KR101172190B1 - 태양광 발전장치 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

태양광 발전장치 및 이의 제조방법이 개시된다. 태양광 발전장치는 다수 개의 홈들이 형성된 기판; 상기 홈들의 내측면에 배치되는 이면전극층; 상기 홈들의 내측면에 및 상기 이면전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및 상기 홈들의 내측면에 및 상기 광 흡수층 상에 배치되는 윈도우층을 포함한다.

Description

태양광 발전장치 및 이의 제조방법{SOLAR CELL APPARATUS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
실시예는 태양광 발전장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
최근 에너지의 수요가 증가함에 따라서, 태양광 에너지를 전기에너지로 변환시키는 태양광 발전장치에 대한 개발이 진행되고 있다.
특히, 유리기판, 금속 후면 전극층, p형 CIGS계 광 흡수층, 고저항 버퍼층, n형 윈도우층 등을 포함하는 기판 구조의 pn 헤테로 접합 장치인 CIGS계 태양광 발전장치가 널리 사용되고 있다.
또한, 이러한 태양광 발전장치의 효율을 증가시키기 위해서 다양한 연구가 진행 중이다.
실시예는 향상된 광-전 변환 효율을 가지는 태양광 발전장치 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
일 실시예에 따른 태양광 발전장치는 다수 개의 홈들이 형성된 기판; 상기 홈들의 내측면에 배치되는 이면전극층; 상기 홈들의 내측면에 및 상기 이면전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및 상기 홈들의 내측면에 및 상기 광 흡수층 상에 배치되는 윈도우층을 포함한다.
일 실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법은 다수 개의 홈들이 형성된 기판을 제공하는 단계; 상기 기판 상 및 상기 홈들 내측에 이면전극층을 형성하는 단계; 상기 이면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및 상기 광 흡수층 상에 윈도우층을 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 태양광 발전장치는 홈들 내측에 이면전극층, 광 흡수층 및 윈도우층을 배치시킨다. 이에 따라서, 광을 흡수하는 광 흡수층의 면적이 증가될 수 있다. 특히, 홈들의 내측면이 측방으로 오목한 형상을 가지는 경우, 광 흡수층의 면적은 더욱 증가될 수 있다.
이에 따라서, 외부로부터 입사되는 태양광은 홈들 내측으로 가이드되고, 광 흡수층에 흡수된다. 이때, 광 흡수층은 보다 넓은 면적을 가지기 때문에, 외부로 입사되는 태양광을 효율적으로 흡수할 수 있다.
또한, 홈들의 입구의 폭이 홈들의 내부의 폭보다 더 작을 수 있다. 이에 따라서, 홈들 내측으로 가이드되는 광은 홈들 내측에 가두어질 수 있다.
이에 따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 효율적으로 외부의 태양광을 흡수하고, 향상된 광-전 변환 효율을 가진다.
도 1은 실시예에 따른 태양광 발전장치를 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1에서 A부분을 확대하여 도시한 도면이다.
도 3은 홈들을 도시한 평면도이다.
도 4 내지 도 11은 실시예에 따른 태양광 발전장치를 제조하는 과정을 도시한 도면들이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 층, 막 또는 전극 등이 각 기판, 층, 막, 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 실시예에 따른 태양광 발전장치를 도시한 단면도이다. 도 2는 도 1에서 A부분을 확대하여 도시한 도면이다. 도 3은 홈들을 도시한 평면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 지지기판(100), 이면전극층(200), 광 흡수층(300), 버퍼층(400), 고저항 버퍼층(500) 및 윈도우층(600)을 포함한다.
상기 지지기판(100)은 상기 이면전극층(200), 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400), 상기 고저항 버퍼층(500) 및 상기 윈도우층(600)을 지지한다. 상기 지지기판(100)은 베이스 기판(110) 및 패턴층(120)을 포함한다.
상기 베이스 기판(110)은 절연체일 수 있다. 상기 베이스 기판(110)은 유리기판, 플라스틱기판 또는 금속기판일 수 있다. 더 자세하게, 상기 베이스 기판(110)은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판일 수 있다. 상기 베이스 기판(110)은 투명할 수 있다. 상기 베이스 기판(110)은 리지드(rigid)하거나 플렉서블(flexible)할 수 있다.
상기 패턴층(120)은 상기 베이스 기판(110) 상에 배치된다. 상기 패턴층(120)은 절연체이다. 상기 패턴층(120)으로 사용되는 물질의 예로서는 실리콘 옥사이드 등과 같은 산화물 또는 실리콘 나이트라이드 등과 같은 질화물 등을 들 수 있다.
상기 패턴층(120)의 두께는 약 40㎛ 내지 약 60㎛일 수 있다. 또한, 상기 베이스 기판(110)의 두께는 약 1㎜ 내지 약 3㎜일 수 있으며, 상기 베이스 기판(110)은 상기 패턴층(120)을 지지한다.
상기 패턴층(120)에는 다수 개의 홈들(G)이 형성된다. 상기 홈들(G)은 상기 패턴층(120)의 일부를 관통한다. 이와는 다르게, 상기 홈들(G)은 상기 베이스 기판(110)의 상면을 노출시킬 수 있다.
상기 홈들(G)의 내측면(121) 및 바닥면(122)은 곡면일 수 있다. 상기 홈들(G)은 구 또는 타원 형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 홈들(G)의 내측면(121)은 측방으로 오목한 형상을 가질 수 있다. 이에 따라서, 상기 홈들(G)의 입구의 폭(W1)은 상기 홈들(G)의 내부의 폭(W2)보다 더 작을 수 있다. 즉, 상기 홈들(G)은 좁은 입구를 가지는 호리병 형상을 가질 수 있다.
상기 홈들(G)의 내측면(121) 및 상기 패턴층(120)의 상면이 만나는 부분은 라운드질 수 있다. 즉, 상기 홈들(G)의 내측면(121) 및 상기 패턴층(120)의 상면 사이에는 라운드부(R)가 형성된다.
상기 홈들(G)의 내측면(121)은 상기 패턴층(120)의 상면으로부터 완만하게 구부러져서 연장된다. 더 자세하게, 상기 홈들(G)의 내측면(121)은 상기 패턴층(120)의 상면과 예각을 이루도록 연장될 수 있다. 더 자세하게, 상기 홈들(G)의 내측면(121)은 상기 패턴층(120)의 상면으로부터 완만하게 약 270°이상의 각도로 구부러져 연장되는 형상을 가질 수 있다.
평면에서 보았을 때, 상기 홈들(G)의 폭, 또는, 상기 홈들(G)의 직경은 약 15㎛ 내지 약 35㎛일 수 있다. 또한, 상기 홈들(G)의 깊이는 약 20㎛ 내지 약 40㎛일 수 있다.
상기 이면전극층(200)은 상기 지지기판(100) 상 및 상기 홈들(G) 내측에 배치된다. 상기 이면전극층(200)은 상기 라운드부(R) 상에도 형성된다. 상기 이면전극층(200)은 상기 홈들(G)의 내측면(121) 및 바닥면(122) 전체에 배치된다.
상기 이면전극층(200)은 도전체이다. 상기 이면전극층(200)으로 사용되는 물질의 예로서는 몰리브덴 등을 들 수 있다. 상기 이면전극층(200)은 두 개 이상의 층들로 형성될 수 있다. 각각의 층은 같은 금속으로 형성되거나, 서로 다른 금속으로 형성될 수 있다.
상기 이면전극층(200)의 두께는 약 100㎚ 내지 약 500㎚일 수 있다.
상기 광 흡수층(300)은 상기 이면전극층(200) 상에 배치된다. 상기 광 흡수층(300)은 상기 지지기판(100) 상 및 상기 홈들(G) 내측에 배치된다. 즉, 상기 광 흡수층(300)은 상기 홈들(G)의 내측면(121) 및 바닥면(122)에 배치된다. 또한, 상기 광 흡수층(300)은 상기 라운드부(R)에 배치될 수 있다.
상기 광 흡수층(300)은 p형 반도체 화합물을 포함한다. 더 자세하게, 상기 광 흡수층(300)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 계 화합물을 포함한다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다. 상기 광 흡수층(300)의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1eV 내지 1.8eV일 수 있다.
상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 버퍼층(400)은 상기 지지기판(100) 상 및 상기 홈들(G) 내측에 배치된다. 상기 버퍼층(400)은 상기 홈들(G)의 내측면(121) 및 바닥면(122)에 배치된다. 상기 버퍼층(400)은 상기 라운드부(R)에도 배치될 수 있다.
상기 버퍼층(400)은 황화 카드뮴(CdS)를 포함하며, 상기 버퍼층(400)의 에너지 밴드갭은 약 2.2eV 내지 2.4eV이다.
상기 고저항 버퍼층(500)은 상기 버퍼층(400) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 고저항 버퍼층(500)은 상기 지지기판(100) 상 및 상기 홈들(G) 내측에 배치된다. 상기 고저항 버퍼층(500)은 상기 홈들(G)의 내측면(121) 및 바닥면(122)에 배치된다. 상기 고저항 버퍼층(500)은 상기 라운드부(R)에도 배치될 수 있다.
상기 고저항 버퍼층(500)은 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함한다. 상기 고저항 버퍼층(500)의 에너지 밴드갭은 약 3.1eV 내지 3.3eV이다.
상기 윈도우층(600)은 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 배치된다. 상기 윈도우층(600)은 상기 지지기판(100) 상 및 상기 홈들(G) 내측에 배치된다. 상기 윈도우층(600)은 상기 홈들(G)의 내측면(121) 및 바닥면(122)에 전체에 배치된다. 상기 윈도우층(600)은 상기 라운드부(R)에도 배치된다.
상기 윈도우층(600)은 투명하며, 도전층이다. 또한, 상기 윈도우층(600)의 저항은 상기 이면전극층(200)의 저항보다 높다. 상기 윈도우층(600)은 n형 창층이다.
상기 윈도우층(600)은 산화물을 포함한다. 예를 들어, 상기 윈도우층(600)으로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드(Al doped zinc oxide;AZO) 또는 갈륨 도핑된 징크 옥사이드(Ga doped zinc oxide;GZO) 등을 들 수 있다.
실시예에 따른 태양광 발전장치는 상기 홈들(G) 내측에 상기 이면전극층(200), 상기 광 흡수층(300) 및 상기 윈도우층(600)을 배치시킨다. 이에 따라서, 광을 흡수하는 상기 광 흡수층(300)의 면적이 전체적으로 증가될 수 있다. 특히, 상기 홈들(G)의 내측면(121)이 측방으로 오목한 형상을 가지는 경우, 상기 광 흡수층(300)의 면적은 더욱 증가될 수 있다.
이에 따라서, 외부로부터 입사되는 태양광은 상기 홈들(G) 내측으로 가이드되고, 상기 광 흡수층(300)에 흡수된다. 이때, 상기 광 흡수층(300)은 종래의 태양광 발전장치와 비교하여, 보다 넓은 면적을 가지기 때문에, 외부로 입사되는 태양광을 효율적으로 흡수할 수 있다.
또한, 상기 홈들(G)의 입구의 폭(W1)이 상기 홈들(G)의 내부의 폭(W2)보다 더 작을 수 있다. 이에 따라서, 상기 홈들(G) 내측으로 가이드되는 광은 상기 홈들(G) 내측에 용이하게 가두어질 수 있다.
이에 따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 효율적으로 외부의 태양광을 흡수하고, 향상된 광-전 변환 효율을 가진다.
또한, 상기 패턴층(120)의 상면 및 상기 홈들(G)의 내측면(121)은 라운드 형상을 가지기 때문에, 상기 패턴층(120)의 상면의 이면전극층(200)은 상기 홈들(G) 내측의 이면전극층(200)과 용이하게 연결된다. 즉, 상기 패턴층(120)의 상면 및 상기 홈들(G) 내측 사이에 발생되는 단선이 방지될 수 있다.
마찬가지로, 상기 패턴층(120)의 상면의 윈도우층(600)과 상기 홈 내측의 윈도우층(600)이 서로 잘 연결될 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 단선이 방지되고, 향상된 광-전 변환 효율을 가진다.
도 4 내지 도 10은 실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법을 도시한 단면도들이다. 본 제조방법에 관한 설명은 앞서 설명한 태양광 발전장치에 대한 설명을 참고한다. 앞서 설명한 태양광 발전장치에 대한 설명은 본 제조방법에 관한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.
도 4를 참조하면, 베이스 기판(110) 상에 패턴 대상층(120a)이 형성된다. 상기 패턴 대상층(120a)은 화학 기상 증착(chemical vapor deposition;CVD) 공정에 의해서 형성될 수 있다. 상기 패턴 대상층(120a)을 형성하기 위해서, 상기 베이스 기판(110) 상에 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드가 약 내지 약 의 두께로 증착될 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 패턴 대상층(120a) 상에 마스크 패턴(700)이 형성된다. 상기 마스크 패턴(700)은 상기 패턴 대상층(120a)의 상면을 노출하는 다수 개의 노출홀들(E)을 포함한다.
상기 마스크 패턴(700)은 포토레지스트 필름일 수 있다. 상기 마스크 패턴(700)은 포토리소그래피 공정에 의해서 형성될 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 패턴 대상층(120a)은 상기 마스크 패턴(700)을 식각 마스크로 사용하여, 1차 식각된다. 이에 따라서, 상기 패턴 대상층(120a)은 패터닝되고, 상기 패턴 대상층(120a)에 다수 개의 홈들(G)이 형성된다. 이에 따라서, 상기 베이스 기판(110) 상에 상기 홈들(G)을 포함하는 패턴층(120)이 형성된다.
상기 패턴 대상층(120a)을 식각하기 위하여, 습식 식각 공정이 진행될 수 있다. 이때, 상기 패턴 대상층(120a)은 식각액에 침지되고, 상기 홈들(G)이 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 패턴 대상층(120a)이 실리콘 옥사이드로 형성되는 경우, 등을 포함하는 식각액에 약 분 동안 상기 패턴 대상층(120a)이 침지될 수 있다. 이에 따라서, 상기 홈들(G)은 구 형상을 가지며 형성될 수 있다. 즉, 위와 같은 공정으로, 측방으로 더 침식되어, 입구보다 내부의 폭(W2)이 넓은 상기 홈들(G)이 형성될 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 마스크 패턴(700)이 제거된 후, 상기 패턴층(120)은 에치백 공정과 같은 이방성 식각 공정에 의해서 2차 식각된다. 이에 따라서, 상기 홈들(G)의 내측면(121)과 상기 패턴층(120)의 상면이 만나는 부분이 라운드지고, 라운드부(R)가 형성된다.
상기 2차 식각 공정은 건식 식각 공정으로 진행될 수 있다.
도 8을 참조하면, 상기 지지기판(100) 상 및 상기 홈들(G) 내측에 몰리브덴 등과 같은 금속이 증착된다. 이에 따라서, 상기 패턴층(120)의 상면 및 상기 홈들(G)의 내측면(121) 및 바닥면(122)에 이면전극층(200)이 형성된다.
상기 이면전극층(200)은 화학 기상 증착 공정에 의해서 형성될 수 있다. 이에 따라서, 몰리브덴 등과 같은 금속이 상기 홈들(G)의 내측면(121) 등에 골고루 증착될 수 있다.
도 9를 참조하면, 상기 이면전극층(200) 상에 광 흡수층(300)이 형성된다. 상기 광 흡수층(300)은 스퍼터링 공정 또는 증발법 등에 의해서 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 광 흡수층(300)을 형성하기 위해서 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층을 증착하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다.
금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션 하는 것을 세분화하면, 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정에 의해서, 상기 이면전극층(200) 상에 금속 프리커서 막이 형성된다.
이후, 상기 금속 프리커서 막은 셀레이제이션(selenization) 공정에 의해서, 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층이 형성된다.
이와는 다르게, 상기 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 상기 셀레니제이션 공정은 동시에 진행될 수 있다.
이와는 다르게, 구리 타겟 및 인듐 타겟 만을 사용하거나, 구리 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 셀레니제이션 공정에 의해서, CIS계 또는 CIG계 광 흡수층이 형성될 수 있다.
이후, 황화 카드뮴이 스퍼터링 공정 또는 용액성장법(chemical bath depositon;CBD) 등에 의해서 증착되고, 상기 광 흡수층(300) 상에 상기 버퍼층(400)이 형성된다.
이후, 상기 버퍼층(400) 상에 징크 옥사이드가 스퍼터링 공정 등에 의해서 증착되고, 상기 고저항 버퍼층(500)이 형성된다.
상기 버퍼층(400) 및 상기 고저항 버퍼층(500)은 낮은 두께로 증착된다. 예를 들어, 상기 버퍼층(400) 및 상기 고저항 버퍼층(500)의 두께는 약 1㎚ 내지 약 80㎚이다.
도 10을 참조하면, 상기 광 흡수층(300) 상 및 상기 홈들(G) 내측에 윈도우층(600)이 형성된다. 즉, 상기 윈도우층(600)은 상기 고저항 버퍼층(500)에 투명한 도전물질이 증착되어 형성된다.
예를 들어, 상기 윈도우층(600)은 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드가 상기 고저항 버퍼층(500)의 상면 및 상기 홈들(G) 내측에 CVD 공정 또는 스퍼터링 공정에 의해서 증착되어 형성될 수 있다.
상기 이면전극층(200) 및 상기 윈도우층(600)이 CVD 공정에 의해서 형성되는 경우, 상기 홈들(G)의 내측면(121)에 고르게 형성될 수 있다.
이와 같이, 단선이 방지되고, 향상된 광 흡수율을 가지는 태양광 발전장치가 제공될 수 있다.
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (12)

  1. 다수 개의 홈들이 형성된 기판;
    상기 홈들의 내측면에 배치되는 이면전극층;
    상기 홈들의 내측면에 및 상기 이면전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및
    상기 홈들의 내측면에 및 상기 광 흡수층 상에 배치되는 윈도우층을 포함하고,
    상기 홈들의 측면 및 바닥면은 곡면인 태양광 발전장치.
  2. 다수 개의 홈들이 형성된 기판;
    상기 홈들의 내측면에 배치되는 이면전극층;
    상기 홈들의 내측면에 및 상기 이면전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및
    상기 홈들의 내측면에 및 상기 광 흡수층 상에 배치되는 윈도우층을 포함하고,
    상기 기판은
    베이스 기판; 및
    상기 베이스 기판 상에 배치되며, 상기 홈들이 형성된 패턴층을 포함하는 태양광 발전장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 베이스 기판은 유리를 포함하고,
    상기 패턴층은 산화물 또는 질화물을 포함하는 태양광 발전장치.
  4. 다수 개의 홈들이 형성된 기판;
    상기 홈들의 내측면에 배치되는 이면전극층;
    상기 홈들의 내측면에 및 상기 이면전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및
    상기 홈들의 내측면에 및 상기 광 흡수층 상에 배치되는 윈도우층을 포함하고,
    상기 홈들은 구 형상을 가지는 태양광 발전장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 홈들의 측면은 측방으로 오목한 형상을 가지는 태양광 발전장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 홈들의 직경은 15㎛ 내지 35㎛이고,
    상기 홈들의 깊이는 20㎛ 내지 40㎛인 태양광 발전장치.
  7. 삭제
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 홈들이 측면 및 상기 기판의 상면이 만나는 부분은 라운드지는 태양광 발전장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 홈들의 입구의 폭은 상기 홈들의 내부의 폭보다 더 작은 태양광 발전장치.
  10. 다수 개의 홈들이 형성된 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판 상 및 상기 홈들 내측에 이면전극층을 형성하는 단계;
    상기 이면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및
    상기 광 흡수층 상에 윈도우층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 홈들의 측면 및 바닥면은 곡면인 태양광 발전장치의 제조방법.
  11. 다수 개의 홈들이 형성된 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판 상 및 상기 홈들 내측에 이면전극층을 형성하는 단계;
    상기 이면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및
    상기 광 흡수층 상에 윈도우층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 기판을 제공하는 단계는
    베이스 기판 상에 패턴 대상층을 형성하는 단계; 및
    상기 패턴 대상층을 패터닝하여, 상기 홈들을 형성하는 단계를 포함하는 태양광 발전장치의 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 홈들을 형성하는 단계는
    상기 패턴 대상층 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계;
    상기 마스크 패턴을 통하여 상기 패턴 대상층을 1차 식각하는 단계;
    상기 마스크 패턴을 제거하는 단계; 및
    상기 1차 식각된 패턴 대상층을 이방성 식각 공정에 의해서 2차 식각하는 단계를 포함하는 태양광 발전장치의 제조방법.
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