JP2014017334A - 半導体装置およびその製造方法、ならびにカメラ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置は、チップ搭載領域とそれを取り囲む周辺領域とを有する第1部材と、前記チップ搭載領域に搭載された半導体チップと、前記半導体チップを覆うように前記第1部材に固定された第2部材とを有する。半導体装置の製造方法は、前記チップ搭載領域に前記半導体チップが搭載された前記第1部材の前記周辺領域と前記第2部材とを接着剤で接着する接着工程と、前記接着工程において前記接着剤が硬化を開始した後に前記第1部材と前記第2部材との間に応力を発生させることにより、前記第1部材と前記接着剤との間および前記第2部材と前記接着剤との間の少なくとも一方の一部に、前記周辺領域の内側の空間と前記周辺領域の外側の空間とを連通させる隙間を形成する応力印加工程と、を含む。
【選択図】図1
Description
図1を参照しながら本発明の第1実施形態の半導体装置およびその製造方法を説明する。ここでは、一例として、固体撮像装置ISおよびその製造方法を説明する。まず、固体撮像装置ISの構成を説明する。固体撮像装置ISは、チップ搭載領域101とそれを取り囲む周辺領域102とを有する第1部材1と、チップ搭載領域101に搭載された固体撮像チップ(半導体チップ)2と、固体撮像チップ2を覆うように第1部材1に固定された第2部材5とを有する。第1部材1の周辺領域102と第2部材5とは、接着剤4によって接着されている。第1部材1と接着剤4との間および第2部材5と接着剤4との間の少なくとも一方の一部に、周辺領域102の内側の空間(以下、内側空間)6と周辺領域102の外側の空間(以下、外部空間)とを連通させる隙間7が形成されている。固体撮像チップ2は、内側空間6に配置されている。内側空間6は、例えば、第1部材1のチップ搭載領域101の表面を含む平面への周辺領域102の正射影の内側に対応する空間である。
図4を参照しながら本発明の第2実施形態を説明する。なお、第2実施形態として言及しない事項は、第1実施形態に従いうる。第2実施形態では、応力印加工程による隙間の形成を容易にするために、接着剤を配置する領域が改良されている。
図5を参照しながら本発明の第3実施形態を説明する。なお、第3実施形態として言及しない事項は、第1実施形態に従いうる。第3実施形態では、応力印加工程による隙間の形成を容易にするために、第1部材1の周辺領域102と第2部材2との間隔が決定されている。
図6を参照しながら本発明の第4実施形態を説明する。なお、第4実施形態として言及しない事項は、第1実施形態に従いうる。第4実施形態では、応力印加工程による隙間の形成を容易にするために、第1部材1の周辺領域102の表面粗さが改良されている。
図7を参照しながら本発明の第5実施形態を説明する。なお、第5実施形態として言及しない事項は、第1実施形態に従いうる。第5実施形態では、接着工程(硬化工程)において、接着剤を配置する枠状領域のうち隙間を形成すべき領域における接着剤の硬化率が該枠状領域のうち他の領域における接着剤の硬化率よりも低くなるように接着剤を硬化させる。これにより、応力印加工程において、隙間を形成すべき領域に容易に隙間を形成することができる。
図8を参照しながら本発明の第6実施形態を説明する。なお、第6実施形態として言及しない事項は、第1実施形態に従いうる。第6実施形態では、接着剤を配置する領域のうち隙間を形成すべき部分における第2部材5に撥液処理をすることにより、該撥液処理された部分と接着剤4との結合強度を弱める。これにより、応力印加工程において、隙間を形成すべき部分に容易に隙間を形成することができる。
図9および図10を参照しながら本発明の第7実施形態を説明する。なお、第7実施形態として言及しない事項は、第1実施形態に従いうる。第7実施形態では、接着剤を配置する枠状領域のうち隙間を形成すべき領域における周辺領域102と第2部材5との間隔が当該枠状領域のうち他の領域における周辺領域102と第2部材5との間隔よりも小さくなるように周辺領域102の表面が湾曲している。これにより、隙間7を形成すべき領域Aにおける接着剤4の変形可能量が他の領域よりも小さくなるので、領域Aに容易に隙間7を形成することができる。また、隙間7が形成される領域を領域A内に制限することが容易になる。
第1乃至第7実施形態では、本発明の半導体装置およびその製造方法を固体撮像装置およびその製造方法に適用した例であるが、本発明は、他の種類の半導体装置およびその製造方法にも適用可能である。本発明の半導体装置およびその製造方法は、例えば、中空のパッケージの中にLEDチップが配置された半導体装置(発光装置)に適用することができる。
以下、上記の第1乃至第7実施形態に係る固体撮像装置の応用例として、該固体撮像装置が組み込まれたカメラについて例示的に説明する。カメラの概念には、撮影を主目的とする装置のみならず、撮影機能を補助的に備える装置(例えば、パーソナルコンピュータ、携帯端末)も含まれる。カメラは、上記の実施形態として例示された本発明に係る固体撮像装置と、該固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部とを含む。該処理部は、例えば、A/D変換器、および、該A/D変換器から出力されるデジタルデータを処理するプロセッサを含みうる。
Claims (22)
- チップ搭載領域とそれを取り囲む周辺領域とを有する第1部材と、前記チップ搭載領域に搭載された半導体チップと、前記半導体チップを覆うように前記第1部材に固定された第2部材とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記チップ搭載領域に前記半導体チップが搭載された前記第1部材の前記周辺領域と前記第2部材とを接着剤で接着する接着工程と、
前記接着工程において前記接着剤が硬化を開始した後に前記第1部材と前記第2部材との間に応力を発生させることにより、前記第1部材と前記接着剤との間および前記第2部材と前記接着剤との間の少なくとも一方の一部に、前記周辺領域の内側の空間と前記周辺領域の外側の空間とを連通させる隙間を形成する応力印加工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記接着工程は、前記周辺領域と前記第2部材との間に前記チップ搭載領域を全周にわたって取り囲むように前記接着剤を配置する配置工程を含み、
前記配置工程では、前記接着剤を配置する領域のうち前記隙間を形成すべき領域における前記接着剤の幅が前記接着剤を配置する領域のうち他の領域における前記接着剤の幅よりも狭くなるように前記接着剤を配置する、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記接着工程は、前記周辺領域と前記第2部材との間に前記チップ搭載領域を全周にわたって取り囲むように前記接着剤を配置する配置工程を含み、
前記配置工程において前記接着剤を配置する領域のうち前記隙間を形成すべき領域における前記周辺領域と前記第2部材との間隔が前記接着剤を配置する領域のうち他の領域における前記周辺領域と前記第2部材との間隔よりも小さい、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記接着工程は、前記周辺領域と前記第2部材との間に前記チップ搭載領域を全周にわたって取り囲むように前記接着剤を配置する配置工程を含み、
(a)前記接着剤を配置する領域のうち前記隙間を形成すべき領域における前記第1部材の表面粗さが前記接着剤を配置する領域のうち他の領域における前記第1部材の表面粗さよりも小さい、および、
(b)前記接着剤を配置する領域のうち前記隙間を形成すべき領域における前記第2部材の表面粗さが前記接着剤を配置する領域のうち他の領域における前記第2部材の表面粗さよりも小さい、
の少なくとも一方を満たすことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記接着工程は、前記周辺領域と前記第2部材との間に前記チップ搭載領域を全周にわたって取り囲むように前記接着剤を配置する配置工程と、前記接着剤を硬化させる硬化工程と、を含み、
前記硬化工程では、前記接着剤を配置する領域のうち前記隙間を形成すべき領域における前記接着剤の硬化率が前記接着剤を配置する領域のうち他の領域における前記接着剤の硬化率よりも低くなるように、前記接着剤を硬化させる、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - (c)前記第1部材は、前記接着剤を配置する領域のうち前記隙間を形成すべき領域に撥液処理が施されている、および、
(d)前記第2部材は、前記接着剤を配置する領域のうち前記隙間を形成すべき領域に撥液処理が施されている、
の少なくとも一方を満たすことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記接着工程は、前記周辺領域と前記第2部材との間に前記チップ搭載領域を全周にわたって取り囲むように前記接着剤を配置する配置工程を含み、
前記配置工程において前記接着剤を配置する領域のうち前記隙間を形成すべき領域における前記周辺領域と前記第2部材との間隔が前記接着剤を配置する領域のうち他の領域における前記周辺領域と前記第2部材との間隔よりも小さくなるように、前記周辺領域の表面が湾曲している、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記接着工程は、前記周辺領域と前記第2部材との間に前記チップ搭載領域を全周にわたって取り囲むように前記接着剤を配置する配置工程を含み、
前記配置工程では、前記接着剤を配置する領域のうち前記隙間を形成すべき領域における前記接着剤の幅が前記接着剤を配置する領域のうち他の領域における前記接着剤の幅よりも狭くなるように前記接着剤を配置し、
前記製造方法は、
(a)前記接着剤を配置する領域のうち前記隙間を形成すべき領域における前記第1部材の表面粗さが前記接着剤を配置する領域のうち他の領域における前記第1部材の表面粗さよりも小さい、および、
(b)前記接着剤を配置する領域のうち前記隙間を形成すべき領域における前記第2部材の表面粗さが前記接着剤を配置する領域のうち他の領域における前記第2部材の表面粗さよりも小さい、
の少なくとも一方を満す、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記接着工程は、前記周辺領域と前記第2部材との間に前記チップ搭載領域を全周にわたって取り囲むように前記接着剤を配置する配置工程を含み、前記配置工程では、前記接着剤を配置する領域のうち前記隙間を形成すべき領域における前記接着剤の幅が前記接着剤を配置する領域のうち他の領域における前記接着剤の幅よりも狭くなるように前記接着剤を配置し、
前記製造方法は、
(c)前記第1部材は、前記接着剤を配置する領域のうち前記隙間を形成すべき領域に撥液処理が施されている、および、
(d)前記第2部材は、前記接着剤を配置する領域のうち前記隙間を形成すべき領域に撥液処理が施されている、
の少なくとも一方を満す、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記応力印加工程は、前記接着工程の終了後に実施される、
ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記応力印加工程は、前記第1部材および前記第2部材の少なくとも一方を加熱する工程を含む、
ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体チップは、固体撮像チップである、
ことを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - チップ搭載領域とそれを取り囲む周辺領域とを有する第1部材と、前記チップ搭載領域に搭載された半導体チップと、前記半導体チップを覆う第2部材とを有する半導体装置であって、
前記第1部材と前記第2部材とを結合するために前記周辺領域と前記第2部材との間に前記チップ搭載領域を全周にわたって取り囲むように枠状に配置された接着剤を備え、
前記第1部材と前記枠状に配置された前記接着剤との間および前記第2部材と前記枠状に配置された前記接着剤との間の少なくとも一方の一部に、前記周辺領域の内側の空間と前記周辺領域の外側の空間とを連通させる隙間が形成されている、
を含むことを特徴とする半導体装置。 - 前記接着剤が配置された枠状領域のうち前記隙間が形成された領域における前記接着剤の幅が前記枠状領域のうち他の領域の幅よりも狭い、
ことを特徴とする請求項13に記載の半導体装置。 - (e)前記接着剤が配置された枠状領域のうち前記隙間が形成された領域における前記第1部材の表面粗さが前記枠状領域のうち他の領域における前記第1部材の表面粗さよりも小さい、および、
(f)前記接着剤が配置された枠状領域のうち前記隙間が形成された領域における前記第2部材の表面粗さが前記枠状領域のうち他の領域における前記第2部材の表面粗さよりも小さい、
の少なくともいずれか一方を満たすことを特徴とする請求項13又は14に記載の半導体装置。 - (g)前記第1部材は、前記接着剤が配置された枠状領域のうち前記隙間が形成された領域に撥液処理が施されている、および、
(h)前記第2部材は、前記接着剤が配置された枠状領域のうち前記隙間が形成された領域に撥液処理が施されている、
の少なくともいずれか一方を満たすことを特徴とする請求項13乃至15のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記接着剤が配置された枠状領域のうち前記隙間が形成された領域における前記周辺領域と前記第2部材との間隔が前記枠状領域のうち他の領域における前記周辺領域と前記第2部材との間隔より小さい、
ことを特徴とする請求項13乃至16のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記第1部材は、前記チップ搭載領域を有する板部材と、前記周辺領域を有する枠状部材と、前記板部材と前記枠状部材とを結合するために前記板部材の前記チップ搭載領域を全周にわたって取り囲むように枠状に配置された第2接着剤とを含む、
ことを特徴とする請求項13乃至17のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記第2部材は、前記半導体チップを覆う板部材と、枠状部材と、前記板部材と前記枠状部材とを結合するために前記板部材に枠状に連続的に配置された第2接着剤とを含む、
ことを特徴とする請求項13乃至17のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記板部材と前記第2接着剤との間および前記枠状部材と前記第2接着剤との少なくとも一方の一部に、前記周辺領域の内側の空間と前記周辺領域の外側の空間とを連通させる隙間が形成されている、
ことを特徴とする請求項18又は19に記載の半導体装置。 - 前記半導体チップは、固体撮像チップである、
ことを特徴とする請求項13乃至20のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 請求項21に記載の半導体装置と、
前記半導体装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019050267A (ja) * | 2017-09-08 | 2019-03-28 | エムテックスマツムラ株式会社 | 中空パッケージ用容器および半導体素子パッケージ |
JPWO2021002075A1 (ja) * | 2019-07-01 | 2021-01-07 | ||
JPWO2020045241A1 (ja) * | 2018-08-31 | 2021-08-10 | 富士フイルム株式会社 | 撮像ユニット及び撮像装置 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012165647A1 (en) * | 2011-06-01 | 2012-12-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
US10418296B2 (en) | 2015-08-18 | 2019-09-17 | China Wafer Level Csp Co., Ltd. | Semiconductor chip package structure and packaging method therefor |
JP7292828B2 (ja) * | 2018-04-27 | 2023-06-19 | キヤノン株式会社 | 撮像素子モジュール、撮像システム、撮像素子パッケージ及び製造方法 |
FR3114676B1 (fr) * | 2020-09-30 | 2023-02-10 | St Microelectronics Grenoble 2 | Boîtier électronique |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6033447U (ja) * | 1983-08-11 | 1985-03-07 | 沖電気工業株式会社 | セラミツクパツケ−ジ |
JPS6329555A (ja) * | 1986-07-23 | 1988-02-08 | Hitachi Ltd | 封止電子装置 |
JPH0918794A (ja) * | 1995-06-28 | 1997-01-17 | Asahi Optical Co Ltd | 内視鏡用固体撮像装置 |
JP2002124589A (ja) * | 2000-10-16 | 2002-04-26 | Sony Corp | 半導体装置 |
JP2008047889A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-28 | Fujikura Ltd | 半導体パッケージとその製造方法 |
JP2009021307A (ja) * | 2007-07-10 | 2009-01-29 | Sharp Corp | 半導体装置、撮像装置、およびそれらの製造方法 |
JP2009147093A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Sharp Corp | 電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュール、センサウエハモジュール、センサモジュール、センサモジュールの製造方法および電子情報機器 |
JP2009290023A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体装置 |
WO2011074541A1 (ja) * | 2009-12-18 | 2011-06-23 | 三菱電機株式会社 | 電子部品パッケージ |
JP2011159900A (ja) * | 2010-02-03 | 2011-08-18 | Panasonic Corp | 固体撮像装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6773964B2 (en) | 2002-09-30 | 2004-08-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Integrated circuit package including sealed gaps and prevention of vapor induced failures and method of manufacturing the same |
JP2004165152A (ja) | 2002-10-21 | 2004-06-10 | Canon Inc | 気密容器の製造方法及び画像表示装置の製造方法及び接合方法 |
CN100405520C (zh) | 2002-10-21 | 2008-07-23 | 佳能株式会社 | 气密容器的制造方法、图像显示装置的制造方法及粘接方法 |
JP2004342992A (ja) | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Seiko Epson Corp | 光デバイス及びその製造方法、光モジュール並びに電子機器 |
JP5511125B2 (ja) | 2006-12-27 | 2014-06-04 | キヤノン株式会社 | 半導体モジュール及びその製造方法 |
JP4378394B2 (ja) | 2007-05-31 | 2009-12-02 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびそれを備えた光学装置用モジュール |
JP2009135353A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-06-18 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造に使用する樹脂接着材 |
JP2010141123A (ja) | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品装置 |
JP2009302556A (ja) | 2009-08-31 | 2009-12-24 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP2012033884A (ja) | 2010-06-29 | 2012-02-16 | Panasonic Corp | 半導体装置用パッケージおよびその製造方法ならびに半導体装置 |
JP5729100B2 (ja) * | 2011-04-11 | 2015-06-03 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置、電子機器 |
-
2012
- 2012-07-06 JP JP2012153020A patent/JP6067262B2/ja active Active
-
2013
- 2013-06-26 US US13/927,577 patent/US9209330B2/en active Active
- 2013-07-05 CN CN201310280236.0A patent/CN103531488B/zh active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6033447U (ja) * | 1983-08-11 | 1985-03-07 | 沖電気工業株式会社 | セラミツクパツケ−ジ |
JPS6329555A (ja) * | 1986-07-23 | 1988-02-08 | Hitachi Ltd | 封止電子装置 |
JPH0918794A (ja) * | 1995-06-28 | 1997-01-17 | Asahi Optical Co Ltd | 内視鏡用固体撮像装置 |
JP2002124589A (ja) * | 2000-10-16 | 2002-04-26 | Sony Corp | 半導体装置 |
JP2008047889A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-28 | Fujikura Ltd | 半導体パッケージとその製造方法 |
JP2009021307A (ja) * | 2007-07-10 | 2009-01-29 | Sharp Corp | 半導体装置、撮像装置、およびそれらの製造方法 |
JP2009147093A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Sharp Corp | 電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュール、センサウエハモジュール、センサモジュール、センサモジュールの製造方法および電子情報機器 |
JP2009290023A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体装置 |
WO2011074541A1 (ja) * | 2009-12-18 | 2011-06-23 | 三菱電機株式会社 | 電子部品パッケージ |
JP2011159900A (ja) * | 2010-02-03 | 2011-08-18 | Panasonic Corp | 固体撮像装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019050267A (ja) * | 2017-09-08 | 2019-03-28 | エムテックスマツムラ株式会社 | 中空パッケージ用容器および半導体素子パッケージ |
JP7025153B2 (ja) | 2017-09-08 | 2022-02-24 | エムテックスマツムラ株式会社 | 中空パッケージ用容器、半導体素子パッケージおよびその製造方法 |
JPWO2020045241A1 (ja) * | 2018-08-31 | 2021-08-10 | 富士フイルム株式会社 | 撮像ユニット及び撮像装置 |
JP6990317B2 (ja) | 2018-08-31 | 2022-01-12 | 富士フイルム株式会社 | 撮像ユニット及び撮像装置 |
JPWO2021002075A1 (ja) * | 2019-07-01 | 2021-01-07 | ||
JP7214870B2 (ja) | 2019-07-01 | 2023-01-30 | 富士フイルム株式会社 | 撮像素子ユニット及び撮像装置 |
US12051707B2 (en) | 2019-07-01 | 2024-07-30 | Fujifilm Corporation | Imaging element unit and imaging device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US9209330B2 (en) | 2015-12-08 |
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