JP6094091B2 - 硬化性樹脂組成物、硬化物、及びプリント配線基板 - Google Patents

Description

本発明は、得られる硬化物が耐熱性に優れ、熱履歴後の耐熱性変化が小さく、かつ、耐湿耐半田性にも優れる硬化性樹脂組成物、これを硬化させてなる硬化物及びプリント配線基板に関する。

エポキシ化合物及びフェノール化合物からなる組成物は、その硬化物が耐熱性や耐湿耐はんだ性、絶縁性などに優れることから、半導体封止剤やプリント配線基板用の絶縁材料として幅広く用いられている。

このうちプリント配線基板用途においては、電子機器の小型化や高性能化の流れに伴い、配線ピッチの狭小化による高密度な配線の実現が求められており、これに対応した半導体実装方式として、従来のワイヤボンディング方式に替えて、はんだボールにより半導体装置と配線基板とを接合させるフリップチップ接続方式が主流となっている。このフリップチップ接続方式では、配線基板と半導体との間にはんだボールを配置し、全体を加熱することによりはんだをリフローさせて接合するため、配線基板用絶縁材料にはこれまで以上に高い耐熱性が要求されるのみならず、更に、熱履歴後の耐熱性の変化が小さいこと、耐湿耐半田性に優れることなど、総合的な性能バランスの向上が求められている。

特に耐熱性に優れる材料として、例えば、ナフトールとホルムアルデヒドとを反応させることで得られるナフトール樹脂が知られている（下記特許文献１参照）。このようなナフトール樹脂は、一般的なフェノールノボラック樹脂と比較して化学骨格の剛直性が高いことから、これをエポキシ樹脂硬化剤として用いた場合、硬化物の耐熱性はより高いものとなるが、しかしながら、昨今益々高まる要求レベルを満たすものではなかった。また、熱履歴後の耐熱性の変化が大きく、耐湿耐半田性も十分なものではないことから、配線基板材料として更に高い性能を有する樹脂材料の開発が求められていた。

特開２００７−３１５２７号公報

従って、本発明が解決しようとする課題は、得られる硬化物が耐熱性に優れ、熱履歴後の耐熱性変化が小さく、かつ、耐湿耐半田性にも優れる硬化性樹脂組成物、これを硬化させてなる硬化物及びプリント配線基板を提供することにある。

本発明者らは、上記の課題を解決するため鋭意検討した結果、主剤として特定の構造を有するナフタレン骨格含有エポキシ化合物を用い、硬化剤としてナフトール骨格とナフトキノン骨格とがメチレン結合を介して結合した樹脂構造を有するフェノール樹脂を用いた場合に、その硬化物が非常に高い耐熱性を有し、熱履歴後の耐熱性変化も小さく、かつ、耐湿耐半田性にも優れるものとなることを見出し、本発明を完成するに至った。

即ち、本発明は、下記構造式（ｉ）

（式中、Ｒ^１は、それぞれ独立して水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ｔ−ブチル基を示す。）で表されるナフタレン骨格含有エポキシ化合物（Ａ）と、ナフトール骨格（ｎ）とナフトキノン骨格（ｑ）とがメチレン結合を介して結合した樹脂構造を有するフェノール樹脂（Ｂ）とを必須の成分として含有することを特徴とする硬化性樹脂組成物に関する。

本発明は、更に、前記硬化性組成物を硬化させてなる硬化物に関する。

本発明は、更に、前記硬化性組成物に、更に有機溶剤を配合したワニス組成物を、補強基材に含浸し銅箔を重ねて加熱圧着させることにより得られるプリント配線基板に関する。

本発明によれば、得られる硬化物が非常に高い耐熱性を有し、熱履歴後の耐熱性変化も小さく、かつ、耐湿耐半田性にも優れる硬化性組成物、これを硬化させてなる硬化物及びプリント配線基板を提供することができる。

図１は、製造例２で得られたフェノール樹脂（Ｂ−１）のＧＰＣチャート図である。 図２は、製造例３で得られたフェノール樹脂（Ｂ−２）のＧＰＣチャート図である。 図３は、製造例３で得られたフェノール樹脂（Ｂ−２）の^１３Ｃ−ＮＭＲチャート図である。 図４は、製造例３で得られたフェノール樹脂（Ｂ−２）のＦＴ−ＩＲチャートである。 図５は、製造例４で得られたフェノール樹脂（Ｂ−３）のＧＰＣチャート図である。 図６は、製造例５で得られたフェノール樹脂（Ｂ−４）のＧＰＣチャート図である。 図７は、製造例６で得られたフェノール樹脂（Ｂ−５）のＧＰＣチャート図である。

以下、本発明を詳細に説明する。

本発明で用いるナフタレン骨格含有エポキシ化合物（Ａ）は、下記構造式（ｉ）

（式中、Ｒ^１は、それぞれ独立して水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ｔ−ブチル基を示す。）で表される分子構造を有する。このようなエポキシ化合物（Ａ）は、分子構造中のナフタレン骨格含有率が高く、且つ、分子構造中のエポキシ基含有率も高いことから、耐熱性に優れ、かつ、熱履歴後の耐熱性変化の小さい硬化物を得ることが出来る。

次に、本発明で用いるフェノール樹脂（Ｂ）について説明する。本発明のフェノール樹脂（Ｂ）は、ナフトール骨格（ｎ）とナフトキノン骨格（ｑ）とがメチレン結合を介して結合した樹脂構造を有することを特徴としている。このようなフェノール樹脂は、その樹脂構造中にナフトキノン骨格（ｑ）を有することから、所謂ナフトールノボラック樹脂に比べてフェノール性水酸基の酸性度が高まる結果、硬化性が飛躍的に向上して耐熱性が向上する上、熱履歴後の耐熱性変化も低いものとなる。

一般に、分子構造中にカルボニル基の様な極性の高い官能基を有する化合物は吸湿率が高くなることから、本発明で用いるフェノール樹脂（Ｂ）のようにナフトキノン骨格（ｑ）を有する化合物を用いた場合には、前述の通り、硬化物の耐熱性の向上や耐熱性変化の低減に効果がある反面、耐湿耐半田性等の性能が低下する傾向にある。また、前記エポキシ化合物（Ａ）のような比較的官能基濃度の高い化合物は、前述の通り、架橋密度が高まることにより耐熱性に優れるものとなるが、その一方で、硬化反応により生じる水酸基の影響により、耐湿耐半田性が低下しやすい。

このように、本願発明で用いるエポキシ化合物（Ａ）とフェノール樹脂（Ｂ）とは、それぞれを単独で用いた場合には、十分な耐湿耐半田性が発現し得るものではないが、これらを組み合わせて用いることにより、耐熱性が高く、熱履歴後の耐熱性変化が小さく、かつ、耐湿耐半田性にも優れる硬化物が得られる。即ち、エポキシ化合物（Ａ）と前記フェノール樹脂（Ｂ）とが共に分子構造中にナフタレン骨格を有するものであることから、その硬化物においてナフタレン環の密なπスタッキングが形成され、疎水性の高い硬化物となる。前記エポキシ化合物（Ａ）のような比較的低分子量の化合物は、特にこのπスタッキングの形成に有利である。更に、フェノール樹脂（Ｂ）が有するナフトキノン骨格由来のカルボニル基が、硬化反応により生じる水酸基と水素結合を形成することにより、硬化物がより高密度に架橋される結果、水分子が侵入し難く、耐湿耐半田性の高い硬化物を得ることが出来る。このようなπスタッキングや水素結合の効果は、特定の分子構造を有するエポキシ化合物（Ａ）とフェノール樹脂（Ｂ）とを組み合わせた場合に顕著に発現するものであり、本発明が奏する特徴的な効果である。

ここで、ナフトール骨格（ｎ）は、具体的には、α−ナフトール、β−ナフトール、これらにメチル基、エチル基、メトキシ基等のアルキル基が核置換した構造を有する各種ナフトール化合物が挙げられる。

他方、ナフトキノン骨格（ｑ）は、具体的には、下記構造式ｑ１又はｑ２

で表されるものが挙げられる。ここで、上記構造式ｑ１又はｑ２中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立的に水素原子、メチル基、エチル基、又はメトキシ基が挙げられる。これらのなかでも、特に低熱膨張性、耐熱性に優れる点からＲ^１及びＲ^２が共に水素原子であることが好ましい。また、本発明では、特に、硬化物の低熱膨張性、耐熱性に優れる点から構造式ｑ１で表されるものであることが好ましい。なお、上記構造式中ｑ１又はｑ２中の２本の線分は、他の構造部位との結合手を表し、当該構造を構成する２つの環構造の同一環に位置してもよく、また、異なる環に位置していてもよい。

本発明のフェノール樹脂（Ｂ）は、上記したナフトール骨格（ｎ）と、上記したナフトキノン骨格（ｑ）とがメチレン結合を介して結合した構造を有するものであり、とりわけメチレン結合を結節基として、前記ナフトール骨格（ｎ）又は前記ナフトキノン骨格（ｑ）の芳香核が結節し、ノボラック状の重合体を形成しているものであることが硬化物の耐熱性に優れる点から好ましい。斯かるノボラック状の重合体の樹脂構造は、具体的には、下記構造式Ｉ

（式中、Ｘの少なくとも一つは前記ナフトキノン骨格（ｑ）であり、その他はナフトール骨格（ｎ）である。また、ｎは繰り返し単位であり、零以上の整数である。）
で表されるものが挙げられる。

ここで、前記フェノール樹脂（Ｂ）は、該樹脂におけるナフトール骨格（ｎ）及びナフトキノン骨格（ｑ）の合計の核体数（但し、これらの骨格中の縮合環を１核体とする。）の平均が３〜１０の範囲であることが、硬化物における耐熱性に優れる点から好ましく、特に、３〜６の範囲であることが、耐熱性の改善効果がより顕著なものとなる点から好ましい。なお、前記フェノール樹脂（Ｂ）が前記構造式Ｉで表される場合、ナフトール骨格（ｎ）及びナフトキノン骨格（ｑ）の合計の核体数とは、該構造式Ｉ中のＸの総数に等しく、ｎ＋２に相当する値となる。

ここで、核体数の平均は、フェノール樹脂（Ｂ）を下記のＧＰＣ測定条件で測定した数平均分子量（Ｍｎ）から下記の計算式で算出することができる。下記式中、「Ｙ」はナフトール骨格（ｎ）の質量数、「Ｚ」はナフトキノン骨格（ｑ）の質量数、「ｐ」はナフトール骨格（ｎ）のナフトキノン骨格（ｑ）に対する存在割合（モル比）、「ｑ」はナフトキノン骨格（ｑ）のナフトール骨格（ｎ）に対する存在割合（モル比）を表わす。
核体数の平均＝（Ｍｎ−ｘ）／（ｘ＋１２）＋１
ｘ＝ｐ／１００×Ｙ＋ｑ／１００×Ｚ
なお、上記「ｐ」及び「ｑ」は、更に具体的には、後述する^１３Ｃ−ＮＭＲ測定によるモル比［ナフトキノン骨格（ｑ）／フェノール性水酸基（ｐ）が結合する炭素原子］の算出方法によって導かれる値である。

＜ＧＰＣ：測定条件＞
測定装置 ：東ソー株式会社製「ＨＬＣ−８２２０ ＧＰＣ」、
カラム：東ソー株式会社製ガードカラム「ＨＸＬ−Ｌ」
＋東ソー株式会社製「ＴＳＫ−ＧＥＬ Ｇ２０００ＨＸＬ」
＋東ソー株式会社製「ＴＳＫ−ＧＥＬ Ｇ２０００ＨＸＬ」
＋東ソー株式会社製「ＴＳＫ−ＧＥＬ Ｇ３０００ＨＸＬ」
＋東ソー株式会社製「ＴＳＫ−ＧＥＬ Ｇ４０００ＨＸＬ」
検出器： ＲＩ（示差屈折計）
データ処理：東ソー株式会社製「ＧＰＣ−８０２０モデルIIバージョン４．１０」
測定条件： カラム温度 ４０℃
展開溶媒 テトラヒドロフラン
流速 １．０ｍｌ／分
標準 ： 前記「ＧＰＣ−８０２０モデルIIバージョン４．１０」の測定マニュアルに準拠して、分子量が既知の下記の単分散ポリスチレンを用いた。
（使用ポリスチレン）
東ソー株式会社製「Ａ−５００」
東ソー株式会社製「Ａ−１０００」
東ソー株式会社製「Ａ−２５００」
東ソー株式会社製「Ａ−５０００」
東ソー株式会社製「Ｆ−１」
東ソー株式会社製「Ｆ−２」
東ソー株式会社製「Ｆ−４」
東ソー株式会社製「Ｆ−１０」
東ソー株式会社製「Ｆ−２０」
東ソー株式会社製「Ｆ−４０」
東ソー株式会社製「Ｆ−８０」
東ソー株式会社製「Ｆ−１２８」
試料 ： 樹脂固形分換算で１．０質量％のテトラヒドロフラン溶液をマイクロフィルターでろ過したもの（５０μｌ）。
３）^１３Ｃ−ＮＭＲ：測定条件は以下の通りである。
装置：日本電子（株）製 ＡＬ−４００
測定モード：ＳＧＮＮＥ（ＮＯＥ消去の１Ｈ完全デカップリング法）
溶媒 ：ジメチルスルホキシド
パルス角度：４５℃パルス
試料濃度 ：３０ｗｔ％
積算回数 ：1００００回

上記したフェノール樹脂（Ｂ）は、ナフトール化合物とホルムアルデヒドとの重縮合体（ｘ）を酸化処理し、該重縮合体中の一部のナフトール骨格をキノン化させた樹脂構造を有するものであることが、製造が容易である点から好ましい。

ここで、ナフトール化合物とホルムアルデヒドとの重縮合体（ｘ）は、具体的には、α−ナフトールノボラック樹脂、β−ナフトールノボラック樹脂、これらにメチル基、エチル基、メトキシ基等のアルキル基が核置換した分子構造を有する各種のノボラック樹脂、１，６−ジヒドロキシナフタレンのノボラック化物、２，７−ジヒドロキシナフタレンのジヒドロキシ化物などが挙げられる。これらのなかでもキノン体生成による耐熱性の改善効果、及び、熱履歴後の耐熱性変化の低減効果に優れる点からα−ナフトールノボラック樹脂であることが好ましい。

また、重縮合体（ｘ）の製造に用いられるナフトール化合物は、α−ナフトール、β−ナフトール、及びこれらにメチル基、エチル基、メトキシ基等のアルキル基が核置換した化合物等が挙げられ、特に反応性に優れる点から、α−ナフトールであることが好ましい。

また、ナフトール化合物とホルムアルデヒドとの重縮合体（ｘ）は、前記ナフトール系化合物と共に、その他のフェノール化合物、又は、フェノールノボラック樹脂若しくはクレゾールノボラック樹脂を併用してホルムアルデヒドと重縮合させたものであることが、硬化物の耐熱性が一層する点から好ましい。

ここで用いられるその他のフェノール化合物は、具体的には、フェノール、クレゾール、ジメチルフェノール等が挙げられる。これらのなかでも、最終的に得られるフェノール樹脂（Ｂ）の反応性が向上する点で、フェノール又はクレゾールが好ましい。

また、当該他のフェノール化合物の使用量は原料成分中、０．５〜１０質量％となる割合であることが、当該その他のフェノール系化合物を併用する効果が顕著に現れる点から好ましい。ここで述べる原料成分とは、ナフトール化合物、ホルムアルデヒド、及びフェノールノボラック又はアルキルフェノールノボラックの総量の事を示す。

他方、フェノールノボラック樹脂若しくはクレゾールノボラック樹脂は、軟化点が６０〜１２０℃の範囲にあるもの、更に、前記条件でのＧＰＣ測定による平均核体数が３〜１０の範囲にあるものが最終的に得られるフェノール樹脂（Ｂ）の流動性が良好なものとなり硬化物の耐熱性をより高めることができる点から好ましい。

ここで、フェノールノボラック又はアルキルフェノールノボラックの使用量は、原料成分中、０．５〜１０質量％となる割合であることが、フェノールノボラック又はアルキルフェノールノボラックを併用する効果が顕著に現れる点から好ましい。ここで述べる原料成分とは、ナフトール系化合物、ホルムアルデヒド、及びフェノールノボラック又はアルキルフェノールノボラックの総量の事を示す。

一方、前記ホルムアルデヒドのホルムアルデヒド源としては、例えば、ホルマリン、パラホルムアルデヒド、トリオキサン等が挙げられる。ここで、ホルマリンは水希釈性や製造時の作業性の点から３０〜６０質量％のホルマリンであることが好ましい。

前記重縮合体（ｘ）は、前記ナフトール化合物と前記ホルムアルデヒドとを酸触媒下に反応させて製造することができ、ここで用いる酸触媒は、塩酸、硫酸、リン酸などの無機酸、メタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、シュウ酸などの有機酸、三弗化ホウ素、無水塩化アルミニウム、塩化亜鉛などのルイス酸などが挙げられる。その使用量は仕込み原料の総重量に対して、０．１〜５重量％の範囲が好ましい。

また、ナフトール化合物と、前記ホルムアルデヒドと、必要により、その他のフェノール化合物又はフェノールノボラック樹脂若しくはクレゾールノボラック樹脂との反応における反応温度は８０〜１５０℃の範囲であることが反応性に優れる点から好ましい。

このようにして得られるナフトール化合物とホルムアルデヒドとの重縮合体（ｘ）は、その軟化点が１１０〜１５０℃の範囲であることが硬化物における耐熱性に優れる点から好ましい。

本発明のフェノール樹脂（Ｂ）は、前記した通り、斯かるナフトール化合物とホルムアルデヒドとの重縮合体（ｘ）を酸化処理することによって該重縮合体の樹脂構造中にナフトキノン骨格（ｑ）を生成させることによって得ることができる。

次に、本発明のフェノール樹脂（Ｂ）におけるナフトキノン骨格（ｑ）とナフトール骨格（ｎ）との存在割合は、フェノール樹脂（Ｂ）中のフェノール性水酸基（ｐ）と、ナフトキノン骨格（ｑ）との存在比率が、^１３Ｃ−ＮＭＲ測定によるモル比［ナフトキノン骨格（ｑ）／フェノール性水酸基（ｐ）が結合する炭素原子］において０．１／９９．９〜２０／８０となる割合となる範囲であることが、硬化物の耐熱性、及び、熱履歴後の耐熱性変化を低減する効果に優れる点から好ましく、特に０．５／９９．５〜１５／８５となる割合となる範囲であることが斯かる効果が一層顕著なものとなる点から好ましい。

ここで、モル比［ナフトキノン骨格（ｑ）／フェノール性水酸基（ｐ）が結合する炭素原子］は、^１３Ｃ−ＮＭＲ測定によって計算され、具体的には下記の方法にて測定及び算出される値である。
＜^１３Ｃ−ＮＭＲ測定条件＞
^１３Ｃ−ＮＭＲ：測定条件は以下の通り。
装置：日本電子（株）製 ＡＬ−４００
測定モード：ＳＧＮＮＥ（ＮＯＥ消去の１Ｈ完全デカップリング法）
溶媒 ：ジメチルスルホキシド
パルス角度：４５℃パルス
試料濃度 ：３０ｗｔ％
積算回数 ：1００００回

＜モル比［ナフトキノン骨格（ｑ）／フェノール性水酸基（ｐ）が結合する炭素原子］の算出方法＞
本発明のフェノール樹脂（Ｂ）を上記の^１３Ｃ−ＮＭＲ測定条件で測定した場合、１４５ｐｐｍから１６０ｐｐｍの間に検出されるフェノール性水酸基（ｐ）が結合する炭素原子のピークの積算値（α）と１７０ｐｐｍから１９０ｐｐｍの間に検出されるナフトキノン骨格（ｑ）の酸素が結合する炭素原子のピークの積算値（β）の関係は、下記式（１）及び下記式（２）を充足する。ここで（Ｘ）はフェノール性水酸基（ｐ）のモル数、（Ｙ）はナフトキノン骨格（ｑ）のモル数を示す。

X ＝ α 式（１）
Y ＝ β／２ 式（２）
よって、上記式（１）及び式（２）から、前記モル比は、下記式（３）における［Ｙ／Ｘ］の値として算出することができる。

Ｙ／Ｘ ＝ β／２α 式（３）

ナフトール系化合物とホルムアルデヒドとの重縮合体（ｘ）を酸化処理する方法は、例えば、ナフトール系化合物とホルムアルデヒドとの重縮合体（ｘ）を非密閉型の容器内に入れ空気存在下に放置乃至は攪拌する方法、或いは、非密閉型又は密閉型容器に酸素を吹き込みながら放置乃至攪拌する方法が挙げられる。この際、酸化処理の温度条件は、前記重縮合体（ｘ）の軟化点以下であればよいが、例えば、２５〜１２０℃の範囲であることが生産性に優れる点から好ましい。また、酸化処理時間は、例えば１時間〜７２時間の範囲が挙げられるが、前記モル比［ナフトキノン骨格（ｑ）／フェノール性水酸基（ｐ）が結合する炭素原子］の値は酸化処理時間が長くなるにつれ高くなる為、この酸化処理時間により当該モル比をコントロールすることができる。

このようにして得られる本発明のフェノール樹脂（Ｂ）は、その軟化点が１１０〜１８０℃の範囲であることが硬化物における耐熱性に優れる点から好ましい。

また、本発明のフェノール樹脂（Ｂ）は、下記の条件にてＦＴ−ＩＲを測定した場合に、１５６０ｃｍ^−１から１６００ｃｍ^−１の間に検出されるキノン骨格由来のピーク吸収値（γ）と１６３０ｃｍ^−１から１６７０ｃｍ^−１の間に検出される芳香族骨格由来のピーク吸収値（ω）から算出されるキノン吸光度比（γ／ω）が、０．１〜１．０の範囲であることが硬化物の低熱膨張性、耐熱性に優れる点から好ましい。
＜ＦＴ−ＩＲ測定条件＞
装置：日本分光（株）製 ＦＴ／ＩＲ−４２００ｔｙｐｅＡ
測定方法：ＫＢｒ錠剤法
測定モード：吸光度（Ａｂｓ）
分解：４ｃｍ^−１
積算回数：３２回
横軸：Ｗａｖｅｎｕｍｂｅｒ（ｃｍ^−１）
縦軸：Ａｂｓ

＜ピーク吸収値（γ及びω）の算出方法＞
ピーク吸収値（γ）とピーク吸収値（ω）は、１５００ｃｍ^−１から１５６０ｃｍ^−１の吸収の最小値（ａ）、１６６０ｃｍ^−１から１８００ｃｍ^−１の吸収の最小値（ｂ）を結んだベースラインからの高さから算出される値である。

本発明の硬化性組成物における前記ナフタレン骨格含有エポキシ化合物（Ａ）と前記フェノール樹脂（Ｂ）との配合割合は、特に制限されるものではないが、得られる硬化物が耐熱性により優れるものとなることから、前記エポキシ化合物（Ａ）が有するエポキシ基の合計１当量に対して、前記フェノール樹脂（Ｂ）が含有するフェノール性水酸基の合計が０．７〜１．５当量の範囲となる割合であることが好ましい。

本発明の硬化性組成物は、前記したフェノール樹脂（Ｂ）をエポキシ樹脂用硬化剤として用いるものであるが、必要に応じて、適宜、その他のエポキシ樹脂用硬化剤（Ｂ’）を併用してもよい。ここで使用し得るその他のエポキシ樹脂用硬化剤としては、アミン系化合物、アミド系化合物、酸無水物系化合物、フェノ−ル系化合物などの各種の公知の硬化剤が挙げられる。具体的には、アミン系化合物としてはジアミノジフェニルメタン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ジアミノジフェニルスルホン、イソホロンジアミン、イミダゾ−ル、ＢＦ_３−アミン錯体、グアニジン誘導体等が挙げられ、アミド系化合物としては、ジシアンジアミド、リノレン酸の２量体とエチレンジアミンとより合成されるポリアミド樹脂等が挙げられ、酸無水物系化合物としては、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、無水マレイン酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸等が挙げられ、フェノール系化合物としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、芳香族炭化水素ホルムアルデヒド樹脂変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエンフェノール付加型樹脂、フェノールアラルキル樹脂（ザイロック樹脂）、ナフトールアラルキル樹脂、トリメチロールメタン樹脂、テトラフェニロールエタン樹脂、ナフトールノボラック樹脂、ナフトール−フェノール共縮ノボラック樹脂、ナフトール−クレゾール共縮ノボラック樹脂、ビフェニル変性フェノール樹脂（ビスメチレン基でフェノール核が連結された多価フェノール化合物）、ビフェニル変性ナフトール樹脂（ビスメチレン基でフェノール核が連結された多価ナフトール化合物）、アミノトリアジン変性フェノール樹脂（メラミン、ベンゾグアナミンなどでフェノール核が連結された多価フェノール化合物）やアルコキシ基含有芳香環変性ノボラック樹脂（ホルムアルデヒドでフェノール核及びアルコキシ基含有芳香環が連結された多価フェノール化合物）等の多価フェノール化合物が挙げられる。

前記したその他のエポキシ樹脂用硬化剤（Ｂ’）を用いる場合、その使用量は、エポキシ樹脂用硬化剤（Ｂ’）中の活性水素と、フェノール樹脂（Ｂ）中のフェノール性水酸基との当量比（活性水素／水酸基）が１／１０〜５／１となる範囲であることが好ましい。

また、本発明では、前記ナフタレン骨格含有エポキシ化合物（Ａ）以外のエポキシ化合物（Ａ’）を併用しても良い。その他のエポキシ樹脂（Ａ’）の使用量は、例えば、全エポキシ成分中、５〜５０質量％となる範囲であることが好ましい。

ここで使用され得るエポキシ化合物（Ａ’）としては、種々のエポキシ樹脂を用いることができるが、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂、テトラメチルビフェニル型エポキシ樹脂等のビフェニル型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、フェノール系化合物とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；トリフェニルメタン型エポキシ樹脂；テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン−フェノール付加反応型エポキシ樹脂；フェノールアラルキル型エポキシ樹脂；ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトール−フェノール共縮ノボラック型エポキシ樹脂、ナフトール−クレゾール共縮ノボラック型エポキシ樹脂、ジグリシジルオキシナフタレン、１，１−ビス（２，７−ジグリシジルオキシ−１−ナフチル）アルカン等の前記エポキシ化合物（Ａ）以外の分子構造中にナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂；リン原子含有エポキシ樹脂等が挙げられる。また、これらのエポキシ樹脂は単独で用いてもよく、２種以上を混合してもよい。

ここで、リン原子含有エポキシ樹脂としては、９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−１０−ホスファフェナントレン−１０−オキサイド（以下、「ＨＣＡ」と略記する。）のエポキシ化物、ＨＣＡとキノン類とを反応させて得られるフェノール樹脂のエポキシ化物、フェノールノボラック型エポキシ樹脂をＨＣＡで変性したエポキシ樹脂、クレゾールノボック型エポキシ樹脂をＨＣＡで変性したエポキシ樹脂、また、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を及びＨＣＡとキノン類とを反応させて得られるフェノール樹脂で変成して得られるエポキシ樹脂等が挙げられる。

本発明では、必要に応じて硬化促進剤を適宜併用することもできる。前記硬化促進剤としては種々のものが使用できるが、例えば、リン系化合物、第３級アミン、イミダゾール、有機酸金属塩、ルイス酸、アミン錯塩等が挙げられる。特に半導体封止材料用途として使用する場合には、硬化性、耐熱性、電気特性、耐湿信頼性等に優れる点から、イミダゾール化合物では２−エチル−４−メチルイミダゾール、リン系化合物ではトリフェニルフォスフィン、第３級アミンでは１，８−ジアザビシクロ−［５．４．０］−ウンデセン（ＤＢＵ）が好ましい。

以上詳述した本発明の硬化性組成物をプリント配線基板用ワニス等に調整する場合、上記各成分の他に有機溶剤（Ｃ）を配合することが好ましい。ここで使用し得る前記有機溶剤としては、メチルエチルケトン、アセトン、ジメチルホルムアミド、メチルイソブチルケトン、メトキシプロパノール、シクロヘキサノン、メチルセロソルブ、エチルジグリコールアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等が挙げられ、その選択や適正な使用量は用途によって適宜選択し得るが、例えば、プリント配線基板用途では、メチルエチルケトン、アセトン、ジメチルホルムアミド等の沸点が１６０℃以下の極性溶剤であることが好ましく、また、不揮発分４０〜８０質量％となる割合で使用することが好ましい。一方、ビルドアップ用接着フィルム用途では、有機溶剤として、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン溶剤、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、カルビトールアセテート等のエステル溶剤、セロソルブ、ブチルカルビトール等のカルビトール溶剤、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶剤、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等を用いることが好ましく、また、不揮発分が３０〜６０質量％となる割合で使用することが好ましい。

また、本発明の硬化性組成物は、難燃性をさらに高めるために、例えばプリント配線基板用途においては、実質的にハロゲン原子を含有しない非ハロゲン系難燃剤を配合してもよい。

前記非ハロゲン系難燃剤としては、例えば、リン系難燃剤、窒素系難燃剤、シリコーン系難燃剤、無機系難燃剤、有機金属塩系難燃剤等が挙げられ、それらの使用に際しても何等制限されるものではなく、単独で使用しても、同一系の難燃剤を複数用いても良く、また、異なる系の難燃剤を組み合わせて用いることも可能である。

前記リン系難燃剤としては、無機系、有機系のいずれも使用することができる。無機系化合物としては、例えば、赤リン、リン酸一アンモニウム、リン酸二アンモニウム、リン酸三アンモニウム、ポリリン酸アンモニウム等のリン酸アンモニウム類、リン酸アミド等の無機系含窒素リン化合物が挙げられる。

また、前記赤リンは、加水分解等の防止を目的として表面処理が施されていることが好ましく、表面処理方法としては、例えば、（ｉ）水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化亜鉛、水酸化チタン、酸化ビスマス、水酸化ビスマス、硝酸ビスマス又はこれらの混合物等の無機化合物で被覆処理する方法、（ii）水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化亜鉛、水酸化チタン等の無機化合物、及びフェノール樹脂等の熱硬化性樹脂の混合物で被覆処理する方法、（iii）水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化亜鉛、水酸化チタン等の無機化合物の被膜の上にフェノール樹脂等の熱硬化性樹脂で二重に被覆処理する方法等が挙げられる。

前記有機リン系化合物としては、例えば、リン酸エステル化合物、ホスホン酸化合物、ホスフィン酸化合物、ホスフィンオキシド化合物、ホスホラン化合物、有機系含窒素リン化合物等の汎用有機リン系化合物の他、９，１０−ジヒドロ−９−オキサー１０−ホスファフェナントレン＝１０−オキシド、１０−（２，５―ジヒドロオキシフェニル）―１０Ｈ−９−オキサ−１０−ホスファフェナントレン＝１０−オキシド、１０―（２，７−ジヒドロオキシナフチル）−１０Ｈ−９−オキサ−１０−ホスファフェナントレン＝１０−オキシド等の環状有機リン化合物、及びそれをエポキシ樹脂やフェノール樹脂等の化合物と反応させた誘導体等が挙げられる。

それらの配合量としては、リン系難燃剤の種類、硬化性組成物の他の成分、所望の難燃性の程度によって適宜選択されるものであるが、例えば、エポキシ成分、硬化剤、非及びその他の充填材や添加剤等全てを配合した硬化性組成物１００質量部中、赤リンを非ハロゲン系難燃剤として使用する場合は０．１〜２．０質量部の範囲で配合することが好ましく、有機リン化合物を使用する場合は同様に０．１〜１０．０質量部の範囲で配合することが好ましく、特に０．５〜６．０質量部の範囲で配合することが好ましい。

また前記リン系難燃剤を使用する場合、該リン系難燃剤にハイドロタルサイト、水酸化マグネシウム、ホウ化合物、酸化ジルコニウム、黒色染料、炭酸カルシウム、ゼオライト、モリブデン酸亜鉛、活性炭等を併用してもよい。

前記窒素系難燃剤としては、例えば、トリアジン化合物、シアヌル酸化合物、イソシアヌル酸化合物、フェノチアジン等が挙げられ、トリアジン化合物、シアヌル酸化合物、イソシアヌル酸化合物が好ましい。

前記トリアジン化合物としては、例えば、メラミン、アセトグアナミン、ベンゾグアナミン、メロン、メラム、サクシノグアナミン、エチレンジメラミン、ポリリン酸メラミン、トリグアナミン等の他、例えば、（ｉ）硫酸グアニルメラミン、硫酸メレム、硫酸メラムなどの硫酸アミノトリアジン化合物、（ii）フェノール、クレゾール、キシレノール、ブチルフェノール、ノニルフェノール等のフェノール系化合物と、メラミン、ベンゾグアナミン、アセトグアナミン、ホルムグアナミン等のメラミン類およびホルムアルデヒドとの共縮合物、（iii）前記（ii）の共縮合物とフェノールホルムアルデヒド縮合物等のフェノール樹脂類との混合物、（iv）前記（ii）、（iii）を更に桐油、異性化アマニ油等で変性したもの等が挙げられる。

前記シアヌル酸化合物の具体例としては、例えば、シアヌル酸、シアヌル酸メラミン等を挙げることができる。

前記窒素系難燃剤の配合量としては、窒素系難燃剤の種類、硬化性組成物の他の成分、所望の難燃性の程度によって適宜選択されるものであるが、例えば、エポキシ成分、硬化剤、非ハロゲン系難燃剤及びその他の充填材や添加剤等全てを配合した硬化性組成物１００質量部中、０．０５〜１０質量部の範囲で配合することが好ましく、特に０．１〜５質量部の範囲で配合することが好ましい。

また前記窒素系難燃剤を使用する際、金属水酸化物、モリブデン化合物等を併用してもよい。

前記シリコーン系難燃剤としては、ケイ素原子を含有する有機化合物であれば特に制限がなく使用でき、例えば、シリコーンオイル、シリコーンゴム、シリコーン樹脂等が挙げられる。

前記シリコーン系難燃剤の配合量としては、シリコーン系難燃剤の種類、硬化性樹脂組成物の他の成分、所望の難燃性の程度によって適宜選択されるものであるが、例えば、エポキシ成分、硬化剤、非ハロゲン系難燃剤及びその他の充填材や添加剤等全てを配合した硬化性組成物１００質量部中、０．０５〜２０質量部の範囲で配合することが好ましい。また前記シリコーン系難燃剤を使用する際、モリブデン化合物、アルミナ等を併用してもよい。

前記無機系難燃剤としては、例えば、金属水酸化物、金属酸化物、金属炭酸塩化合物、金属粉、ホウ素化合物、低融点ガラス等が挙げられる。

前記金属水酸化物の具体例としては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ドロマイト、ハイドロタルサイト、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、水酸化ジルコニウム等を挙げることができる。

前記金属酸化物の具体例としては、例えば、モリブデン酸亜鉛、三酸化モリブデン、スズ酸亜鉛、酸化スズ、酸化アルミニウム、酸化鉄、酸化チタン、酸化マンガン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化モリブデン、酸化コバルト、酸化ビスマス、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化銅、酸化タングステン等を挙げることができる。

前記金属炭酸塩化合物の具体例としては、例えば、炭酸亜鉛、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、塩基性炭酸マグネシウム、炭酸アルミニウム、炭酸鉄、炭酸コバルト、炭酸チタン等を挙げることができる。

前記金属粉の具体例としては、例えば、アルミニウム、鉄、チタン、マンガン、亜鉛、モリブデン、コバルト、ビスマス、クロム、ニッケル、銅、タングステン、スズ等を挙げることができる。

前記ホウ素化合物の具体例としては、例えば、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸、ホウ砂等を挙げることができる。

前記低融点ガラスの具体例としては、例えば、シープリー（ボクスイ・ブラウン社）、水和ガラスＳｉＯ２−ＭｇＯ−Ｈ２Ｏ、ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３系、ＺｎＯ−Ｐ２Ｏ５−ＭｇＯ系、Ｐ２Ｏ５−Ｂ２Ｏ３−ＰｂＯ−ＭｇＯ系、Ｐ−Ｓｎ−Ｏ−Ｆ系、ＰｂＯ−Ｖ２Ｏ５−ＴｅＯ２系、Ａｌ２Ｏ３−Ｈ２Ｏ系、ホウ珪酸鉛系等のガラス状化合物を挙げることができる。

前記無機系難燃剤の配合量としては、無機系難燃剤の種類、硬化性組成物の他の成分、所望の難燃性の程度によって適宜選択されるものであるが、例えば、エポキシ成分、硬化剤、非ハロゲン系難燃剤及びその他の充填材や添加剤等全てを配合した硬化性組成物１００質量部中、０．５〜５０質量部の範囲で配合することが好ましく、特に５〜３０質量部の範囲で配合することが好ましい。

前記有機金属塩系難燃剤としては、例えば、フェロセン、アセチルアセトナート金属錯体、有機金属カルボニル化合物、有機コバルト塩化合物、有機スルホン酸金属塩、金属原子と芳香族化合物又は複素環化合物がイオン結合又は配位結合した化合物等が挙げられる。

前記有機金属塩系難燃剤の配合量としては、有機金属塩系難燃剤の種類、硬化性組成物の他の成分、所望の難燃性の程度によって適宜選択されるものであるが、例えば、エポキシ成分、硬化剤、非ハロゲン系難燃剤及びその他の充填材や添加剤等全てを配合した硬化性組成物１００質量部中、０．００５〜１０質量部の範囲で配合することが好ましい。

本発明の硬化性組成物には、必要に応じて無機質充填材を配合することができる。前記無機質充填材としては、例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化珪素、水酸化アルミ等が挙げられる。前記無機充填材の配合量を特に大きくする場合は溶融シリカを用いることが好ましい。前記溶融シリカは破砕状、球状のいずれでも使用可能であるが、溶融シリカの配合量を高め且つ成形材料の溶融粘度の上昇を抑制するためには、球状のものを主に用いる方が好ましい。更に球状シリカの配合量を高めるためには、球状シリカの粒度分布を適当に調整することが好ましい。その充填率は硬化性組成物１００質量部中、０．５〜１００質量部の範囲で配合することが好ましい。また導電ペーストなどの用途に使用する場合は、銀粉や銅粉等の導電性充填剤を用いることができる。

本発明の硬化性組成物は、必要に応じて、シランカップリング剤、離型剤、顔料、乳化剤等の種々の配合剤を添加することができる。

本発明の硬化性組成物は、上記した各成分を均一に混合することにより得られる。エポキシ成分、硬化剤、更に必要により硬化促進剤の配合された本発明の硬化性組成物は従来知られている方法と同様の方法で容易に硬化物とすることができる。該硬化物としては積層物、注型物、接着層、塗膜、フィルム等の成形硬化物が挙げられる。

本発明の硬化性組成物が用いられる用途としては、プリント配線板材料、樹脂注型材料、接着剤、ビルドアップ基板用層間絶縁材料、ビルドアップ用接着フィルム等が挙げられる。また、これら各種用途のうち、プリント配線板や電子回路基板用絶縁材料、ビルドアップ用接着フィルム用途では、コンデンサ等の受動部品やＩＣチップ等の能動部品を基板内に埋め込んだ所謂電子部品内蔵用基板用の絶縁材料として用いることができる。これらの中でも、高耐熱性及び難燃性といった特性からプリント配線板材料やビルドアップ用接着フィルムに用いることが好ましい。

ここで、本発明の硬化性組成物からプリント回路基板を製造するには、前記有機溶剤（Ｃ）を配合してワニス化した樹脂組成物を、補強基材に含浸し銅箔を重ねて加熱圧着させる方法が挙げられる。ここで使用し得る補強基材は、紙、ガラス布、ガラス不織布、アラミド紙、アラミド布、ガラスマット、ガラスロービング布などが挙げられる。かかる方法を更に詳述すれば、先ず、前記したワニス状の硬化性組成物を、用いた溶剤種に応じた加熱温度、好ましくは５０〜１７０℃で加熱することによって、硬化物であるプリプレグを得る。この時用いる硬化性組成物と補強基材の質量割合としては、特に限定されないが、通常、プリプレグ中の樹脂分が２０〜６０質量％となるように調製することが好ましい。次いで、上記のようにして得られたプリプレグを、常法により積層し、適宜銅箔を重ねて、１〜１０ＭＰａの加圧下に１７０〜２５０℃で１０分〜３時間、加熱圧着させることにより、目的とするプリント回路基板を得ることができる。

本発明の硬化性組成物をレジストインキとして使用する場合には、例えば該硬化性組成物の触媒としてカチオン重合触媒を用い、更に、顔料、タルク、及びフィラーを加えてレジストインキ用組成物とした後、スクリーン印刷方式にてプリント基板上に塗布した後、レジストインキ硬化物とする方法が挙げられる。

本発明の硬化性組成物を導電ペーストとして使用する場合には、例えば、微細導電性粒子を該硬化性組成物中に分散させ異方性導電膜用組成物とする方法、室温で液状である回路接続用ペースト樹脂組成物や異方性導電接着剤とする方法が挙げられる。

本発明の硬化性組成物からビルドアップ基板用層間絶縁材料を得る方法としては、例えば、ゴム、フィラーなどを適宜配合した当該硬化性組成物を、回路を形成した配線基板にスプレーコーティング法、カーテンコーティング法等を用いて塗布した後、硬化させる。その後、必要に応じて所定のスルーホール部等の穴あけを行った後、粗化剤により処理し、その表面を湯洗することによって、凹凸を形成させ、銅などの金属をめっき処理する。前記めっき方法としては、無電解めっき、電解めっき処理が好ましく、また前記粗化剤としては酸化剤、アルカリ、有機溶剤等が挙げられる。このような操作を所望に応じて順次繰り返し、樹脂絶縁層及び所定の回路パターンの導体層を交互にビルドアップして形成することにより、ビルドアップ基盤を得ることができる。但し、スルーホール部の穴あけは、最外層の樹脂絶縁層の形成後に行う。また、銅箔上で当該硬化性組成物を半硬化させた樹脂付き銅箔を、回路を形成した配線基板上に、１７０〜２５０℃で加熱圧着することで、粗化面を形成、メッキ処理の工程を省き、ビルドアップ基板を作製することも可能である。

本発明の硬化性組成物からビルドアップ用接着フィルムを製造する方法は、例えば、本発明の硬化性組成物を、支持フィルム上に塗布し樹脂組成物層を形成させて多層プリント配線板用の接着フィルムとする方法が挙げられる。

本発明の硬化性組成物をビルドアップ用接着フィルムに用いる場合、該接着フィルムは、真空ラミネート法におけるラミネートの温度条件（通常７０℃〜１４０℃）で軟化し、回路基板のラミネートと同時に、回路基板に存在するビアホール或いはスルーホール内の樹脂充填が可能な流動性（樹脂流れ）を示すことが肝要であり、このような特性を発現するよう上記各成分を配合することが好ましい。

ここで、多層プリント配線板のスルーホールの直径は通常０．１〜０．５ｍｍ、深さは通常０．１〜１．２ｍｍであり、通常この範囲で樹脂充填を可能とするのが好ましい。なお回路基板の両面をラミネートする場合はスルーホールの１／２程度充填されることが望ましい。

上記した接着フィルムを製造する方法は、具体的には、ワニス状の本発明の硬化性組成物を調製した後、支持フィルム（ｙ）の表面に、このワニス状の組成物を塗布し、更に加熱、あるいは熱風吹きつけ等により有機溶剤を乾燥させて硬化性樹脂組成物の層（ｘ）を形成させることにより製造することができる。

形成される層（ｘ）の厚さは、通常、導体層の厚さ以上とする。回路基板が有する導体層の厚さは通常５〜７０μｍの範囲であるので、樹脂組成物層の厚さは１０〜１００μｍの厚みを有するのが好ましい。

なお、本発明における層（ｘ）は、後述する保護フィルムで保護されていてもよい。保護フィルムで保護することにより、硬化性組成物層表面へのゴミ等の付着やキズを防止することができる。

前記した支持フィルム及び保護フィルムは、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、更には離型紙や銅箔、アルミニウム箔等の金属箔などを挙げることができる。なお、支持フィルム及び保護フィルムはマッド処理、コロナ処理の他、離型処理を施してあってもよい。

支持フィルムの厚さは特に限定されないが、通常１０〜１５０μｍであり、好ましくは２５〜５０μｍの範囲で用いられる。また保護フィルムの厚さは１〜４０μｍとするのが好ましい。

上記した支持フィルム（ｙ）は、回路基板にラミネートした後に、或いは加熱硬化することにより絶縁層を形成した後に、剥離される。接着フィルムを加熱硬化した後に支持フィルム（ｙ）を剥離すれば、硬化工程でのゴミ等の付着を防ぐことができる。硬化後に剥離する場合、通常、支持フィルムには予め離型処理が施される。

次に、上記のようして得られた接着フィルムを用いて多層プリント配線板を製造する方法は、例えば、層（ｘ）が保護フィルムで保護されている場合はこれらを剥離した後、層（ｘ）を回路基板に直接接するように、回路基板の片面又は両面に、例えば真空ラミネート法によりラミネートする。ラミネートの方法はバッチ式であってもロールでの連続式であってもよい。またラミネートを行う前に接着フィルム及び回路基板を必要により加熱（プレヒート）しておいてもよい。

ラミネートの条件は、圧着温度（ラミネート温度）を好ましくは７０〜１４０℃、圧着圧力を好ましくは１〜１１ｋｇｆ／ｃｍ２（９．８×１０４〜１０７．９×１０４Ｎ／ｍ２）とし、空気圧２０ｍｍＨｇ（２６．７ｈＰａ）以下の減圧下でラミネートすることが好ましい。

本発明の硬化物を得る方法としては、上記方法によって得られた組成物を、２０〜２５０℃程度の温度範囲で加熱すればよい。

次に本発明を実施例、比較例により具体的に説明するが、以下において「部」及び「％
」は特に断わりのない限り質量基準である。尚、軟化点、１３Ｃ−ＮＭＲ、ＧＰＣ及びＭＳは以下の条件にて測定した。

１）軟化点測定法：ＪＩＳ Ｋ７２３４

２）ＧＰＣ：測定条件は以下の通り。
測定装置 ：東ソー株式会社製「ＨＬＣ−８２２０ ＧＰＣ」、
カラム：東ソー株式会社製ガードカラム「ＨＸＬ−Ｌ」
＋東ソー株式会社製「ＴＳＫ−ＧＥＬ Ｇ２０００ＨＸＬ」
＋東ソー株式会社製「ＴＳＫ−ＧＥＬ Ｇ２０００ＨＸＬ」
＋東ソー株式会社製「ＴＳＫ−ＧＥＬ Ｇ３０００ＨＸＬ」
＋東ソー株式会社製「ＴＳＫ−ＧＥＬ Ｇ４０００ＨＸＬ」
検出器： ＲＩ（示差屈折計）
データ処理：東ソー株式会社製「ＧＰＣ−８０２０モデルIIバージョン４．１０」
測定条件： カラム温度 ４０℃
展開溶媒 テトラヒドロフラン
流速 １．０ｍｌ／分
標準 ： 前記「ＧＰＣ−８０２０モデルIIバージョン４．１０」の測定マニュアル
に準拠して、分子量が既知の下記の単分散ポリスチレンを用いた。
（使用ポリスチレン）
東ソー株式会社製「Ａ−５００」
東ソー株式会社製「Ａ−１０００」
東ソー株式会社製「Ａ−２５００」
東ソー株式会社製「Ａ−５０００」
東ソー株式会社製「Ｆ−１」
東ソー株式会社製「Ｆ−２」
東ソー株式会社製「Ｆ−４」
東ソー株式会社製「Ｆ−１０」
東ソー株式会社製「Ｆ−２０」
東ソー株式会社製「Ｆ−４０」
東ソー株式会社製「Ｆ−８０」
東ソー株式会社製「Ｆ−１２８」
試料 ： 樹脂固形分換算で１．０質量％のテトラヒドロフラン溶液をマイクロフィ
ルターでろ過したもの（５０μｌ）。

３）１３Ｃ−ＮＭＲ：測定条件は以下の通り。
装置：日本電子（株）製 ＡＬ−４００
測定モード：ＳＧＮＮＥ（ＮＯＥ消去の１Ｈ完全デカップリング法）
溶媒 ：ジメチルスルホキシド
パルス角度：４５℃パルス
試料濃度 ：３０ｗｔ％
積算回数 ：1００００回

４）ＭＳ ：島津バイオテック社製質量分析装置 「ＭＡＬＤＩ−ＭＡＳＳ ＡＸＩＭＡ−ＴＯＦ２」

５）＜モル比［ナフトキノン骨格（ｑ）／フェノール性水酸基（ｐ）が結合する炭素原子］＞の算出方法
本発明のフェノール樹脂（Ｂ）を上記の^１３Ｃ−ＮＭＲ測定条件で測定した場合、１４５ｐｐｍから１６０ｐｐｍの間に検出されるフェノール性水酸基（ｐ）が結合する炭素原子のピークの積算値（α）と１７０ｐｐｍから１９０ｐｐｍの間に検出されるナフトキノン骨格（ｑ）の酸素が結合する炭素原子のピークの積算値（β）の関係は、下記式（１）及び下記式（２）を充足する。ここで（Ｘ）はフェノール性水酸基（ｐ）のモル数、（Ｙ）はナフトキノン骨格（ｑ）のモル数を示す。
X ＝ α 式（１）
Y ＝ β／２ 式（２）
よって、上記式（１）及び式（２）から、前記モル比は、下記式（３）における［Ｙ／Ｘ］の値として算出することができる。
Ｙ／Ｘ ＝ β／２α 式（３）

６）核体数の平均の算出方法
核体数の平均は、フェノール樹脂（Ｂ）を上記のＧＰＣ測定条件で測定した数平均分子量（Ｍｎ）から下記の計算式で算出することができる。下記式中、「Ｙ」はナフトール骨格（ｎ）の質量数、「Ｚ」はナフトキノン骨格（ｑ）の質量数、「ｐ」はナフトール骨格（ｎ）のナフトキノン骨格（ｑ）に対する存在割合（モル比）、「ｑ」はナフトキノン骨格（ｑ）のナフトール骨格（ｎ）に対する存在割合（モル比）を表わす。
核体数の平均＝（Ｍｎ−ｘ）／（ｘ＋１２）＋１
ｘ＝ｐ／１００×Ｙ＋ｑ／１００×Ｚ
なお、上記「ｐ」及び「ｑ」は、更に具体的には、上記^１３Ｃ−ＮＭＲ測定によるモル比［ナフトキノン骨格（ｑ）／フェノール性水酸基（ｐ）が結合する炭素原子］の算出方法によって導かれる値である。

７）ＦＴ−ＩＲ測定条件
装置：日本分光（株）製 ＦＴ／ＩＲ−４２００ｔｙｐｅＡ
測定方法：ＫＢｒ錠剤法
測定モード：吸光度（Ａｂｓ）
分解：４ｃｍ-1
積算回数：３２回
横軸：Ｗａｖｅｎｕｍｂｅｒ（ｃｍ-1）
縦軸：Ａｂｓ

８）＜キノン吸光度比の算出方法＞
本発明のフェノール樹脂（Ｂ）を上記のＦＴ−ＩＲ測定条件で測定した場合、１５６０ｃｍ-1から１６００ｃｍ-1の間に検出されるキノン骨格由来のピーク吸収値（γ）と１６３０ｃｍ-1から１６７０ｃｍ-1の間に検出される芳香族骨格由来のピーク吸収値（ω）からキノン吸光度比はγ／ωで算出される。
ピーク吸収値（γ）とピーク吸収値（ω）は、１５００ｃｍ^−１から１５６０ｃｍ^−１の吸収の最小値（ａ）、１６６０ｃｍ^−１から１８００ｃｍ^−１の吸収の最小値（ｂ）を結んだベースラインからの高さから算出される。

製造例１ ナフタレン骨格含有エポキシ化合物（Ａ−１）の製造
温度計、滴下ロート、冷却管、分留管、撹拌器を取り付けたフラスコに、２，７−ジヒドロキシナフタレンを２４０部（１．５０モル）、３７質量％ホルムアルデヒド水溶液８５部（１．０５モル）、イソプロピルアルコール３７６部、４８％水酸化カリウム水溶液８８部（０．７５モル）を仕込み、室温下、窒素を吹き込みながら撹拌した。その後、７５℃に昇温し２時間攪拌した。反応終了後、第１リン酸ソーダ１０８部を添加して中和した後、イソプロピルアルコールを減圧下除去し、メチルイソブチルケトン４８０部を加えた。得られた有機層を水２００部で３回水洗を繰り返した後に、メチルイソブチルケトンを加熱減圧下に除去してフェノール化合物（ａ−１）２４５部得た。

次いで、温度計、冷却管、撹拌器を取り付けたフラスコに窒素ガスパージを施しながら上記反応で得られたフェノール化合物（ａ−１）８４部（水酸基１．０当量）、エピクロルヒドリン４６３部（５．０モル）、ｎ−ブタノール５３部を仕込み溶解させた。５０℃に昇温した後に、２０％水酸化ナトリウム水溶液２２０部（１．１０モル）を３時間要して添加し、その後更に５０℃で１時間反応させた。反応終了後、１５０℃減圧下で未反応エピクロルヒドリンを留去した。それで得られた粗エポキシ樹脂にメチルイソブチルケトン３００部とｎ−ブタノール５０部とを加え溶解した。更にこの溶液に１０質量％水酸化ナトリウム水溶液１５部を添加して８０℃で２時間反応させた後に洗浄液のｐＨが中性となるまで水１００部で水洗を３回繰り返した。次いで共沸によって系内を脱水し、精密濾過を経た後に、溶媒を減圧下で留去して、ナフタレン骨格含有エポキシ化合物（Ａ−１）１２６部を得た。得られたエポキシ化合物（Ａ−１）の軟化点は９５℃（Ｂ＆Ｒ法）、溶融粘度（測定法：ＩＣＩ粘度計法、測定温度：１５０℃）は９．０ｄＰａ・ｓ、エポキシ当量は１７０ｇ／ｅｑ．であった。また、エポキシ化合物（Ａ−１）は、１，１−ビス（２，７−ジグリジジルオキシ−１−ナフチル）メタンを３９．６質量％、前記構造式（ｉ）においてＲ^１の全てが水素原子であるエポキシ化合物を１０．５質量％、その他のオリゴマー成分を４９．９質量％含有するものであった。

製造例２ フェノール樹脂（Ｂ−１）の製造
温度計、滴下ロート、冷却管、分留管、撹拌器を取り付けたフラスコに、α−ナフトール５０５質量部（３．５０モル）、水１５８質量部、蓚酸５質量部を仕込み、室温から１００℃まで４５分で昇温しながら撹拌した。続いて、４２質量％ホルマリン水溶液１７７質量部（２．４５モル）を１時間要して滴下した。滴下終了後、さらに１００℃で１時間攪拌し、その後１８０℃まで３時間で昇温した。反応終了後、反応系内に残った水分を加熱減圧下に除去しフェノール樹脂（ｂ−１）４９８質量部を得た。続いて、得られた（ｂ−１）１５０部を粉砕し８０℃空気雰囲気下で、９時間処理してキノン骨格含有フェノール樹脂（Ｂ−１）１５０部得た。キノン骨格含有フェノール樹脂（Ｂ−１）の軟化点は１４０℃（Ｂ＆Ｒ法）、水酸基当量は１５３ｇ／ｅｑ．であった。得られたキノン骨格含有フェノール樹脂（Ｂ−１）のＧＰＣチャートを図１に示す。ＧＰＣチャートから核体数の平均は４．３であった。モル比［ナフトキノン骨格（ｑ）中／フェノール性水酸基（ｐ）が結合する炭素原子］は２．３／９７．７、キノン吸光度比は０．１６であった。

製造例３ フェノール樹脂（Ｂ−２）の製造
原料成分として、α−ナフトール５０５質量部（３．５０モル）、軟化点７５℃（Ｂ＆Ｒ法）のクレゾールノボラック樹脂２１部（クレゾール骨格のモル数：０．１８モル）、４２質量％ホルマリン水溶液１８６質量部（２．５７モル）に変更した以外は製造例４と同様にしてフェノール樹脂（ｂ−２）５２１質量部を得た。続いて、得られた（ｂ−２）１５０部を粉砕し８０℃空気雰囲気下で、１８時間処理してキノン骨格含有フェノール樹脂（Ｂ−２）１５１質量部得た。キノン骨格含有フェノール樹脂（Ｂ−２）の軟化点は１４７℃（Ｂ＆Ｒ法）、水酸基当量は１５０ｇ／ｅｑ．であった。得られたキノン骨格含有フェノール樹脂（Ｂ−２）のＧＰＣチャートを図２に、Ｃ^１３ＮＭＲチャートを図３に、ＦＴ−ＩＲチャートを図４に示す。ＧＰＣチャートから核体数の平均は４．６であった。Ｃ^１３ＮＭＲチャートから１８４ｐｐｍ付近にキノン骨格が生成していることを示すピークが検出され、モル比［ナフトキノン骨格（ｑ）中／フェノール性水酸基（ｐ）が結合する炭素原子］は５．９／９４．１、キノン吸光度比は０．３６であった。

製造例４ フェノール樹脂（Ｂ−３）の製造
８０℃空気雰囲気下の処理時間を１８時間に変更した以外は製造例４と同様にしてキノン骨格含有フェノール樹脂（Ｂ−３）１５１質量部得た。キノン骨格含有フェノール樹脂（Ｂ−３）の軟化点は１４９℃（Ｂ＆Ｒ法）、水酸基当量は１５２ｇ／ｅｑ．であった。得られたキノン骨格含有フェノール樹脂（Ｂ−３）のＧＰＣチャートを図５に示す。ＧＰＣチャートから核体数の平均は４．３であった。モル比［ナフトキノン骨格（ｑ）中／フェノール性水酸基（ｐ）が結合する炭素原子］は５．０／９５．０、キノン吸光度比は０．４０であった。

製造例５ フェノール樹脂（Ｂ−４）の製造
８０℃空気雰囲気下の処理時間を２７時間に変更した以外は製造例４と同様にしてキノン骨格含有フェノール樹脂（Ｂ−４）１５１部得た。キノン骨格含有フェノール樹脂（Ｂ−４）の軟化点は１５８℃（Ｂ＆Ｒ法）、水酸基当量は１５２ｇ／ｅｑ．であった。得られたキノン骨格含有フェノール樹脂（Ｂ−４）のＧＰＣチャートを図６に示す。ＧＰＣチャートから核体数の平均は４．１であった。モル比［ナフトキノン骨格（ｑ）中／フェノール性水酸基（ｐ）が結合する炭素原子］は７．８／９２．２、キノン吸光度比は０．６９であった。

製造例６ フェノール樹脂（Ｂ−５）の製造
８０℃空気雰囲気下の処理時間を３６時間に変更した以外は製造例４と同様にしてキノン骨格含有フェノール樹脂（Ｂ−５）１５１部得た。キノン骨格含有フェノール樹脂（Ｂ−５）の軟化点は１６７℃（Ｂ＆Ｒ法）、水酸基当量は１５１ｇ／ｅｑ．であった。得られたキノン骨格含有フェノール樹脂（Ｂ−５）のＧＰＣチャートを図７に示す。ＧＰＣチャートから核体数の平均は４．０であった。モル比［ナフトキノン骨格（ｑ）中／フェノール性水酸基（ｐ）が結合する炭素原子］は１０．９／８９．１、キノン吸光度比は０．８５であった。

実施例１〜５及び比較例１、２
下記表１、２記載の配合に従い、エポキシ化合物として前記エポキシ化合物（Ａ−１）又はＤＩＣ社製「Ｎ−７７０」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量１８３ｇ／ｅｑ．）を、硬化剤として前記フェノール樹脂（Ｂ−１）〜（Ｂ〜５）を、硬化促進剤として２−エチル−４−メチルイミダゾール（２Ｅ４ＭＺ）を配合し、最終的に各組成物の不揮発分（Ｎ．Ｖ．）が５８質量％となるようにメチルエチルケトンを配合して調整した。次いで、下記の如き条件で硬化させて試験片を試作し、下記の方法で各種性能を評価した。結果を表１、２に示す。

＜試験片作製条件＞
基材：日東紡績株式会社製 ガラスクロス「#２１１６」（２１０×２８０ｍｍ）
プライ数：６ プリプレグ化条件：１６０℃
硬化条件：２００℃、４０ｋｇ／ｃｍ^２で１．５時間、成型後板厚：０．８ｍｍ

＜耐熱性試験＞
試験片のガラス転移温度をＤＭＡ法にて測定。粘弾性測定装置（ＤＭＡ：レオメトリック社製固体粘弾性測定装置ＲＳＡＩＩ、レクタンギュラーテンション法；周波数１Ｈｚ、昇温速度３℃／ｍｉｎ）を用いて、弾性率変化が最大となる（ｔａｎδ変化率が最も大きい）温度をガラス転移温度として評価した。昇温スピード３℃／分

＜熱履歴後の耐熱性変化（ΔＴｇ）：ＤＭＡ（１ｓｔ ｒｕｎ、２ｎｄ ｒｕｎのＴｇ差）＞
試験片のガラス転移温度を、粘弾性測定装置（ＤＭＡ：レオメトリック社製固体粘弾性測定装置ＲＳＡＩＩ、レクタンギュラーテンション法；周波数１Ｈｚ、昇温速度３℃／ｍｉｎ）を用いて、以下の温度条件で２回、弾性率変化が最大となる（ｔａｎδ変化率が最も大きい）温度（Ｔｇ）を測定した。
温度条件
１ｓｔ ｒｕｎ：３５℃から２７５℃まで３℃／ｍｉｎで昇温
２ｎｄ ｒｕｎ：３５℃から３３０℃まで３℃／ｍｉｎで昇温
それぞれ得られた温度差をΔＴｇとして評価した。

＜耐湿耐半田性＞
試験片(２５ｍｍ×５０ｍｍ)を１００℃の煮沸蒸留水中に２時間浸せき後、その試験片を２６０℃のハンダ浴に３０秒間浸せきさせて、その前後の状態変化を観察した。
○: 外観変化なし
△: 直径５mm以下の膨れが５個以下
×: 直径５mmより大きい膨れ発生、又は直径５mm以下の膨れが６個以上

Claims (5)

1. 下記構造式（ｉ）
   

   

   （式中、Ｒ^１は、それぞれ独立して水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ｔ−ブチル基を示す。）で表されるナフタレン骨格含有エポキシ化合物（Ａ）と、ナフトール骨格（ｎ）とナフトキノン骨格（ｑ）とがメチレン結合を介して結合した樹脂構造を有するフェノール樹脂（Ｂ）とを必須の成分とし、前記フェノール樹脂（Ｂ）中のフェノール性水酸基（ｐ）と、ナフトキノン骨格（ｑ）との存在比率が、 ^１３ Ｃ−ＮＭＲ測定によるモル比［ナフトキノン骨格（ｑ）／フェノール性水酸基（ｐ）が結合する炭素原子］において０．１／９９．９〜２０／８０となる割合であることを特徴とする硬化性樹脂組成物。
2. 前記フェノール樹脂（Ｂ）が有する前記ナフトール骨格（ｎ）及びナフトキノン骨格（ｑ）前記ナフトールノボラック樹脂（ｂ１）の合計の核体数（但、これらの骨格中の縮合環を１核体とする。）の平均が３〜１０の範囲である請求項１記載の硬化性樹脂組成物。
3. 前記フェノール樹脂（Ｂ）が有するナフトキノン骨格（ｑ）が、下記構造式ｑ１又はｑ２
   

   

   （式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立的に水素原子、メチル基、エチル基、又はメトキシ基である。なお、構造式中ｑ１及びｑ２中の２本の線分は、他の構造部位との結合手を表し、当該構造を構成する２つの環構造の同一環に位置してもよく、また、異なる環に位置していてもよい。）
   で表されるものである請求項１記載の硬化性樹脂組成物。
4. 請求項１〜３の何れか一つに記載の硬化性樹脂組成物を硬化させてなる硬化物。
5. 請求項１〜３の何れか一つに記載の硬化性樹脂組成物に、更に有機溶剤を配合したワニス組成物を、補強基材に含浸し銅箔を重ねて加熱圧着させることにより得られるプリント配線基板。

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