JPWO2018139172A1 - 電力変換装置及び電力変換方法 - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 64
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 15
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 241001669679 Eleotris Species 0.000 description 1
- 101150107753 HHP1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101150073488 HHP2 gene Proteins 0.000 description 1
- 102100020859 La-related protein 1 Human genes 0.000 description 1
- 101100113459 Zea mays WHP1 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 108010041723 like heterochromatin protein 1 Proteins 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M5/00—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases
- H02M5/40—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases with intermediate conversion into dc
- H02M5/42—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases with intermediate conversion into dc by static converters
- H02M5/44—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases with intermediate conversion into dc by static converters using discharge tubes or semiconductor devices to convert the intermediate dc into ac
- H02M5/453—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases with intermediate conversion into dc by static converters using discharge tubes or semiconductor devices to convert the intermediate dc into ac using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M5/458—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases with intermediate conversion into dc by static converters using discharge tubes or semiconductor devices to convert the intermediate dc into ac using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
- H02M5/4585—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases with intermediate conversion into dc by static converters using discharge tubes or semiconductor devices to convert the intermediate dc into ac using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only having a rectifier with controlled elements
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- H—ELECTRICITY
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/53—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M7/537—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
- H02M7/5387—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a bridge configuration
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0812—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
- Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes
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Abstract
Description
(1−1)本実施の形態による電力変換装置の構成
図1において、1は全体として本実施の形態による直流交流変換を行う電力変換装置を示す。この電力変換装置1は、パワー半導体である素子A,B,C、フィルタコンデンサFC及び制御装置5を備える。パワー半導体の駆動用の回路などである制御装置5によって、素子A,B,Cは制御される。
以上のように本実施の形態の電力変換装置1では、ドリフト層膜厚tDRTを従来よりも薄くしたり、ドリフト層DFTの不純物濃度を従来よりも小さくしたりすることで素子A,B,Cの耐電圧を架線電圧の2倍よりも低い値とし、冷却器の奥行の長さを半分程度とすることができる。
第1の実施の形態においては、パワー半導体の個数を従来通り6個としたが、図6に示すようにパワー半導体の個数を1相あたり1つとして3個としてもよい。図6においては、素子A,B,Cはいわゆる2in1型である。
第1及び第2の実施の形態においては、パワートランジスタのスイッチング動作は従来通り、図7に示す点線のような動作としているが、図7の実線で示すような動作としてもよい。なおスイッチング動作には、パワートランジスタ内のスイッチをONにしてパワートランジスタを導通状態にするターンオン動作とスイッチをOFFにするターンオフ動作がある。なお、制御装置5は、例えば図7(A)のようにゲートソース間電圧VGSを変更することによって素子A,B,Cのスイッチング動作を制御する。
第1〜第3の実施の形態においては、電力変換装置1は直流電力を交流電力に変換する装置であったが、図8に示すように交流電力の電圧を降圧させる装置としてもよい。
上述の実施の形態は、本発明を分かり易く説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、実施の形態の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
Claims (9)
- 基準電圧を運転電圧に変換する電力変換装置において、
SiC製パワー半導体と、
前記SiC製パワー半導体を駆動する制御回路と、
を備え、
前記SiC製パワー半導体のそれぞれは、前記基準電圧の2倍を上限とする耐電圧特性を備え、
前記制御回路は、前記耐電圧特性の電圧を超える電圧が印加されないように、SiC製パワートランジスタのそれぞれをスイッチング動作させる
電力変換装置。 - 前記SiC製パワー半導体は、SiC製MOSFETと、SiC製SBDとが1パッケージに同梱されたものからなり、
前記SiC製MOSFETのドリフト層の膜厚が前記耐電圧特性に応じて設定されている
請求項1に記載の電力変換装置。 - 前記SiC製パワー半導体は、前記基準電圧の1.5倍を上限とする前記耐電圧特性を備える
請求項2記載の電力変換装置。 - 前記電力変換装置は、前記基準電圧としての架線直流電圧を、複数の前記SiC製パワー半導体によって3相交流電圧に変換し、当該3相交流電圧を負荷に供給し、
1相分の上アーム側の前記SiC製パワー半導体と下アーム側の前記SiC製パワー半導体とが、1パッケージに形成されてなる
請求項1記載の電力変換装置。 - 前記SiC製パワー半導体の定格電流容量は600A以上1200A以下である
請求項4記載の電力変換装置。 - 前記SiC製パワー半導体のドリフト層の膜厚が、30μm以下である
請求項1記載の電力変換装置。 - 前記SiC製パワー半導体のドリフト層の膜厚が、15μm以下である
請求項2記載の電力変換装置。 - 前記SiC製パワー半導体を冷却するためのアルミニウムを材料とする冷却器をさらに備え、前記冷却器は冷媒を利用しない
請求項1記載の電力変換装置。 - 基準電圧を運転電圧に変換する電力変換装置における電力変換方法において、
前記電力変換装置は、
SiC製パワー半導体と、
前記SiC製パワー半導体を駆動する制御回路と、
を備え、
前記SiC製パワー半導体のそれぞれは、前記基準電圧の2倍を上限とする耐電圧特性を備え、
前記制御回路は、前記耐電圧特性の電圧を超える電圧が印加されないように、SiC製パワートランジスタのそれぞれをスイッチング動作させる
電力変換方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017011693 | 2017-01-25 | ||
JP2017011693 | 2017-01-25 | ||
PCT/JP2017/047397 WO2018139172A1 (ja) | 2017-01-25 | 2017-12-28 | 電力変換装置及び電力変換方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018139172A1 true JPWO2018139172A1 (ja) | 2019-11-07 |
Family
ID=62979303
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018564449A Pending JPWO2018139172A1 (ja) | 2017-01-25 | 2017-12-28 | 電力変換装置及び電力変換方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPWO2018139172A1 (ja) |
WO (1) | WO2018139172A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3093876B1 (fr) * | 2019-03-13 | 2022-01-21 | Safran | Système configuré pour délivrer un courant polyphasé de fréquence constante à partir d’une génératrice synchrone |
US11923716B2 (en) | 2019-09-13 | 2024-03-05 | Milwaukee Electric Tool Corporation | Power converters with wide bandgap semiconductors |
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-
2017
- 2017-12-28 JP JP2018564449A patent/JPWO2018139172A1/ja active Pending
- 2017-12-28 WO PCT/JP2017/047397 patent/WO2018139172A1/ja active Application Filing
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2018139172A1 (ja) | 2018-08-02 |
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