JP2013539239A5 - - Google Patents

Claims (17)

1. 基板と、
   前記基板の上に配置される裏面電極層と、
   前記裏面電極層の上に配置される光吸収層と、
   前記光吸収層の上に配置されるウィンドウ層と、を含み、
   前記ウィンドウ層は、
   前記光吸収層の上に配置されるベース層と、
   前記ベース層の上に配置される反射防止パターンと、を含み、
   前記反射防止パターンは、
   上面と、
   前記上面から傾斜する方向に延びる傾斜面と、
   を含むことを特徴とする、太陽電池。
2. 前記傾斜面は、
   第１傾斜面と、
   前記第１傾斜面に隣接する第２傾斜面と、
   前記第２傾斜面に隣接する第３傾斜面と、
   前記第１傾斜面及び前記第３傾斜面に隣接する第４傾斜面と、
   を含むことを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池。
3. 前記上面は多角形状を有することを特徴とする、請求項１または２のいずれか１項に記載の太陽電池。
4. 前記反射防止パターンの高さは前記ベース層の厚さより小さいことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の太陽電池。
5. 前記反射防止パターン及び前記ベース層は一体形成され、
   前記反射防止パターンは四角錐台形状を有することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の太陽電池。
6. 前記反射防止パターンの上面の幅は０．５μｍ乃至約１．５μｍであることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の太陽電池。
7. 前記反射防止パターンは、
   前記ベース層から上方に突出する第１突起と、
   前記第１突起に隣接する第２突起と、を含み、
   前記反射防止パターンの上面に垂直な方向に対する前記傾斜面の角度（θ）は以下の＜数式１＞を満たすことを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の太陽電池。
   θ＜ｔａｎ^−１（Ｌ／Ｔ）・・・＜数式１＞
   ここで、Ｌは前記第１突起の上面及び前記第２突起の上面の間の距離であり、Ｔは前記ウィンドウ層の厚さである。
8. 前記反射防止パターンの上面は前記光吸収層の上面と同一な方向に延びることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の太陽電池。
9. 前記反射防止パターンの上面及び前記光吸収層の上面は実質的に互いに平行することを特徴とする、請求項８に記載の太陽電池。
10. 基板と、
    前記基板の上に配置される裏面電極層と、
    前記裏面電極層の上に配置される光吸収層と、
    前記光吸収層の上に配置されるウィンドウ層と、を含み、
    前記ウィンドウ層は、
    上面に形成され、互いに離隔する多数個の第１溝と、
    前記第１溝と交差し、互いに離隔する多数個の第２溝と、
    を含むことを特徴とする、太陽電池。
11. 前記第１溝は、
    前記光吸収層の上面に対して傾斜する第１内側面と、
    前記光吸収層の上面に対して傾斜する第２内側面と、を含み、
    前記第１内側面及び前記第２内側面は相接することを特徴とする、請求項１０に記載の太陽電池。
12. 前記第２溝は、
    前記光吸収層の上面に対して傾斜する第３内側面と、
    前記光吸収層の上面に対して傾斜する第４内側面と、を含み、
    前記第３内側面及び前記第４内側面は相接することを特徴とする、請求項１１に記載の太陽電池。
13. 前記第１溝及び前記第２溝はＶ形状を有することを特徴とする、請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の太陽電池。
14. 基板の上に裏面電極層を形成するステップと、
    前記裏面電極層の上に光吸収層を形成するステップと、
    前記光吸収層の上にウィンドウ層を形成するステップと、
    前記ウィンドウ層の上にマスクパターンを形成するステップと、
    前記マスクパターンをエッチングマスクとして使用して前記ウィンドウ層をエッチングするステップと、
    を含むことを特徴とする、太陽電池の製造方法。
15. 前記マスクパターンは島形状を有することを特徴とする、請求項１４に記載の太陽電池の製造方法。
16. 前記ウィンドウ層をエッチングするステップで、
    前記ウィンドウ層がエッチングされる深さは前記ウィンドウ層の厚さの１／２より小さいことを特徴とする、請求項１４または１５に記載の太陽電池の製造方法。
17. 前記マスクパターンは四角形状を有することを特徴とする、請求項１４〜１６のいずれか１項に記載の太陽電池の製造方法。