもよい。またラミネートを行う前に接着フィルム及び回路基板を必要により加熱(プレヒート)しておいてもよい。
ラミネートの条件は、圧着温度(ラミネート温度)を好ましくは70〜140℃、圧着圧力を好ましくは1〜11kgf/cm2(9.8×104〜107.9×104N/m2)とし、空気圧20mmHg(26.7hPa)以下の減圧下でラミネートすることが好ましい。
本発明の硬化物を得る方法としては、上記方法によって得られた組成物を、20〜250℃程度の温度範囲で加熱すればよい。
次に本発明を実施例、比較例により具体的に説明するが、以下において「部」及び「%
」は特に断わりのない限り質量基準である。尚、軟化点、13C−NMR、GPC及びMSは以下の条件にて測定した。
」は特に断わりのない限り質量基準である。尚、軟化点、13C−NMR、GPC及びMSは以下の条件にて測定した。
1)軟化点測定法:JIS K7234
2)13C−NMR:測定条件は以下の通り。
装置:日本電子(株)製 AL−400
測定モード:SGNNE(NOE消去の1H完全デカップリング法)
溶媒 :ジメチルスルホキシド
パルス角度:45℃パルス
試料濃度 :30wt%
積算回数 :10000回
装置:日本電子(株)製 AL−400
測定モード:SGNNE(NOE消去の1H完全デカップリング法)
溶媒 :ジメチルスルホキシド
パルス角度:45℃パルス
試料濃度 :30wt%
積算回数 :10000回
3)GPC:測定条件は以下の通り。
測定装置 :東ソー株式会社製「HLC−8220 GPC」、
カラム:東ソー株式会社製ガードカラム「HXL−L」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G2000HXL」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G2000HXL」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G3000HXL」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G4000HXL」
検出器: RI(示差屈折径)
データ処理:東ソー株式会社製「GPC−8020モデルIIバージョン4.10」
測定条件: カラム温度 40℃
展開溶媒 テトラヒドロフラン
流速 1.0ml/分
標準 : 前記「GPC−8020モデルIIバージョン4.10」の測定マニュアル
に準拠して、分子量が既知の下記の単分散ポリスチレンを用いた。
測定装置 :東ソー株式会社製「HLC−8220 GPC」、
カラム:東ソー株式会社製ガードカラム「HXL−L」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G2000HXL」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G2000HXL」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G3000HXL」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G4000HXL」
検出器: RI(示差屈折径)
データ処理:東ソー株式会社製「GPC−8020モデルIIバージョン4.10」
測定条件: カラム温度 40℃
展開溶媒 テトラヒドロフラン
流速 1.0ml/分
標準 : 前記「GPC−8020モデルIIバージョン4.10」の測定マニュアル
に準拠して、分子量が既知の下記の単分散ポリスチレンを用いた。
(使用ポリスチレン)
東ソー株式会社製「A−500」
東ソー株式会社製「A−1000」
東ソー株式会社製「A−2500」
東ソー株式会社製「A−5000」
東ソー株式会社製「F−1」
東ソー株式会社製「F−2」
東ソー株式会社製「F−4」
東ソー株式会社製「F−10」
東ソー株式会社製「F−20」
東ソー株式会社製「F−40」
東ソー株式会社製「F−80」
東ソー株式会社製「F−128」
試料 : 樹脂固形分換算で1.0質量%のテトラヒドロフラン溶液をマイクロフィ
ルターでろ過したもの(50μl)。
東ソー株式会社製「A−500」
東ソー株式会社製「A−1000」
東ソー株式会社製「A−2500」
東ソー株式会社製「A−5000」
東ソー株式会社製「F−1」
東ソー株式会社製「F−2」
東ソー株式会社製「F−4」
東ソー株式会社製「F−10」
東ソー株式会社製「F−20」
東ソー株式会社製「F−40」
東ソー株式会社製「F−80」
東ソー株式会社製「F−128」
試料 : 樹脂固形分換算で1.0質量%のテトラヒドロフラン溶液をマイクロフィ
ルターでろ過したもの(50μl)。
4)MS :日本電子株式会社製 二重収束型質量分析装置 AX505H(FD505
H)
H)
製造例1 エポキシ化合物(A−1)の製造
温度計、滴下ロート、冷却管、分留管、撹拌器を取り付けたフラスコに、α−ナフトール216質量部(1.50モル)、37質量%ホルムアルデヒド水溶液146質量部(1.80モル)、イソプロピルアルコール121質量部、49%水酸化ナトリウム水溶液46質量部(0.56モル)を仕込み、室温下、窒素を吹き込みながら撹拌した。その後、80℃に昇温し1時間攪拌した。反応終了後、第1リン酸ソーダ40質量部を添加して中和した後、冷却し結晶物をろ別した。その後、水200質量部で3回洗浄を繰り返した後に、加熱減圧下乾燥してナフトール化合物(a−1)224質量部得た。得られたナフトール化合物(a−1)の水酸基当量は156グラム/当量であった。得られたナフトール化合物のGPCチャートを図1に、MSスペクトルを図2に示す。
温度計、滴下ロート、冷却管、分留管、撹拌器を取り付けたフラスコに、α−ナフトール216質量部(1.50モル)、37質量%ホルムアルデヒド水溶液146質量部(1.80モル)、イソプロピルアルコール121質量部、49%水酸化ナトリウム水溶液46質量部(0.56モル)を仕込み、室温下、窒素を吹き込みながら撹拌した。その後、80℃に昇温し1時間攪拌した。反応終了後、第1リン酸ソーダ40質量部を添加して中和した後、冷却し結晶物をろ別した。その後、水200質量部で3回洗浄を繰り返した後に、加熱減圧下乾燥してナフトール化合物(a−1)224質量部得た。得られたナフトール化合物(a−1)の水酸基当量は156グラム/当量であった。得られたナフトール化合物のGPCチャートを図1に、MSスペクトルを図2に示す。
次いで、温度計、冷却管、撹拌器を取り付けたフラスコに窒素ガスパージを施しながら上記反応で得られたナフトール化合物(a−1)156質量部(水酸基1.0当量)、エピクロルヒドリン463質量部(5.0モル)、n−ブタノール53質量部を仕込み溶解させた。50℃に昇温した後に、20%水酸化ナトリウム水溶液220質量部(1.10モル)を3時間要して添加し、その後更に50℃で1時間反応させた。反応終了後、150℃減圧下で未反応エピクロルヒドリンを留去した。それで得られた粗エポキシ化合物にメチルイソブチルケトン300質量部とn−ブタノール50質量部とを加え溶解した。更にこの溶液に10質量%水酸化ナトリウム水溶液15質量部を添加して80℃で2時間反応させた後に洗浄液のpHが中性となるまで水100質量部で水洗を3回繰り返した。次いで共沸によって系内を脱水し、精密濾過を経た後に、溶媒を減圧下で留去して目的のエポキシ化合物(A−1)201質量部を得た。得られたエポキシ化合物(A−1)のエポキシ当量は239グラム/当量であった。得られたエポキシ化合物(A−1)のGPCチャートを図3に、13C−NMRチャートを図4に、MSスペクトルを図5に示す。MSスペクトルから前記構造式1においてn=4の場合の化合物に相当する848のピークが検出された。また、GPCチャートから算出される前記構造式1においてn=4の場合に相当する化合物の含有率は85.6%であった。
製造例2 エポキシ樹脂混合物(A−2)の製造
α−ナフトール216質量部(1.50モル)をα−ナフトール144質量部(1.00モル)とβ−ナフトール72質量部(0.50モル)にした以外は製造例1と同様にして、エポキシ樹脂混合物(A−2)199質量部を得た。得られたエポキシ樹脂混合物(A−2)の軟化点は133℃(B&R法)、溶融粘度(測定法:ICI粘度計法、測定温度:150℃)は115.0dPa・s、エポキシ当量は240グラム/当量であった。得られたエポキシ樹脂混合物(A−2)のGPCチャートを図6に、13C−NMRチャートを図7に、MSスペクトルを図8に示す。MSスペクトルから前記構造式1においてn=4を示す848のピークが検出された。また、GPCチャートから算出される前記構造式1におけるn=4体の含有率は34.1%であった。従って、前記エポキシ樹脂混合物(A−2)は、前記構造式1においてn=4のエポキシ化合物とα−ナフトール/β−ナフトール共縮合型ノボラックのポリグリシジルエーテルとの混合物であることが判明した。
α−ナフトール216質量部(1.50モル)をα−ナフトール144質量部(1.00モル)とβ−ナフトール72質量部(0.50モル)にした以外は製造例1と同様にして、エポキシ樹脂混合物(A−2)199質量部を得た。得られたエポキシ樹脂混合物(A−2)の軟化点は133℃(B&R法)、溶融粘度(測定法:ICI粘度計法、測定温度:150℃)は115.0dPa・s、エポキシ当量は240グラム/当量であった。得られたエポキシ樹脂混合物(A−2)のGPCチャートを図6に、13C−NMRチャートを図7に、MSスペクトルを図8に示す。MSスペクトルから前記構造式1においてn=4を示す848のピークが検出された。また、GPCチャートから算出される前記構造式1におけるn=4体の含有率は34.1%であった。従って、前記エポキシ樹脂混合物(A−2)は、前記構造式1においてn=4のエポキシ化合物とα−ナフトール/β−ナフトール共縮合型ノボラックのポリグリシジルエーテルとの混合物であることが判明した。
製造例3 活性エステル化合物(B−1)の製造
温度計、滴下ロート、冷却管、分留管、撹拌器を取り付けたフラスコにジシクロペンタジエンとフェノールの重付加反応樹脂(水酸基当量:165g/eq、軟化点85℃)165gとナフトール72g(0.5モル)とトルエン630gを仕込み、系内を減圧窒素置換し溶解させた。次いで、イソフタル酸クロライド151.5g(0.75モル)を仕込み、系内を減圧窒素置換し溶解させた。その後、窒素ガスパージを施しながら、系内を60℃以下に制御して、20%水酸化ナトリウム水溶液210gを3時間かけて滴下した。次いでこの条件下で1.0時間撹拌を続けた。反応終了後、静置分液し、水層を取り除いた。更に反応物が溶解しているトルエン層に水を投入して約15分間撹拌混合し、静置分液して水層を取り除いた。水層のPHが7になるまでこの操作を繰り返した。その後、デカンタ脱水で水分を除去し、続いて減圧脱水でトルエンを除去し、活性エステル化合物(B−1)を合成した。得られた活性エステル化合物(B−1)は、前記構造式2の構造を有し、活性エステル基当量は223g/eq、軟化点は150℃であった。
温度計、滴下ロート、冷却管、分留管、撹拌器を取り付けたフラスコにジシクロペンタジエンとフェノールの重付加反応樹脂(水酸基当量:165g/eq、軟化点85℃)165gとナフトール72g(0.5モル)とトルエン630gを仕込み、系内を減圧窒素置換し溶解させた。次いで、イソフタル酸クロライド151.5g(0.75モル)を仕込み、系内を減圧窒素置換し溶解させた。その後、窒素ガスパージを施しながら、系内を60℃以下に制御して、20%水酸化ナトリウム水溶液210gを3時間かけて滴下した。次いでこの条件下で1.0時間撹拌を続けた。反応終了後、静置分液し、水層を取り除いた。更に反応物が溶解しているトルエン層に水を投入して約15分間撹拌混合し、静置分液して水層を取り除いた。水層のPHが7になるまでこの操作を繰り返した。その後、デカンタ脱水で水分を除去し、続いて減圧脱水でトルエンを除去し、活性エステル化合物(B−1)を合成した。得られた活性エステル化合物(B−1)は、前記構造式2の構造を有し、活性エステル基当量は223g/eq、軟化点は150℃であった。
比較製造例1 エポキシ樹脂(A’−1)の製造
温度計、滴下ロート、冷却管、分留管、撹拌器を取り付けたフラスコに、α−ナフトール505質量部(3.50モル)、水158質量部、蓚酸5質量部を仕込み、室温から100℃まで45分で昇温しながら撹拌した。続いて、42質量%ホルマリン水溶液177質量部(2.45モル)を1時間要して滴下した。滴下終了後、さらに100℃で1時間攪拌し、その後180℃まで3時間で昇温した。反応終了後、反応系内に残った水分を加熱減圧下に除去しナフトール樹脂(a’−1)498質量部を得た。得られたナフトール樹脂(a’−1)の軟化点は133℃(B&R法)、水酸基当量は154グラム/当量であった。また、MSスペクトルの結果からカリックスアレーン構造は確認できなかった。次いで、ナフトール樹脂(a’−1)154質量部(水酸基1.0当量)とエピクロルヒドリンを実施例1と同様に反応させ、エポキシ樹脂(A’−1)193質量部を得た。エポキシ当量は236グラム/当量であった。
温度計、滴下ロート、冷却管、分留管、撹拌器を取り付けたフラスコに、α−ナフトール505質量部(3.50モル)、水158質量部、蓚酸5質量部を仕込み、室温から100℃まで45分で昇温しながら撹拌した。続いて、42質量%ホルマリン水溶液177質量部(2.45モル)を1時間要して滴下した。滴下終了後、さらに100℃で1時間攪拌し、その後180℃まで3時間で昇温した。反応終了後、反応系内に残った水分を加熱減圧下に除去しナフトール樹脂(a’−1)498質量部を得た。得られたナフトール樹脂(a’−1)の軟化点は133℃(B&R法)、水酸基当量は154グラム/当量であった。また、MSスペクトルの結果からカリックスアレーン構造は確認できなかった。次いで、ナフトール樹脂(a’−1)154質量部(水酸基1.0当量)とエピクロルヒドリンを実施例1と同様に反応させ、エポキシ樹脂(A’−1)193質量部を得た。エポキシ当量は236グラム/当量であった。
実施例1、2及び比較例1、2
主剤であるエポキシ成分として、前記(A−1)、(A−2)、(A’−1)、及びクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(A’−2)(DIC株式会社製「エピクロンN−680」)を、硬化剤として前記(B−1)を、硬化促進剤としてジメチルアミノピリジン(DMAP)を用いて表1に示した組成で配合し、更にメチルエチルケトンを加えて不揮発分が58質量%となるように調整した。これをプレスで150℃の温度で10分間成形した後、175℃で5時間硬化させて評価サンプルを作成した。これについて下記の方法で評価し、結果を表1に示した。
主剤であるエポキシ成分として、前記(A−1)、(A−2)、(A’−1)、及びクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(A’−2)(DIC株式会社製「エピクロンN−680」)を、硬化剤として前記(B−1)を、硬化促進剤としてジメチルアミノピリジン(DMAP)を用いて表1に示した組成で配合し、更にメチルエチルケトンを加えて不揮発分が58質量%となるように調整した。これをプレスで150℃の温度で10分間成形した後、175℃で5時間硬化させて評価サンプルを作成した。これについて下記の方法で評価し、結果を表1に示した。
<耐熱性(ガラス転移温度)>
粘弾性測定装置(DMA:レオメトリック社製固体粘弾性測定装置RSAII、レクタンギュラーテンション法;周波数1Hz、昇温速度3℃/min)を用いて、弾性率変化が最大となる(tanδ変化率が最も大きい)温度をガラス転移温度として評価した。
粘弾性測定装置(DMA:レオメトリック社製固体粘弾性測定装置RSAII、レクタンギュラーテンション法;周波数1Hz、昇温速度3℃/min)を用いて、弾性率変化が最大となる(tanδ変化率が最も大きい)温度をガラス転移温度として評価した。
<誘電率・誘電正接>
JIS−C−6481に準拠し、アジレント・テクノロジー株式会社製インピーダンス・マテリアル・アナライザ「HP4291B」を用いて、絶乾後23℃、湿度50%の室内に24時間保管した後の試験片の1GHzでの誘電率及び誘電正接を測定した。
JIS−C−6481に準拠し、アジレント・テクノロジー株式会社製インピーダンス・マテリアル・アナライザ「HP4291B」を用いて、絶乾後23℃、湿度50%の室内に24時間保管した後の試験片の1GHzでの誘電率及び誘電正接を測定した。
<難燃性>
無機フィラーとして水酸化アルミニウムを樹脂固形分に対して50質量%充填した配合物を用いて、前記条件で幅12.7mm、長さ127mm、厚み1.2mmの評価用試験片を作成し、UL−94試験法に準拠し、試験片5本を用いて燃焼試験を行った。燃焼時間の合計を表1に示す。時間が短いほど燃焼し難く難燃性に優れることを示す。また、比較例2については試験片が全焼した。
無機フィラーとして水酸化アルミニウムを樹脂固形分に対して50質量%充填した配合物を用いて、前記条件で幅12.7mm、長さ127mm、厚み1.2mmの評価用試験片を作成し、UL−94試験法に準拠し、試験片5本を用いて燃焼試験を行った。燃焼時間の合計を表1に示す。時間が短いほど燃焼し難く難燃性に優れることを示す。また、比較例2については試験片が全焼した。
Claims (7)
- 前記エポキシ化合物(A)と前記活性エステル化合物(B)とに加え、更に、前記エポキシ化合物(A)以外のナフタレン系エポキシ樹脂(A’)を含有する請求項1記載の硬化性組成物。
- 前記ナフタレン系エポキシ樹脂(A’)がナフトールノボラック型エポキシ樹脂である請求項2記載の硬化性組成物。
- 前記エポキシ化合物(A)と前記その他のナフタレン系エポキシ樹脂(A’)との存在割合が、両者の混合物をGPCにより測定した場合におけるナフタレン系エポキシ樹脂(A’)の面積比率基準の含有率が3〜50%となる割合である請求項2記載の硬化性組成物。
- 請求項1〜5の何れか一つに記載の硬化性組成物を硬化させてなる硬化物。
- 請求項1〜5の何れか一つに記載の硬化性組成物に、更に有機溶剤を配合したワニス組成物を、補強基材に含浸し銅箔を重ねて加熱圧着させることにより得られるプリント配線基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012165776A JP2014024942A (ja) | 2012-07-26 | 2012-07-26 | 硬化性組成物、硬化物、及びプリント配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012165776A JP2014024942A (ja) | 2012-07-26 | 2012-07-26 | 硬化性組成物、硬化物、及びプリント配線基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014024942A true JP2014024942A (ja) | 2014-02-06 |
Family
ID=50198890
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012165776A Pending JP2014024942A (ja) | 2012-07-26 | 2012-07-26 | 硬化性組成物、硬化物、及びプリント配線基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2014024942A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021102702A (ja) * | 2019-12-25 | 2021-07-15 | Dic株式会社 | 硬化性樹脂組成物、その硬化物、及び半導体封止材料 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011074120A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Dic Corp | 硬化性樹脂組成物、その硬化物、及び回路基板 |
JP2011144361A (ja) * | 2009-12-14 | 2011-07-28 | Ajinomoto Co Inc | 樹脂組成物 |
WO2012023435A1 (ja) * | 2010-08-19 | 2012-02-23 | Dic株式会社 | エポキシ化合物、硬化性組成物、及びその硬化物 |
JP2013245287A (ja) * | 2012-05-25 | 2013-12-09 | Dic Corp | 硬化性組成物、硬化物、及びプリント配線基板 |
JP2013256627A (ja) * | 2012-06-14 | 2013-12-26 | Dic Corp | 硬化性組成物、硬化物、及びプリント配線基板 |
-
2012
- 2012-07-26 JP JP2012165776A patent/JP2014024942A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011074120A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Dic Corp | 硬化性樹脂組成物、その硬化物、及び回路基板 |
JP2011144361A (ja) * | 2009-12-14 | 2011-07-28 | Ajinomoto Co Inc | 樹脂組成物 |
WO2012023435A1 (ja) * | 2010-08-19 | 2012-02-23 | Dic株式会社 | エポキシ化合物、硬化性組成物、及びその硬化物 |
JP2013245287A (ja) * | 2012-05-25 | 2013-12-09 | Dic Corp | 硬化性組成物、硬化物、及びプリント配線基板 |
JP2013256627A (ja) * | 2012-06-14 | 2013-12-26 | Dic Corp | 硬化性組成物、硬化物、及びプリント配線基板 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021102702A (ja) * | 2019-12-25 | 2021-07-15 | Dic株式会社 | 硬化性樹脂組成物、その硬化物、及び半導体封止材料 |
JP7415550B2 (ja) | 2019-12-25 | 2024-01-17 | Dic株式会社 | 硬化性樹脂組成物、その硬化物、及び半導体封止材料 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5071602B2 (ja) | エポキシ化合物、硬化性組成物、及びその硬化物 | |
JP5293911B1 (ja) | エポキシ樹脂、硬化性樹脂組成物、その硬化物、及びプリント配線基板 | |
JP5637418B1 (ja) | リン原子含有活性エステル樹脂、エポキシ樹脂組成物、その硬化物、プリプレグ、回路基板、及びビルドアップフィルム | |
JP5463859B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物、その硬化物、新規エポキシ樹脂、新規フェノール樹脂、プリプレグ、及び回路基板 | |
JP5561571B1 (ja) | エポキシ樹脂、硬化性樹脂組成物、その硬化物、及びプリント配線基板 | |
JP6171760B2 (ja) | リン原子含有活性エステル樹脂、エポキシ樹脂組成物、その硬化物、プリプレグ、回路基板、及びビルドアップフィルム | |
JP5614519B1 (ja) | 変性フェノール樹脂、変性フェノール樹脂の製造方法、変性エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂の製造方法、硬化性樹脂組成物、その硬化物、及びプリント配線基板 | |
JP2014024977A (ja) | 硬化性樹脂組成物、硬化物、及びプリント配線基板 | |
JP5954571B2 (ja) | 硬化性組成物、硬化物、及びプリント配線基板 | |
JP5732774B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物、硬化性樹脂組成物、その硬化物、及びプリント配線基板 | |
JP5532368B1 (ja) | エポキシ樹脂、硬化性樹脂組成物、その硬化物、及びプリント配線基板 | |
JP6083169B2 (ja) | エポキシ樹脂、硬化性樹脂組成物、その硬化物、及びプリント配線基板 | |
JP5995052B2 (ja) | 硬化性樹脂組成物、その硬化物、及びプリント配線基板 | |
JP2014005338A (ja) | 硬化性組成物、硬化物、及びプリント配線基板 | |
JP5994474B2 (ja) | 硬化性樹脂組成物、硬化物、及びプリント配線基板 | |
JP5987261B2 (ja) | 硬化性樹脂組成物、硬化物、及びプリント配線基板 | |
JP5958104B2 (ja) | 硬化性組成物、硬化物、及びプリント配線基板 | |
JP2012201732A (ja) | エポキシ樹脂、硬化性樹脂組成物、その硬化物、及びプリント配線基板 | |
JP6257020B2 (ja) | フェニルフェノール−ナフトール樹脂、硬化性樹脂組成物、その硬化物、及びプリント配線基板 | |
JP6277595B2 (ja) | 硬化性組成物、硬化物、及びプリント配線基板 | |
JP2014024942A (ja) | 硬化性組成物、硬化物、及びプリント配線基板 | |
JP5987262B2 (ja) | 硬化性樹脂組成物、硬化物、及びプリント配線基板 | |
JP6155587B2 (ja) | エポキシ樹脂、硬化性樹脂組成物、その硬化物、及びプリント配線基板 | |
JP2014058633A (ja) | ビフェノール−ナフトール樹脂、硬化性樹脂組成物、その硬化物、及びプリント配線基板 | |
JP6094091B2 (ja) | 硬化性樹脂組成物、硬化物、及びプリント配線基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150612 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160519 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160524 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20161208 |