KR20130073583A - 파장 변환 물질 및 이를 포함하는 발광소자 패키지 - Google Patents
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Abstract
실시예는 M3 - xAl2Si3O9N2:RE2 + y(0≤x<3, 0.01≤<y<3이고, M은 알칼리 토금속 원소이며, RE는 희토류 원소)를 포함하는 파장 변환 물질을 제공한다.
Description
실시예는 파장 변환 물질 및 이를 포함하는 발광소자 패키지를 제공한다.
반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.
따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.
발광소자는 제1 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 전자와 제2 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층(발광층)을 이루는 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출한다. 발광소자 패키지에는 발광소자에서 방출된 빛에 의하여 형광체가 여기되어 활성층에서 방출된 빛보다 장파장 영역의 빛을 방출할 수 있다.
형광체로 색재현성이 우수한 YAG 형광체나 Silicate 형광체 또는 질화물 및 산질화물 형광체가 널리 사용되고 있다. 상술한 형광체는 여기 광원의 파장이 증가할수록 발광 파장의 에너지가 감소하는 경향이 있다. 즉, 여기 파장이 450 나노미터 영역으로 증가할수록, 방출되는 빛의 세기가 감소하는 문제점이 있다. 따라서, 청색광의 파장 영역인 450 나노미터 인근 영역에서 세기가 강한 빛을 방출하는 발광소자를 제조하는데 어려움이 있다.
실시예는 발광소자의 여기 파장 영역을 넓히고, 발광 파장 영역의 연색성을 향상시키고자 한다.
실시예는 M3-xAl2Si3O9N2:RE2+ y(0≤x<3, 0.01≤<y<3이고, M은 알칼리 토금속 원소이며, RE는 희토류 원소)를 포함하는 파장 변환 물질을 제공한다.
활성체가 Re2 + y이고 모체가 M3 - xAl2Si3O9N2일 수 있다.
파장 변환 물질은 여기 파장이 300 내지 480 나노미터이고, 발광 파장이 520 내지 670 나노미터이며, 발광 파장의 중심이 583 나노미터일 수 있다.
M은 Mg, Ca, Sr 및 Ba 중 적어도 하나일 수 있고, RE는 Ce, Sm, Eu, Yb, Dy, Gd, Tm 및 Lu 중 적어도 하나일 수 있다.
다른 실시예는 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임; 상기 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임에 각각 전기적으로 연결된 발광소자; 및 상기 발광소자 상에 배치되고, 상기 발광소자에서 출사된 제1 파장 영역의 광에 의하여 여기되어 제2 파장 영역의 광을 방출하는 파장 변환 물질층을 포함하고, 상기 파장 변환 물질은 M3 -xAl2Si3O9N2:RE2+ y(0≤x<3, 0.01≤<y<3이고, M은 알칼리 토금속 원소이며, RE는 희토류 원소)인 발광소자 패키지를 제공한다.
발광소자는 420 내지 490 나노미터의 범위에 피크(peark) 파장을 갖는 청색 파장 영역의 발광 스펙트럼을 갖고, 상기 파장 변환 물질은 상기 발광소자에서 방출되는 청색 파장 영역의 발광 스펙트럼의 일부를 흡수하고, 520 내지 670 나노미터에서 피크 파장을 가지고, 상기 파장 변환 물질에서 발광하는 520 내지 670 나노미터에서 피크파장을 가지는 발광 스펙트럼과, 상기 발광소자에서 상기 파장 변환 물질에 흡수되지 않은 420~490nm의 범위에서 피크 파장을 가지는 청색 파장 영역의 발광 스펙트럼이 혼합되어 백색광으로 발광할 수 있다.
파장 변환 물질 상에 제2 파장 변환 물질을 더 포함하고, 상기 발광소자는 300 내지 420 나노미터의 범위에 피크 파장을 갖는 자외선 영역의 발광 스펙트럼을 갖고, 상기 파장 변환 물질은 상기 발광소자에서 방출되는 자외선 영역의 발광 스펙트럼의 일부를 흡수하고, 520 내지 670 나노미터에서 피크 파장을 가지고, 상기 제2 파장 변환 물질은 상기 발광소자에서 방출되는 자외선 영역의 발광 스펙트럼의 일부를 흡수하고, 420 내지 490 나노미터에서 피크 파장을 가지고, 상기 파장 변환 물질에서 발광하는 520 내지 670 나노미터에서 피크 파장을 가지는 발광 스펙트럼과, 상기 제2 파장 변환 물질에서 발광하는 420 내지 490 나노미터의 범위에서 피크 파장을 가지는 발광 스펙트럼이 혼합되어 백색광으로 발광할 수 있다.
실시예에 따른 형광체는 여기 파장이 300 내지 480 나노미터의 파장 영역에위치하고 특히 450 나노미터 인근의 파장 영역에서 여기 에너지가 증가하고 있으며, 발광 파장이 520 나노미터 내지 670 나노미터의 파장 영역에 위치하여 오렌지색 영역에서도 빛이 방출되어 연색성이 향상될 수 있다.
도 1은 발광소자 패키지의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 2는 도 1의 발광소자 패키지의 형광체의 제조방법의 일실시예의 흐름도이고,
도 3은 형광체의 일실시예의 여기 파장 영역에 따른 여기 에너지의 세기를 나타낸 그래프이고,
도 4는 형광체의 발광 파장 영역에 따른 빛의 세기를 나타낸 그래프이고,
도 5는 발광소자 패키지를 포함하는 헤드 램프의 일 실시예를 나타낸 도면이고,
도 6은 발광소자 패키지를 포함하는 표시장치의 일 실시예를 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1의 발광소자 패키지의 형광체의 제조방법의 일실시예의 흐름도이고,
도 3은 형광체의 일실시예의 여기 파장 영역에 따른 여기 에너지의 세기를 나타낸 그래프이고,
도 4는 형광체의 발광 파장 영역에 따른 빛의 세기를 나타낸 그래프이고,
도 5는 발광소자 패키지를 포함하는 헤드 램프의 일 실시예를 나타낸 도면이고,
도 6은 발광소자 패키지를 포함하는 표시장치의 일 실시예를 나타낸 도면이다.
이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
도 1은 발광소자 패키지의 일실시예를 나타낸 도면이다.
실시예에 따른 발광소자 패키지(100)는 패키지 몸체(110)와, 상기 패키지 몸체(110)에 설치된 제1 리드 프레임(121) 및 제2 리드 프레임(122)과, 상기 패키지 몸체(110)에 설치되어 상기 제1 리드 프레임(121) 및 제2 리드 프레임(122)과 전기적으로 연결되는 따른 발광소자(130)와, 상기 발광소자(130)의 표면 또는 측면을 덮는 몰딩부(150)를 포함한다.
상기 패키지 몸체(110)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광소자(130)의 주위에 경사면이 형성되어 광추출 효율을 높일 수 있다.
상기 제1 리드 프레임(121) 및 제2 리드 프레임(122)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광소자(130)에 전원을 제공한다. 또한, 상기 제1 리드 프레임(121) 및 제2 리드 프레임(122)은 상기 발광소자(130)에서 발생된 광을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광소자(130)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.
상기 발광소자(130)는 수평형 발광소자나 수직형 발광소자 등일 수 있고, 하나 또는 2개 이상이 탑재될 수 있으며, 상기 패키지 몸체(110) 상에 배치되거나 상기 제1 리드 프레임(121) 또는 제2 리드 프레임(122) 상에 배치되는데, 도 1에서 도전성 접착층(135)를 통하여 제1 리드 프레임(121) 상에 배치되고 있다.
발광소자(130)는 상기 제1 리드 프레임(121) 및 제2 리드 프레임(122)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. 도 1에서 발광소자(130)는 제1 리드 프레임(121)과 도전성 접착층(135)으로 연결되고 제2 리드 프레임(122)과 와이어(140) 본딩되고 있다.
몰딩부(150)는 상기 발광소자(130)를 둘러싸며 보호할 수 있다. 또한, 몰딩부(150)에는 형광체(155) 등의 파장 변환 물질이 포함되어 상기 발광소자(130)에서 방출된 제1 파장 영역의 광에 의하여 여기되어 보다 장파장인 제2 파장 영역의 광을 방출할 수 있다.
형광체(155)의 일실시예로 M3 - xAl2Si3O9N2:RE2 + y의 화학식을 가지는 파장 변환 물질을 사용할 수 있는데, 여기서 0≤x<3, 0.01≤<y<3일 수 있다. 상술한 파장 변환 물질은 활성체가 Re2 + y이고 모체가 M3 - xAl2Si3O9N2이며 Sr3Al2Si3O9N2:Eu로 표기할 수 있으며, M은 알칼리 토금속 원소이며, RE는 희토류 원소일 수 있다.
구체적으로, M은 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr) 및 바륨(Ba) 중 적어도 하나일 수 있고, RE는 세륨(Ce), 사마리움(Sm), 유로퓸(Eu), 이테르븀(Yb), 디스프로슘(Dy), 가듈리늄(Gd), 톨륨(Tm) 및 루테늄(Lu) 중 적어도 하나일 수 있다. 상술한 형광체는 여기 광원의 파장 범위가 약 300 나노미터 내지 480 나노미터로 광범위하여, Blue LED 와 UV LED 등 다양하게 사용될 수 있다.
도 2는 도 1의 발광소자 패키지의 형광체의 제조방법의 일실시예의 흐름도이다. 이하에서, 도 2를 참조하여 상술한 형광체의 제조방법을 설명한다.
본 실시예에 따른 형광체는 고상 반응법으로 제조할 수 있는데, 먼저 원료 물질을 준비한다(S110).
원료 물질로, Mg, Ca, Sr, Ba 등의 알칼리 토금속과, 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 산소(O), 질소(N) 및 Ce, Sm, Eu, Yb, Dy, Gd, Tm, Lu 등의 희토류 원소를 준비한다.
Sr3Al2Si3O9N2:Eu를 제조할 때, 상술한 원료 물질 등은 예를 들면 알칼리 토금속으로 Sr을 사용하는 경우 SrCO3, Al2N, SiO2, Eu2O3을 준비한다. 즉, 스트론튬의 원료로 SrCO3를 사용하고, 알루미늄과 질소의 원료로 AlN를 사용하고, 실리콘의 원료로 SiO2를 사용하고, 유로퓸의 원료로 Eu2O3을 사용하며, SiO2와 Eu2O3는 산소의 원료로도 사용될 수 있다. 이러한 원료 물질을 전구체라 할 수 있다.
그리고, 상술한 원료 물질을 혼합한다(S120).
상술한 원료물질들을 제조하고자 하는 형광체, 본 실시예의 경우는 Sr3Al2Si3O9N2:Eu의 조성비에 맞게 개량한 후 아세톤 용매를 이용하여 마노 유발에 혼합한다. 이때, 용매로는 아세톤 외에 에탄올이나 순수를 사용할 수 있다.
그리고, 혼합된 원료물질로 형광체를 합성한다(S130).
형광체의 합성은 약 1100℃~1400℃의 온도에서 수소(H2)와 질소(N2)의 혼합 가스의 분위기에서 상술한 원료물질을 합성하며, 종래의 고온 고압이 아닌 저온 상압에서 합성이 가능하다. 합성 온도가 너무 높으면 형광체가 분말로 이루어지지 않고 녹을 수 있으며, 합성 온도가 너무 낮으면 원료 물질들이 상을 이루지 못할 수 있다.
수소와 질소 가스의 혼합 비율(%)은 5 대 95 내지 20 대 80의 범위 내에서 변화시킬 수 있고, 혼합 가스의 유량은 분당 1000 cc 내지 2000 cc로 할 수 있다. 수소와 질소 가스는 유로퓸을 포함하는 Eu2O3의 환원 가스로 작용할 수 있다.
그리고, 혼합과 소성이 완료된 형광체의 볼 밀(Ball Mill) 및 세정 공정을 진행(S140)하는데, 소성이 완성된 형광체를 볼밀 과정과 세정 공정을 진행한다.
볼 밀 과정을 상세히 설명하면 아래와 같다.
형광체의 원료 물질인 전구체를 균일하게 혼합하기 위하여 고에너지 볼 밀링기(High Energy Ball Milling Machine)에 주입하고, 고에너지 볼 밀링기를 이용하여 볼과 전구체를 밀링기에 넣고 밀링기를 일정 속도로 회전시켜 전구체들을 기계화학적으로 분쇄하고 균일하게 혼합할 수 있다.
고에너지 볼 밀링기로 원료 물질을 분쇄하면 입자의 크기가 마이크로 미터 이하의 크기로 작아지면서 반응 입자들의 직접 접촉면적이 증가하고, 볼의 충돌에 의하여 온도가 상승하여 전구체에 고상 반응이 일어날 수 있으며, 밀링기 내부의 온도가 급격히 상승하여 각 원료 물질들이 서로 반응할 수 있다.
볼 밀 과정에는 지르코니아, 알루미나, 유리 또는 금속으로 이루어진 볼을 사용할 수 있으며, 볼들의 크기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 그리고, 볼의 크기, 밀링 시간, 볼 밀링기의 분당 회전속도 등을 조절하여 목표하는 형광체 분말의 크기로 분쇄할 수 있다.
상술한 바와 같이 볼 밀링기 내에서 볼에 의한 기계적 연마와 고상 반응에 의한 화학적 작용에 의하여, 형광체 내에서 원료 물질들이 결정화될 수 있으며, 이어서 약 70℃ 내지 90℃에서 10시간 내지 14시간 정도 건조시켜서 시킬 수 있다.
제조공정이 완료된 형광체를 PL(photoluminescence) 분석을 통하여 발광 특성을 분석할 수 있다.
도 3은 형광체의 일실시예의 여기 파장 영역에 따른 여기 에너지의 세기를 나타낸 그래프이고, 도 4는 형광체의 발광 파장 영역에 따른 빛의 세기를 나타낸 그래프이다.
도 3에서 상술한 형광체에 조사되는 빛의 중 300 내지 480 나노미터의 파장 영역에서 최대 여기 에너지의 40%이상의 여기 에너지를 나타내고 있다. 현재 사용되는 산화물 및 산질화물 형광체는 여기 파장이 400 나노미터 이상이 되면 여기 에너지가 급격히 감소하나, 실시예에서는 450 나노미터 인근의 파장 영역에서 여기 에너지가 증가하고 있다.
그리고, 도 4에서 450 나노미터의 파장 영역의 광에 의하여 여기된 형광체의 발광 파장 영역에 다른 빛의 세기 분포가 도시되어 있고, 583 나노미터의 파장에서 발광 파장의 중심이 위치하여 최대 세기를 나타내고 있으며, 520 나노미터 내지 670 나노미터의 파장 영역에서 최대 발광 에너지의 20% 이상의 발광 에너지 분포를 나타내고 있다.
상술한 형광체는 발광 파장이 520 나노미터 내지 670 나노미터의 파장 영역에 분포하여, 오렌지색의 발광 영역을 가지고 있고 백색 발광소자를 구현하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 발광소자로 UV LED를 사용하여 백색 LED를 구현할 때 UV LED 칩(chip)과 적색, 녹색 및 청색의 형광체가 필요하며, 상술한 형광체를 사용할 때 오렌지색의 파장 영역에서도 발광하여 백색 LED 구현시에 연색성이 향상될 수 있다.
발광소자가 420 내지 490 나노미터의 범위에 피크(peark) 파장을 갖는 청색 파장 영역의 발광 스펙트럼의 빛을 방출할 때, 상술한 형광체는 발광소자에서 방출된 청색 파장 영역의 발광 스펙트럼을 갖는 빛의 일부를 흡수하고 520 내지 670 나노미터에서 피크 파장을 가지는 빛을 방출할 수 있다. 그리고, 파장 변환 물질에서 발광하는 빛과, 상기 발광소자로부터 방출되고 상기 파장 변환 물질에 흡수되지 않은 빛이 혼합되어 양 스펙트럼이 중합되어 연속성을 갖는 백색광이 될 수 있다.
그리고, 도 4에 도시된 바와 같이 파장 변환 물질은 700 내지 750 나노미터의 파장 영역에서도 발광 스펙트럼이 분포할 수 있다.
다른 실시예에 따르면 형광체는 상술한 파장 변환 물질 외에 제2 파장 변환 물질을 더 포함할 수 있다. 이때, 발광소자는 300 내지 420 나노미터의 범위에 피크 파장을 갖는 자외선 영역의 발광 스펙트럼을 가지는 UV LED일 수 있는데, 파장 변환 물질은 발광소자에서 방출되는 자외선 영역의 빛의 일부를 흡수하고 520 내지 670 나노미터에서 피크 파장을 가지는 빛을 방출할 수 있고, 제2 파장 변환 물질은 UV LED에서 방출되는 자외선 영역의 발광 스펙트럼의 일부를 흡수하여 420 내지 490 나노미터에서 피크 파장을 가지는 빛을 방출할 수 있다. 이때, 파장 변환 물질에서 발광하는 520 내지 670 나노미터에서 피크 파장을 가지는 빛과, 제2 파장 변환 물질에서 발광하는 420 내지 490 나노미터의 범위에서 피크 파장을 가지는 빛의 스펙트럼이 중합되어 연속성을 갖는 백색광이 될 수 있다.
또한, 청색 LED 칩을 사용하여 백색의 LED를 구현할 때, 청색 LED 칩 위에 황색 형광체를 도포하거나, 청색 LED 칩 위에 적색과 녹색 형광체를 도포하거나, 청색 LED 칩 위에 녹색과 적색 및 황색 형광체를 도포할 수 있다. 따라서, 상술한 실시예들에 따른 반치폭이 넓은 오렌지 색의 형광체를 도포하면 백색 LED를 구현할 때 연색지수를 높일 수 있다. 또한, 조명 장치 내에 사용되는 발광소자 패키지에 상술한 형광체를 사용하여도 연색성을 높일 수 있다.
또한, 청색 LED 칩을 사용하여 백색의 LED를 구현할 때, 청색 LED 칩 위에 황색 형광체를 도포하거나, 청색 LED 칩 위에 적색과 녹색 형광체를 도포하거나, 청색 LED 칩 위에 녹색과 적색 및 황색 형광체를 도포할 수 있는데, 상술한 실시예에 따른 형광체를 도포하면 오렌지 색의 파장 영역에서도 발광하여 백색 LED를 구현할 때 연색지수를 높일 수 있다. 또한, 조명 장치 내에 사용되는 발광소자 패키지에 상술한 형광체를 사용하여도 연색성을 높일 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다.
또 다른 실시예는 상술한 실시 예들에 기재된 반도체 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다. 이하에서는 상술한 발광소자 패키지가 배치된 조명 시스템의 일실시예로서, 헤드 램프와 백라이트 유닛을 설명한다.
도 5는 발광소자 패키지를 포함하는 헤드 램프의 일 실시예를 나타낸 도면이다.
실시예에 따른 헤드 램프(400)는 발광소자 패키지가 배치된 발광소자 모듈(401)에서 방출된 빛이 리플렉터(402)와 쉐이드(403)에서 반사된 후 렌즈(404)를 투과하여 차체 전방을 향할 수 있다.
실시예에 따른 헤드 램프는, 상기 발광소자 모듈(401)에 사용되는 발광소자 패키지에서 오렌지색 파장 영역의 빛까지 방출되어 연색성이 향상될 수 있다.
상기 발광소자 모듈(401)에 포함된 발광소자 패키지는 발광소자를 복수 개로 탑재할 수 있으며, 이에 대해 한정하지 않는다.
도 6은 발광소자 패키지를 포함하는 표시장치의 일 실시예를 나타낸 도면이다.
도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 표시장치(500)는 광원 모듈과, 바텀 커버(510) 상의 반사판(520)과, 상기 반사판(520)의 전방에 배치되며 상기 광원모듈에서 방출되는 빛을 표시장치 전방으로 가이드하는 도광판(540)과, 상기 도광판(540)의 전방에 배치되는 제1 프리즘시트(550)와 제2 프리즘시트(560)와, 상기 제2 프리즘시트(560)의 전방에 배치되는 패널(570)과 상기 패널(570)의 전반에 배치되는 컬러필터(580)를 포함하여 이루어진다.
광원 모듈은 회로 기판(530) 상의 발광소자 패키지(535)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 회로 기판(530)은 PCB 등이 사용될 수 있고, 발광소자 패키지(535)는 도 1에서 설명한 바와 같다.
바텀 커버(510)는 표시 장치(500) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 반사판(520)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있고, 도광판(540)의 후면이나, 상기 바텀 커버(510)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.
반사판(520)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.
도광판(540)은 발광소자 패키지 모듈에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. 따라서, 도광판(530)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다. 또한, 도광판(540)이 생략되면 에어 가이드 방식의 표시장치가 구현될 수 있다.
상기 제1 프리즘 시트(550)는 지지필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성되는데, 상기 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 상기 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.
상기 제2 프리즘 시트(560)에서 지지필름 일면의 마루와 골의 방향은, 상기 제1 프리즘 시트(550) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 광원 모듈과 반사시트로부터 전달된 빛을 상기 패널(570)의 전방향으로 고르게 분산하기 위함이다.
본 실시예에서 상기 제1 프리즘시트(550)과 제2 프리즘시트(560)가 광학시트를 이루는데, 상기 광학시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.
상기 패널(570)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있다.
상기 패널(570)은, 유리 바디 사이에 액정이 위치하고 빛의 편광성을 이용하기 위해 편광판을 양 유리바디에 올린 상태로 되어있다. 여기서, 액정은 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는데, 액체처럼 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정처럼 규칙적으로 배열된 상태를 갖는 것으로, 상기 분자 배열이 외부 전계에 의해 변화되는 성질을 이용하여 화상을 표시한다.
표시장치에 사용되는 액정 표시 패널은, 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로서, 각 화소에 공급되는 전압을 조절하는 스위치로서 트랜지스터를 사용한다.
상기 패널(570)의 전면에는 컬러 필터(580)가 구비되어 상기 패널(570)에서 투사된 빛을, 각각의 화소마다 적색과 녹색 및 청색의 빛만을 투과하므로 화상을 표현할 수 있다.
실시예에 따른 백라이트 유닛은, 오렌지색 파장 영역의 빛까지 방출되어 연색성이 향상될 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100 : 발광소자 패키지 110 : 패키지 몸체
121, 122 : 제1,2 리드 프레임 130 : 발광소자
135 : 도전성 접착층 140 : 와이어
150 : 몰딩부 155 : 형광체
400 : 헤드 램프 410 : 발광소자 모듈
420 : 리플렉터 430 : 쉐이드
440 : 렌즈
800 : 표시장치 810 : 바텀 커버
820 : 반사판 830 : 회로 기판 모듈
840 : 도광판 850, 860 : 제1,2 프리즘 시트
870 : 패널 880 : 컬러필터
121, 122 : 제1,2 리드 프레임 130 : 발광소자
135 : 도전성 접착층 140 : 와이어
150 : 몰딩부 155 : 형광체
400 : 헤드 램프 410 : 발광소자 모듈
420 : 리플렉터 430 : 쉐이드
440 : 렌즈
800 : 표시장치 810 : 바텀 커버
820 : 반사판 830 : 회로 기판 모듈
840 : 도광판 850, 860 : 제1,2 프리즘 시트
870 : 패널 880 : 컬러필터
Claims (10)
- M3 - xAl2Si3O9N2:RE2 + y(0≤x<3, 0.01≤<y<3이고, M은 알칼리 토금속 원소이며, RE는 희토류 원소)를 포함하는 파장 변환 물질.
- 제1 항에 있어서,
활성체가 Re2 + y이고, 모체가 M3 - xAl2Si3O9N2인 파장 변환 물질. - 제 1 항에 있어서,
여기 파장이 300 내지 480 나노미터인 파장 변환 물질. - 제 3 항에 있어서,
발광 파장이 520 내지 670 나노미터인 파장 변환 물질. - 제 3 항에 있어서,
발광 파장의 중심이 583 나노미터인 파장 변환 물질. - 제 1 항에 있어서,
상기 M은 Mg, Ca, Sr 및 Ba 중 적어도 하나인 파장 변환 물질. - 제 1 항에 있어서,
상기 RE는 Ce, Sm, Eu, Yb, Dy, Gd, Tm 및 Lu 중 적어도 하나인 파장 변환 물질. - 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임;
상기 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임에 각각 전기적으로 연결된 발광소자; 및
상기 발광소자 상에 배치되고, 상기 발광소자에서 출사된 제1 파장 영역의 광에 의하여 여기되어 제2 파장 영역의 광을 방출하는 파장 변환 물질을 포함하고,
상기 파장 변환 물질은 M3 - xAl2Si3O9N2:RE2 + y(0≤x<3, 0.01≤<y<3이고, M은 알칼리 토금속 원소이며, RE는 희토류 원소)인 발광소자 패키지. - 제8 항에 있어서,
상기 발광소자는 420 내지 490 나노미터의 범위에 피크(peark) 파장을 갖는 청색 파장 영역의 발광 스펙트럼을 갖고,
상기 파장 변환 물질은 상기 발광소자에서 방출되는 청색 파장 영역의 발광 스펙트럼의 일부를 흡수하고, 발광 스펙트럼이 520 내지 670 나노미터에서 피크 파장을 가지고,
상기 파장 변환 물질에서 발광하는 520 내지 670 나노미터에서 피크파장을 가지는 발광 스펙트럼과, 상기 발광소자에서 상기 파장 변환 물질에 흡수되지 않은 420 내지 490 나노미터의 범위에서 피크 파장을 가지는 청색 파장 영역의 발광 스펙트럼이 혼합되어 백색광으로 발광하는 발광소자 패키지. - 제8 항에 있어서,
상기 파장 변환 물질 상에 제2 파장 변환 물질을 더 포함하고,
상기 발광소자는 300 내지 420 나노미터의 범위에 피크 파장을 갖는 자외선 영역의 발광 스펙트럼을 갖고,
상기 파장 변환 물질은 상기 발광소자에서 방출되는 자외선 영역의 발광 스펙트럼의 일부를 흡수하고, 발광 스펙트럼이 520 내지 670 나노미터에서 피크 파장을 가지고,
상기 제2 파장 변환 물질은 상기 발광소자에서 방출되는 자외선 영역의 발광 스펙트럼의 일부를 흡수하고, 420 내지 490 나노미터에서 피크 파장을 가지고,
상기 파장 변환 물질에서 발광하는 520 내지 670 나노미터에서 피크 파장을 가지는 발광 스펙트럼과, 상기 제2 파장 변환 물질에서 발광하는 420 내지 490 나노미터의 범위에서 피크 파장을 가지는 발광 스펙트럼이 혼합되어 백색광으로 발광하는 발광소자 패키지.
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