JP2014022708A5 - - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 74
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 8
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 5
- 230000000149 penetrating Effects 0.000 claims 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 5
- 230000004059 degradation Effects 0.000 description 4
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired Effects 0.000 description 1
Description
ワイドギャップ半導体逆導通IGBTには上記のように積層欠陥に起因し通常のオン電圧劣化が発生するとともに、スナップバック現象に起因し急速オン電圧劣化が発生する。
従って、この発明の動作方法により、少なくともワイドギャップ半導体逆導通IGBTがオンする前に所定の低いゲート電圧でMOSFET部をオンさせて前記短絡部を介して多数キャリアによる順方向電流を流し、この積層欠陥の増大を招かない多数キャリア電流により半導体装置を所定温度まで昇温させ、その後にゲート電圧を高くしてコレクタ層から少数キャリアを注入させ、逆導通IGBTをオンさせる。
これにより、すでに存在する積層欠陥の拡大のみならず、スナップバック現象によりコレクタ層からバッファー層やドリフト層に大量の少数キャリアが短時間に急激に注入されることによる積層欠陥の急速拡大も、温度上昇により積層欠陥の少数キャリアトラップ現象を抑制できるので通常のオン電圧劣化のみならず急速オン電圧劣化も抑制できる。
ワイドギャップ半導体逆導通IGBTは一旦オンすると自己発熱で温度が上昇してゆくので、通常のオン電圧劣化や急速オン電圧劣化の影響は抑制される。しかし、初動時にはワイドギャップ半導体逆導通IGBTの温度は周囲温度と同程度に低くなっている。この状態でオンさせると既に存在する積層欠陥が更に拡大しオン電圧劣化を促進し信頼性が損なわれる。
従って、少なくともワイドギャップ半導体逆導通IGBTの初動時には、この発明の動作方法により、逆導通IGBTをオンさせる前に積層欠陥の少数キャリアトラップ現象を抑制できる所定温度まで昇温させものである。これにより、初動時にもオン電圧の劣化の影響を大幅に抑制でき信頼性を向上できる。
従って、この発明の動作方法により、少なくともワイドギャップ半導体逆導通IGBTがオンする前に所定の低いゲート電圧でMOSFET部をオンさせて前記短絡部を介して多数キャリアによる順方向電流を流し、この積層欠陥の増大を招かない多数キャリア電流により半導体装置を所定温度まで昇温させ、その後にゲート電圧を高くしてコレクタ層から少数キャリアを注入させ、逆導通IGBTをオンさせる。
これにより、すでに存在する積層欠陥の拡大のみならず、スナップバック現象によりコレクタ層からバッファー層やドリフト層に大量の少数キャリアが短時間に急激に注入されることによる積層欠陥の急速拡大も、温度上昇により積層欠陥の少数キャリアトラップ現象を抑制できるので通常のオン電圧劣化のみならず急速オン電圧劣化も抑制できる。
ワイドギャップ半導体逆導通IGBTは一旦オンすると自己発熱で温度が上昇してゆくので、通常のオン電圧劣化や急速オン電圧劣化の影響は抑制される。しかし、初動時にはワイドギャップ半導体逆導通IGBTの温度は周囲温度と同程度に低くなっている。この状態でオンさせると既に存在する積層欠陥が更に拡大しオン電圧劣化を促進し信頼性が損なわれる。
従って、少なくともワイドギャップ半導体逆導通IGBTの初動時には、この発明の動作方法により、逆導通IGBTをオンさせる前に積層欠陥の少数キャリアトラップ現象を抑制できる所定温度まで昇温させものである。これにより、初動時にもオン電圧の劣化の影響を大幅に抑制でき信頼性を向上できる。
Claims (5)
- 第1導電型の第1半導体層と、
前記半導体層の裏面に設けられた第2導電型の第1半導体層と、前記第2導電型の第1半導体層を貫通する複数の第1導電型の第1半導体領域とを備え、
前記第1導電型の第1半導体層のおもて面には、選択的に設けられた複数の第2導電型の第1半導体領域と、
前記第2導電型の第1半導体領域の各々のおもて面に選択的に設けられた第1導電型の第2半導体領域と、
前記各々の第2導電型の第1半導体領域と前記第1導電型の第2半導体領域とに接する第1の主電極と、
前記各々の第2導電型の第1半導体領域の、前記各々の第1導電型の第2半導体領域と前記第1導電型の第1半導体層とに挟まれた部分の表面に、絶縁膜を介して設けられた制御電極と、
前記第2導電型の第1半導体層と前記複数の第1導電型の第1半導体領域との裏面に接する第2の主電極とを備えた半導体装置において、
各半導体層と各半導体領域がワイドギャップ半導体から構成されており
前記複数の第1導電型の第1半導体領域間の距離Wp(WB)を、
Si半導体で構成した同耐圧でほぼ同一構成の前記半導体装置の前記距離Wp(Si)を上限としこれよりも小さく、
前記ワイドギャップ半導体のpn接合のビルトイン電圧Vbi(WB)とワイドギャップ半導体装置の特性オン抵抗RonS(WB)との積を、前記Si半導体装置のpn接合のビルトイン電圧Vbi(Si)とSi半導体装置の特性オン抵抗RonS(Si)との積で割算した値に前記短絡部間距離Wp(Si)を乗じた値を下限とする範囲より選択したことを特徴とする半導体装置。
- 請求項1の半導体装置において、
前記第1導電型の第1半導体層と、前記第2導電型の第1半導体層および前記複数の第1導電型の第1半導体領域(短絡部)との間に第1導電型の第2半導体層を設けたことを特徴とする半導体装置。
- 請求項1および2の半導体装置において、前記複数の第1導電型の第1半導体領域間の距離Wp(WB)のうち、少なくとも一つの距離Wp(WB) を下限よりも十分大きな値とし、それ以外のWp(WB)を前記範囲の下限に近い小さい値としたことを特徴とする半導体装置。
- 請求項1〜3の半導体装置において、セル内に複数の前記第1導電型の第1半導体領域を有し、その幅Wn(WB)と前記第1導電型の第1半導体領域間の距離Wp(WB)との比率Wn(WB)/Wp(WB)を0.2〜5.0にしたことを特徴とする半導体装置。
- 第1導電型の第1半導体層と、
前記半導体層の裏面に設けられた第2導電型の第1半導体層と、前記第2導電型の第1半導体層を貫通する複数の第1導電型の第1半導体領域とを備え、
前記第1導電型の第1半導体層のおもて面には、選択的に設けられた複数の第2導電型の第1半導体領域と、
前記第2導電型の第1半導体領域の各々のおもて面に選択的に設けられた第1導電型の第2半導体領域と、
前記各々の第2導電型の第1半導体領域と前記第1導電型の第2半導体領域とに接する第1の主電極と、
前記各々の第2導電型の第1半導体領域の、前記各々の第1導電型の第2半導体領域と前記第1導電型の第1半導体層とに挟まれた部分の表面に、絶縁膜を介して設けられた制御電極と、
前記第2導電型の第1半導体層と前記複数の第1導電型の第1半導体領域との裏面に接する第2の主電極とを備えた半導体装置であり、各半導体層と各半導体領域がワイドギャップ半導体から構成されている半導体装置において、
少なくとも初動時には、前記第1の主電極と前記第2の主電極間に順方向電圧を印加し且つ前記制御電極にも低い電圧を印加して順方向バイアス状態にし、前記複数の第1導電型の第1半導体領域を介して多数キャリアによる順方向電流を流し、この電流により半導体装置を40℃以上に昇温させた後に、前記第2導電型の第1半導体層から前記第1導電型の第1半導体層に少数キャリアが注入されるように前記第1の主電極と前記第2の主電極間の電圧および前記制御電極の電圧、もしくはいづれか一方の電圧をより高い電圧に制御することを特徴とする半導体装置の動作方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012171456A JP2014022708A (ja) | 2012-07-17 | 2012-07-17 | 半導体装置とその動作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012171456A JP2014022708A (ja) | 2012-07-17 | 2012-07-17 | 半導体装置とその動作方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016207074A Division JP6232687B2 (ja) | 2016-10-21 | 2016-10-21 | 半導体装置とその動作方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014022708A JP2014022708A (ja) | 2014-02-03 |
JP2014022708A5 true JP2014022708A5 (ja) | 2016-09-08 |
Family
ID=50197228
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012171456A Pending JP2014022708A (ja) | 2012-07-17 | 2012-07-17 | 半導体装置とその動作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2014022708A (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9530844B2 (en) | 2012-12-28 | 2016-12-27 | Cree, Inc. | Transistor structures having reduced electrical field at the gate oxide and methods for making same |
US10115815B2 (en) | 2012-12-28 | 2018-10-30 | Cree, Inc. | Transistor structures having a deep recessed P+ junction and methods for making same |
US20150263145A1 (en) * | 2014-03-14 | 2015-09-17 | Cree, Inc. | Igbt structure for wide band-gap semiconductor materials |
JP2015207588A (ja) | 2014-04-17 | 2015-11-19 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
DE102014226161B4 (de) | 2014-12-17 | 2017-10-26 | Infineon Technologies Ag | Halbleitervorrichtung mit Überlaststrombelastbarkeit |
JP2016127177A (ja) * | 2015-01-06 | 2016-07-11 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素基板、炭化珪素半導体装置および炭化珪素基板の製造方法 |
JP6854598B2 (ja) * | 2016-07-06 | 2021-04-07 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP6737336B2 (ja) | 2016-07-19 | 2020-08-05 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JPWO2018139172A1 (ja) * | 2017-01-25 | 2019-11-07 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置及び電力変換方法 |
DE112018002905T5 (de) * | 2017-06-09 | 2020-02-20 | Fuji Electric Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung und verfahren zur herstellung einerhalbleitervorrichtung |
CN107749420B (zh) * | 2017-11-20 | 2023-09-01 | 电子科技大学 | 一种逆阻型igbt |
US11489069B2 (en) | 2017-12-21 | 2022-11-01 | Wolfspeed, Inc. | Vertical semiconductor device with improved ruggedness |
US10615274B2 (en) | 2017-12-21 | 2020-04-07 | Cree, Inc. | Vertical semiconductor device with improved ruggedness |
CN110504300B (zh) * | 2019-08-19 | 2023-02-07 | 广东美的制冷设备有限公司 | 绝缘栅极晶体管及其制备方法和应用 |
CN111697070A (zh) * | 2020-06-29 | 2020-09-22 | 电子科技大学 | 一种逆导型igbt器件 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2864629B2 (ja) * | 1990-03-05 | 1999-03-03 | 富士電機株式会社 | 伝導度変調型mosfet |
JP5157201B2 (ja) * | 2006-03-22 | 2013-03-06 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP2011187693A (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-22 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2012099630A (ja) * | 2010-11-02 | 2012-05-24 | Panasonic Corp | 半導体装置および電力変換器 |
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2012
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