JP2013258428A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
ィールド領域をよぎる貫通電極が形成される半導体装置において、貫通電極の側壁に生じ
るノッチの発生を確実に防止することにより、品質および信頼性の安定性を図る。
【解決手段】
基板の基材を除去して得られるトレンチに絶縁膜を形成した絶縁部と基板の基材を残すことにより形成された複数のダミー部とからなる素子分離領域と、電極パッドとを第1の主面に有する半導体基板を準備する工程と、半導体基板の第2の主面から、外縁が前記ダミー部をよぎることなく半導体基板を貫通する貫通孔を素子分離領域に形成し、電極パッドを露出させる工程と、貫通孔の側壁に絶縁層を形成する工程と、絶縁層の表面に導電膜を形成する工程と、を含む。
【選択図】図4
Description
前記半導体基板の第2の主面から、外縁が前記ダミー部をよぎることなく前記半導体基板を貫通する貫通孔を前記素子分離領域に形成し、前記電極パッドを露出させる貫通孔形成工程と、
前記貫通孔の側壁に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層の表面に導電膜を形成する導電膜形成工程と、
を含むことを特徴としている。
前記素子分離領域は、前記半導体基板の前記第1の主面の基材を除去して得られるトレンチに絶縁膜を形成した絶縁部と、前記半導体基板の基材を残すことにより得られるダミー部とからなり、
前記貫通電極は、前記素子分離領域に形成されるとともに、前記半導体基板の第2の主面から、外縁が前記ダミー部をよぎることなく前記半導体基板を貫通して形成された貫通孔と、前記貫通孔の側壁に形成された絶縁層と、前記絶縁層の表面に形成された導電膜とを備えることを特徴としている。
11 STI領域
12 絶縁膜
13 電極パッド
18 絶縁膜
20 貫通電極
21 貫通孔
22 バリアメタル
23 めっきシード膜
24 めっき膜
25 裏面配線
30 能動素子
100 フィールド領域
200〜205 ダミーアクティブ
Claims (3)
- 基板の基材を除去して得られるトレンチに絶縁膜を形成した絶縁部と前記基板の基材を残すことにより形成された複数のダミー部とからなる素子分離領域と、電極パッドとを第1の主面に有する半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板の第2の主面から、外縁が前記ダミー部をよぎることなく前記半導体基板を貫通する貫通孔を前記素子分離領域に形成し、前記電極パッドを露出させる貫通孔形成工程と、
前記貫通孔の側壁に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層の表面に導電膜を形成する導電膜形成工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記素子分離領域は、前記貫通孔の形成領域内に配置された島状ダミー部を含むことを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 素子分離領域と電極パッドとを第1の主面に有する半導体基板と、前記半導体基板の第2の主面から前記半導体基板を貫通して形成されるとともに前記電極パッドに接続された貫通電極と、を有する半導体装置であって、
前記素子分離領域は、前記半導体基板の前記第1の主面の基材を除去して得られるトレンチに絶縁膜を形成した絶縁部と、前記半導体基板の基材を残すことにより得られるダミー部とからなり、
前記貫通電極は、前記素子分離領域に形成されるとともに、前記半導体基板の第2の主面から、外縁が前記ダミー部をよぎることなく前記半導体基板を貫通して形成された貫通孔と、前記貫通孔の側壁に形成された絶縁層と、前記絶縁層の表面に形成された導電膜とを備えることを特徴とする半導体装置。
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