JP2013521664A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106887449B (zh) 2010-12-07 2021-11-05 佛罗里达大学研究基金会 一种显示面板
CN102646592B (zh) * 2011-05-03 2014-12-03 京东方科技集团股份有限公司 薄膜场效应晶体管器件及其制备方法
US8791450B2 (en) 2011-09-22 2014-07-29 Sensor Electronic Technology, Inc. Deep ultraviolet light emitting diode
US9705032B2 (en) 2011-09-22 2017-07-11 Sensor Electronic Technology, Inc. Deep ultraviolet light emitting diode
US9530975B2 (en) * 2012-09-24 2016-12-27 Wake Forest University Method of making an organic thin film transistor
JP6426102B2 (ja) 2012-11-05 2018-11-21 ユニバーシティー オブ フロリダ リサーチ ファウンデーション，インコーポレイテッドＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ Ｏｆ Ｆｌｏｒｉｄａ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｆｏｕｎｄａｔｉｏｎ，Ｉｎｃ． ディスプレイにおける輝度補償
US9601707B2 (en) 2012-11-30 2017-03-21 University Of Florida Research Foundation, Inc. Ambipolar vertical field effect transistor
US8941095B2 (en) 2012-12-06 2015-01-27 Hrl Laboratories, Llc Methods for integrating and forming optically transparent devices on surfaces
CN103227204B (zh) * 2013-04-01 2015-07-08 南京邮电大学 晕掺杂的双材料异质栅石墨烯条带场效应管
KR102116978B1 (ko) * 2013-10-07 2020-05-29 삼성전자 주식회사 그래핀 소자 및 그 제조 방법
KR102065110B1 (ko) * 2013-11-12 2020-02-11 삼성전자주식회사 플렉서블 그래핀 스위칭 소자
JP2017521849A (ja) * 2014-04-24 2017-08-03 ユニバーシティ オブ フロリダ リサーチ ファンデーション インコーポレーティッド 高パワーエレクトロニクスのための可変バリアトランジスタ
CN104062775B (zh) * 2014-06-30 2017-02-15 浙江大学 非挥发性的光学记忆单元
KR102237826B1 (ko) * 2014-07-18 2021-04-08 삼성전자주식회사 그래핀 소자와 그 제조 및 동작방법과 그래핀 소자를 포함하는 전자장치
FR3027155B1 (fr) * 2014-10-08 2018-01-12 Ecole Polytechnique Procede de fabrication d'un dispositif electronique, en particulier a base de nanotubes de carbone
KR101938934B1 (ko) * 2016-03-02 2019-04-10 광주과학기술원 이득조절이 가능한 그래핀-반도체 쇼트키 접합 광전소자
CN105823972B (zh) * 2016-03-15 2018-07-27 南京邮电大学 一种有机场效应晶体管存储器最小存储深度的计算方法
US20180175209A1 (en) * 2016-12-20 2018-06-21 Globalfoundries Inc. Semiconductor structure including one or more nonvolatile memory cells and method for the formation thereof
CN106953010A (zh) * 2017-03-07 2017-07-14 南京邮电大学 一种基于聚合物掺杂半导体纳米粒子的有机场效应晶体管存储器
US10475514B2 (en) * 2017-05-11 2019-11-12 The Penn State Research Foundation Nonvolatile digital computing with ferroelectric FET
CN108376740B (zh) * 2018-01-18 2022-03-29 上海集成电路研发中心有限公司 复合沟道晶体管及其制备方法
CN110364621B (zh) * 2018-04-11 2023-12-01 清华大学 一种触觉存储电子器件及电子设备
CN109036487B (zh) * 2018-07-20 2021-03-02 福州大学 一种基于短沟道有机晶体管的多级光存储器及其制备方法
CN109192750B (zh) * 2018-07-23 2021-06-22 华南师范大学 低压高速擦写的柔性有机非易失性存储器件及其制备方法
CN109037441B (zh) * 2018-08-01 2022-06-21 苏州大学 半导体电存储材料及其制备的柔性电存储器件及制备方法
CN109037355B (zh) * 2018-08-27 2020-04-10 湘潭大学 一种基于铁电栅调控的肖特基二极管及其制备方法
JP7297280B2 (ja) * 2018-08-29 2023-06-26 国立大学法人千葉大学 振動発電器及びエレクトレット
CN110911409B (zh) * 2018-09-18 2022-05-03 联华电子股份有限公司 非挥发性存储器及其形成方法
CN109411543A (zh) * 2018-09-20 2019-03-01 华南理工大学 一种透明薄膜晶体管及其制备方法
KR102111526B1 (ko) * 2018-10-19 2020-06-04 성균관대학교산학협력단 셀렉터 포함 메모리 소자
CN109411605A (zh) * 2018-10-26 2019-03-01 福州大学 一种铁电存储器及其制备方法
CN109755255A (zh) * 2019-01-24 2019-05-14 福州大学 一种金属氧化物存储器及其制备方法
KR20220002324A (ko) 2019-04-26 2022-01-06 제이에스알 가부시끼가이샤 발광 디스플레이를 구동하는 방법 및 디스플레이
CN110818711A (zh) * 2019-11-01 2020-02-21 河北科技大学 一种有机异质结纳米线的制备方法
CN111211222A (zh) * 2020-02-19 2020-05-29 国家纳米科学中心 一种有机薄膜晶体管的用途及基于其的有机薄膜的杨氏模量值评估方法
CN113345967B (zh) * 2021-05-21 2022-09-09 Tcl华星光电技术有限公司 薄膜晶体管及led背板
CN113517403B (zh) * 2021-07-26 2024-02-27 南京信息工程大学滨江学院 一种新型的有机pn异质结液相的生长方法
CN113921616A (zh) * 2021-08-27 2022-01-11 华南师范大学 一种低压驱动喷墨打印柔性突触晶体管及其制备方法
CN119309616B (zh) * 2023-07-12 2025-11-25 中国科学院金属研究所 一种基于Te纳米管的热电-压电单通道双参数传感器及其制作方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5532235B1 (enExample) * 1977-05-18 1980-08-23
US5742075A (en) * 1994-10-07 1998-04-21 Iowa State University Research Foundation, Inc. Amorphous silicon on insulator VLSI circuit structures
US6870180B2 (en) * 2001-06-08 2005-03-22 Lucent Technologies Inc. Organic polarizable gate transistor apparatus and method
JP4247377B2 (ja) * 2001-12-28 2009-04-02 独立行政法人産業技術総合研究所 薄膜トランジスタ及びその製造方法
KR20050061446A (ko) * 2002-08-07 2005-06-22 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 절연 게이트 트랜지스터, 트랜지스터 장치, 트랜지스터회로 및 트랜지스터 작동 방법
KR100508545B1 (ko) 2002-12-14 2005-08-17 한국전자통신연구원 수직 구조의 반도체 박막 트랜지스터
US7095075B2 (en) * 2003-07-01 2006-08-22 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for split transistor memory having improved endurance
EP1508926A1 (en) * 2003-08-19 2005-02-23 Hitachi, Ltd. Nanotube transistor device
JP4420692B2 (ja) * 2004-02-10 2010-02-24 シャープ株式会社 メモリ素子の製造方法
KR100682925B1 (ko) * 2005-01-26 2007-02-15 삼성전자주식회사 멀티비트 비휘발성 메모리 소자 및 그 동작 방법
JP2007109454A (ja) * 2005-10-12 2007-04-26 Toyota Motor Corp リチウム二次電池およびその製造方法
US7439594B2 (en) * 2006-03-16 2008-10-21 Micron Technology, Inc. Stacked non-volatile memory with silicon carbide-based amorphous silicon thin film transistors
KR100680001B1 (ko) * 2006-04-05 2007-02-08 광주과학기술원 고분자 전하 저장층을 이용한 유기 전계효과 트랜지스터기반 비휘발성 유기물 트랜지스터 메모리 및 그 제조방법
US8232561B2 (en) 2006-06-29 2012-07-31 University Of Florida Research Foundation, Inc. Nanotube enabled, gate-voltage controlled light emitting diodes
WO2008008648A2 (en) * 2006-06-29 2008-01-17 University Of Florida Research Foundation, Inc. Short channel vertical fets
US7993959B2 (en) * 2006-09-14 2011-08-09 The Johns Hopkins University Methods for producing multiple distinct transistors from a single semiconductor
KR100866751B1 (ko) * 2006-12-27 2008-11-03 주식회사 하이닉스반도체 강유전체 소자를 적용한 반도체 메모리 장치 및 그리프레쉬 방법

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