KR101172192B1 - 태양전지 및 이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
태양전지 및 이의 제조방법이 개시된다. 태양전지는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 이면전극층; 상기 이면전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층 상에 배치되는 윈도우층을 포함하며, 상기 윈도우층은 상기 광 흡수층 상에 배치되는 베이스층; 및 상기 베이스층 상에 배치되는 반사 방지 패턴을 포함하고, 상기 반사 방지 패턴은 상기 광 흡수층의 상면과 같은 방향으로 연장되는 상면; 및 상기 상면으로부터 경사지는 방향으로 연장되는 경사면을 포함한다.
Description
실시예는 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
최근 에너지의 수요가 증가함에 따라서, 태양광 에너지를 전기에너지로 변환시키는 태양전지에 대한 개발이 진행되고 있다.
특히, 유리기판, 금속 후면 전극층, p형 CIGS계 광 흡수층, 고 저항 버퍼층, n형 윈도우층 등을 포함하는 기판 구조의 pn 헤테로 접합 장치인 CIGS계 태양전지가 널리 사용되고 있다.
실시예는 높은 광 흡수율을 가지는 태양전지 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 태양전지는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 이면전극층; 상기 이면전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층 상에 배치되는 윈도우층을 포함하며, 상기 윈도우층은 상기 광 흡수층 상에 배치되는 베이스층; 및 상기 베이스층 상에 배치되는 반사 방지 패턴을 포함하고, 상기 반사 방지 패턴은 상기 광 흡수층의 상면과 같은 방향으로 연장되는 상면; 및 상기 상면으로부터 경사지는 방향으로 연장되는 경사면을 포함한다.
실시에에 따른 태양전지의 제조방법은 기판 상에 이면전극층을 형성하는 단계; 상기 이면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층 상에 윈도우층을 형성하는 단계; 상기 윈도우층 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 마스크 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 윈도우층을 식각하는 단계를 포함한다.
실시에에 따른 태양전지는 반사 방지 패턴을 사용하여 보다 많은 광을 입사받을 수 있다. 즉, 반사 방지 패턴은 윈도우층에서 반사되는 광을 줄이고, 광 흡수층으로 입사되는 광을 증가시킨다.
특히, 반사 방지 패턴은 평평한 상면 및 경사면을 포함한다. 따라서, 상기 반사 방지 패턴의 상면 및 경사면의 면적이 적당하게 조절될 수 있다. 즉, 반사 방지 패턴이 최적의 입사율을 가지도록 상면 및 경사면의 면적이 조절되고, 경사면의 각도가 조절될 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 태양전지는 향상된 광학적 특성을 가지고, 향상된 광-전 변환 효율을 가질 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 태양전지의 윈도우층을 도시한 사시도이다.
도 2는 실시예에 따른 태양전지를 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 3은 반사 방지 패턴을 도시한 평면도이다.
도 3 내지 도 7은 실시예에 따른 태양전지를 형성하는 과정을 도시한 도면들이다.
도 2는 실시예에 따른 태양전지를 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 3은 반사 방지 패턴을 도시한 평면도이다.
도 3 내지 도 7은 실시예에 따른 태양전지를 형성하는 과정을 도시한 도면들이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 층, 막 또는 전극 등이 각 기판, 층, 막, 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 실시에에 따른 태양전지의 윈도우층을 도시한 사시도이다. 도 2는 실시예에 따른 태양전지를 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 3은 반사 방지 패턴을 도시한 평면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 태양전지는 지지기판(100), 이면전극층(200), 광 흡수층(300), 버퍼층(400), 고저항 버퍼층(500) 및 윈도우층(600)을 포함한다.
상기 지지기판(100)은 플레이트 형상을 가지며, 상기 이면전극층(200), 상기 광 흡수층(300), 버퍼층(400), 고저항 버퍼층(500) 및 상기 윈도우층(600)을 지지한다.
상기 지지기판(100)은 절연체일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 유리기판, 플라스틱기판 또는 금속기판일 수 있다. 더 자세하게, 상기 지지기판(100)은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 투명할 수 있다. 상기 지지기판(100)은 리지드하거나 플렉서블할 수 있다.
상기 이면전극층(200)은 상기 지지기판(100) 상에 배치된다. 상기 이면전극층(200)은 도전층이다. 상기 이면전극층(200)으로 사용되는 물질의 예로서는 몰리브덴(Mo) 등의 금속을 들 수 있다.
또한, 상기 이면전극층(200)은 두 개 이상의 층들을 포함할 수 있다. 이때, 각각의 층들은 같은 금속으로 형성되거나, 서로 다른 금속으로 형성될 수 있다.
상기 광 흡수층(300)은 상기 이면전극층(200) 상에 배치된다. 상기 광 흡수층(300)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족계 화합물을 포함한다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.
상기 광 흡수층(300)의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1eV 내지 1.8eV일 수 있다.
상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300) 상에 배치된다. 상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300)에 직접 접촉한다. 상기 버퍼층(400)은 황화 카드뮴을 포함한다. 상기 버퍼층(400)의 에너지 밴드갭은 약 1.9eV 내지 약 2.3eV일 수 있다.
상기 고저항 버퍼층(500)은 상기 버퍼층(400) 상에 배치된다. 상기 고저항 버퍼층(500)은 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함한다. 상기 고저항 버퍼층(500)의 에너지 밴드갭은 약 3.1eV 내지 3.3eV일 수 있다.
상기 윈도우층(600)은 상기 광 흡수층(300) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 윈도우층(600)은 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 배치된다. 상기 윈도우층(600)은 투명하며, 도전층이다. 상기 윈도우층(600)으로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드 등을 들 수 있다.
상기 윈도우층(600)은 베이스층(610) 및 반사 방지 패턴(620)을 포함한다.
상기 베이스층(610)은 상기 광 흡수층(300) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 베이스층(610)은 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 배치된다. 상기 베이스층(610)은 상기 고저항 버퍼층(500)을 전체적으로 덮을 수 있다. 상기 베이스층(610)의 두께는 상기 윈도우층(600)의 두께의 1/2 보다 더 클 수 있다.
상기 반사 방지 패턴(620)은 상기 베이스층(610) 상에 배치된다. 상기 반사 방지 패턴(620)은 상기 베이스층(610)과 일체로 형성된다. 상기 반사 방지 패턴(620)의 높이는 상기 윈도우층(600)의 두께의 1/2 보다 더 작을 수 있다. 즉, 상기 반사 방지 패턴(620)의 높이(H)는 상기 베이스층(610)의 두께보다 더 작을 수 있다.
상기 반사 방지 패턴(620)은 돌기 패턴이다. 즉, 상기 반사 방지 패턴(620)은 상기 베이스층(610)으로부터 돌기되는 다수 개의 돌기들(602)을 포함한다.
각각의 돌기(602)는 상면(621) 및 다수 개의 경사면들(622)을 포함한다. 더 자세하게, 각각의 돌기(602)는 상면(621) 및 4 개의 경사면들(622)을 포함할 수 있다.
각각 돌기(602)의 상면(621)은 상기 광 흡수층(300)의 상면과 같은 방향으로 연장된다. 즉, 각각의 돌기(602)의 상면(621)은 상기 광 흡수층(300)의 상면과 실질적으로 평행할 수 있다. 또한, 각각의 돌기(602)의 상면(621)은 상기 지지기판(100)의 상면, 상기 이면전극층(200)의 상면 및 상기 고저항 버퍼층(500)의 상면과 같은 방향으로 연장된다.
각각 돌기(602)의 상면(621)은 다각형 형상을 가질 수 있다. 더 자세하게, 각각의 돌기(602)의 상면(621)은 사각형 형상을 가질 수 있다. 더 자세하게, 각각의 돌기(602)의 상면(621)은 직사각형 형상을 가질 수 있다. 더 자세하게, 각각의 돌기(602)의 상면(621)은 정사각형을 가질 수 있다.
각각의 돌기(602)의 경사면들(622)은 상기 상면(621)으로부터 하측방으로 연장된다. 더 자세하게, 각각의 돌기(602)의 경사면들(622)은 상기 상면(621)으로부터 상기 베이스층(610)을 향하여 연장된다. 즉, 상기 경사면들(622)은 상기 상면(621)에 대하여 경사진다.
상기 경사면들(622)은 예를 들어, 제 1 경사면(622a), 제 2 경사면(622b), 제 3 경사면(622c) 및 제 4 경사면(622d)일 수 있다. 이때, 상기 제 2 경사면(622b)은 상기 제 1 경사면(622a) 및 상기 제 3 경사면(622c)에 인접하고, 상기 제 3 경사면(622c)은 상기 제 2 경사면(622b) 및 상기 제 4 경사면(622d)에 인접한다. 또한, 상기 제 4 경사면(622d)은 상기 제 1 경사면(622a) 및 상기 제 3 경사면(622c)에 인접한다. 또한, 상기 제 1 경사면(622a) 및 상기 제 3 경사면(622c)은 서로 대향되고, 상기 제 2 경사면(622b) 및 상기 제 4 경사면(622d)은 서로 대향된다.
각각의 돌기(602)의 상면(621)에 수직한 방향에 대하여 상기 경사면들(622)의 각도(θ)는 아래의 식을 만족할 수 있다.
θ < tan-1(L/T)
여기서, L은 서로 인접하는 돌기들(602)의 상면(621)들 사이의 거리이고, T는 상기 윈도우층(600)의 두께이다.
상기 돌기들(602)은 뿔대 형상을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 돌기들(602)은 다각 뿔대 형상을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 돌기들(602)은 사각 뿔대 형상을 가질 수 있다.
각각의 돌기(602)의 상면(621)의 폭(W)은 약 0.5㎛ 내지 약 1.5㎛ 일 수 있으며, 각각의 돌기(602)의 상면(621)들 사이의 거리(L)는 약 0.5 ㎛내지 약 4㎛일 수 있다. 또한, 상기 반사 방지 패턴의 높이(H)는 약 0.5㎛ 내지 약 1㎛일 수 있다.
상기 반사 방지 패턴(620)에 대하여, 돌기 패턴으로 설명하였지만, 이와는 다르게, 홈 패턴(323)으로 설명될 수 있다. 즉, 상기 반사 방지 패턴(620)은 상기 윈도우층(600)이 일부 식각되어 형성된 홈 패턴(323)일 수 있다.
이때, 상기 홈 패턴(323)은 제 1 방향으로 연장되는 다수 개의 제 1 홈들(323a) 및 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장되는 다수 개의 제 2 홈들(323b)을 포함한다. 이때, 상기 제 1 홈들(323a) 및 상기 제 2 홈들(323b)은 서로 교차한다. 더 자세하게, 상기 제 1 홈들(323a) 및 상기 제 2 홈들(323b)은 메시(mesh) 형상을 가지며 서로 교차한다.
상기 제 1 홈들(323a) 및 상기 제 2 홈들(323b)은 상기 광 흡수층(300)의 상면에 대하여 경사지는 측면을 포함한다. 더 자세하게, 상기 제 1 홈들(323a) 및 상기 제 2 홈들(323b)의 단면은 V자 형상을 가질 수 있다.
상기 제 1 홈들(323a) 및 상기 제 2 홈들(323b)에 의해서, 상기 돌기들(602)이 형성된다. 이에 따라서, 상기 제 1 홈들(323a) 및 상기 제 2 홈들(323b)의 입구의 폭은 각각의 돌기(602)의 상면(621)들 사이의 거리와 같다. 또한, 상기 제 1 홈들(323a) 및 상기 제 2 홈들(323b)의 깊이는 상기 돌기들(602)의 높이(H)와 같다.
실시에에 따른 태양전지는 상기 반사 방지 패턴(620)을 사용하여, 보다 많은 광을 입사받을 수 있다. 즉, 상기 반사 방지 패턴(620)은 상기 윈도우층(600)에서 반사되는 광을 줄이고, 상기 광 흡수층(300)으로 입사되는 광을 증가시킨다.
특히, 상기 반사 방지 패턴(620)의 상면(621) 및 경사면(622)의 면적이 적당하게 조절될 수 있다. 즉, 상기 반사 방지 패턴(620)이 최적의 입사율을 가지도록, 상기 반사 방지 패턴(620)의 상면(621) 및 경사면(622)의 면적이 각각 조절되고, 상기 경사면(622)의 각도가 조절될 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 태양전지는 향상된 광학적 특성을 가지고, 향상된 광-전 변환 효율을 가질 수 있다.
도 4 내지 도 7은 실시예에 따른 태양전지를 제조하기 위한 공정을 도시한 도면들이다. 본 제조방법에서는 앞서 설명한 태양전지를 참고하여 설명한다. 본 제조방법에 대한 설명에, 앞선 태양전지에 관한 설명은 본질적으로 결합될 수 있다.
도 4를 참조하면, 지지기판(100) 상에 스퍼터링 공정에 의해서 몰리브덴 등과 같은 금속이 증착되고, 이면전극층(200)이 형성된다. 상기 이면전극층(200)은 공정 조건이 서로 다른 두 번의 공정들에 의해서 형성될 수 있다.
상기 지지기판(100) 및 상기 이면전극층(200) 사이에는 확산 방지막과 같은 추가적인 층이 개재될 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 이면전극층(200) 상에 광 흡수층(300)이 형성된다.
상기 광 흡수층(300)은 스퍼터링 공정 또는 증발법 등에 의해서 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 광 흡수층(300)을 형성하기 위해서 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)을 형성하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다.
금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션 하는 것을 세분화하면, 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정에 의해서, 상기 이면전극(200) 상에 금속 프리커서 막이 형성된다.
이후, 상기 금속 프리커서 막은 셀레이제이션(selenization) 공정에 의해서, 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)이 형성된다.
이와는 다르게, 상기 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 상기 셀레니제이션 공정은 동시에 진행될 수 있다.
이와는 다르게, 구리 타겟 및 인듐 타겟 만을 사용하거나, 구리 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 셀레니제이션 공정에 의해서, CIS계 또는 CIG계 광 흡수층(300)이 형성될 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 광 흡수층(300) 상에 버퍼층(400) 및 고저항 버퍼층(500)이 형성된다.
상기 버퍼층(400)은 화학 용액 증착 공정(chemical bath deposition;CBD)에 의해서 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300)이 형성된 후, 상기 광 흡수층(300)은 황화 카드뮴을 형성하기 위한 물질들을 포함하는 용액에 침지되고, 상기 광 흡수층(300) 상에 황화 카드뮴을 포함하는 상기 버퍼층(400)이 형성된다.
이후, 상기 버퍼층(400) 상에 징크 옥사이드가 스퍼터링 공정 등에 의해서 증착되고, 상기 고저항 버퍼층(500)이 형성된다.
도 7을 참조하면, 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 윈도우층(600)이 형성된다. 상기 윈도우층(600)을 형성하기 위해서, 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 투명한 도전물질이 적층되어, 투명 도전층(601)이 형성된다. 상기 투명한 도전물질의 예로서는 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드, 인듐 징크 옥사이드 또는 인듐 틴 옥사이드 등을 들 수 있다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 상기 투명 도전층(601) 상에 마스크 패턴(700)이 형성된다. 상기 마스크 패턴(700)은 포토리소그라피 공정에 의해서 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 투명 도전층(601) 상에 감광성 수지가 코팅되어, 포토레지스트 필름이 형성된다. 상기 포토레지스트 필름의 일부가 노광되고, 에칭되어, 상기 마스크 패턴(700)이 형성될 수 있다.
상기 마스크 패턴(700)은 섬(island) 형상을 가진다. 즉, 상기 마스크 패턴(700)은 섬 형상을 가지는 다수 개의 마스크들(701)을 포함한다. 이때, 상기 마스크들(701)을 서로 이격된다. 또한, 상기 마스크들(701)은 매트릭스 형태로 배치될 수 있다.
상기 마스크들(701)의 폭은 약 1㎛일 수 있으며, 상기 마스크들(701) 사이의 간격은 약 3㎛일 수 있다.
상기 마스크 패턴(700)으로 사용되는 물질의 예로서는 등을 들 수 있으며, 상기 마스크 패턴(700)의 두께는 약 1㎛일 수 있다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 상기 투명 도전층(601)은 상기 마스크 패턴(700)을 식각 마스크로 사용하여, 식각된다. 이때, 상기 투명 도전층(601)은 습식 식각 공정 또는 건식 식각 공정 등에 의해서 패터닝된다.
이에 따라서, 상기 마스크 패턴(700)이 배치되지 않은 부분의 투명 도전층(601)은 경사지면서 식각된다.
이에 따라서, 상기 광 흡수층(300) 상에 베이스층(610) 및 반사 방지 패턴(620)을 포함하는 윈도우층(600)이 형성되고, 이후, 상기 마스크 패턴(700)은 제거된다.
상기 식각 공정에 의해서, 상기 투명 도전층(601)에 제 1 홈들(323a) 및 제 2 홈들(323b)이 형성되고, 상기 제 1 홈들(323a) 및 상기 제 2 홈들(323b)에 의해서, 상기 반사 방지 패턴(620)이 형성된다. 상기 제 1 홈들(323a) 및 상기 제 2 홈들(323b)의 내측면은 상기 광 흡수층(300)의 상면에 대하여 경사지게 된다.
이때, 상기 투명 도전층(601)이 식각되는 깊이는 상기 투명 도전층(601)의 두께의 1/2보다 더 작을 수 있다. 즉, 상기 제 1 홈들(323a) 및 상기 제 2 홈들(323b)의 깊이는 상기 투명 도전층(601)의 두께의 1/2보다 더 작을 수 있다.
이와 같이, 실시예에 따른 태양전지의 제조방법은 향상된 입사율을 가지는 태양전지가 용이하게 제공할 수 있다.
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
Claims (11)
- 기판;
상기 기판 상에 배치되는 이면전극층;
상기 이면전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및
상기 광 흡수층 상에 배치되는 윈도우층을 포함하며,
상기 윈도우층은
상기 광 흡수층 상에 배치되는 베이스층; 및
상기 베이스층 상에 배치되는 반사 방지 패턴을 포함하고,
상기 반사 방지 패턴은
상기 광 흡수층의 상면과 같은 방향으로 연장되는 제 1 상면;
상기 제 1 상면과 이격되고, 상기 제 1 상면과 같은 평면에 배치되는 제 2 상면;
상기 제 1 상면으로부터 경사지는 방향으로 연장되는 제 1 경사면; 및
상기 제 2 상면으로부터 경사지는 방향으로 연장되는 제 5 경사면을 포함하고,
상기 제 1 경사면 및 상기 제 5 경사면은 서로 직접 교차하는 태양전지. - 제 1 항에 있어서,
상기 반사 방지 패턴은
상기 제 1 상면으로부터 연장되고, 상기 제 1 경사면에 인접하는 제 2 경사면;
상기 제 2 경사면에 인접하는 제 3 경사면; 및
상기 제 1 경사면 및 상기 제 3 경사면에 인접하는 제 4 경사면을 포함하는 태양전지. - 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 상면은 다각형 형상을 가지는 태양전지.
- 제 1 항에 있어서, 상기 반사 방지 패턴의 높이는 상기 베이스층의 두께보다 더 작은 태양전지.
- 제 1 항에 있어서, 상기 반사 방지 패턴 및 상기 베이스층은 일체로 형성되고,
상기 반사 방지 패턴은 사각뿔대 형상을 가지는 태양전지. - 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 상면 및 상기 제 2 상면 사이의 거리는 0.5㎛ 내지 4㎛인 태양전지.
- 제 1 항에 있어서, 상기 반사 방지 패턴은
상기 베이스층으로부터 상방으로 돌출되는 제 1 돌기; 및
상기 제 1 돌기에 인접하는 제 2 돌기를 포함하며,
상기 반사 방지 패턴의 제 1 상면에 수직한 방향에 대한 상기 제 1 경사면의 각도(θ)는 아래의 식을 만족하는 태양전지.
θ < tan-1(L/T), 여기서, L은 상기 제 1 상면 및 상기 제 2 상면 사이의 거리이고, T는 상기 윈도우층의 두께이다. - 기판 상에 이면전극층을 형성하는 단계;
상기 이면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;
상기 광 흡수층 상에 윈도우층을 형성하는 단계;
상기 윈도우층 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 마스크 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 윈도우층을 식각하여, 반사 방지 패턴을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 반사 방지 패턴은
상기 광 흡수층의 상면과 같은 방향으로 연장되는 제 1 상면;
상기 제 1 상면과 이격되고, 상기 제 1 상면과 같은 평면에 배치되는 제 2 상면;
상기 제 1 상면으로부터 경사지는 방향으로 연장되는 제 1 경사면; 및
상기 제 2 상면으로부터 경사지는 방향으로 연장되는 제 5 경사면을 포함하고,
상기 제 1 경사면 및 상기 제 5 경사면은 서로 직접 교차하는 태양전지의 제조방법. - 제 8 항에 있어서, 상기 마스크 패턴은 섬 형상을 가지는 태양전지의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 윈도우층을 식각하는 단계에서,
상기 윈도우층이 식각되는 깊이는 상기 윈도우층의 두께의 1/2보다 더 작은 태양전지의 제조방법. - 제 8 항에 있어서, 상기 마스크 패턴은 사각형 형상을 가지는 태양전지의 제조방법.
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