JP2013519750A5 - - Google Patents
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Description
前記1次焼成は1850〜2300℃の温度範囲で行われ、前記2次焼成は前記1次焼成温度より低い温度で行われ得る。
Claims (10)
- β型Si3N4の結晶構造を有し、組成式Si6−zAlzOzN8−z:Eua、Mbで表される酸窒化物を含み、
前記組成式中、MはSrとBaのうちから選択される少なくとも1種であり、Eu添加量(a)は0.1〜5mol%の範囲であり、M添加量(b)は0.1〜10mol%の範囲であり、Al組成比(z)は0.1<z<1を満足し、
励起源を照射して500〜550nmの範囲にピーク波長を有する光を放出することを特徴とする蛍光体。 - 前記励起源の照射によって前記蛍光体から放出される光をCIE1931色度座標における(x,y)値で表す場合、xとyはそれぞれx≦0.336及びy≧0.637を満足することを特徴とする請求項1に記載の蛍光体。
- 前記蛍光体から放出される光のCIE1931色度座標におけるyの変化量が−0.0065以下であり、
前記yの変化量は、前記蛍光体を青色発光ダイオードに適用して3.3V、120mAで駆動する条件で、初期に放出される光で測定されたCIE1931色度座標におけるy値をy1とし、前記駆動条件を85℃で24時間持続して行った後に放出される光で測定されたCIE1931色度座標におけるy値をy2とした場合、y2−y1で定義されることを特徴とする請求項1に記載の蛍光体。 - β型Si3N4の結晶構造を有し、組成式Si6−zAlzOzN8−z:Eua、Mb(ここで、MはSrとBaのうちから選択される少なくとも1種であり、Eu添加量(a)は0.1〜5mol%の範囲であり、M添加量(b)は0.1〜10mol%の範囲であり、Al組成比(z)は0.1<z<1を満足する)で表される酸窒化物蛍光体を製造するために、Si含有酸化物又は窒化物、Al含有酸化物又は窒化物、Eu含有化合物、及びM含有化合物を含む原料物質を測量する段階と、
前記M含有化合物を除いた前記原料物質を混合して1次混合物を製造する段階と、
前記1次混合物を1次焼成し、該1次焼成の結果物を粉砕する段階と、
前記粉砕された1次焼成の結果物に前記M含有化合物を混合して2次混合物を製造する段階と、
前記2次混合物を2次焼成し、該2次焼成の結果物を粉砕する段階と、を有することを特徴とする蛍光体の製造方法。 - 前記1次焼成は1850〜2300℃の温度範囲で行われ、前記2次焼成は前記1次焼成温度より低い温度で行われることを特徴とする請求項4に記載の蛍光体の製造方法。
- 励起光を放出するLEDチップと、
前記LEDチップの周囲に配置されて前記励起光の少なくとも一部を波長変換し、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の蛍光体を含む緑色蛍光体と、
前記LEDチップ及び前記緑色蛍光体と異なる波長の光を放出し、追加のLEDチップ及び別の種の蛍光体の少なくとも一つによって提供される少なくとも一つの発光要素と、を有することを特徴とする白色発光装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の蛍光体を波長変換物質として用いることを特徴とする面光源装置。
- 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の蛍光体を波長変換物質として用いることを特徴とするディスプレー装置。
- 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の蛍光体を波長変換物質として用いることを特徴とする照明装置。
- β型Si3N4の結晶構造を有し、組成式Si6−zAlzOzN8−z:Eua、Mbで表される酸窒化物を含み、
前記組成式中、MはSrとBaのうちから選択される少なくとも1種であり、Eu添加量(a)は100〜5000ppmの範囲であり、M添加量(b)は100〜10000ppmの範囲であり、Al組成比(z)は0.1<z<1を満足し、
励起源を照射して500〜550nmの範囲にピーク波長を有する光を放出することを特徴とする蛍光体。
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