JP2013541857A5 - 異方性導体を利用するledベースの光源 - Google Patents

異方性導体を利用するledベースの光源 Download PDF

Info

Publication number
JP2013541857A5
JP2013541857A5 JP2013537668A JP2013537668A JP2013541857A5 JP 2013541857 A5 JP2013541857 A5 JP 2013541857A5 JP 2013537668 A JP2013537668 A JP 2013537668A JP 2013537668 A JP2013537668 A JP 2013537668A JP 2013541857 A5 JP2013541857 A5 JP 2013541857A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
led
surface
light source
layer
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013537668A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013541857A (ja
Publication date
Priority to US12/941,799 priority Critical patent/US8455895B2/en
Priority to US12/941,799 priority
Application filed filed Critical
Priority to PCT/US2011/051607 priority patent/WO2012064405A1/en
Publication of JP2013541857A publication Critical patent/JP2013541857A/ja
Publication of JP2013541857A5 publication Critical patent/JP2013541857A5/ja
Application status is Pending legal-status Critical

Links

Description

本発明は、光源および光源を製作する方法を含む。光源は、異方性導体の層によって実装基板にボンディングされた複数の表面実装LEDを含む。各LEDは、LEDの第1表面上に表面実装コンタクトを有し、かつ第1表面に対向するLEDの第2表面から光を放出する。表面実装コンタクトは、LEDに電力を供給するためのp型コンタクトおよびn型コンタクトを含む。各LEDは、所定波長の光を発生させる活性層によって特徴付けられ、p型コンタクトは、LED内の活性領域のうちの少なくとも半分以上の面積を有する。実装基板は、複数の接続配線を有する上端面を含む。各接続配線は、複数のn型コンタクトのうちの対応する1つの直下にあるように位置決めされたn型配線、および複数のp型コンタクトのうちの対応する1つの直下にあるように位置決めされたp型配線を含み、p型配線は、p型コンタクトよりも大きい面積を有する。異方性導体の層は、表面実装コンタクトと接続配線の間に挟まれる。

本発明の一態様において、複数のLEDは、互いにスペースを空けて配置され、LEDは、LEDの側面から光を放出する。異方性導体は、LEDの側面から出射する光が、複数のLED間に位置決めされた異方性導体に入射するような高さまで、複数のLED間のスペース内に存在している。異方性導体は、側面から出射する光を散乱させる散乱粒子を含む。

図1は、従来技術の蛍光体変換型LED光源の一部の断面図である。 図2は、別の従来技術の光源の一部の断面図である。 図3は、異方性導体によってボンディングされた1対の表面の断面図である。 図4は、本発明の一実施形態に従う光源の一部の断面図である。 図5は、LEDをn型配線およびp型配線にボンディングする前の実装基板の一部の上面図である。 図6は、本発明に従う光源の別の一実施形態の一部の断面図である。 図7は、製作工程の種々のステージにおいて本発明の一実施形態に従う光源の一部の断面図である。 図8は、製作工程の種々のステージにおいて本発明の一実施形態に従う光源の一部の断面図である。 図9は、製作工程の種々のステージにおいて本発明の一実施形態に従う光源の一部の断面図である。

本発明の一態様において、光散乱および垂直接続をもたらすように変型された異方性導体が利用される。異方性導体が作動するやり方は、異方性導体によってボンディングされた1対の表面の断面図である図3を参照して、より容易に理解することができる。異方性導体は、硬化工程によって固体に変換することができる硬化性エポキシ樹脂または他の絶縁担体材料内で浮遊した、複数の弾性のある金属コーティングされた球体53を含む。各球体は、球体を導体にする金属層54でコーティングされる。この材料の層が、図3に示すように2つの表面間へ押し付けられると、導体51と導体52の間に閉じ込められた球体は、56で示すように変形する。変形した球体は、電極51と電極52の間を電気的に接続する。担体媒体が硬化した後、2つの表面は、同表面上の対向する導体が互いに電気的に接続された状態で、互いにボンディングされたままになる。球体の密度は、対向する導体の任意の対が同導体間に閉じ込められた1つ以上の球体を有することを確実にするのに十分に高いように、しかし球体が水平方向に互いに接触しかつ横方向に走る導電経路を形成しないことを確実にするのに十分に低いように、選ばれる。

異方性導体は、10年以上にわたって、内部にスイッチング回路構造を有する下層の基板に対して、LEDのアレイをボンディングするのに用いられている。例えば、特許文献1は、有機LEDのアレイを含む層が、個々のLEDをオンおよびオフ切り換えする薄膜トランジスタを備えた基板上にボンディングされるディスプレイを教示する。

本発明の一態様において、LEDは、担体材料が液体状態にあるうちに、異方性接着剤の層へ押し込まれる。すべてのLEDが材料の層へ押し込まれるときに、LEDの端が70で示すように異方性導体によって覆われることを確実にする高さまで、複数のLED間のスペースへ超過した材料が押し込まれることを確実にするために、この材料の層は十分な厚さを有し、LEDの側壁から出射する光が、複数のLED間の異方性導体の層に入射し、かつ散乱粒子によって散乱するようにする。例えば、LEDの側面から出射する光のうちの少なくとも50、60、70、80、または90パーセントが、複数のLED間の異方性導体媒体に入射することを、複数のLED間の異方性導体媒体の高さが、確実にするのに十分であるように、硬化前の異方性導体媒体の厚さは、設定することができる。

放熱は、いくつかの理由でLEDに基づく高出力光源の重要な問題である。第1に、電気の光への変換効率は、高温で減少する。第2に、LEDの寿命もまた、温度とともに減少する。第3に、複数のLEDと異方性導体内で用いられた担体材料との間の熱膨張係数に差があると、異方性導体内で破砕が生じ、LEDが下層の構造体から切り離されることがある。したがって、LEDから周囲環境までの熱伝達を最大化することは、どんな高出力LED光源設計にも重要な態様である。

LEDによって発生した熱は、LEDの上方の空気へ、または熱を自然環境に結合する放熱構造体との熱的接触状態にある熱拡散層69へ、伝達しなければならない。層69に熱を伝達するために、層68の熱抵抗は、LED上の複数のコンタクトと層68上の対応する配線との間の異方性導体層の熱抵抗をはるかに下回ることが好ましい。層68の熱抵抗は、依然として電気絶縁をもたらすと同時に低熱抵抗を有する材料を用いることによって、および層69へ熱を全面で伝達する層68の表面積を増加させかつ層68の厚さを減少させることによって、低減することができる。

LED上のp型コンタクトと層68上の対応する配線との間の異方性導体の層の厚さが極めて薄いので、熱抵抗は、配線と層68の間のコンタクトの面積によって決定される。上述したように、複数のLED間に反射面74を設けることは有利なことである。本発明の一態様において、LED上のp型コンタクトに対向して配線を拡張することによって、この表面が生み出されるが、配線は、p型コンタクト配線と呼ばれることになる。これらの配線は、アルミニウムまたは他の高反射コーティングでコーティングすることができる。配線の面積が拡張されて複数のLED間の領域を実質的に満たし、それによって熱伝達面積を実質的に増加させることができる。この面積の最大拡大値は、複数のLEDのスペース配置に依存する。本発明の一態様において、複数のLEDは、p型配線の面積が、LED上のp型コンタクトの面積の少なくとも2倍であるように、スペースを空けて配置される。

次に図6を参照すると、同図は、本発明に従う光源の別の一実施形態の一部の断面図である。光源90が、異方性導体によって実装基板上の配線にボンディングされた複数のLEDを含む点で、光源90は、図4を参照して上述した光源60と同様である。p型コンタクトを接続する配線は、図5に関して上述したように拡大される。典型的な拡大された配線が、99で示される。配線は、各配線を配線層101上の対応する導体に接続する導電ビア97によって、配線層98に接続される。これらのビアは、熱拡散層91内の絶縁体の中を通過する。したがって、唯一の高熱インピーダンスの面積は、絶縁体102の表面上の拡大した配線と熱拡散層91の間の面積である。

光源90は、LEDによって発生した光の一部を異なるスペクトラムを有する光に変換する蛍光体変換層94も含み、この異なるスペクトラムは、光出射層94が所定の色温度を有する白色光であると理解されるように選ばれる。蛍光体変換層は、エポキシ樹脂などの透明担体媒体内で蛍光体粒子96を浮遊させ、次いで浮遊物質が光源全体にいったん広がるとエポキシ樹脂層を硬化させることによって、構成される。複数のLED間の領域が異方性導体で満たされるので、蛍光体変換層は、より一様な厚さとすることができ、それゆえにLEDからの青色光が蛍光体の厚さに差がある種々の領域の蛍光体の中を通過することから生じる、色の変動が低減される。

本発明の一態様において、蛍光体変換層94は、異方性導体と同一のエポキシ樹脂媒体から構成される。本発明の別の一態様において、蛍光体変換層は、異方性導体とほぼ等しい熱膨張係数を有する。ここで、2つの層は、熱膨張係数の差が、その設計寿命にわたる光源の熱サイクル中に2つの層を分離させる恐れのある差を下回る場合、ほぼ等しい熱膨張係数を有するとして定義されることになる。この配列によって、異なる層と関連した異なる熱膨張係数を有することに関連する問題が低減される。

異方性導体および蛍光体変換層の熱伝導率をさらに改善するために、高熱伝導率媒体の粒子95を層内に含むことができる。例えば、ダイヤモンド、結晶シリコン、またはGaNの粒子を、層94および異方性導体内に含むことができる。これらの材料は、層を構成するのに用いられるエポキシ樹脂よりも著しく高い熱伝導率を有し、それゆえにこれらを含むと、層の平均熱伝導率はエポキシ樹脂よりも高くなる。これらの材料も透明であり、それゆえに光を吸収しない。このような材料の使用は、出願日が2010年7月28日である、同時係属中の特許文献2に詳細に説明されており、参照することによって本明細書に援用される。

本発明の一実施形態に従う光源が構成されるやり方は、図7〜図9を参照して次に説明されることになるが、同図は、製作工程の種々のステージにおいて本発明の一実施形態に従う光源の一部の断面図である。始めに、実装基板115は、図7に示すように未硬化の液体状態にある異方性導体の層116で覆われる。各LED117は、LED上のコンタクトが実装基板115上の対応する配線の真上にあるように位置決めされる。位置決めされたLEDは、次いで図8に示すように実装基板115に対して押し込まれる。LEDは、異方性導体の層へ一度に1つずつ押し込むことができ、または一時的担体に取り付けられて、異方性導体へ同時に押し込むことができる。LEDが異方性導体の層へ押し込まれた後、LEDに圧力が加わり、異方性導体材料が加熱されて、この材料が硬化し、それゆえに異方性導体層は固体になる。上述したように、未硬化の異方性導体材料の深さは、LEDが異方性導体材料へ押し込まれるとき、異方性導体が複数のLED間の領域を満たすように設定される。異方性導体材料が硬化した後、蛍光体含有材料の層118は、硬化異方性導体層の上に堆積し、図9に示すように硬化する。

Claims (16)

  1. 複数の表面実装LEDであって、各LEDは、LEDの第1表面上に表面実装コンタクトを有し、かつ前記第1表面に対向するLEDの第2表面から光を放出し、前記表面実装コンタクトは、LEDに電力を供給するためのp型コンタクトおよびn型コンタクトを含み、各LEDは、所定波長の光を発生させる活性層によって特徴付けられる複数の表面実装LEDと、
    複数の接続配線を有する上端面を含む実装基板であって、各接続配線は、前記複数のn型コンタクトのうちの対応する1つの直下にあるように位置決めされたn型配線、および前記複数のp型コンタクトのうちの対応する1つの直下にあるように位置決めされたp型配線を含む実装基板と、
    前記表面実装コンタクトと前記接続配線の間に挟まれた異方性導体の層と、
    を備えた、光源。
  2. 前記p型配線は、前記p型コンタクトの2倍よりも大きい面積を有する、請求項1に記載の光源。
  3. 前記実装基板は、前記接続配線と直接に接触している絶縁層および前記絶縁層と直接に接触している熱拡散層を含み、金属の層から成る前記熱拡散層は、周囲温度を上回る75°Cよりも高い温度で前記LEDが作動しないように、前記LEDによって発生した熱を放熱構造体へ移動させるのに十分な厚さを有する、請求項1に記載の光源。
  4. 前記異方性導体は、第1透明媒体内で浮遊した、変形可能で非変形直径を有する導電粒子と、前記LEDによって発生した光の前記波長よりも大きくかつ前記非変形直径の半分を下回る寸法を有する光散乱粒子とを含む、請求項1に記載の光源。
  5. 前記複数のLEDは、互いにスペースを空けて配置され、前記LEDはまた、前記第1表面および前記第2表面にほぼ垂直の側面から光を放出し、前記異方性導体は、前記LEDの前記側面から出射する光が、前記複数のLED間に位置決めされた前記異方性導体に入射するように、前記複数のLED間のスペース内に存在している、請求項4に記載の光源。
  6. 透明担体材料内で浮遊した蛍光体粒子を含む蛍光体層をさらに備えた、請求項4に記載の光源。
  7. 前記担体材料は、前記第1材料とほぼ同一の熱膨張係数を有する、請求項6に記載の光源。
  8. 前記担体材料は、前記第1材料を含む、請求項6に記載の光源。
  9. 前記熱拡散層の下に配線層をさらに備え、前記配線層は、前記接続配線を前記配線層内の導体に接続する、請求項1に記載の光源。
  10. 前記異方性導体内に熱伝導材料から成る粒子をさらに備え、前記熱伝導材料は、前記第1材料よりも大きい熱伝導率を有する、請求項1に記載の光源。
  11. 前記導電粒子は、90パーセントよりも大きい反射率を有する外面コーティングを含む、請求項4に記載の光源。
  12. 前記導電粒子は、アルミニウムを含む外面コーティングを有する、請求項4に記載の光源。
  13. 光源を製作する方法であって、
    複数の表面実装LEDを設けるステップであって、各LEDは、LEDの第1表面上に表面実装コンタクトを有し、かつ前記第1表面に対向するLEDの第2表面から光を放出し、前記表面実装コンタクトは、LEDに電力を供給するためのp型コンタクトおよびn型コンタクトを含み、各LEDは、所定波長の光を発生させる活性層によって特徴付けられる複数の表面実装LEDを設けるステップと、
    複数の接続配線を有する上端面を含む実装基板を設けるステップであって、各接続配線は、前記複数のn型コンタクトのうちの対応する1つの直下にあるように位置決めされたn型配線、および前記複数のp型コンタクトのうちの対応する1つの直下にあるように位置決めされたp型配線を含む実装基板を設けるステップと、
    液体状態にある異方性導体の層を前記表面実装コンタクト上に堆積させるステップと、
    各表面実装コンタクトが、対応する接続配線に整列するように、前記LEDを位置決めするステップと、
    前記異方性導体を硬化状態に硬化させながら、前記実装基板に対して前記LEDを押し込むステップと、
    を備えた、方法。
  14. 前記異方性導体は、第1透明媒体内で浮遊した、変形可能で非変形直径を有する導電粒子と、前記LEDによって発生した光の前記波長よりも大きくかつ前記非変形直径の半分を下回る寸法を有する光散乱粒子とを含む、請求項13に記載の方法。
  15. 前記複数のLEDは、互いにスペースを空けて配置され、前記LEDはまた、前記第1表面および前記第2表面にほぼ垂直の側面から光を放出し、前記液体状態にある前記異方性導体の前記層は、前記LEDの前記側面から出射する光が、前記複数のLED間に位置決めされた前記異方性導体に入射するような高さまで、前記複数のLED間のスペース内に前記異方性導体が存在しているような厚さを有する、請求項14に記載の方法。
  16. 透明担体材料内で浮遊した蛍光体粒子を含む蛍光体層を、前記LED上に堆積させるステップをさらに備えた、請求項14に記載の方法。
JP2013537668A 2010-11-08 2011-09-14 非対称導体を利用するledベースの光源 Pending JP2013541857A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/941,799 US8455895B2 (en) 2010-11-08 2010-11-08 LED-based light source utilizing asymmetric conductors
US12/941,799 2010-11-08
PCT/US2011/051607 WO2012064405A1 (en) 2010-11-08 2011-09-14 Led-based light source utilizing asymmetric conductors

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013541857A JP2013541857A (ja) 2013-11-14
JP2013541857A5 true JP2013541857A5 (ja) 2014-10-23

Family

ID=46018764

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013537668A Pending JP2013541857A (ja) 2010-11-08 2011-09-14 非対称導体を利用するledベースの光源
JP2015215601A Pending JP2016029740A (ja) 2010-11-08 2015-11-02 非対称導体を利用するledベースの光源

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015215601A Pending JP2016029740A (ja) 2010-11-08 2015-11-02 非対称導体を利用するledベースの光源

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8455895B2 (ja)
JP (2) JP2013541857A (ja)
KR (1) KR20130092595A (ja)
TW (1) TW201230408A (ja)
WO (1) WO2012064405A1 (ja)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5390472B2 (ja) * 2010-06-03 2014-01-15 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
US9478719B2 (en) * 2010-11-08 2016-10-25 Bridgelux, Inc. LED-based light source utilizing asymmetric conductors
JP5997766B2 (ja) * 2012-05-31 2016-09-28 パナソニックIpマネジメント株式会社 Ledモジュール
JP2014130918A (ja) * 2012-12-28 2014-07-10 Nitto Denko Corp 封止層被覆光半導体素子、その製造方法および光半導体装置
US10295124B2 (en) * 2013-02-27 2019-05-21 Cree, Inc. Light emitter packages and methods
KR101476686B1 (ko) 2013-04-01 2014-12-26 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
CN105531833B (zh) * 2013-05-15 2018-01-30 皇家飞利浦有限公司 具有衬底中的散射特征的led
EP3032594A4 (en) * 2013-08-09 2017-01-25 Koha Co., Ltd. Light emitting device
KR101513641B1 (ko) * 2013-08-20 2015-04-22 엘지전자 주식회사 표시장치
KR20150021235A (ko) * 2013-08-20 2015-03-02 엘지전자 주식회사 표시장치
KR101476687B1 (ko) * 2013-10-24 2014-12-26 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR101476688B1 (ko) * 2013-10-24 2014-12-26 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR101521939B1 (ko) * 2013-12-17 2015-05-20 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
US10544905B2 (en) 2014-09-28 2020-01-28 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED bulb lamp
TWI673799B (zh) * 2015-02-13 2019-10-01 台灣東電化股份有限公司 封模樹脂型模組的封裝結構及其封裝方法
JP6250575B2 (ja) * 2015-03-06 2017-12-20 富士フイルム株式会社 バックライトユニットおよび画像表示装置
WO2017030632A2 (en) * 2015-06-02 2017-02-23 ARIZONA BOARD OF REGENTS, A BODY CORPORATE OF THE STATE OF ARIZONA, for and on behalf of ARIZONA STATE UNIVERSITY Methods of providing semiconductor devices and semiconductor devices thereof
US10240724B2 (en) 2015-08-17 2019-03-26 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED filament
US10473271B2 (en) 2015-08-17 2019-11-12 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED filament module and LED light bulb
US10487987B2 (en) 2015-08-17 2019-11-26 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED filament
US10359152B2 (en) 2015-08-17 2019-07-23 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co, Ltd LED filament and LED light bulb
GB2543139B (en) 2015-08-17 2018-05-23 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co Ltd LED light bulb and LED filament thereof
KR20170070664A (ko) * 2015-12-14 2017-06-22 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
US20180180795A1 (en) * 2016-12-22 2018-06-28 Dura Operating, Llc Light guide and method of creating a light guide by screen-printing

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03223380A (en) * 1990-01-30 1991-10-02 Oki Electric Ind Co Ltd Anisotropic conductive adhesive
JPH0995011A (ja) * 1995-09-29 1997-04-08 Oki Electric Ind Co Ltd Ledプリントヘッド
JP3286221B2 (ja) * 1997-09-29 2002-05-27 松下電器産業株式会社 発光デバイス
US6965361B1 (en) * 1998-06-16 2005-11-15 Agilent Technologies, Inc. Method of manufacture of active matrix addressed polymer LED display
US7411211B1 (en) * 1999-07-22 2008-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Contact structure and semiconductor device
US6576488B2 (en) * 2001-06-11 2003-06-10 Lumileds Lighting U.S., Llc Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor
US6498355B1 (en) * 2001-10-09 2002-12-24 Lumileds Lighting, U.S., Llc High flux LED array
JP4438492B2 (ja) * 2003-09-11 2010-03-24 日亜化学工業株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2005175212A (ja) * 2003-12-11 2005-06-30 Lite-On Technology Corp 発光ダイオード結晶粒子固定方法
AU2005232074A1 (en) * 2004-03-29 2005-10-20 LumaChip, Inc. Roll-to-roll fabricated light sheet and encapsulated semiconductor circuit devices
JP4791708B2 (ja) * 2004-06-23 2011-10-12 リンテック株式会社 電子部品実装用接着性樹脂材料及びそれを用いた電子デバイス並びに該電子部品実装用接着性樹脂材料の製造方法
JP4796293B2 (ja) * 2004-11-04 2011-10-19 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 照明装置の製造方法
US7452737B2 (en) 2004-11-15 2008-11-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Molded lens over LED die
US7858408B2 (en) * 2004-11-15 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens
US7352011B2 (en) 2004-11-15 2008-04-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wide emitting lens for LED useful for backlighting
US7344902B2 (en) 2004-11-15 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Overmolded lens over LED die
US20070080360A1 (en) * 2005-10-06 2007-04-12 Url Mirsky Microelectronic interconnect substrate and packaging techniques
JP4951937B2 (ja) * 2005-10-28 2012-06-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10295147B2 (en) * 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
JP5093840B2 (ja) * 2007-05-14 2012-12-12 株式会社住友金属エレクトロデバイス 発光素子実装用多層配線基板とその製造方法
US7968899B2 (en) * 2007-08-27 2011-06-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED light source having improved resistance to thermal cycling
US7712918B2 (en) 2007-12-21 2010-05-11 Altair Engineering , Inc. Light distribution using a light emitting diode assembly
US7815338B2 (en) 2008-03-02 2010-10-19 Altair Engineering, Inc. LED lighting unit including elongated heat sink and elongated lens
JP2009289729A (ja) * 2008-04-28 2009-12-10 Hitachi Chem Co Ltd 異方導電フィルム
US7946729B2 (en) 2008-07-31 2011-05-24 Altair Engineering, Inc. Fluorescent tube replacement having longitudinally oriented LEDs
US7938562B2 (en) 2008-10-24 2011-05-10 Altair Engineering, Inc. Lighting including integral communication apparatus
JP2010135513A (ja) * 2008-12-03 2010-06-17 Sumitomo Electric Ind Ltd 実装体
JP5521325B2 (ja) * 2008-12-27 2014-06-11 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP5402109B2 (ja) * 2009-02-27 2014-01-29 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム及び発光装置
JP2010249689A (ja) * 2009-04-16 2010-11-04 Renesas Electronics Corp 配線故障検査装置及び方法
US8210698B2 (en) 2010-07-28 2012-07-03 Bridgelux, Inc. Phosphor layer having enhanced thermal conduction and light sources utilizing the phosphor layer

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6245753B2 (ja) 電子素子および方法
TWI626395B (zh) 發光裝置
JP6504739B2 (ja) 発光素子、発光装置及び装置用ベース
US9157579B2 (en) LED assembly with omnidirectional light field
US9893243B2 (en) LED-based light source utilizing asymmetric conductors
US20180005999A1 (en) Multiple pixel surface mount device package
KR101495580B1 (ko) 리드 프레임, 배선판, 발광 유닛, 조명 장치
US10431567B2 (en) White ceramic LED package
US20180366451A1 (en) Led module with hermetic seal of wavelength conversion material
TWI499031B (zh) 發光裝置
JP5629601B2 (ja) 電力表面取り付けの発光ダイ・パッケージ
CN100442552C (zh) 带有散热板的发光二极管装置
US8803183B2 (en) LED heat-conducting substrate and its thermal module
US10177283B2 (en) LED packages and related methods
US7843131B2 (en) Light emitting device and method for manufacturing the same
JP4123105B2 (ja) 発光装置
JP5487396B2 (ja) 発光装置及び照明装置
US8399267B2 (en) Methods for packaging light emitting devices and related microelectronic devices
EP3152477B1 (en) Leds mounted on curved lead frame
JP2011228463A (ja) Led光源装置及びその製造方法
US8592836B2 (en) Light emitting device and illumination apparatus using same
WO2013040506A1 (en) Led packages for an led bulb
JP5219445B2 (ja) 発光ダイオード装置
US9240395B2 (en) Waterproof surface mount device package and method
US8100567B2 (en) Light-emitting devices and related systems

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20140523

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140701

A524 Written submission of copy of amendment under section 19 (pct)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524

Effective date: 20140701

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140701

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20140911