KR101172195B1 - 태양광 발전장치 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

태양광 발전장치 및 이의 제조방법이 개시된다. 태양광 발전장치는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 후면전극층; 상기 후면전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면전극층을 포함하고, 상기 후면전극층에는 일 방향으로 연장되는 관통홈이 형성되고, 상기 관통홈은 내측면으로부터 내측방으로 연장되는 제 1 돌기들을 포함하는 제 1 영역; 및 상기 제 1 돌기들의 끝단보다 더 바깥쪽에 형성되는 절단면을 포함하는 제 2 영역을 포함한다.

Description

태양광 발전장치 및 이의 제조방법{SOLAR CELL APPARATUS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
실시예는 태양광 발전장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
최근 에너지 수요가 증가함에 따라서, 태양광 에너지를 전기에너지로 변환시키는 태양전지에 대한 개발이 진행되고 있다.
특히, 유리 기판, 금속 후면 전극층, p형 CIGS 계 광 흡수층, 고저항 버퍼층, n형 창층 등을 포함하는 기판 구조의 pn 헤테로 접합 장치인 CIGS계 태양전지가 널리 사용되고 있다.
실시에는 쇼트를 방지하고, 향상된 전기적인 특성을 가지고, 높은 광-전 변환효율을 가지는 태양광 발전장치 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
일 실시예에 따른 태양광 발전장치는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 후면전극층; 상기 후면전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면전극층을 포함하고, 상기 후면전극층에는 일 방향으로 연장되는 관통홈이 형성되고, 상기 관통홈은 내측면으로부터 내측방으로 연장되는 제 1 돌기들을 포함하는 제 1 영역; 및 상기 제 1 돌기들의 끝단보다 더 바깥쪽에 형성되는 절단면을 포함하는 제 2 영역을 포함한다.
일 실시예에 따른 태양광 발전장치는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 다수 개의 후면전극들; 상기 후면전극들 상에 각각 배치되는 광 흡수부들; 및 상기 광 흡수부들 상에 각각 배치되는 다수 개의 전면전극들을 포함하고, 상기 후면전극들의 측면은 측방으로 연장되는 제 1 돌기들이 배치되는 제 1 영역; 및 상기 제 1 돌기들보다 더 짧은 제 2 돌기들이 배치되는 제 2 영역을 포함한다.
일 실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법은 기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계; 상기 후면전극층을 레이저를 사용하여 1차 패터닝하는 단계; 및 상기 후면전극층을 기계적인 방법으로 2차 패터닝하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법은 레이저로 1차 패터닝하고, 기계적인 방법으로 2차 패터닝한다. 1차 패터닝 과정에서 후면전극층의 일부가 기판으로부터 이격될 수 있다. 이때, 2차 패터닝 공정에서, 후면전극층 중 기판과 이격된 부분이 제거될 수 있다.
이에 따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 후면전극층의 일부가 기판으로부터 이격되어 형성된 버에 의한 쇼트 및 누설 전류를 방지할 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 향상된 전기적인 특성을 가지고, 높은 광-전 변환 효율을 가질 수 있다.
또한, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 1차 패터닝 공정에서 레이저에 의해서, 후면전극층에 관통홈이 형성될 수 있다. 이때, 상기 관통홈의 내측면에는 내측방으로 돌기되는 돌기들이 형성된다.
상기 돌기들의 일부는 기판으로부터 이격될 수 있고, 2차 패터닝 공정에서, 기판으로부터 이격된 돌기들이 제거될 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 절단면이 형성된 영역을 포함할 수 있고, 다른 돌기들보다 더 길이가 짧은 돌기들을 포함할 수 있다.
도 1 내지 도 9는 실시예에 따른 태양광 발전장치를 제조하는 과정을 도시한 도면들이다.
도 10은 다른 실시예에 따른 버 영역을 도시한 평면도이다.
도 11은 또 다른 실시에에 따른 버 영역을 도시한 평면도이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 층, 막 또는 전극 등이 각 기판, 층, 막, 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1 내지 도 9는 실시예에 따른 태양광 발전장치를 제조하는 과정을 도시한 도면들이다. 도 10은 다른 실시예에 따른 버 영역을 도시한 평면도이다. 도 11은 또 다른 실시에에 따른 버 영역을 도시한 평면도이다.
도 1을 참조하면, 지지기판(100) 상에 후면전극층(200)이 형성된다.
상기 지지기판(100)은 플레이트 형상을 가진다. 상기 지지기판(100)은 절연체일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 유리기판, 플라스틱기판 또는 금속기판일 수 있다. 더 자세하게, 상기 지지기판(100)은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 투명할 수 있다. 상기 지지기판(100)은 리지드하거나 플렉서블할 수 있다.
상기 후면전극층(200)은 상기 지지기판(100)의 상면에 형성된다. 상기 후면전극층(200)은 상기 지지기판(100)의 상면에 몰리브덴 등의 금속이 증착되어 형성된다. 상기 후면전극층(200)은 두 개 이상의 층들을 포함할 수 있다. 이때, 각각의 층들은 같은 금속으로 형성되거나, 서로 다른 금속으로 형성될 수 있다.
상기 후면전극층(200)의 두께는 약 500㎚ 내지 약 1000㎚일 수 있다. 상기 후면전극층(200)은 상기 지지기판(100)의 상면 전체에 균일하게 형성될 수 있다.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 상기 후면전극층(200)은 1차 패터닝된다.
상기 후면전극층(200)은 레이저에 의해서 1차 패터닝된다. 이에 따라서, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 후면전극층(200)에는 제 1 방향으로 연장되는 다수 개의 제 1 관통홈들(TH1)이 형성된다. 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 서로 나란히 연장되며, 서로 일정한 간격으로 이격될 수 있다.
상기 제 1 관통홈들(TH1)은 상기 지지기판(100)의 상면을 노출하는 오픈 영역이다. 상기 제 1 관통홈들(TH1)의 폭은 약 80㎛ 내지 200㎛ 일 수 있다.
상기 후면전극들(210)은 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해서 서로 이격된다. 상기 후면전극들(210)은 스트라이프 형태로 배치된다.
이와는 다르게, 상기 후면전극들(210)은 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 이때, 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 평면에서 보았을 때, 격자 형태로 형성될 수 있다.
도 4는 제 1 관통홈(TH1)을 확대하여 도시한 평면도이다. 도 5는 도 4에서 A-A`부분을 도시한 단면도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 관통홈의 내측면에는 측방으로 돌기되는 다수 개의 돌기들(220)이 형성된다. 상기 후면전극층(200)에 레이저가 조사되어, 상기 제 1 관통홈(TH1)이 형성된다. 이때, 상기 레이저는 이동하면서, 불연속적인 세기로 상기 후면전극층(200)에 조사된다. 이에 따라서, 상기 제 1 관통홈(TH1)은 다수 개의 원들(C)이 중첩된 형상을 가진다.
따라서, 상기 돌기들(220)은 원들(C)이 중첩되는 부분에 대응하여 형성된다. 즉, 원들(C)의 사이의 영역에서는 상기 후면전극층(200)이 제거되지 않고 남아있다. 이와 같이 남아 있는 부분이 상기 돌기들(220)을 구성한다.
이에 따라서, 상기 제 1 관통홈들(TH1)의 내측면은 오목한 곡면을 포함한다. 즉, 상기 돌기들(220) 사이의 내측면은 평면에서 보았을 때, 오목한 형상을 가진다.
도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 후면전극층(200)에는 버(burr)(BU)가 형성될 수 있다. 상기 버(BU)는 상기 후면전극층(200) 중 상기 지지기판(100)과 이격되는 부분이다. 즉, 상기 제 1 관통홈들(TH1)이 형성되는 과정에서, 상기 버(BU)가 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 레이저에 의해서 발생되는 고열에 의해서, 상기 후면전극층(200) 및 상기 지지기판(100)이 서로 이격될 수 있다. 즉, 상기 후면전극층(200) 및 상기 지지기판(100) 사이의 열 팽창율의 차이에 의해서 서로 이격될 수 있다. 또한, 상기 레이저가 상기 지지기판(100)에 대해서 수직으로 입사되지 않고, 틸팅되어 입사되는 경우, 상기 버(BU)가 쉽게 형성될 수 있다.
상기 버(BU)는 상기 돌기들(220) 중 일부에 형성될 수 있다. 즉, 상기 돌기들(220) 중 일부는 상기 지지기판(100)으로부터 이격될 수 있다.
상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해서, 상기 후면전극층(200)은 다수 개의 후면전극들(210)로 구분된다. 즉, 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 상기 후면전극들(210)을 정의한다. 상기 후면전극들(210)은 서로 이격된다.
상기 돌기들(220)은 상기 후면전극들(210)의 측면으로부터 외측으로 돌기된다. 즉, 상기 제 1 관통홈들(TH1)의 내측면은 상기 후면전극들(210)의 측면과 동일하다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 상기 후면전극층(200)은 기계적인 방법에 의해서, 2차 패터닝된다. 더 자세하게, 상기 2차 패터닝 공정에 의해서, 상기 제 1 관통홈들(TH1)의 내측면에 충격이 가해진다. 또한, 상기 2차 패터닝 공정에서 상기 돌기들(220)에도 기계적인 충격이 가해진다.
이에 따라서, 상기 후면전극층(200)의 일부가 제거된다. 더 자세하게, 상기 버(BU)가 상기 2차 패터닝 공정에 의해서 제거될 수 있다.
상기 2차 패터닝 공정에서는 팁이 사용될 수 있다. 상기 팁의 폭은 상기 제 1 관통홈들(TH1)의 폭에 대응될 수 있다. 상기 팁의 폭은 상기 제 1 관통홈들(TH1)의 폭보다 더 작을 수 있다. 이와는 다르게, 상기 팁의 폭은 상기 제 1 관통홀들(TH1)의 폭보다 더 클 수 있다.
상기 팁은 상기 제 1 관통홈들(TH1)의 내부에 배치되어, 상기 제 1 관통홈들(TH1)을 따라서 이동된다. 이와 동시에, 상기 팁은 상기 관통홈들(TH1)의 내측면 및 상기 돌기들(220)에 기계적인 충격을 가한다.
이때, 상기 팁은 상기 버(BU)만 제거될 수 있을 정도의 힘으로 상기 제 1 관통홈들(TH1)의 내측면 및 상기 돌기들(220)에 충격을 가한다.
이에 따라서, 상기 버(BU)가 형성된 돌기의 일부 또는 전부가 절단되고, 상기 제 1 관통홈들(TH1)에는 절단면(231)이 형성된다. 상기 절단면(231)은 상기 버(BU)가 형성된 돌기가 절단되어 형성되기 때문에, 상기 절단면(231)은 버(BU)가 형성되지 않은 돌기들(220)(이하, 제 1 돌기들)의 끝단(221)보다 상기 제 1 관통홈(TH1)의 바깥쪽에 형성된다.
상기 절단면(231)은 기계적인 충격에 의해서 형성되기 때문에, 높은 거칠기를 가질 수 있다. 즉, 상기 절단면(231)의 거칠기는 상기 제 1 돌기들(220) 사이의 내측면보다 더 높은 거칠기를 가질 수 있다.
상기 절단면(231)이 형성된 영역은 절단 영역(CA)으로 정의한다. 즉, 상기 절단 영역(CA)은 상기 절단면(231)을 포함한다. 상기 절단 영역(CA) 이외의 영역은 비절단 영역(NCA)으로 정의될 수 있다. 상기 비절단 영역(NCA)은 앞선 1차 패터닝 공정에 의해서 형성된 영역이고, 상기 절단 영역(CA)은 상기 2차 패터닝 공정에 의해서 형성된 영역이다.
상기 절단 영역(CA)은 끝단이 절단되어 상대적으로 길이가 짧은 돌기들(230)(이하, 제 2 돌기들)을 포함할 수 있다. 즉, 상기 버(BU)는 일부의 돌기들(220)의 끝 부분에 형성되고, 상기 2차 패터닝 공정에서 상기 버(BU)가 형성된 돌기들(220)의 끝부분이 절단됨에 따라서, 길이가 더 짧은 제 2 돌기들(230)이 형성될 수 있다. 이에 따라서, 상기 제 2 돌기들(230)은 상기 제 1 돌기들(220)보다 길이가 더 짧을 수 있다. 또한, 상기 제 2 돌기들(230)의 끝단에 상기 절단면(231)이 배치된다.
상기 제 2 돌기들(230)은 상기 2차 패터닝 공정에서 일부가 절단되어 형성되기 때문에, 상대적으로 작은 평면적을 가진다. 즉, 상기 제 2 돌기들(230)은 상기 제 1 돌기들(220)보다 더 작은 평면적을 가진다.
예를 들어, 상기 제 2 돌기들(230)의 평면적은 상기 제 1 돌기들(220)의 평면적의 약 1% 내지 약 50%일 수 있다.
도 6 및 도 7과 달리, 도 10을 참조하면, 상기 버(BU)는 돌기의 전면에 형성될 수 있다. 이에 따라서, 상기 제 2 차 패터닝 공정에서 돌기의 전체가 제거될 수 있다. 또한, 상기 절단면(232)은 평면에서 보았을 때 직선 형상을 가질 수 있다.
또한, 도 11을 참조하면, 상기 버(BU)는 상기 후면전극들(210)의 안쪽에 형성될 수 있다. 즉, 상기 절단면(233)은 상기 원들(C)의 원주보다 더 바깥쪽으로 형성될 수 있다.
이에 따라서, 상기 절단 영역(CA)의 폭(W1)은 상기 비절단 영역(NCA)의 폭(W2)보다 더 클 수 있다.
상기 버(BU)가 발생되는 영역 및/또는 면적은 상기 1차 패터닝 공정에서 사용되는 레이저의 세기 및 조사되는 면적 등에 따라서 달라질 수 있다. 또한, 버(BU)가 발생되는 영역 및/또는 면적은 상기 지지기판(100)의 재질 및 상기 후면전극층(200)의 재질에 따라서 달라질 수 있다.
상기 2차 패터닝 공정은 상기 버(BU)의 발생 여부를 체크하지 않고, 상기 제1 관통홈들(TH1)의 내측면 전체에 기계적인 충격을 가하여 진행될 수 있다.
이와는 다르게, 상기 버(BU)의 발생 여부를 육안 등으로 체크하고, 상기 버(BU)가 발생된 부분에만 기계적인 충격이 가해져서, 상기 버(BU)가 제거될 수 있다.
도 8을 참조하면, 상기 후면전극층(200) 상에 광 흡수층(300), 버퍼층(400) 및 고저항 버퍼층(500)이 형성된다.
상기 광 흡수층(300)은 스퍼터링 공정 또는 증발법 등에 의해서 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 광 흡수층(300)을 형성하기 위해서 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)을 형성하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다.
금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션 하는 것을 세분화하면, 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정에 의해서, 상기 후면전극(200) 상에 금속 프리커서 막이 형성된다.
이후, 상기 금속 프리커서 막은 셀레이제이션(selenization) 공정에 의해서, 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)이 형성된다.
이와는 다르게, 상기 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 상기 셀레니제이션 공정은 동시에 진행될 수 있다.
이와는 다르게, 구리 타겟 및 인듐 타겟 만을 사용하거나, 구리 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 셀레니제이션 공정에 의해서, CIS계 또는 CIG계 광 흡수층(300)이 형성될 수 있다.
이후, 황화 카드뮴이 스퍼터링 공정 또는 용액성장법(chemical bath depositon;CBD) 등에 의해서 증착되고, 상기 버퍼층(400)이 형성된다.
이후, 상기 버퍼층(400) 상에 징크 옥사이드가 스퍼터링 공정 등에 의해서 증착되고, 상기 고저항 버퍼층(500)이 형성된다.
상기 버퍼층(400) 및 상기 고저항 버퍼층(500)은 낮은 두께로 증착된다. 예를 들어, 상기 버퍼층(400) 및 상기 고저항 버퍼층(500)의 두께는 약 1㎚ 내지 약 80㎚이다.
상기 광 흡수층(300)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 계 화합물을 포함한다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.
상기 광 흡수층(300)의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1eV 내지 1.8eV일 수 있다.
또한, 상기 광 흡수층(300)은 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 의해서, 다수 개의 광 흡수부들을 정의한다. 즉, 상기 광 흡수층(300)은 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 의해서, 상기 광 흡수부들로 구분된다.
상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300) 상에 배치된다. 상기 버퍼층(400)은 황화 카드뮴(CdS)를 포함하며, 상기 버퍼층(400)의 에너지 밴드갭은 약 2.2eV 내지 2.4eV이다.
상기 고저항 버퍼층(500)은 상기 버퍼층(400) 상에 배치된다. 상기 고저항 버퍼층(500)은 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함한다. 상기 고저항 버퍼층(500)의 에너지 밴드갭은 약 3.1eV 내지 3.3eV이다.
이후, 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400) 및 상기 고저항 버퍼층(500)의 일부가 제거되어 제 2 관통홈들(TH2)이 형성된다.
상기 제 2 관통홈들(TH2)은 팁 등의 기계적인 장치 또는 레이저 장치 등에 의해서 형성될 수 있다.
예를 들어, 약 40㎛ 내지 약 180㎛의 폭을 가지는 팁에 의해서, 상기 광 흡수층(300) 및 상기 버퍼층(400)은 패터닝될 수 있다. 또한, 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 약 200 내지 600㎚의 파장을 가지는 레이저에 의해서 형성될 수 있다.
이때, 상기 제 2 관통홈들(TH2)의 폭은 약 100㎛ 내지 약 200㎛ 일 수 있다. 또한, 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 후면전극층(200)의 상면의 일부를 노출하도록 형성된다.
상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 광 흡수층(300)을 관통한다. 또한, 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 후면전극층(200)의 상면을 노출하는 오픈영역이다.
상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 인접하여 형성된다. 즉, 상기 제 2 관통홈들(TH2)의 일부는 평면에서 보았을 때, 상기 제 1 관통홈들(TH1)의 옆에 형성된다.
상기 제 2 관통홈들(TH2)의 폭은 약 80㎛ 내지 약 200㎛ 일 수 있다.
도 9를 참조하면, 상기 광 흡수층(300) 상 및 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내측에 윈도우층(600)이 형성된다. 즉, 상기 윈도우층(600)은 상기 고저항 버퍼층(500) 상 및 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내측에 투명한 도전물질이 증착되어 형성된다.
이때, 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내측에 상기 투명한 도전물질이 채워지고, 상기 제 2 관통홈들 내측에 다수 개의 접속부들이 각각 형성된다. 즉, 상기 윈도우층(600)은 상기 후면전극층(200)에 직접 접촉하게 된다.
상기 윈도우층(600)은 산화물을 포함한다. 예를 들어, 상기 윈도우층(600)은 징크 옥사이드(zinc oxide), 인듐 틴 옥사이드(induim tin oxide;ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(induim zinc oxide;IZO) 등을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 윈도우층(600)은 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드가 증착되어 형성될 수 있다. 상기 윈도우층(600)은 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드를 포함하는 타겟을 사용하여, 스퍼터링 공정에 의해서 형성될 수 있다.
이후, 상기 버퍼층(400), 상기 고저항 버퍼층(500) 및 상기 윈도우층(600)의 일부가 제거되어 제 3 관통홈들(TH3)이 형성된다. 이에 따라서, 상기 윈도우층(600)은 패터닝되어, 다수 개의 윈도우들 및 다수 개의 셀들(C1, C2...)이 정의된다. 상기 제 3 관통홈들(TH3)의 폭은 약 80㎛ 내지 약 200㎛ 일 수 있다.
실시예에 따른 태양광 발전장치를 형성하기 위해서, 상기 후면전극층(200)은 레이저로 1차 패터닝되고, 기계적인 방법으로 2차 패터닝된다. 이때, 1차 패터닝 과정에서 상기 후면전극층(200)의 일부가 기판으로부터 이격되어 상기 버(BU)가 발생될 수 있다. 이때, 상기 2차 패터닝 공정에서, 상기 버(BU)가 제거된다.
이에 따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 상기 버(BU)에 의한 쇼트 및 누설 전류를 방지할 수 있다. 즉, 상기 버(BU)가 제거되지 않을 경우, 상기 광 흡수층을 관통하여, 상기 윈도우층(600)과 쇼트될 수 있다. 본 실시예에서는 상기 버(BU)가 효율적으로 제거되므로, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 향상된 전기적인 특성을 가지고, 높은 광-전 변환 효율을 가질 수 있다.
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (13)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 후면전극층;
    상기 후면전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및
    상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면전극층을 포함하고,
    상기 후면전극층에는 일 방향으로 연장되는 관통홈이 형성되고,
    상기 관통홈은
    내측면으로부터 내측방으로 연장되는 제 1 돌기들을 포함하는 제 1 영역; 및
    상기 제 1 돌기들의 끝단보다 더 바깥쪽에 형성되는 절단면을 포함하는 제 2 영역을 포함하는 태양광 발전장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 영역은 상기 제 1 돌기들보다 더 짧은 제 2 돌기들을 포함하는 태양광 발전장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 돌기들 사이의 내측면의 거칠기는 상기 절단면의 거칠기보다 더 작은 태양광 발전장치.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 절단면은 상기 제 2 돌기들의 끝단에 형성되는 태양광 발전장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 영역의 내측면은 오목한 형상을 가지는 태양광 발전장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 영역의 폭은 상기 제 2 영역의 폭보다 더 작은 태양광 발전장치.
  7. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 다수 개의 후면전극들;
    상기 후면전극들 상에 각각 배치되는 광 흡수부들; 및
    상기 광 흡수부들 상에 각각 배치되는 다수 개의 전면전극들을 포함하고,
    상기 후면전극들의 측면은
    측방으로 연장되는 제 1 돌기들이 배치되는 제 1 영역; 및
    상기 제 1 돌기들보다 더 짧은 제 2 돌기들이 배치되는 제 2 영역을 포함하고,
    상기 제 2 돌기는 기계적인 절단면을 포함하는 태양광 발전장치.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 제 2 돌기들의 평면적은 상기 제 1 돌기들의 평면적의 1% 내지 50% 인 태양광 발전장치.
  9. 기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계;
    상기 후면전극층을 레이저를 사용하여 1차 패터닝하는 단계; 및
    상기 후면전극층을 기계적인 방법으로 2차 패터닝하는 단계를 포함하는 태양광 발전장치의 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 1차 패터닝하는 단계에서, 상기 후면전극층에 일 방향으로 연장되는 관통홀을 형성하고,
    상기 2차 패터닝하는 단계에서, 상기 관통홀의 내측면에 기계적인 충격을 가하는 태양광 발전장치의 제조방법.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 1차 패터닝하는 단계에서, 상기 후면전극층의 일부가 상기 기판과 이격되고,
    상기 2차 패터닝하는 단계에서, 상기 기판과 이격되는 후면전극층의 일부는 제거되는 태양광 발전장치의 제조방법.
  12. 제 9 항에 있어서, 상기 제 1 차 패터닝하는 단계에서, 상기 후면전극층에 상기 기판을 노출하는 관통홀 및 상기 관통홀의 내측면으로부터 내측방으로 돌기되는 다수 개의 돌기들이 형성되고,
    상기 2 차 패터닝하는 단계에서, 상기 돌기들의 일부는 제거되는 태양광 발전장치의 제조방법.
  13. 제 9 항에 있어서, 상기 2차 패터닝하는 단계는
    상기 후면전극층 중 상기 기판과 이격된 부분을 검사하는 단계; 및
    상기 기판과 이격된 부분을 제거하는 단계를 포함하는 태양광 발전장치의 제조방법.
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